技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種QLED器件，包括依次層疊設(shè)置的陽(yáng)極、空穴傳輸層、量子點(diǎn)發(fā)光層、電子傳輸層和陰極，所述量子點(diǎn)發(fā)光層為核殼量子點(diǎn)，且其殼層為ZnS；所述空穴傳輸層、所述電子傳輸層采用與所述核殼量子點(diǎn)的殼層材料相同的化合物制成，其中，所述電子傳輸層由N型ZnS制成，所述空穴傳輸層由P型ZnS制成，且所述P型ZnS為Sb摻雜ZnS。

技術(shù)研發(fā)人員：王宇;曹蔚然;楊一行;錢(qián)磊
受保護(hù)的技術(shù)使用者：TCL集團(tuán)股份有限公司
文檔號(hào)碼：201611226239
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.27
技術(shù)公布日：2017.05.31