1.一種QLED器件，包括依次層疊設(shè)置的陽(yáng)極、空穴傳輸層、量子點(diǎn)發(fā)光層、電子傳輸層和陰極，其特征在于，所述量子點(diǎn)發(fā)光層為核殼量子點(diǎn)，且其殼層為ZnS；
所述空穴傳輸層、所述電子傳輸層采用與所述核殼量子點(diǎn)的殼層材料相同的化合物制成，其中，所述電子傳輸層由N型ZnS制成，所述空穴傳輸層由P型ZnS制成，且所述P型ZnS為Sb摻雜ZnS。
2.如權(quán)利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述N型ZnS、P型ZnS為無定型相ZnS半導(dǎo)體材料。
3.如權(quán)利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述Sb摻雜ZnS中，以Sb、Zn的摩爾總量為100％計(jì)，Sb占Sb、Zn摩爾總量的0.5-20％。
4.如權(quán)利要求1-3任一所述的QLED器件，其特征在于，所述QLED器件還包括設(shè)置在所述陽(yáng)極和所述空穴傳輸層之間的空穴注入層。
5.如權(quán)利要求1-3任一所述的QLED器件，其特征在于，所述QLED器件為正型QLED器件，包括依次層疊設(shè)置的基板、陽(yáng)極、空穴傳輸層、量子點(diǎn)發(fā)光層、電子傳輸層和陰極，其中，所述量子點(diǎn)發(fā)光層為核殼量子點(diǎn)，且其殼層為ZnS；所述空穴傳輸層、所述電子傳輸層采用與所述核殼量子點(diǎn)的殼層材料相同的化合物制成，其中，所述電子傳輸層由N型ZnS制成，所述空穴傳輸層由P型ZnS制成，且所述P型ZnS為Sb摻雜ZnS。
6.如權(quán)利要求1-3任一所述的QLED器件，其特征在于，所述QLED器件為正型QLED器件，包括依次層疊設(shè)置的基板、陽(yáng)極、空穴注入層、空穴傳輸層、量子點(diǎn)發(fā)光層、電子傳輸層和陰極，其中，所述量子點(diǎn)發(fā)光層為核殼量子點(diǎn)，且其殼層為ZnS；所述空穴傳輸層、所述電子傳輸層采用與所述核殼量子點(diǎn)的殼層材料相同的化合物制成，其中，所述電子傳輸層由N型ZnS制成，所述空穴傳輸層由P型ZnS制成，且所述P型ZnS為Sb摻雜ZnS。
7.如權(quán)利要求1-3任一所述的QLED器件，其特征在于，所述QLED器件為反型QLED器件，包括依次層疊設(shè)置的基板、陰極、電子傳輸層、量子點(diǎn)發(fā)光層、空穴傳輸層和陽(yáng)極，其中，所述量子點(diǎn)發(fā)光層為核殼量子點(diǎn)，且其殼層為ZnS；所述空穴傳輸層、所述電子傳輸層采用與所述核殼量子點(diǎn)的殼層材料相同的化合物制成，其中，所述電子傳輸層由N型ZnS制成，所述空穴傳輸層由P型ZnS制成，且所述P型ZnS為Sb摻雜ZnS。
8.一種QLED器件的制備方法，包括以下步驟：
分別制備P型ZnS溶液、N型ZnS溶液；
提供陰極襯底，在所述陰極襯底上沉積N型ZnS溶液，加熱退火處理后，使用365nm的紫外燈照射處理，得到電子傳輸層；
通過溶液加工法在所述電子傳輸層上沉積量子點(diǎn)材料，制備量子點(diǎn)發(fā)光層；
在所述量子點(diǎn)發(fā)光層上沉積P型ZnS溶液，加熱退火處理后，使用365nm的紫外燈照射處理，得到空穴傳輸層；
在所述空穴傳輸層上制備陽(yáng)極；
或
分別制備P型ZnS溶液、N型ZnS溶液；
提供陽(yáng)極襯底，在所述陽(yáng)極襯底上依次沉積P型ZnS溶液，加熱退火處理后，使用365nm的紫外燈照射處理，得到空穴傳輸層；
通過溶液加工法在所述空穴傳輸層上沉積量子點(diǎn)材料，制備量子點(diǎn)發(fā)光層；
在所述量子點(diǎn)發(fā)光層上沉積N型ZnS溶液，加熱退火處理后，使用365nm的紫外燈照射處理，得到電子傳輸層；
在所述電子傳輸層上制備陰極。
9.如權(quán)利要求8所述的QLED器件的制備方法，其特征在于，所述N型ZnS溶液的制備方法如下：
將摩爾比為1-5:1-5:5-30的ZnCl2、Na2S和巰基乙酸加入到反應(yīng)容器中，加入超純水?dāng)嚢柚脸吻搴?，微波加熱處理制備水溶性的ZnS，其中，所述微波加熱處理的溫度為50-80℃，加熱3-30min。
10.如權(quán)利要求8所述的QLED器件的制備方法，其特征在于，所述P型ZnS溶液的制備方法如下：
將ZnCl2、SbCl5、Na2S和巰基乙酸加入到反應(yīng)容器中，加入超純水?dāng)嚢柚脸吻搴?，微波加熱處理制備水溶性的Sb摻雜ZnS，其中，所述微波加熱處理的溫度為50-80℃，加熱3-30min，
其中，ZnCl2、Na2S和巰基乙酸的摩爾比為1-5:1-5:5-30，所述SbCl5的添加量滿足：以Sb、Zn的摩爾總量為100％計(jì)，Sb占Sb、Zn摩爾總量的0.5-20％。