技術(shù)編號：12479116
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于平板顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種QLED器件及其制備方法。背景技術(shù)量子點發(fā)光二極管(QLED)由于具有半高峰寬窄、顏色可調(diào)和可溶液法制備等優(yōu)點，成為下一代顯示科技的有力競爭者。研究者從不同的角度對QLED展開研究，包括QDs、HTL、ETL和電極的研究；以及對器件的結(jié)構(gòu)、性能和穩(wěn)定性的研究。美國專利(US7880377)報道了一種基底/陽極/HTL/QDs/ETL/陰極結(jié)構(gòu)的QLED器件；其中，HTL、ETL、QD的殼層均采用同種化合物制成。由于HTL、QDs、ETL均為無機(jī)材料層，該發(fā)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。