1.一種顯示基板的制備方法，其特征在于，所述顯示基板包括襯底、襯底上的第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管；所述第一薄膜晶體管包括第一有源層，所述第二薄膜晶體管包括第二有源層，所述第二有源層包括中心區(qū)域和位于所述中心區(qū)域兩側(cè)的摻雜區(qū)域；
所述制備方法包括：
通過一次構(gòu)圖工藝形成包括所述第一有源層和所述第二有源層的摻雜區(qū)域的圖形。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述通過一次構(gòu)圖工藝形成所述第一有源層和所述第二有源層的摻雜區(qū)域之前，還包括：形成第一半導(dǎo)體圖案；
其中，所述第二有源層的摻雜區(qū)域是通過對所述第一半導(dǎo)體圖案進行摻雜形成的。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述摻雜區(qū)域包含第一摻雜區(qū)域和第二摻雜區(qū)域，所述第一摻雜區(qū)域位于所述第二摻雜區(qū)域和所述中心區(qū)域之間；所述通過一次構(gòu)圖工藝形成所述第一有源層和所述第二有源層的摻雜區(qū)域包括：
形成第二半導(dǎo)體薄膜，所述第二半導(dǎo)體薄膜覆蓋第一半導(dǎo)體圖案；
在所述第二半導(dǎo)體薄膜上形成光刻膠層；
對所述光刻膠層進行曝光、顯影，形成第一光刻膠圖案和第二光刻膠圖案；所述第一光刻膠圖案對應(yīng)所述第一有源層所在區(qū)域，所述第二光刻膠圖案對應(yīng)所述中心區(qū)域和所述第一摻雜區(qū)域所在位置；
對所述第二半導(dǎo)體薄膜進行刻蝕，形成所述第一有源層圖形和第二半導(dǎo)體圖案，并露出部分所述第一半導(dǎo)體圖案；所述第二半導(dǎo)體圖案與所述中心區(qū)域和第一摻雜區(qū)域位置相對應(yīng)；
對露出的部分所述第一半導(dǎo)體圖案進行摻雜，形成所述第二摻雜區(qū)域；
對第二光刻膠圖案進行灰化處理，形成第三光刻膠圖案，所述第三光刻膠圖案對應(yīng)所述中心區(qū)域所在位置；
對所述第一半導(dǎo)體圖案進行第二次摻雜，形成所述第一摻雜區(qū)域；
去除所述第一光刻膠圖案和所述第三光刻膠圖案。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述通過一次構(gòu)圖工藝形成所述第一有源層和所述第二有源層的摻雜區(qū)域包括：
形成第二半導(dǎo)體薄膜，所述第二半導(dǎo)體薄膜覆蓋第一半導(dǎo)體圖案；
在第二半導(dǎo)體薄膜上形成光刻膠層；
對所述光刻膠層進行曝光、顯影，形成第一光刻膠圖案和第二光刻膠圖案；所述第一光刻膠圖案對應(yīng)所述第一有源層所在區(qū)域，第二光刻膠圖案對應(yīng)所述中心區(qū)域所在位置；
對所述第二半導(dǎo)體薄膜進行刻蝕，形成所述第一有源層圖形和第二半導(dǎo)體圖案，并露出部分所述第一半導(dǎo)體圖案；所述第二半導(dǎo)體圖案與所述中心區(qū)域位置相對應(yīng)；
對露出的部分所述第一半導(dǎo)體圖案進行摻雜，形成所述摻雜區(qū)域；
去除所述第一光刻膠圖案和所述第二光刻膠圖案。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，在所述形成第一半導(dǎo)體圖案之后，還包括：
通過一次構(gòu)圖工藝形成公共電極并去除所述第二半導(dǎo)體圖案。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述第二半導(dǎo)體圖案與所述中心區(qū)域和第一摻雜區(qū)域位置相對應(yīng)，所述通過一次構(gòu)圖工藝形成公共電極并去除所述第二半導(dǎo)體圖案包括：
在所述第一有源層和所述第二摻雜區(qū)域的上方沉積公共電極層材料，并對所述公共電極層材料和覆蓋在所述中心區(qū)域和第一摻雜區(qū)域上的第二半導(dǎo)體圖案進行構(gòu)圖工藝，以形成所述公共電極和去除所述第二半導(dǎo)體圖案。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，第二光刻膠圖案對應(yīng)所述中心區(qū)域所在位置，所述通過一次構(gòu)圖工藝形成公共電極并去除所述第二半導(dǎo)體圖案包括：
在所述第一有源層的上方沉積公共電極層材料，并對所述公共電極層材料和覆蓋在所述中心區(qū)域上的第二半導(dǎo)體圖案進行構(gòu)圖工藝，以形成所述公共電極和去除所述第二半導(dǎo)體圖案。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，在所述通過一次構(gòu)圖工藝形成公共電極并去除所述第二半導(dǎo)體圖案之前，還包括：
在所述第一有源層之上形成第一源漏圖形，在所述第二摻雜區(qū)域之上形成第二源漏圖形；
在所述第一源漏圖形和所述第二源漏圖形上沉積第一絕緣層和樹脂層；
對所述第一絕緣層和所述樹脂層進行一次構(gòu)圖工藝，以在所述第一絕緣層和所述樹脂層中與所述第一源漏圖形對應(yīng)的位置形成第一通孔，在所述第一絕緣層和所述樹脂層中與所述第二半導(dǎo)體圖案對應(yīng)的位置形成第二通孔。
9.一種顯示基板，其特征在于，包括襯底、位于所述襯底上的第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管；所述第一薄膜晶體管包括第一有源層，所述第二薄膜晶體管包括第二有源層，所述第二有源層包括中心區(qū)域和位于所述中心區(qū)域兩側(cè)的摻雜區(qū)域。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示基板，其特征在于，所述第一有源層和所述第二有源層的摻雜區(qū)域通過一次構(gòu)圖工藝形成。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示基板，其特征在于，第一有源層為金屬氧化物有源層，所述第二有源層為多晶硅有源層。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示基板，其特征在于，所述摻雜區(qū)域包含第一摻雜區(qū)域和第二摻雜區(qū)域，所述第一摻雜區(qū)域位于所述第二摻雜區(qū)域和所述中心區(qū)域之間，所述第二薄膜晶體管還包含第二源漏圖形，所述第二源漏圖形所述第二摻雜區(qū)域。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示基板，其特征在于，所述第二薄膜晶體管還包含第二源漏圖形，所述第二源漏圖形覆蓋所述摻雜區(qū)域。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示基板，其特征在于，所述顯示基板設(shè)置有顯示區(qū)域和位于所述顯示區(qū)域周圍的周邊區(qū)域，所述第一薄膜晶體管位于顯示區(qū)域內(nèi)，所述第二薄膜晶體管位于所述周邊區(qū)域。
15.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求9至14任意一項所述的顯示基板。