本發(fā)明屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置。

背景技術(shù)：

當(dāng)前，顯示面板作為電子行業(yè)的基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè)，其技術(shù)在不斷的演變和革新，其中，氧化物技術(shù)和低溫多晶硅技術(shù)因其自身的優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用。具體地，低溫多晶硅晶體管的優(yōu)點(diǎn)在于其具有較高的電子遷移率，但同時也具有漏電流大的缺點(diǎn)；而氧化物晶體管的優(yōu)點(diǎn)在于其具有較小的漏電流，但也存在電子遷移率低的問題。

基于氧化物晶體管和低溫多晶硅晶體管自身的缺點(diǎn)，二者在實(shí)際的應(yīng)用中都受到了限制，具體地，低溫多晶硅晶體管的漏電流過大，不適用于顯示區(qū)域。

在現(xiàn)有的制備包括低溫多晶硅晶體管和氧化物晶體管的顯示基板時，多數(shù)采用頂柵結(jié)構(gòu)，以柵極作為低溫多晶硅晶體管中摻雜區(qū)域的掩膜，但對于底柵結(jié)構(gòu)的低溫多晶硅晶體管而言，則需要多設(shè)計(jì)一個掩膜板，這無疑增加制備工藝的復(fù)雜性和制備成本。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一，提出了一種能夠降低工藝復(fù)雜性和制備成本的顯示基板及其制備方法、顯示裝置。

解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種顯示基板的制備方法，所述顯示基板包括襯底、襯底上的第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管；所述第一薄膜晶體管包括第一有源層，所述第二薄膜晶體管包括第二有源層，所述第二有源層包括中心區(qū)域和位于所述中心區(qū)域兩側(cè)的摻雜區(qū)域；

所述制備方法包括：

通過一次構(gòu)圖工藝形成包括所述第一有源層和所述第二有源層的摻雜區(qū)域的圖形。

其中，在所述通過一次構(gòu)圖工藝形成所述第一有源層和所述第二有源層的摻雜區(qū)域之前，還包括：形成第一半導(dǎo)體圖案；

其中，所述第二有源層的摻雜區(qū)域是通過對所述第一半導(dǎo)體圖案進(jìn)行摻雜形成的。

其中，所述摻雜區(qū)域包含第一摻雜區(qū)域和第二摻雜區(qū)域，所述第一摻雜區(qū)域位于所述第二摻雜區(qū)域和所述中心區(qū)域之間；所述通過一次構(gòu)圖工藝形成所述第一有源層和所述第二有源層的摻雜區(qū)域包括：

形成第二半導(dǎo)體薄膜，所述第二半導(dǎo)體薄膜覆蓋第一半導(dǎo)體圖案；

在所述第二半導(dǎo)體薄膜上形成光刻膠層；

對所述光刻膠層進(jìn)行曝光、顯影，形成第一光刻膠圖案和第二光刻膠圖案；所述第一光刻膠圖案對應(yīng)所述第一有源層所在區(qū)域，所述第二光刻膠圖案對應(yīng)所述中心區(qū)域和所述第一摻雜區(qū)域所在位置；

對所述第二半導(dǎo)體薄膜進(jìn)行刻蝕，形成所述第一有源層圖形和第二半導(dǎo)體圖案，并露出部分所述第一半導(dǎo)體圖案；所述第二半導(dǎo)體圖案與所述中心區(qū)域和第一摻雜區(qū)域位置相對應(yīng)；

對露出的部分所述第一半導(dǎo)體圖案進(jìn)行摻雜，形成所述第二摻雜區(qū)域；

對第二光刻膠圖案進(jìn)行灰化處理，形成第三光刻膠圖案，所述第三光刻膠圖案對應(yīng)所述中心區(qū)域所在位置；

對所述第一半導(dǎo)體圖案進(jìn)行第二次摻雜，形成所述第一摻雜區(qū)域；

去除所述第一光刻膠圖案和所述第三光刻膠圖案。

其中，所述通過一次構(gòu)圖工藝形成所述第一有源層和所述第二有源層的摻雜區(qū)域包括：

形成第二半導(dǎo)體薄膜，所述第二半導(dǎo)體薄膜覆蓋第一半導(dǎo)體圖案；

在第二半導(dǎo)體薄膜上形成光刻膠層；

對所述光刻膠層進(jìn)行曝光、顯影，形成第一光刻膠圖案和第二光刻膠圖案；所述第一光刻膠圖案對應(yīng)所述第一有源層所在區(qū)域，第二光刻膠圖案對應(yīng)所述中心區(qū)域所在位置；

對所述第二半導(dǎo)體薄膜進(jìn)行刻蝕，形成所述第一有源層圖形和第二半導(dǎo)體圖案，并露出部分所述第一半導(dǎo)體圖案；所述第二半導(dǎo)體圖案與所述中心區(qū)域位置相對應(yīng)；

對露出的部分所述第一半導(dǎo)體圖案進(jìn)行摻雜，形成所述摻雜區(qū)域；

去除所述第一光刻膠圖案和所述第二光刻膠圖案。

其中，在所述形成第一半導(dǎo)體圖案之后，還包括：

通過一次構(gòu)圖工藝形成公共電極和去除所述第二半導(dǎo)體圖案。

其中，所述第二半導(dǎo)體圖案與所述中心區(qū)域和第一摻雜區(qū)域位置相對應(yīng)，所述通過一次構(gòu)圖工藝形成公共電極和去除所述第二半導(dǎo)體圖案包括：

在所述第一有源層和所述第二摻雜區(qū)域的上方沉積公共電極層材料，并對所述公共電極層材料和覆蓋在所述中心區(qū)域和第一摻雜區(qū)域上的第二半導(dǎo)體圖案進(jìn)行構(gòu)圖工藝，以形成所述公共電極和去除所述第二半導(dǎo)體圖案。

其中，第二光刻膠圖案對應(yīng)所述中心區(qū)域所在位置，所述通過一次構(gòu)圖工藝形成公共電極和去除所述第二半導(dǎo)體圖案包括：

在所述第一有源層的上方沉積公共電極層材料，并對所述公共電極層材料和覆蓋在所述中心區(qū)域上的第二半導(dǎo)體圖案進(jìn)行構(gòu)圖工藝，以形成所述公共電極和去除所述第二半導(dǎo)體圖案。

其中，在所述通過一次構(gòu)圖工藝形成公共電極和去除所述第二半導(dǎo)體圖案之前，還包括：

在所述第一有源層之上形成第一源漏圖形，在所述第二摻雜區(qū)域之上形成第二源漏圖形；

在所述第一源漏圖形和所述第二源漏圖形上沉積第一絕緣層和樹脂層；

對所述第一絕緣層和所述樹脂層進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝，以在所述第一絕緣層和所述樹脂層中與所述第一源漏圖形對應(yīng)的位置形成第一通孔，在所述第一絕緣層和所述樹脂層中與所述中心區(qū)域?qū)?yīng)的位置形成第二通孔。

作為另一技術(shù)方案，本發(fā)明還提供一種顯示基板，包括襯底、位于所述襯底上的第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管；所述第一薄膜晶體管包括第一有源層，所述第二薄膜晶體管包括第二有源層，所述第二有源層包括中心區(qū)域和位于所述中心區(qū)域兩側(cè)的摻雜區(qū)域。

其中，所述第一有源層和所述第二有源層的摻雜區(qū)域通過一次構(gòu)圖工藝形成。

其中，第一有源層為氧化物有源層，所述第二有源層為多晶硅有源層。

其中，所述摻雜區(qū)域包含第一摻雜區(qū)域和第二摻雜區(qū)域，所述第一摻雜區(qū)域位于所述第二摻雜區(qū)域和所述中心區(qū)域之間，所述第二薄膜晶體管還包含第二源漏圖形，所述第二源漏圖形覆蓋所述第二摻雜區(qū)域。

其中，所述第二薄膜晶體管還包含第二源漏圖形，所述第二源漏圖形覆蓋所述摻雜區(qū)域。

其中，所述顯示基板設(shè)置有顯示區(qū)域和位于所述顯示區(qū)域周圍的周邊區(qū)域，所述第一薄膜晶體管位于顯示區(qū)域內(nèi)，所述第二薄膜晶體管位于所述周邊區(qū)域。

作為另一技術(shù)方案，本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括上述任意一項(xiàng)所述的顯示面基板。

本發(fā)明的顯示基板及其制備方法、顯示裝置中，顯示基板包括襯底、襯底上的第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，第一薄膜晶體管包括第一有源層，第二薄膜晶體管包括第二有源層，第二有源層包括中心區(qū)域和位于中心區(qū)域兩側(cè)的摻雜區(qū)域，制備方法包括：通過一次構(gòu)圖工藝形成包括第一有源層和第二有源層的摻雜區(qū)域第二有源層的圖形，通過這種方法，位于第二有源層之上的第二半導(dǎo)體薄膜，一方面能夠作為第二有源層的摻雜區(qū)域的掩膜板，另一方面還能夠防止形成第二源漏圖形時，刻蝕物質(zhì)與第二有源層的接觸，而位于第二有源層上的第二半導(dǎo)體薄膜可以在形成公共電極層時被一起去除，從而降低工藝復(fù)雜性和制備成本。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的實(shí)施例1的顯示基板的制備方法的流程示意圖；

圖2為本發(fā)明的實(shí)施例1的制備方法中步驟S1的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明的實(shí)施例1的制備方法中步驟S2的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明的實(shí)施例1的制備方法中步驟S3的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明的實(shí)施例1的制備方法中步驟S41的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本發(fā)明的實(shí)施例1的制備方法中步驟S43的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為本發(fā)明的實(shí)施例1的制備方法中步驟S44的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8為本發(fā)明的實(shí)施例1的制備方法中步驟S45的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9為本發(fā)明的實(shí)施例1的制備方法中步驟S46的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖10為本發(fā)明的實(shí)施例1的制備方法中步驟S47的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖11為本發(fā)明的實(shí)施例1的制備方法中步驟S48的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖12為本發(fā)明的實(shí)施例1的制備方法中步驟S5的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖13為本發(fā)明的實(shí)施例1的制備方法中步驟S6的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖14為本發(fā)明的實(shí)施例1的制備方法中步驟S7的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖15為本發(fā)明的實(shí)施例1的制備方法中步驟S8的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖16為本發(fā)明的實(shí)施例1的制備方法中步驟S9的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖17為本發(fā)明的實(shí)施例1的制備方法中步驟S10的結(jié)構(gòu)示意圖；

其中，附圖標(biāo)記為：100、顯示基板；A、顯示區(qū)域；B、周邊區(qū)域；1、襯底；2、第一柵極；3、第一有源層；31、第一有源層圖形；4、第一源漏圖形；41、第一源極；42、第一漏極；5、第二柵極；6、第二有源層；61、中心區(qū)域；621、第一摻雜區(qū)域；622、第二摻雜區(qū)域；7、第二源漏圖形；71、第二源極；72、第二漏極；8、柵絕緣層；9、第一半導(dǎo)體圖案；10、第二半導(dǎo)體薄膜；101、第二半導(dǎo)體圖案；11、第一光刻膠圖案；12、第二光刻膠圖案；121、第三光刻膠圖案；13、第一待摻雜區(qū)域；14、第二待摻雜區(qū)域；15、第一絕緣層；16、樹脂層；17、第一通孔；18、第二通孔；19、公共電極；20、鈍化層；21、像素電極。

具體實(shí)施方式

為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述。

實(shí)施例1：

請參照圖1至17，本實(shí)施例提供一種顯示基板的制備方法，顯示基板包括襯底1、襯底1上的第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管；第一薄膜晶體管包括第一有源層3，第二薄膜晶體管包括第二有源層6，第二有源層6包括中心區(qū)域61和位于中心區(qū)域61兩側(cè)的摻雜區(qū)域。其中，顯示基板設(shè)置有顯示區(qū)域A和位于顯示區(qū)域周圍的周邊區(qū)域B，第一薄膜晶體管位于顯示區(qū)域A內(nèi)，第二薄膜晶體管位于周邊區(qū)域B；第一有源層3為金屬氧化物有源層，第二有源層6為多晶硅有源層。

制備方法包括：

請參照圖2，步驟S1，在襯底1上通過一次構(gòu)圖工藝形成第一柵極2和第二柵極5。其中，第一柵極2位于顯示區(qū)域A內(nèi)，第二柵極5位于周邊區(qū)域B內(nèi)。

需要說明的是，本實(shí)施例中所說的一次構(gòu)圖工藝是指在只使用一個掩膜板對光刻膠進(jìn)行曝光、顯影，并通過刻蝕形成相應(yīng)的圖案。

請參照圖3，步驟S2，在第一柵極2和第二柵極5之上形成柵絕緣層8。

步驟S3，形成第一半導(dǎo)體圖案9。

請參照圖4，第一半導(dǎo)體圖案9位于柵絕緣層8之上。可以理解的是，步驟S3具體為：在柵絕緣層8上沉積非晶硅材料層，對非晶硅材料層進(jìn)行去氫工藝和準(zhǔn)分子激光退火工藝，以形成低溫多晶硅材料層，在低溫多晶硅材料層上沉積光刻膠層，對光刻膠層進(jìn)行曝光、顯影工藝，對裸露出的多晶硅材料層進(jìn)行刻蝕工藝，去除剩余的、位于第二柵極5對應(yīng)位置的光刻膠層，以形成第一半導(dǎo)體圖案9。

步驟S4，通過一次構(gòu)圖工藝形成包括第一有源層3和第二有源層6的摻雜區(qū)域的圖形。其中，摻雜區(qū)域包含第一摻雜區(qū)域621和第二摻雜區(qū)域622，第一摻雜區(qū)域621位于第二摻雜區(qū)域622和中心區(qū)域61之間。其中，第二有源層6的摻雜區(qū)域是通過對第一半導(dǎo)體圖案9進(jìn)行摻雜形成的

步驟S4具體包括：

步驟S41，形成第二半導(dǎo)體薄膜10，第二半導(dǎo)體薄膜10覆蓋第一半導(dǎo)體圖案9。請參照圖5，第二半導(dǎo)體薄膜10覆蓋柵絕緣層8和位于柵絕緣層8上的第二有源層圖形9。

步驟S42，在第二半導(dǎo)體薄膜10上形成光刻膠層。

步驟S43，對光刻膠層進(jìn)行曝光、顯影，形成第一光刻膠圖案和第二光刻膠圖案；第一光刻膠圖案11對應(yīng)第一有源層3所在區(qū)域，第二光刻膠圖案12對應(yīng)中心區(qū)域61和第一摻雜區(qū)域621所在位置。

請參照圖6，部分第二半導(dǎo)體薄膜10在光刻膠層顯影后被裸露出來；其中，第一光刻膠圖案11位于顯示區(qū)域A內(nèi)；第二光刻膠圖案12位于周邊區(qū)域B內(nèi)，其在襯底1上的投影小于第二有源層圖形9在襯底1上的投影。

步驟S44，對第二半導(dǎo)體薄膜10進(jìn)行刻蝕，形成第一有源層圖形31和第二半導(dǎo)體圖案101，并露出部分第一半導(dǎo)體圖案9；第二半導(dǎo)體圖案101與中心區(qū)域61和第一摻雜區(qū)域621位置相對應(yīng)。

請參照圖7，對裸露出來的第二半導(dǎo)體薄膜10進(jìn)行刻蝕，由于第二光刻膠圖形12在襯底1上的投影小于第二有源層圖形9在襯底1上的投影，因此，第一半導(dǎo)體圖案9的邊緣被裸露出來，視為第一待摻雜區(qū)域13。

步驟S45，對露出的部分第一半導(dǎo)體圖案9進(jìn)行摻雜處理，形成第二摻雜區(qū)域622。請參照圖8，對露出的部分第一半導(dǎo)體圖案9(即第一待摻雜區(qū)域13)進(jìn)行重?fù)诫s處理，以形成第二摻雜區(qū)域622。

步驟S46，對第二光刻膠圖案12進(jìn)行灰化處理，形成第三光刻膠圖案121，第三光刻膠圖案121對應(yīng)中心區(qū)域61所在位置。

請參照圖9，對第二光刻膠圖案12進(jìn)行灰化處理，以減小第二光刻膠圖案12的覆蓋面積，即形成第三光刻膠圖案121，因此，第三光刻膠圖案121在襯底1上的投影小于摻雜區(qū)域在襯底1上的投影，該摻雜區(qū)域在襯底1上的投影包括第二摻雜區(qū)域622的投影和剩余的投影，此剩余的投影對應(yīng)的摻雜區(qū)域即為第二待摻雜區(qū)域14。

步驟S47，對第一半導(dǎo)體圖案9進(jìn)行第二次摻雜，形成第一摻雜區(qū)域621。請參照圖10，對第二待摻雜區(qū)域14進(jìn)行輕摻雜處理，以形成第二摻雜區(qū)域622?？梢岳斫獾氖恰５谝粨诫s區(qū)域621和第二摻雜區(qū)域622即組成摻雜區(qū)域。

步驟S48，去除第一光刻膠圖案11和第三光刻膠圖案121。請參照圖11，去除第一光刻膠圖案11和第三光刻膠圖案121，以形成第一有源層3，并使位于第一半導(dǎo)體圖案9上的第二半導(dǎo)體圖案101露出。

其中，第一有源層3采用銦鎵鋅氧化物(IGZO)制成。當(dāng)然，第一有源層3的材料并不局限于此，還可以采用其他類型的氧化物，在此不再贅述。

步驟S5，在第一有源層3之上形成第一源漏圖形4，在第二摻雜區(qū)域622之上形成第二源漏圖形7。

請參照圖12，第一源漏圖形4包括第一源極41和第一漏極42，部分第一源極41位于第一有源層3上，部分第一漏極42位于第一有源層3上；第二源漏圖形7包括第二源極71和第二漏極72，部分第二源極71位于第二摻雜區(qū)域622上，部分第二漏極72位于第二摻雜區(qū)域622上。需要說明的是，由于第一半導(dǎo)體圖案9上還覆蓋有第二半導(dǎo)體圖案101，因此，該第二半導(dǎo)體圖案101能夠避免第一半導(dǎo)體圖案9與形成第一源漏圖形4和第二源漏圖形7的刻蝕物質(zhì)接觸，起到在刻蝕源漏電極時保護(hù)第一半導(dǎo)體圖案9的作用。

步驟S6，請參照圖13，在第一源漏圖形4和第二源漏圖形7上沉積第一絕緣層15和樹脂層16。其中，第一絕緣層15可具體為層間電介質(zhì)層。

步驟S7，對第一絕緣層15和樹脂層16進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝，以在第一絕緣層15和樹脂層16中與第一源漏圖形4對應(yīng)的位置形成第一通孔17，在第一絕緣層15和樹脂層16中與第二半導(dǎo)體圖案對應(yīng)的位置形成第二通孔18，并露出第二半導(dǎo)體圖案。

請參照圖14，可以理解的是，對第一絕緣層15和樹脂層16進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝具體包括：在樹脂層16上沉積光刻膠層，采用掩膜板對光刻膠層進(jìn)行曝光、顯影，然后對第一絕緣層15和樹脂層16進(jìn)行刻蝕，第一絕緣層15和樹脂層16中形成有第一通孔17和第二通孔18，第一通孔17使部分第一漏極41裸露出來，第二通孔18使位于第一半導(dǎo)體圖案9上的第二半導(dǎo)體圖案101裸露出來。

步驟S8，通過一次構(gòu)圖工藝形成公共電極19并去除第二半導(dǎo)體圖案101。

步驟S8具體包括：

在第一有源層3和第二摻雜區(qū)域622的上方沉積公共電極層材料(例如可以是ITO)，并對公共電極層材料和覆蓋在中心區(qū)域61和第一摻雜區(qū)域621上的第二半導(dǎo)體圖案101進(jìn)行構(gòu)圖工藝，以形成公共電極19和去除第二半導(dǎo)體圖案101。

請參照圖15，在對公共電極層材料進(jìn)行刻蝕時，也可將位于第二有源層的中心區(qū)域61上的第二半導(dǎo)體圖案101刻蝕掉，從而形成公共電極層19，并露出第二有源層6的中心區(qū)域61和第一摻雜區(qū)域621。需要說明的是，公共電極層材料和第二半導(dǎo)體圖案101可以采用同類材料(例如金屬氧化物)制成，也可以采用不同的材料，可以通過刻蝕材料的選取，將公共電極層材料和第二半導(dǎo)體圖案同時刻蝕。

步驟S9，在公共電極層19上沉積鈍化層材料，并對鈍化層材料進(jìn)行構(gòu)圖工藝，以形成鈍化層20。請參照圖16，鈍化層20中設(shè)置有第一通孔17。

步驟S10，在鈍化層20上及第一通孔17中沉積像素電極材料，對像素電極材料進(jìn)行構(gòu)圖工藝，以形成像素電極21。請參照圖17，像素電極21位于鈍化層20和第一通孔17中，以通過第一通孔17與第一漏極42連接。

本實(shí)施例的顯示基板的制備方法，其第一有源層3和第二有源層6的摻雜區(qū)域通過一次構(gòu)圖工藝形成，因此，位于第二有源層6之上的第二半導(dǎo)體薄膜，一方面能夠作為第二有源層6的摻雜區(qū)域的掩膜板，另一方面還能夠防止形成第二源漏圖形7時，刻蝕物質(zhì)與第二有源層6的接觸，而位于第二有源層6上的第二半導(dǎo)體圖案101可以在形成公共電極層19時被一起去除，從而降低工藝復(fù)雜性和制備成本。

實(shí)施例2：

本實(shí)施例提供一種顯示基板，包括襯底1、位于襯底1上的第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管；第一薄膜晶體管包括第一有源層3，第二薄膜晶體管包括第二有源層6，第二有源層6包括中心區(qū)域61和位于中心區(qū)域61兩側(cè)的摻雜區(qū)域。第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管可都為底柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管，當(dāng)然，第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管也可以都為頂柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管；或者兩者之中一個為頂柵結(jié)構(gòu)，另一個為底柵結(jié)構(gòu)。

其中，第一有源層3和第二有源層6的摻雜區(qū)域通過一次構(gòu)圖工藝形成。

其中，第一有源層3為金屬氧化物有源層，第二有源層6為多晶硅有源層。

其中，摻雜區(qū)域包含第一摻雜區(qū)域621和第二摻雜區(qū)域622，第一摻雜區(qū)域621位于第二摻雜區(qū)域622和中心區(qū)域61之間，第二薄膜晶體管還包含第二源漏圖形7，第二源漏圖形7覆蓋第二摻雜區(qū)域622。

其中，顯示基板100設(shè)置有顯示區(qū)域A和位于顯示區(qū)域A周圍的周邊區(qū)域B，第一薄膜晶體管位于顯示區(qū)域A內(nèi)，第二薄膜晶體管位于周邊區(qū)域B。

本實(shí)施例的顯示基板采用實(shí)施例1的顯示基板的制備方法制備而成，詳細(xì)描述可參照實(shí)施例1的顯示基板的制備方法，在此不再贅述。

本實(shí)施例的顯示基板，其第一有源層3和第二有源層6的摻雜區(qū)域通過一次構(gòu)圖工藝形成，因此，位于第二有源層6之上的第二半導(dǎo)體薄膜，一方面能夠作為第二有源層6的摻雜區(qū)域的掩膜板，另一方面還能夠防止形成第二源漏圖形7時，刻蝕物質(zhì)與第二有源層6的接觸，而位于第二有源層6上的第二半導(dǎo)體圖案101可以在形成公共電極層19時被一起去除，從而降低工藝復(fù)雜性和制備成本。

實(shí)施例3：

本實(shí)施例提供一種顯示基板的制備方法，其與實(shí)施例1的制備方法的區(qū)別在于，步驟S4的具體流程不同。具體地，步驟S4包括：

步驟S41，形成第二半導(dǎo)體薄膜，第二半導(dǎo)體薄膜覆蓋第一半導(dǎo)體圖案。

步驟S41，在第二半導(dǎo)體薄膜上形成光刻膠層。

步驟S41，對光刻膠層進(jìn)行曝光、顯影，形成第一光刻膠圖案和第二光刻膠圖案；第一光刻膠圖案對應(yīng)第一有源層所在區(qū)域，第二光刻膠圖案對應(yīng)中心區(qū)域所在位置。

步驟S41，對第二半導(dǎo)體薄膜進(jìn)行刻蝕，形成第一有源層圖形和第二半導(dǎo)體圖案，并露出部分第一半導(dǎo)體圖案；第二半導(dǎo)體圖案與中心區(qū)域位置相對應(yīng)。

步驟S41，對露出的部分第一半導(dǎo)體圖案進(jìn)行摻雜，形成摻雜區(qū)域。

步驟S41，去除第一光刻膠圖案和第二光刻膠圖案。

其與實(shí)施例1的區(qū)別僅在于只進(jìn)行一次摻雜即形成摻雜區(qū)域，其他步驟相似，可參照實(shí)施例1的描述，在此不再贅述。

本實(shí)施例的顯示基板的制備方法，其第一有源層3和第二有源層6的摻雜區(qū)域通過一次構(gòu)圖工藝形成，因此，位于第二有源層6之上的第二半導(dǎo)體薄膜，一方面能夠作為第二有源層6的摻雜區(qū)域的掩膜板，另一方面還能夠防止形成第二源漏圖形7時，刻蝕物質(zhì)與第二有源層6的接觸，而位于第二有源層6上的第二半導(dǎo)體圖案101可以在形成公共電極層19時被一起去除，從而降低工藝復(fù)雜性和制備成本。

實(shí)施例4：

本實(shí)施例提供一種顯示基板，其具有與實(shí)施例2的顯示基板相似的結(jié)構(gòu)，區(qū)別僅在于第二薄膜晶體管還包含第二源漏圖形，第二源漏圖形覆蓋摻雜區(qū)域。

本實(shí)施例的顯示基板采用實(shí)施例3的顯示基板的制備方法制備而成，詳細(xì)描述可參照實(shí)施例3的顯示基板的制備方法，在此不再贅述。

實(shí)施例5：

本實(shí)施例提供一種顯示面板，包括實(shí)施例2或4的顯示基板?？梢岳斫獾氖?，本實(shí)施例的顯示面板還包括與該顯示基板相對設(shè)置的對盒基板。

本實(shí)施例的顯示面板，其第一有源層3和第二有源層6的摻雜區(qū)域通過一次構(gòu)圖工藝形成，因此，位于第二有源層6之上的第二半導(dǎo)體薄膜，一方面能夠作為第二有源層6的摻雜區(qū)域的掩膜板，另一方面還能夠防止形成第二源漏圖形7時，刻蝕物質(zhì)與第二有源層6的接觸，而位于第二有源層6上的第二半導(dǎo)體圖案101可以在形成公共電極層19時被一起去除，從而降低工藝復(fù)雜性和制備成本。

實(shí)施例6：

本實(shí)施例提供了一種顯示裝置，包括實(shí)施例2和4的顯示基板。顯示裝置可以為：顯示面板、電子紙、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。

本實(shí)施例的顯示裝置，其第一有源層3和第二有源層6的摻雜區(qū)域通過一次構(gòu)圖工藝形成，因此，位于第二有源層6之上的第二半導(dǎo)體薄膜，一方面能夠作為第二有源層6的摻雜區(qū)域的掩膜板，另一方面還能夠防止形成第二源漏圖形7時，刻蝕物質(zhì)與第二有源層6的接觸，而位于第二有源層6上的第二半導(dǎo)體圖案101可以在形成公共電極層19時被一起去除，從而降低工藝復(fù)雜性和制備成本。

可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。