本發(fā)明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種薄膜晶體管及制作方法、顯示裝置。

背景技術：

在形成氧化物陣列基板時，一般采用7個掩膜版(mask)形成：其中，采用Mask 1在襯底基板上形成柵極的圖形；采用Mask 2形成柵極絕緣層和氧化物層，其中，氧化物的材料為銦鎵鋅氧化物(IGZO)；采用Mask 3形成源漏極金屬的圖形，其中，包括在氧化物層上形成源漏極金屬層，通過灰度掩膜版(Half tone mask)工藝通過第一次刻蝕形成源漏極的圖形，通過第二次刻蝕形成有源層的圖形；采用Mask 4形成絕緣層和樹脂層的圖形；采用Mask 5形成公共電極的圖形；采用Mask 6形成鈍化層的圖形；采用Mask 7形成像素電極的圖形；其中，像素電極通過貫穿鈍化層、樹脂層和絕緣層的過孔與漏極相連。

然而，現(xiàn)有技術中在形成源漏極的圖形時：將光刻膠形成在源漏金屬層上方，通過灰度掩膜版對光刻膠進行曝光顯影形成光刻膠完全保留區(qū)域、光刻膠完全去除區(qū)域和光刻膠半保留區(qū)域，其中，光刻膠完全保留區(qū)域對應源漏極的圖形的區(qū)域，光刻膠半保留區(qū)域對應溝道區(qū)域，刻蝕光刻膠完全去除區(qū)域對應源漏金屬層的其他區(qū)域，通過灰化工藝，使得光刻膠半保留區(qū)域所對應的光刻膠完全去除，光刻膠完全保留區(qū)域所對應的光刻膠部分保留，刻蝕光刻膠半保留區(qū)域所對應的源漏金屬層，形成溝道區(qū)域。其中，在對光刻膠進行灰化后，對源漏金屬層進行第二次刻蝕時，由于源漏金屬層一般為雙層MoNb/Cu或三層MoNb/Cu/MoNb組成，當源漏金屬層為三層結構時，與光刻膠緊密接觸的MoNb與光刻膠的粘附性不好，使得光刻膠位于源漏金屬層上方容易脫落，當刻蝕源漏金屬層時，容易將光刻膠完全保留區(qū)域所對應的源漏金屬層被刻蝕，使得后續(xù)在等離子體處理(plasma處理)時，造成Cu表面被氧化的問題；當源漏金屬層為兩層結構時，為了避免Cu表面被氧化，不能對溝道區(qū)域進行等離子體處理。

綜上所述，現(xiàn)有技術中在制作薄膜晶體管形成源漏極的圖形時，源漏極容易被氧化，從而影響薄膜晶體管的性能。

技術實現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明提供一種薄膜晶體管及制作方法、顯示裝置，用以在制作薄膜晶體管時源漏極被氧化的現(xiàn)象，從而提高薄膜晶體管的性能。

本發(fā)明實施例提供了一種薄膜晶體管的制作方法，該方法包括：

采用一次構圖工藝在襯底基板上形成有源層的圖形，以及位于所述有源層上方且圖形與所述有源層的圖形相同的源漏金屬層；

在所述源漏金屬層上方形成第一絕緣層；

采用一次構圖工藝對所述源漏金屬層和第一絕緣層進行構圖，使得與溝道區(qū)域所對應的有源層露出，形成源漏極的圖形。

在一種可能的實施方式中，本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管的制作方法中，所述構圖工藝所采用的掩膜版為僅包含完全曝光區(qū)域和完全遮光區(qū)域的掩膜版。

在一種可能的實施方式中，本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管的制作方法中，采用一次構圖工藝對所述源漏金屬層和第一絕緣層進行構圖，使得與溝道區(qū)域所對應的有源層露出，形成源漏極的圖形，包括：

在所述第一絕緣層上方形成光刻膠層；

對所述光刻膠層進行曝光顯影，形成光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域，其中，所述光刻膠完全去除區(qū)域與所述溝道區(qū)域相對應；

刻蝕光刻膠完全去除區(qū)域所對應的第一絕緣層和源漏極金屬層，使得與溝道區(qū)域所對應的有源層露出，形成源漏極的圖形。

在一種可能的實施方式中，本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管的制作方法中，采用一次構圖工藝對所述源漏金屬層和第一絕緣層進行構圖，使得與溝道區(qū)域所對應的有源層露出，形成源漏極的圖形，包括：

在所述第一絕緣層上方形成光刻膠層；

對所述光刻膠層進行曝光顯影，形成光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域，其中，所述光刻膠完全保留區(qū)域與用于形成源漏極圖形的區(qū)域相對應；

刻蝕光刻膠完全去除區(qū)域所對應的第一絕緣層，或第一絕緣層和源漏極金屬層，使得與溝道區(qū)域所對應的有源層露出，形成源漏極的圖形。

在一種可能的實施方式中，本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管的制作方法中，所述形成源漏極的圖形之后，還包括：

剝離所述光刻膠完全保留區(qū)域所對應的光刻膠。

在一種可能的實施方式中，本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管的制作方法中，剝離所述光刻膠完全保留區(qū)域所對應的光刻膠之后，該方法還包括：

對與溝道區(qū)域所對應的有源層進行等離子體處理。

在一種可能的實施方式中，本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管的制作方法中，對與溝道區(qū)域所對應的有源層進行等離子體處理之后，該方法還包括：

在所述第一絕緣層的上方形成第二絕緣層的圖形。

相應地，本發(fā)明實施例還提供了一種薄膜晶體管，包括襯底基板，位于所述襯底基板上層疊設置的柵極、柵極絕緣層和有源層，所述薄膜晶體管還包括位于所述有源層上方且與所述有源層電性相連的源極和漏極，以及位于所述源極和漏極上方的第一絕緣層，其中，所述第一絕緣層不覆蓋所述源極和漏極之間的溝道區(qū)域。

在一種可能的實施方式中，本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管，所述薄膜晶體管還包括位于所述第一絕緣層上方的第二絕緣層。

相應地，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管。

本發(fā)明有益效果如下：

本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管及制作方法、顯示裝置，具體地，采用一次構圖工藝在襯底基板上形成有源層的圖形，以及位于所述有源層上方且圖形與所述有源層的圖形相同的源漏金屬層；在所述源漏金屬層上方形成第一絕緣層；采用一次構圖工藝對所述源漏金屬層和第一絕緣層進行構圖，使得與溝道區(qū)域所對應的有源層露出，形成源漏極的圖形。因此，本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管的制作方法，通過采用一次構圖工藝對源漏金屬層和第一絕緣層進行構圖，使得在形成源漏極的圖形時同時形成覆蓋源漏極的第一絕緣層，從而避免了形成源漏極過程中，或者對溝道區(qū)域進行等離子體處理時源漏極被氧化的現(xiàn)象，從而提高了薄膜晶體管的性能。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管的制作方法的流程示意圖；

圖2(a)-圖2(f)為實施例一提供的薄膜晶體管的制作方法每個步驟之后的結構結構示意圖；

圖3(a)-圖3(f)為實施例二提供的薄膜晶體管的制作方法每個步驟之后的結構結構示意圖；

圖4(a)-圖4(b)分別為本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管的結構示意圖；

圖5為本發(fā)明實施例提供的陣列基板的結構示意圖。

具體實施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結合附圖對本發(fā)明作進一步地詳細描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

本發(fā)明提供一種薄膜晶體管及制作方法、陣列基板和顯示裝置，用以避免在制作薄膜晶體管時源漏極被氧化的現(xiàn)象，從而提高薄膜晶體管的性能。

下面結合附圖，對本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管及制作方法、顯示裝置的具體實施方式進行詳細地說明。

附圖中各膜層的厚度和形狀不反映真實比例，目的只是示意說明本發(fā)明內容。

參見圖1，本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管的制作方法，該方法包括：

S101、采用一次構圖工藝在襯底基板上形成有源層的圖形，以及位于有源層上方且圖形與有源層的圖形相同的源漏金屬層；

其中，在襯底基板上形成有源層的圖形之前，還包括在襯底基板上形成柵極和柵極絕緣層的圖形。

S102、在源漏金屬層上方形成第一絕緣層；

其中，在源漏金屬層上方形成整層的第一絕緣層。

S103、采用一次構圖工藝對源漏金屬層和第一絕緣層進行構圖，使得與溝道區(qū)域所對應的有源層露出，形成源漏極的圖形。

其中，本發(fā)明實施例提供的溝道區(qū)域是指形成源漏極圖形后，位于源極和漏極之間的區(qū)域。

本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管的制作方法，采用一次構圖工藝在襯底基板上形成有源層的圖形，以及位于所述有源層上方且圖形與所述有源層的圖形相同的源漏金屬層；在所述源漏金屬層上方形成第一絕緣層；采用一次構圖工藝對所述源漏金屬層和第一絕緣層進行構圖，使得與溝道區(qū)域所對應的有源層露出，形成源漏極的圖形。因此，本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管的制作方法，通過采用一次構圖工藝對源漏金屬層和第一絕緣層進行構圖，使得在形成源漏極的圖形時同時形成覆蓋源漏極的第一絕緣層，從而避免了形成源漏極過程中，或者對溝道區(qū)域進行等離子體處理時源漏極被氧化的現(xiàn)象，從而提高了薄膜晶體管的性能。

在具體實施例中，本發(fā)明實施例提供的上述薄膜晶體管的制作方法中，構圖工藝所采用的掩膜版為僅包含完全曝光區(qū)域和完全遮光區(qū)域的掩膜版。

具體地，本發(fā)明實施例中在形成源漏極圖形時，通過采用一次構圖工藝對源漏金屬層和位于源漏金屬層上方的第一絕緣層進行構圖，且在構圖工藝中采用僅包含完全曝光區(qū)域和完全遮光區(qū)域的普通掩膜版，從而避免了在制作薄膜晶體管時形成源漏極圖形時采用的灰度掩膜版，簡化了采用掩膜版，且節(jié)省了制作成本。

在具體實施例中，本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管的制作方法中，步驟S103中采用一次構圖工藝對源漏金屬層和第一絕緣層進行構圖，使得與溝道區(qū)域所對應的有源層露出，形成源漏極的圖形，包括：在第一絕緣層上方形成光刻膠層；對光刻膠層進行曝光顯影，形成光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域，其中，光刻膠完全去除區(qū)域與溝道區(qū)域相對應；刻蝕光刻膠完全去除區(qū)域所對應的第一絕緣層和源漏極金屬層，使得與溝道區(qū)域所對應的有源層露出，形成源漏極的圖形。

具體地，通過在第一絕緣層上方形成光刻膠層，對光刻膠層進行曝光顯影，形成光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域，因此，本發(fā)明實施例將光刻膠形成在第一絕緣層上方，避免了光刻膠位于源漏極金屬層上方時的脫落現(xiàn)象；另外，由于本發(fā)明實施例通過采用普通掩膜版對光刻膠進行曝光、顯影，避免了對光刻膠的灰化的工藝且減少了一次源漏金屬層的刻蝕。因此本發(fā)明實施例提供的源漏極金屬層可以為雙層MoNb/Cu結構或三層MoNb/Cu/MoNb結構，無論哪種結構的源漏金屬層均在避免了源漏金屬層被氧化的前提下，簡化了掩膜版的復雜度和減少了一次對源漏金屬層的刻蝕。其中，形成源漏極的圖形時，第一絕緣層的圖形為僅露出溝道區(qū)域的整層結構。

在具體實施例中，本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管的制作方法中，步驟S103中采用一次構圖工藝對源漏金屬層和第一絕緣層進行構圖，使得與溝道區(qū)域所對應的有源層露出，形成源漏極的圖形，包括：在第一絕緣層上方形成光刻膠層；對光刻膠層進行曝光顯影，形成光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域，其中，光刻膠完全保留區(qū)域與用于形成源漏極圖形的區(qū)域相對應；刻蝕光刻膠完全去除區(qū)域所對應的第一絕緣層，或第一絕緣層和源漏極金屬層，使得與溝道區(qū)域所對應的有源層露出，形成源漏極的圖形。

具體地，本發(fā)明實施例中通過在第一絕緣層上方形成光刻膠層，對光刻膠層進行曝光顯影，形成光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域，因此，本發(fā)明實施例將光刻膠形成在第一絕緣層上方，避免了光刻膠位于源漏極金屬層上方時的脫落現(xiàn)象；另外，由于本發(fā)明實施例通過采用普通掩膜版對光刻膠進行曝光、顯影，避免了對光刻膠的灰化的工藝且減少了一次源漏金屬層的刻蝕。因此本發(fā)明實施例提供的源漏極金屬層可以為雙層MoNb/Cu結構或三層MoNb/Cu/MoNb結構，無論哪種結構的源漏金屬層均在避免了源漏金屬層被氧化的前提下，簡化了掩膜版的復雜度和減少了一次對源漏金屬層的刻蝕。其中，形成源漏極的圖形時，第一絕緣層的圖形與源漏極的圖形相同。

在具體實施例中，本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管的制作方法中，形成源漏極的圖形之后，還包括：剝離光刻膠完全保留區(qū)域所對應的光刻膠。

在具體實施例中，本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管的制作方法中，為了進一步增加薄膜晶體管的穩(wěn)定性，剝離光刻膠完全保留區(qū)域所對應的光刻膠之后，該方法還包括：對與溝道區(qū)域所對應的有源層進行等離子體處理。

其中，對與溝道區(qū)域所對應的有源層進行等離子體處理時，可以采用N₂O對溝道區(qū)域進行補充。由于對溝道區(qū)域進行等離子體處理時，源漏極的圖形上方形成有第一絕緣層，從而避免了對溝道區(qū)域進行處理時造成源漏極的氧化，因此，本發(fā)明實施例提供的源漏極的材料可以為MoNb/Cu或MoNb/Cu/MoNb。

在具體實施例中，本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管的制作方法中，對與溝道區(qū)域所對應的有源層進行等離子體處理之后，該方法還包括：在第一絕緣層的上方形成第二絕緣層的圖形。

具體地，在形成源漏極的圖形上方的絕緣層時均采用兩層結構進行沉積，因此，本發(fā)明實施例中的第一絕緣層和第二絕緣層為材料相同溫度不同的絕緣層，且第一絕緣層的溫度較高，第二絕緣層的溫度較低。

下面通過具體實施例詳細描述本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管的制作方法。

實施例一

本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管的制作方法，包括：

步驟一、在襯底基板00上依次形成柵極01、柵極絕緣層02和有源層03的圖形，以及位于有源層03上方且圖形與有源層的圖形相同的源漏極金屬層04，如圖2(a)所示；

步驟二、在源漏極金屬層04的上方依次形成第一絕緣層05和光刻膠層06，如圖2(b)所示；

步驟三、對光刻膠層06進行曝光顯影，形成光刻膠完全保留區(qū)域061和光刻膠完全去除區(qū)域062，其中，光刻膠完全去除區(qū)域062與溝道區(qū)域相對應，如圖2(c)所示；

步驟四、刻蝕光刻膠完全去除區(qū)域062所對應的第一絕緣層05和源漏極金屬層04，使得與溝道區(qū)域所對應的有源層露出，形成源極041和漏極042的圖形，如圖2(d)所示；

步驟五、剝離光刻膠完全保留區(qū)域061所對應的光刻膠，如圖2(e)所示；

步驟六、對與溝道區(qū)域所對應的有源層03進行等離子體處理，然后在第一絕緣層05上方形成第二絕緣層07的圖形，如圖2(f)所示。

實施例二

本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管的制作方法，包括：

步驟一、在襯底基板00上依次形成柵極01、柵極絕緣層02和有源層03的圖形，以及位于有源層03上方且圖形與有源層的圖形相同的源漏極金屬層04，如圖3(a)所示；

步驟二、在源漏極金屬層04的上方依次形成第一絕緣層05和光刻膠層06，如圖3(b)所示；

步驟三、對光刻膠層06進行曝光顯影，形成光刻膠完全保留區(qū)域061和光刻膠完全去除區(qū)域062，其中，光刻膠完全去除區(qū)域062與溝道區(qū)域相對應，如圖3(c)所示；

步驟四、刻蝕光刻膠完全去除區(qū)域062所對應的第一絕緣層05，或第一絕緣層05和源漏極金屬層04，使得與溝道區(qū)域所對應的有源層露出，形成源漏極的圖形，形成源極041和漏極042的圖形，如圖3(d)所示；

步驟五、剝離光刻膠完全保留區(qū)域061所對應的光刻膠，如圖3(e)所示；

步驟六、對與溝道區(qū)域所對應的有源層03進行等離子體處理，然后在第一絕緣層05上方形成第二絕緣層07的圖形，如圖3(f)所示。

通過上述步驟形成薄膜晶體管中每個膜層的結構均需要采用構圖工藝進行構圖。構圖工藝可只包括光刻工藝，或，可以包括光刻工藝以及刻蝕步驟，同時還可以包括打印、噴墨等其他用于形成預定圖形的工藝；光刻工藝是指包括成膜、曝光、顯影等工藝過程的利用光刻膠、掩模板、曝光機等形成圖形的工藝。在具體實施時，可根據(jù)本發(fā)明中所形成的結構選擇相應的構圖工藝。

基于同一發(fā)明思想，參見圖4(a)或圖4(b)所示，本發(fā)明實施例還提供了一種薄膜晶體管，包括襯底基板00，位于襯底基板00上層疊設置的柵極01、柵極絕緣層02和有源層03，薄膜晶體管還包括位于有源層03上方且與有源層電性相連的源極041和漏極042，以及位于源極和漏極上方的第一絕緣層05，其中，第一絕緣層05不覆蓋源極和漏極之間的溝道區(qū)域。

其中，薄膜晶體管的第一絕緣層的結構，可以如圖4(a)所示覆蓋除溝道區(qū)域之外的其他區(qū)域，或者，如圖4(b)所示僅覆蓋源極和漏極。

在具體實施例中，參見圖4(a)或圖4(b)所示，薄膜晶體管還包括位于第一絕緣層上方的第二絕緣層07。

需要說明的是，本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管也可以采用上述薄膜晶體管的制作方法進行制作。且薄膜晶體管的實施例可以參見上述薄膜晶體管的制作方法，重復之處不再贅述。

本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管。

基于同一發(fā)明思想，參見圖5，本發(fā)明實施例還提供了一種陣列基板，包括本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管1。

其中，陣列基板中的薄膜晶體管包括如圖4(a)或圖4(b)所示的薄膜晶體管的結構。

在具體實施例中，參見圖5，本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板中，還包括：位于第二絕緣層07上方層疊設置的平坦層08、公共電極層09、鈍化層10和像素電極層11，其中，鈍化層10中包括貫穿鈍化層、平坦層、第一絕緣層和第二絕緣層用于連接像素電極和漏極的過孔12。

其中，過孔12可以在形成鈍化層之后，通過一次刻蝕形成過孔的形狀，從而進一步簡化了掩膜版的個數(shù)以及掩膜版的復雜度。

具體地，本發(fā)明實施例提供的上述陣列基板可以應用于液晶顯示面板，也可以應用于有機電致發(fā)光顯示面板，在此不作限定。

當上述陣列基板應用于液晶顯示面板時，像素電極指液晶顯示面板中的像素電極，當上述陣列基板應用于有機電致發(fā)光顯示面板時，像素電極可以指有機電極發(fā)光像素結構中的陰極層或陽極層。

基于同一發(fā)明思想，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實施例提供的上述任一種的陣列基板。該顯示裝置可以為：顯示面板、手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。該顯示裝置的實施可以參見上述陣列基板的實施例，重復之處不再贅述。

本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管及制作方法、顯示裝置，具體地，采用一次構圖工藝在襯底基板上形成有源層的圖形，以及位于所述有源層上方且圖形與所述有源層的圖形相同的源漏金屬層；在所述源漏金屬層上方形成第一絕緣層；采用一次構圖工藝對所述源漏金屬層和第一絕緣層進行構圖，使得與溝道區(qū)域所對應的有源層露出，形成源漏極的圖形。因此，本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管的制作方法，通過采用一次構圖工藝對源漏金屬層和第一絕緣層進行構圖，使得在形成源漏極的圖形時同時形成覆蓋源漏極的第一絕緣層，從而避免了形成源漏極過程中，或者對溝道區(qū)域進行等離子體處理時源漏極被氧化的現(xiàn)象，從而提高了薄膜晶體管的性能。

顯然，本領域的技術人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權利要求及其等同技術的范圍之內，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內。