本發(fā)明涉及一種超薄硅片加工技術(shù)，尤其涉及一種用于超薄硅片加工的工藝夾具。

背景技術(shù)：

硅片減薄是半導體和集成電路工藝中的常見工藝手段，具體實施時，一般先在硅片上制作好管芯，然后對硅片進行減薄操作，然后再將減薄后的硅片搬運至其他設備上進行后續(xù)工藝操作；存在的問題是：減薄后的硅片其機械強度大幅降低，尤其是當硅片厚度小于300微米時，若保護不當，在工藝過程中很容易發(fā)生碎片情況，另外，由于管芯已預先形成在硅片上，搬運過程中，管芯容易被劃傷。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

針對背景技術(shù)中的問題，本發(fā)明提出了一種用于超薄硅片加工的工藝夾具，其結(jié)構(gòu)為：所述工藝夾具由邊框、托板和限位環(huán)組成；所述邊框為環(huán)狀結(jié)構(gòu)體，邊框的一部分為直邊，邊框的其余部分為圓弧邊；所述托板的外周面與邊框的內(nèi)壁連接，托板的厚度小于邊框的厚度，托板的下側(cè)面與邊框的下側(cè)面齊平，托板上側(cè)面和邊框上側(cè)面之間的高度差與超薄硅片上的管芯厚度匹配；所述限位環(huán)的輪廓與邊框匹配，限位環(huán)設置在邊框上側(cè)面的外周邊沿，邊框上側(cè)面和限位環(huán)上側(cè)面之間的高度差與超薄硅片的厚度匹配；所述邊框上直邊的中部設置有凹槽，凹槽的底部與托板上側(cè)面齊平，所述限位環(huán)上設置有與凹槽匹配的缺口。

使用時，將硅片放置在邊框的上側(cè)面上（硅片的管芯朝向托板），硅片的輪廓與邊框匹配，限位環(huán)上與邊框的直邊對應的部分起定位作用，硅片的外周面與限位環(huán)內(nèi)壁小間隙配合，然后對硅片進行減薄操作，減薄操作中，通過邊框上側(cè)面和限位環(huán)上側(cè)面之間的高度差控制硅片的厚度，減薄操作結(jié)束后，通過工藝夾具搬運硅片以完成后續(xù)工藝，后續(xù)工藝完成后，操作人員用鑷子從凹槽處伸入并將硅片夾住，然后通過鑷子將硅片從工藝夾具上取下。

采用本發(fā)明的工藝夾具后，可以在加工過程中對硅片起到很好的保護作用，有效降低發(fā)生碎片情況的可能性，提高成品率，另外，由于托板的保護作用，可以有效避免硅片上的管芯被劃傷。

后續(xù)工藝中需要在硅片表面鍍膜，為保證鍍膜效果，需要用氣體將硅片和工藝夾具整體吹起，為提高工藝可控性，本發(fā)明還提出了如下優(yōu)選方案：所述托板的邊沿設置有多個減重孔，減重孔與凹槽錯位設置。設置了減重孔后，可有效降低工藝夾具的重量，提高吹拂操作的可控性，另外，由于凹槽處的結(jié)構(gòu)強度相對較低，減重孔與凹槽錯位設置后，可避免凹槽處的結(jié)構(gòu)強度過低。

優(yōu)選地，所述減重孔的數(shù)量為4個。

優(yōu)選地，所述超薄硅片的厚度小于或等于300微米。

本發(fā)明的有益技術(shù)效果是：提供了一種用于超薄硅片加工的工藝夾具，該工藝夾具可以在加工過程中對硅片起到較好的保護作用，提高成品率。

附圖說明

圖1、本發(fā)明的立體結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2、圖1中圓圈內(nèi)的結(jié)構(gòu)放大圖；

圖3、本發(fā)明的頂面視圖；

圖中各個標記所對應的名稱分別為：邊框1、凹槽1-1、托板2、減重孔2-1、限位環(huán)3。

具體實施方式

一種用于超薄硅片加工的工藝夾具，其結(jié)構(gòu)為：所述工藝夾具由邊框1、托板2和限位環(huán)3組成；所述邊框1為環(huán)狀結(jié)構(gòu)體，邊框1的一部分為直邊，邊框1的其余部分為圓弧邊；所述托板2的外周面與邊框1的內(nèi)壁連接，托板2的厚度小于邊框1的厚度，托板2的下側(cè)面與邊框1的下側(cè)面齊平，托板2上側(cè)面和邊框1上側(cè)面之間的高度差與超薄硅片上的管芯厚度匹配；所述限位環(huán)3的輪廓與邊框1匹配，限位環(huán)3設置在邊框1上側(cè)面的外周邊沿，邊框1上側(cè)面和限位環(huán)3上側(cè)面之間的高度差與超薄硅片的厚度匹配；所述邊框1上直邊的中部設置有凹槽1-1，凹槽1-1的底部與托板2上側(cè)面齊平，所述限位環(huán)3上設置有與凹槽1-1匹配的缺口。

進一步地，所述托板2的邊沿設置有多個減重孔2-1，減重孔2-1與凹槽1-1錯位設置。

進一步地，所述減重孔2-1的數(shù)量為4個。

進一步地，所述超薄硅片的厚度小于或等于300微米。