本公開的實(shí)施例大體涉及一種用于控制卡緊在其上的基板溫度的具有背側(cè)氣體傳送裝置的靜電卡盤。

背景技術(shù)：

等離子體顯示面板、有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器和液晶顯示器(LCD)常常用于平板型顯示器。LCD一般包含連接在一起的兩個玻璃基板，兩者之間夾有液晶材料層。玻璃基板可以是半導(dǎo)體基板，或者可以是透明基板，諸如，玻璃、石英、藍(lán)寶石或清澈的塑料膜。LCD還可包含用于背光照明的發(fā)光二極管。另外，OLED顯示器已吸引了對于諸如智能手機(jī)和平板計算機(jī)等設(shè)備的應(yīng)用的關(guān)注。OLED是其中光發(fā)射層包括多個某些有機(jī)化合物薄膜的特殊類型的發(fā)光二極管。OLED還可用于普通空間照明。OLED顯示器可能的色彩、亮度和視角的范圍大于傳統(tǒng)的顯示器可能的色彩、亮度和視角的范圍，因?yàn)镺LED像素直接發(fā)光且不需要背光。因此，OLED顯示器的能耗顯著小于傳統(tǒng)的顯示器的能耗。另外，OLED可制造到柔性基板上的事實(shí)為新應(yīng)用(諸如，卷繞式顯示器或甚至嵌入在柔性介質(zhì)中的顯示器)打開了大門。

在常規(guī)沉積工藝中，有機(jī)材料在豎直取向上被蒸發(fā)到基板上。典型地使用機(jī)械夾緊力將基板固持在豎直取向上。用于在傳送過程中且有時在處理過程中固持基板的常規(guī)機(jī)械夾緊載體通常會由于約束基板所需的高機(jī)械夾緊力而造成基板損壞。另外，常規(guī)機(jī)械夾緊載體一般在邊緣處固持基板，由此為了確保施加以牢固地固定基板的足夠的夾緊力而導(dǎo)致與基板邊緣的高度集中的物理接觸。這種集中在基板邊緣處的機(jī)械接觸不可避免地造成接觸污染或物理損壞，從而不如人意地污染基板。在豎直處理系統(tǒng)中，在處理過程中對基板溫度的控制已經(jīng)成為挑戰(zhàn)。對基板的較差的溫度控制可能導(dǎo)致材料沉積失敗，這不可避免地導(dǎo)致不一致的或不如人意的基板電特性。提供到基板背側(cè)的冷卻氣體可以用于有效地控制基板溫度。

因此，需要一種具有靜電卡緊能力的基板載體，所述基板載體具有供容納背側(cè)氣體的密封。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本公開的實(shí)施例大體涉及一種用于控制卡緊在其上的基板溫度的具有背側(cè)氣體傳送裝置的靜電卡盤。

在一個實(shí)施例中，提供一種靜電卡盤，并且所述靜電卡盤包括：背襯基板；以及圓盤基板，所述圓盤基板設(shè)置在所述背襯基板上，所述圓盤基板包括由外圍卡緊模塊包圍的多個中心卡緊模塊，所述外圍卡緊模塊具有第一電極和第二電極，所述第一電極和所述第二電極平行于彼此并基本上平行于所述圓盤基板的側(cè)。

在另一實(shí)施例中，提供一種基板載體，并且所述基板載體包括靜電卡盤，所述靜電卡盤具有：背襯基板，所述背襯基板由金屬材料制成；以及圓盤基板，所述圓盤基板設(shè)置在所述背襯基板上，所述圓盤基板包括由外圍卡緊模塊包圍的多個中心卡緊模塊，所述外圍卡緊模塊具有第一電極和第二電極，所述第一電極和所述第二電極平行于彼此并基本上平行于所述圓盤基板的側(cè)。

在又一實(shí)施例中，提供一種用于卡緊顯示基板的方法，并且所述方法包括以下步驟：提供靜電卡盤，所述靜電卡盤具有帶有卡緊表面的圓盤基板；將所述顯示基板放到所述卡緊表面上；以及通過偏置第一電極和第二電極而在所述顯示基板的外圍形成靜電流體密封，所述第一電極和所述第二電極平行于彼此并基本上平行于所述圓盤基板的側(cè)。

附圖說明

因此，為了能夠詳細(xì)地理解本公開的上述特征結(jié)構(gòu)所用方式，上文簡要概述的本公開的更具體的描述可以參考實(shí)施例進(jìn)行，一些實(shí)施例示出在附圖中。然而，應(yīng)當(dāng)注意，附圖僅示出本公開的典型實(shí)施例，并且因此不應(yīng)視為限制本公開的范圍，因?yàn)楸竟_可允許其他等效實(shí)施例。

圖1是靜電卡盤的一個實(shí)施例的正視圖。

圖2是靜電卡盤沿圖1的線2-2的橫截面圖。

圖3是靜電卡盤的另一實(shí)施例的正視圖。

圖4是靜電卡盤沿圖3的線4-4的橫截面圖。

圖5是靜電卡盤的另一實(shí)施例的橫截面圖。

圖6是靜電卡盤的另一實(shí)施例的局部橫截面圖。

圖7是根據(jù)一個實(shí)施例的利用如本文所述的靜電卡盤的制造系統(tǒng)的示意性平面圖。

圖8是沉積腔室的一個實(shí)施例的俯視橫截面圖

為了促進(jìn)理解，已盡可能使用相同的元件符號指定各圖所共有的相同的元件。構(gòu)想了一個實(shí)施例的元件和特征可有益地并入其他實(shí)施例，而無需進(jìn)一步陳述。

具體實(shí)施方式

本公開的實(shí)施例大體涉及一種用于控制卡緊在其上的基板溫度的具有背側(cè)氣體傳送裝置的靜電卡盤。在一些實(shí)施例中，靜電卡盤可用作適于在處理過程中將基板維持在豎直取向上的基板載體以及用作使用所述基板載體的方法。

本文所公開的實(shí)施例可利用豎直沉積系統(tǒng)來實(shí)踐，所述豎直沉積系統(tǒng)例如豎直CVD腔室或豎直PVD腔室，諸如，可從加利福尼亞州圣克拉拉市的應(yīng)用材料公司(Applied Materials,Inc.,Santa Clara,California)獲得的改型AKT New AristoTM Twin PVD系統(tǒng)。應(yīng)當(dāng)理解，本公開的實(shí)施例也可在其他處理系統(tǒng)中實(shí)踐，所述其他處理系統(tǒng)包括非直列式系統(tǒng)(即，群集工具)以及由其他制造商銷售的系統(tǒng)。還應(yīng)注意，雖然本文所描述的靜電卡盤對于在豎直處理系統(tǒng)中使用是特別有益的，但是所述靜電卡盤同樣適于將基板保持在非豎直取向(諸如，水平取向)上的處理系統(tǒng)。

圖1是靜電卡盤100的一個實(shí)施例的正視圖。在這個實(shí)施例中，靜電卡盤100是雙極靜電卡盤。靜電卡盤100具有支撐在其上的基板105(以虛線示出)?；?05可由適合于材料沉積工藝的任何材料制成。例如，基板105可由選自由以下各項(xiàng)組成的組中的材料制成：玻璃(例如，鈉鈣玻璃、硼硅玻璃等)、金屬、聚合物、陶瓷、化合材料、碳纖維材料或可通過沉積工藝或蒸發(fā)工藝涂布的任何其他材料或材料的組合。基板105可以是柔性或剛性的。

基板105的外周緣110可在靜電卡盤100的外圍115上方略微延伸。靜電卡盤100可以包括一個或多個中心卡緊模塊I-VI以及外圍卡緊模塊VII。外圍卡緊模塊VII包括至少第一電極120和第二電極125。第一電極120和第二電極125兩者定位在靜電卡盤100的外圍115的略微向內(nèi)的位置。第一電極120和第二電極125兩者取向?yàn)樵诖篌w上平行于靜電卡盤100的外圍115(即，每一側(cè))的平面。第一電極120和第二電極125兩者可以基本上平行于彼此。

靜電卡盤100還包括背側(cè)氣體凹槽(諸如，內(nèi)部氣體凹槽130和135)以及外圍氣體凹槽140。凹槽130、135和140可耦接到冷卻/加熱儲槽145，所述冷卻/加熱儲槽將溫度控制流體提供到基板105的背側(cè)BS(在圖2中示出)。溫度控制流體可以是適于去除熱或?qū)崽峁┑交宓睦鋮s或加熱流體(例如，溫度調(diào)節(jié)介質(zhì))。溫度控制流體可以是氬、氮、氦或一種或多種其他合適的氣體。

靜電卡盤100還可以耦接到電壓供源150，諸如，直流(DC)功率源，所述電壓供源將電功率提供到第一電極120、第二電極125和中心卡緊模塊I-VI中的電極(在圖1中未示出)。電壓供源150可用于向中心卡緊模塊I-VI中的每一個中心卡緊模塊的離散電極(例如，交替的正(+)和負(fù)(－)偏置電極)提供偏置電壓。能以特定的序列或同時地將偏置電壓施加到中心卡緊模塊I-VI。例如，可通過首先致動中心卡緊模塊I、II和V并接著致動中心卡緊模塊II、IV和VI來從一側(cè)到另一側(cè)地順序地卡緊基板105。以此方式，可凈化存在于基板105與靜電卡盤100的卡緊表面155之間的任何空氣。在另一示例中，可通過首先致動中心卡緊模塊III和IV并接著致動中心卡緊模塊I-II和V-VI來從中心到邊緣卡緊基板105。

在這兩個偏置應(yīng)用示例中，可致動外圍卡緊模塊VII以在靜電卡盤100的外圍115處使基板105的外周緣110靜電吸引成抵靠卡緊表面155。以此方式，由第一電極120和第二電極125的電學(xué)力提供靜電流體密封160，這促使基板105的背側(cè)BS抵靠卡緊表面155。

圖2是靜電卡盤100沿圖1的線2-2的橫截面圖。靜電卡盤100包括主體200，所述主體包括背襯基板205和圓盤(puck)基板210。背襯基板205可由金屬材料(諸如，鋁)制成。圓盤基板210可由具有良好的熱穩(wěn)定性、耐化學(xué)性且在高達(dá)約450攝氏度的溫度下可用的材料制成。圓盤基板210可以是聚合物材料的，諸如，酰亞胺單體聚合物，例如，聚酰亞胺。圓盤基板210的與其耦接到背襯基板205的表面相反的表面形成靜電卡盤100的卡緊表面155。第一電極120和第二電極125兩者以及中心卡緊模塊I-VI的電極215嵌入在圓盤基板210中。凹槽130、135(在圖1中示出)和140至少部分地形成在背襯基板205中。電極215是中心卡緊模塊I-VI的耦接到電壓供源150(在圖1中示出)的交替的正(+)和負(fù)(－)偏置電極。

在一些實(shí)施例中，中心卡緊模塊I-VI的卡緊表面155設(shè)置在平面(X-Z平面)中，并且外圍卡緊模塊VII的卡緊表面155與X-Z平面共平面。在一個實(shí)施例中，外圍卡緊模塊VII的卡緊表面155平行于中心卡緊模塊I-VI的卡緊表面155。在一個示例中，外圍卡緊模塊VII的卡緊表面155相比中心卡緊模塊I-VI的卡緊表面155的平面可略微抬起。

圖3是靜電卡盤300的另一實(shí)施例的正視圖，并且圖4是靜電卡盤300沿圖3的線4-4的橫截面圖。靜電卡盤300包括用于接收基板(在圖3中未示出)的卡緊表面155。根據(jù)這個實(shí)施例的靜電卡盤300具有一個或多個中心卡緊模塊I-VI以及外圍卡緊模塊VII。靜電卡盤300與靜電卡盤100基本上相同，例外之處如下所述。在中心卡緊模塊I-VI下方形成一個或多個附加的凹槽或通道。在圖3中以虛線示出的通道305和310與凹槽130、135和140相交。通道305可以基本上平行于(例如，+/－約3度)凹槽130，并且通道310可以基本上平行于凹槽135。通道305和310可以是基本上平行于靜電卡盤100的側(cè)(例如，靜電卡盤100的外圍115)。

圖5是靜電卡盤500的另一實(shí)施例的橫截面圖。靜電卡盤500與靜電卡盤100基本上相同，例外之處如下所述。靜電卡盤500包括用于接收基板(在圖5中未示出)的卡緊表面155。然而，圓盤基板210外圍包括漸縮(tapered)區(qū)域505。具有設(shè)置在其中的電極120和125的漸縮區(qū)域505可以是圓盤基板210的從靜電卡盤100的外圍115向內(nèi)朝背襯基板205漸縮的成角度的表面510。漸縮區(qū)域505可由設(shè)在背襯基板205上的錐體515形成?；蛘撸瑵u縮區(qū)域505可以是圓盤基板210中的厚度變化以提供成角度的表面510的區(qū)域。雖然并未示出，但是在一些實(shí)施例中，漸縮區(qū)域505可包括彎曲表面。

圖6是靜電卡盤600的另一實(shí)施例的局部橫截面圖。靜電卡盤600包括背襯基板205和圓盤基板210。圓盤基板210包括多個第一電極605A和多個第二電極605B。第一電極605A中的每一個與第二電極605B交替。第一電極605A可以是正偏置的，并且第二電極605B可以是負(fù)偏置的，反之亦然。當(dāng)供能時，基板105可吸引到圓盤基板210的卡緊表面155。

背襯基板205可以包括約5毫米(mm)至約30mm的厚度610。圓盤基板210可以包括在電極605A、605B下方的約10微米(μm)至約500μm的厚度615。第一電極605A和第二電極605B的厚度620可以為約5μm至約50μm。圓盤基板210還可包括在電極605A、605B上方的約10μm至約500μm的厚度625。

如本文所述的靜電卡盤100、500和600可以用于有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)制造，在所述OLED制造中蒸發(fā)有機(jī)材料，并且金屬和/或電介質(zhì)材料可沉積到基板105上。在一些實(shí)施例中，OLED器件的多個部分可通過等離子體工藝(諸如，化學(xué)氣相沉積(CVD)或物理氣相沉積(PVD))來沉積。在常規(guī)等離子體處理應(yīng)用中，腔室內(nèi)的溫度可控制為處于不同的范圍。在一些應(yīng)用中，等離子體工藝中的溫度典型地低于250℃。蔭罩掩模(shadow mask)(未示出)可耦接到基板105的沉積表面630(在圖6中示出)。蔭罩掩?？梢允墙饘傺谀?，所述金屬掩模具有形成在其中的精細(xì)的開口圖案，所述金屬掩?？刂瞥练e材料可撞擊基板105的位置。在對處于豎直取向的基板105進(jìn)行等離子體處理的過程中，由于金屬掩模的膨脹和收縮，控制基板105上的掩模位置通常是困難的。雖然金屬掩模由具有非常低的熱膨脹系數(shù)(CTE)的材料形成，但是即使1.0攝氏度的溫度變化也會改變金屬掩模的位置。掩模的這種膨脹或重新定位可能無法適配，對于高分辨率顯示器(例如，從500像素/英寸(ppi)至約800ppi)尤其如此。

金屬掩模典型地與基板105的沉積表面630熱接觸，并且熱量在這兩者之間進(jìn)行傳導(dǎo)。耦接到靜電卡盤100的冷卻/加熱儲槽145可以用于去除任何過量的熱，這穩(wěn)定了基板105和掩模的溫度。

圖7是根據(jù)一個實(shí)施例的制造系統(tǒng)700的示意性平面圖。系統(tǒng)700可以用于制造電子器件，特別是其中包括有機(jī)材料的電子器件，諸如，OLED器件。例如，所述器件可以是電子器件或半導(dǎo)體器件，諸如，光電器件，并且特別是顯示器。

本文所描述的實(shí)施例特別涉及例如用于在大面積基板上的顯示器制造的材料沉積?？梢栽谳d體上移動制造系統(tǒng)700中的基板貫穿制造系統(tǒng)700，所述載體可通過如本文所述的靜電卡盤100、500和600來支撐一個或多個基板。根據(jù)一些實(shí)施例，大面積基板或支撐一個或多個基板的載體(例如，大面積載體)可具有至少0.174平方米(m²)的尺寸。典型地，載體的尺寸可以為約1.4m²至約8m²，更典型地，約2m²至約9m²，或甚至高達(dá)12m²。典型地，矩形區(qū)域(基板被支撐在其中并且為其提供如本文所述的靜電卡盤100、500和600)是具有如本文所述的大面積基板的尺寸的載體。例如，將對應(yīng)于單個大面積基板的面積的大面積載體可以是對應(yīng)于約1.4m²基板(1.1m×1.3m)的GEN 5、對應(yīng)于約4.29m²基板(1.95m×2.2m)的GEN 7.5、對應(yīng)于約5.7m²基板(2.2m×2.5m)的GEN 8.5、或甚至是對應(yīng)于約8.7m²基板(2.85m×3.05m)的GEN 10。甚至可類似地實(shí)現(xiàn)更高代的載體(諸如，GEN 11和GEN 12)以及對應(yīng)的基板面積。根據(jù)可與本文所描述的其他實(shí)施例相組合的典型實(shí)施例，基板厚度可以為從0.1mm至1.8mm，并且靜電卡盤100、500和600可以適于此類基板厚度。然而，特別地，基板厚度可以為約0.9mm或更小，諸如，0.5mm或0.3mm，并且靜電卡盤100、500和600適于此類基板厚度。典型地，基板可由適合于材料沉積的任何材料制成。例如，基板可由選自由以下各項(xiàng)組成的組中的材料制成：玻璃(例如，鈉鈣玻璃、硼硅玻璃等)、金屬、聚合物、陶瓷、化合材料、碳纖維材料或可通過沉積工藝涂布的任何其他材料或材料的組合

圖7中所示制造系統(tǒng)700包括負(fù)載鎖定腔室702，所述負(fù)載鎖定腔室被連接到水平基板搬運(yùn)腔室704。基板105(以虛線繪出)(諸如，上文所述的大面積基板)可以從基板搬運(yùn)腔室704傳送到真空變壓(vacuum swing)模塊708。

真空變壓模塊708將基板105裝載到載體710上的水平位置。載體710包括靜電卡盤，諸如，如本文中所述的靜電卡盤100、500和600。在將基板105裝載到載體710上的水平位置后，真空變壓模塊708以豎直或基本上豎直的取向旋轉(zhuǎn)其上提供有基板105的載體710。隨后，以豎直取向傳送其上提供有基板105的載體710通過第一傳送腔室712A以及至少一個后續(xù)傳送腔室(712B-712F)。一個或多個沉積裝置714可連接到傳送腔室。另外，其他基板處理腔室或其他真空腔室可連接到傳送腔室中的一個或多個。在處理了基板105之后，以豎直取向?qū)⑵渖暇哂谢?05的載體從傳送腔室712F傳送到出口真空變壓模塊716中。出口真空變壓模塊716將其上具有基板105的載體從豎直取向旋轉(zhuǎn)到水平取向。之后，基板105可卸載到出口水平玻璃搬運(yùn)腔室718。例如在所制造的器件在薄膜封裝腔室722A或722B中被封裝之后，可通過負(fù)載鎖定腔室720將經(jīng)處理的基板105從制造系統(tǒng)700卸載。

在圖7中，提供第一傳送腔室712A、第二傳送腔室712B、第三傳送腔室712C、第四傳送腔室712D、第五傳送腔室712E和第六傳送腔室712F。根據(jù)本文所描述的實(shí)施例，在制造系統(tǒng)中包括至少兩個傳送腔室，典型地，在制造系統(tǒng)中可以包括2至8個傳送腔室。提供若干沉積裝置，例如，在圖7中提供9個沉積裝置714，每一個沉積裝置具有沉積腔室724并且每一個沉積裝置都示例性地連接到傳送腔室中的一個傳送腔室。根據(jù)一些實(shí)施例，沉積裝置的沉積腔室中的一個或多個經(jīng)由閘閥726而連接到傳送腔室。

沉積腔室724的至少部分包括圖案化掩模(未示出)。沉積腔室724中的每一個還包括用于將膜層沉積在至少一個基板105上的沉積源738(僅示出了一個)。在一些實(shí)施例中，沉積源738包括蒸發(fā)模塊和坩堝。在進(jìn)一步的實(shí)施例中，沉積源738在箭頭指示的方向上是可移動的，以便將膜沉積在支撐在相應(yīng)的載體710上的兩個基板105上。當(dāng)基板105在豎直取向或基本上豎直的取向上并且在沉積源738與每一個基板105之間存在相應(yīng)的圖案化掩模時，在基板105上執(zhí)行沉積。

可在沉積腔室724處提供對準(zhǔn)單元728處，以便使基板相對于相應(yīng)的圖案化掩模對準(zhǔn)。根據(jù)更進(jìn)一步的實(shí)施例，真空維持腔室730可例如經(jīng)由閘閥732而連接到沉積腔室724。真空維持腔室730允許將沉積源維持在制造系統(tǒng)700中。

如圖7中所示，沿線提供一個或多個傳送腔室712A-712F以提供直列式傳輸系統(tǒng)。根據(jù)一些實(shí)施例，提供雙軌傳輸系統(tǒng)。雙軌傳輸系統(tǒng)包括位于傳送腔室712A-712F中的每一個中的第一軌道734和第二軌道736。雙軌傳輸系統(tǒng)可以用于沿第一軌道734和第二軌道736中的至少一個傳送支撐基板的載體。

根據(jù)更進(jìn)一步的實(shí)施例，傳送腔室712A-712F中的一個或多個提供為真空旋轉(zhuǎn)模塊。第一軌道734和第二軌道736可以旋轉(zhuǎn)至少90度，例如，旋轉(zhuǎn)90度、180度或360度。載體(諸如，載體710)在軌道734和736上線性移動。載體可以旋轉(zhuǎn)到用于傳送到沉積裝置714的沉積腔室724中的一個沉積腔室或下述其他真空腔室中的一個真空腔室中的位置。傳送腔室712A-712F配置成旋轉(zhuǎn)豎直地取向的載體和/或基板，其中例如圍繞豎直的旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)傳送腔室中的軌道。這由圖7的傳送腔室712A-712F中的箭頭指示。

根據(jù)一些實(shí)施例，傳送腔室是用于在低于10毫巴的壓力下旋轉(zhuǎn)基板的真空旋轉(zhuǎn)模塊。根據(jù)更進(jìn)一步的實(shí)施例，在兩個或更多個傳送腔室(712A-712F)內(nèi)提供另一軌道，其中提供載體返回軌道740。根據(jù)典型實(shí)施例，可以在第一軌道734與第二軌道736之間提供載體返回軌道。載體返回軌道740允許在真空條件下將空載體從進(jìn)一步的出口真空變壓模塊716返回到真空變壓模塊708。在真空條件下(任選地，在受控惰性氣氛(例如，Ar、N₂或其組合)下)返回載體減少載體暴露于環(huán)境空氣。因此，可減小或避免與水分的接觸。因此，可以減少在制造系統(tǒng)700中制造器件過程中載體的釋氣。這可改善所制造器件的質(zhì)量，和/或載體可以處于操作中而無需清潔達(dá)延長的時間段。

圖7進(jìn)一步示出第一預(yù)處理室742和第二預(yù)處理室744。可在基板搬運(yùn)腔室704中提供機(jī)器人(未示出)或另一合適的基板搬運(yùn)系統(tǒng)。機(jī)器人或其他基板搬運(yùn)系統(tǒng)可將基板105從負(fù)載鎖定腔室702裝載在基板搬運(yùn)腔室704中，并將基板105傳送到預(yù)處理腔室(742、744)中的一個或多個中。例如，預(yù)處理室可以包括選自由以下各項(xiàng)組成的組中的預(yù)處理工具：對基板的等離子體處理、對基板的清理、對基板的UV和/或臭氧處理、對基板的離子源處理、對基板的RF或微波等離子體處理以及上述各項(xiàng)的組合。在基板的預(yù)處理之后，機(jī)器人或其他基板搬運(yùn)系統(tǒng)經(jīng)由基板搬運(yùn)腔室704將基板傳送出預(yù)處理腔室而傳送到真空變壓模塊708中。為了允許使負(fù)載鎖定腔室702破真空以裝載基板和/或在大氣條件下在基板搬運(yùn)腔室704中搬運(yùn)基板，在基板搬運(yùn)腔室704與真空變壓模塊708之間提供閘閥726。因此，在閘閥726打開并且基板傳送到真空變壓模塊708中之前，可將基板搬運(yùn)腔室704以及(如果需要)負(fù)載鎖定腔室702、第一預(yù)處理室742和第二預(yù)處理室744中的一個或多個抽空。因此，基板的裝載、處置和處理可以在將基板裝載到真空變壓模塊708中之前在大氣壓條件下進(jìn)行。

根據(jù)本文所描述的實(shí)施例，當(dāng)基板水平地取向或基本上水平地取向時，執(zhí)行對基板的加載、處置和處理，所述對基板的加載、處置和處理可在將基板裝載到真空變壓模塊708中之前進(jìn)行。如圖7所示并根據(jù)本文所描述的更近一步的實(shí)施例的制造系統(tǒng)700組合在水平取向上的基板的搬運(yùn)、在豎直取向上的基板的旋轉(zhuǎn)、以豎直取向?qū)⒉牧铣练e到基板上、在材料沉積之后在水平取向上的基板的旋轉(zhuǎn)以及在水平取向上的基板的卸載。

圖7中所示制造系統(tǒng)700包括至少一個薄膜封裝腔室。圖7示出第一薄膜封裝腔室722A和第二薄膜封裝腔室722B。一個或多個薄膜封裝腔室包括封裝裝置，其中在經(jīng)處理的基板與另一基板之間封裝(即，夾封)經(jīng)沉積和/或處理的層(特別是OLED材料)，以便保護(hù)經(jīng)沉積和/或處理的材料免于暴露于環(huán)境空氣和/或大氣壓條件。典型地，薄膜封裝可通過將材料夾在兩個基板(例如，玻璃基板)之間來提供。然而，可替代地由在薄膜封裝腔室中的一個中提供的封裝裝置采用其他封裝方法，像利用玻璃、聚合物和或金屬片材的層壓或激光熔融覆蓋玻璃。特別地，OLED材料層可能經(jīng)受暴露于環(huán)境空氣和/或氧氣和水分。因此，制造系統(tǒng)700(例如，如圖7中所示)可以在經(jīng)由出口負(fù)載鎖定腔室720卸載經(jīng)處理的基板之前封裝薄膜。

根據(jù)更進(jìn)一步的實(shí)施例，制造系統(tǒng)可以包括載體緩沖裝置748。例如，載體緩沖裝置748可連接到第一傳送腔室712A，所述第一傳送腔室連接到真空變壓模塊708和/或最后一個傳送腔室(即，第六傳送腔室712F)。例如，載體緩沖裝置748可連接到傳送腔室中的一個，這個傳送腔室連接到真空變壓模塊中的一個。由于在真空變壓模塊中裝載和卸載基板，因此如果載體緩沖裝置748提供為靠近真空變壓模塊則是有益的。載體緩沖裝置748配置成提供對一個或多個(例如，5至30個)載體的存儲。如果需要替換另一載體以例如進(jìn)行維護(hù)(諸如，清潔)，則可以在制造系統(tǒng)700的操作過程中使用緩沖裝置中的載體。

根據(jù)更進(jìn)一步的實(shí)施例，制造系統(tǒng)可進(jìn)一步包括掩模支架750，即，掩模緩沖裝置。掩模支架750配置成提供對替換圖案化掩模和/或需要存儲以用于特定沉積步驟的掩模的存儲。根據(jù)操作制造系統(tǒng)700的方法，可以經(jīng)由具有第一軌道734和第二軌道736的雙軌傳輸布置將掩模從掩模支架750傳送到沉積裝置714。因此，在不需要使沉積腔室724破真空、不需要使傳送腔室712A-712F破真空、和/或在不需要使掩模暴露于大氣壓條件的情況下，可更換沉積裝置中的掩模以進(jìn)行維護(hù)(諸如，清潔)或改變沉積圖案。

圖7進(jìn)一步示出掩模清理腔室752。掩模清理腔室752經(jīng)由閘閥726而連接到掩模支架750。因此，可在掩模支架750與掩模清理腔室752之間提供真空氣密密封以清潔掩模。根據(jù)不同的實(shí)施例，可以在制造系統(tǒng)700內(nèi)通過清潔工具(諸如，等離子體清潔工具)清潔掩模。可以在掩模清潔腔室752中提供等離子體清潔工具。附加地或替代地，如圖7中所示，可以在掩模清潔腔室752處提供另一閘閥754。因此，可從制造系統(tǒng)700卸載掩模，同時僅需要使掩模清潔腔室752破真空。通過將掩模從制造系統(tǒng)卸載，可以在制造系統(tǒng)繼續(xù)完全操作的同時提供外部掩模清潔。圖7示出與掩模支架750相鄰的掩模清潔腔室752。對應(yīng)或類似的清理腔室(未示出)還可提供在與載體緩沖裝置748相鄰的位置。通過提供與載體緩沖裝置748相鄰的清潔腔室，可以在制造系統(tǒng)700內(nèi)清潔載體，或者可通過連接到清潔腔室的閘閥而從制造系統(tǒng)卸載載體。

圖8是沉積腔室800的一個實(shí)施例的俯視橫截面圖。沉積腔室800可以是圖7中所示的沉積腔室724中的一個。沉積腔室800包括腔室主體805，所述腔室主體具有底部810，在所述底部中，驅(qū)動系統(tǒng)815移動基板載體710(兩個載體710示為處于相面對的關(guān)系)。每一個載體710包括靜電卡盤825，所述靜電卡盤可類似于如本文所述的靜電卡盤100、500和600。驅(qū)動系統(tǒng)815包括用于移動載體710的兩個或更多個滾軸820(其他滾軸被載體710遮蔽)。腔室主體805包括可密封閥通路830，可通過此通路830在傳送腔室(與圖7的傳送腔室712A-712F類似)與沉積腔室800之間傳送載體710。

腔室主體805包封內(nèi)部容積835，所述內(nèi)部容積具有設(shè)置在其中的多個氣源840和等離子體發(fā)生器845。氣源840耦接到氣體面板(未示出)，以將處理氣體提供到內(nèi)部容積835。處理氣體示例包括適合于將膜沉積在基板上的氣體，所述基板諸如，氧化硅、氮化硅、非晶硅和微晶硅。等離子體發(fā)生器845可以是適用于激勵內(nèi)部容積835內(nèi)的處理氣體使得可維持等離體子的微波源或其他設(shè)備。在一個實(shí)施例中，氣源840設(shè)置在等離子體發(fā)生器845與基板105之間，所述基板保持在載體710上。內(nèi)部容積835中的壓力可維持在約1Torr至約10Torr。

能以任何合適的方式進(jìn)行冷卻/加熱儲槽145、電壓供源150和載體710之間的連接。例如，使用插頭和插座連接器、刀片狀連接器、螺桿端子、快拆裝置、香蕉式連接器(banana connector)等等。在一個實(shí)施例中，載體710包括可釋放地與配接的連接器855A、855B和855C互連的連接器850A、850B、850C以將冷卻/加熱儲槽145和電壓供源150中的每一者分別與載體710耦接。配接的連接器855A、855B、855C可耦接到致動器860A、860B、860C，所述致動器860A、860B、860C在與連接器850A、850B、850C連接的第一位置與脫離連接器850A、850B、850C并從其上去除的第二位置之間移動配接的連接器855A、855B、855C。從第一位置到第二位置的移動促成載體710的移動。

可通過對電壓供源150供能來將基板105牢固地卡緊在載體710上。載體710提供圍繞基板105的外圍的靜電流體密封160?？衫脷庠?40和等離子體發(fā)生器845，以便利用蔭罩掩模865而將膜形成在基板105上的選擇位置處。蔭罩掩模865設(shè)置在基板105、氣源840與等離子體發(fā)生器845之間。在一個實(shí)施例中，蔭罩掩模865包括框架870，所述框架可靜電耦接到載體710。可使用冷卻/加熱儲槽145來控制基板105的溫度?？墒估鋮s劑流過形成在載體710中或形成在載體710上的凹槽或通道(未示出)。

在處理之后，隨后可使冷卻/加熱儲槽145和電壓供源150脫離載體710以允許在載體710上傳送相應(yīng)的基板105?；?05將保持為靜電卡緊到載體710，以供在其他處理腔室中進(jìn)一步處理。

如本文所述的靜電卡盤100、500、600和825提供靜電流體密封160，所述靜電流體密封160有效地密封卡緊在其上的基板的外圍?？墒估鋮s氣體流動以冷卻卡緊在其上的基板，并且可控制基板的溫度。電極120和125平行于基板的外圍延伸，這可以使間隙最小化和/或維持基板的平坦度。使基板與靜電卡盤100、500、600和825之間的間隙最小化實(shí)現(xiàn)低泄漏率。使基板與靜電卡盤100、500、600和825之間的間隙最小化還提供來自撞擊基板的背側(cè)氣體的熱的良好傳導(dǎo)。

盡管上述內(nèi)容針對本公開的實(shí)施例，但是可設(shè)計本公開的其他和進(jìn)一步的實(shí)施例而不背離本公開的基本范圍，并且本公開的范圍由所附權(quán)利要求書來確定。