本發(fā)明涉及硅片生產(chǎn)設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種刻蝕硅片水膜去水裝置。

背景技術(shù)：

所謂刻蝕，實際上就是光刻腐蝕，先通過光刻將光刻膠進行光刻曝光處理，然后通過其它方式實現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分。隨著微制造工藝的發(fā)展；刻蝕成了通過溶液、反應(yīng)離子或其它機械方式來剝離、去除材料的一種統(tǒng)稱，成為微加工制造的一種普適叫法，而濕法刻蝕是一個純粹的化學反應(yīng)過程，是指利用溶液與預刻蝕材料之間的化學反應(yīng)來去除為被掩蔽膜材料掩蔽的部分而達到刻蝕目的。

在非擴散面加上水膜是防止硅片過刻的重要途徑，而在實際生產(chǎn)過程中，硅片上的水膜會溢出在刻蝕槽造成刻蝕槽內(nèi)酸性溶液濃度變小，為了達到要求的濃度，要不斷的增加供酸量，無形中增加了生產(chǎn)成本。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是：為了解決硅片上的水膜會溢出在刻蝕槽造成刻蝕槽內(nèi)酸性溶液濃度變小，為了達到要求的濃度，要不斷的增加供酸量，無形中增加了生產(chǎn)成本的問題，現(xiàn)提供了一種刻蝕硅片水膜去水裝置。

本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：一種刻蝕硅片水膜去水裝置，包括水槽，所述水槽內(nèi)轉(zhuǎn)動設(shè)有若干用于輸送硅片的輸送輥，所述水槽外設(shè)有用于驅(qū)動輸送輥轉(zhuǎn)動的第一電機，所述水槽上轉(zhuǎn)動設(shè)置有去水輥，所述去水輥位于所述輸送輥上方且一一對應(yīng)，所述去水輥外周面開設(shè)有若干第一環(huán)形槽，所述水槽外設(shè)有用于驅(qū)動去水輥轉(zhuǎn)動的第二電機，所述輸送輥與所述去水輥旋轉(zhuǎn)方向相反，所述水槽上設(shè)有集水盒，所述集水盒上設(shè)有開口朝上的集水腔，所述集水盒與所述去水輥一一對應(yīng)，所述集水盒位于所述去水輥靠近硅片輸入的一側(cè)，所述集水盒靠近相對應(yīng)去水輥的一側(cè)為斜邊，所述斜邊沿硅片輸送方向向上傾斜設(shè)置，所述斜邊的上端與所述去水輥外周面接觸，所述水槽上設(shè)有將集水腔與所述水槽連通的通道。在對硅片蝕刻前，先對硅片表面多余的水膜進行去水處理，在硅片上設(shè)置好水膜后，通過將硅片放置在輸送輥上輸送，硅片在輸送輥和去水輥之間通過，去水輥能夠引導掉硅片表面的一些水，去水輥上的水由集水盒收集并引入到水槽內(nèi)，能夠有效保障硅片上多余的水及時的處理掉，保證水膜多余的水不會進入到蝕刻槽內(nèi)。

在硅片上進行水膜處理時，水膜過多會流至硅片的下表面，進一步地，所述輸送輥外周面開設(shè)有若干第二環(huán)形槽，所述水槽內(nèi)轉(zhuǎn)動設(shè)有與輸送輥相對應(yīng)的輥軸，所述輥軸位于所述輸送輥下方，所述輥軸上設(shè)有凸環(huán)，所述凸環(huán)與所述第二環(huán)形槽相對應(yīng)，所述凸環(huán)的外周面位于第二環(huán)形槽內(nèi)。位于硅片下表面的水由輸送輥去除，同時輸送輥的第二水槽內(nèi)的水由輥軸上的凸環(huán)引入到水槽內(nèi)，盡量減少硅片在蝕刻過程中硅片上的水掉入至蝕刻槽內(nèi)。

進一步地，所述第一環(huán)形槽傾斜設(shè)置。通過去水輥與硅片上的水膜接觸，使得第二環(huán)形槽能夠在水膜的一定范圍內(nèi)進行去水。

進一步地，所述水槽的底部設(shè)有用于水槽內(nèi)排水的排水管。通過水槽底部的排水管將水槽內(nèi)的水排出。

本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明刻蝕硅片水膜去水裝置在使用時，在對硅片蝕刻前，先對硅片表面多余的水膜進行去水處理，在硅片上設(shè)置好水膜后，通過將硅片放置在輸送輥上輸送，硅片在輸送輥和去水輥之間通過，第一環(huán)形槽和第二環(huán)形槽能夠引導掉硅片表面的一些水，輸送輥的第一水槽內(nèi)的水由輥軸上的凸環(huán)引入到水槽內(nèi)，而去水輥上的水由集水盒收集并引入到水槽內(nèi)，能夠有效保障硅片上多余的水及時的處理掉，保證水膜多余的水不會進入到蝕刻槽內(nèi)，本發(fā)明操作簡單方便，能夠有效去除硅片水膜多余的水，防止了硅片上的水膜會溢出在刻蝕槽造成刻蝕槽內(nèi)酸性溶液濃度變小，為了達到要求的濃度，要不斷的增加供酸量，無形中增加了生產(chǎn)成本的問題。

附圖說明

下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明進一步說明。

圖1是本發(fā)明刻蝕硅片水膜去水裝置的主視圖；

圖2是本發(fā)明刻蝕硅片水膜去水裝置的左視圖。

圖中：1、水槽，2、輸送輥，201、第二環(huán)形槽，3、第一電機，4、輥軸，401、凸環(huán)，5、去水輥，501、第一環(huán)形槽，6、集水盒，601、集水腔，602、斜邊，7、硅片，8、第二電機。

具體實施方式

現(xiàn)在結(jié)合附圖對本發(fā)明做進一步詳細的說明。這些附圖均為簡化的示意圖，僅以示意方式說明本發(fā)明的基本結(jié)構(gòu)，因此其僅顯示與本發(fā)明有關(guān)的構(gòu)成。

實施例

如圖1和2所示，一種刻蝕硅片水膜去水裝置，包括水槽1，所述水槽1內(nèi)轉(zhuǎn)動設(shè)有若干用于輸送硅片7的輸送輥2，所述水槽1外設(shè)有用于驅(qū)動輸送輥2轉(zhuǎn)動的第一電機3，第一電機3和第二電機8由外接電源接入，并通過外部控制器控制第一電機3和第二電機8的啟閉，第一電機3和輸送輥2通過鏈輪鏈條傳動，第二電機8和去水輥5也是通過鏈輪鏈條傳動，所述水槽1上轉(zhuǎn)動設(shè)置有去水輥5，所述去水輥5位于所述輸送輥2上方且一一對應(yīng)，所述去水輥5外周面開設(shè)有若干第一環(huán)形槽501，所述水槽1外設(shè)有用于驅(qū)動去水輥5轉(zhuǎn)動的第二電機8，所述輸送輥2與所述去水輥5旋轉(zhuǎn)方向相反，所述水槽1上設(shè)有集水盒6，所述集水盒6上設(shè)有開口朝上的集水腔601，所述集水盒6與所述去水輥5一一對應(yīng)，所述集水盒6位于所述去水輥5靠近硅片7輸入的一側(cè)，所述集水盒6靠近相對應(yīng)去水輥5的一側(cè)為斜邊602，所述斜邊602沿硅片7輸送方向向上傾斜設(shè)置，所述斜邊602的上端與所述去水輥5外周面接觸，所述水槽1上設(shè)有將集水腔601與所述水槽1連通的通道。

所述集水盒6內(nèi)的集水腔601沿輸送輥2的軸線方向呈兩端低中間高。

所述輸送輥2外周面開設(shè)有若干第二環(huán)形槽201，所述水槽1內(nèi)轉(zhuǎn)動設(shè)有與輸送輥2相對應(yīng)的輥軸4，所述輥軸4位于所述輸送輥2下方，所述輥軸4上設(shè)有凸環(huán)401，所述凸環(huán)401與所述第二環(huán)形槽201相對應(yīng)，所述凸環(huán)401的外周面位于第二環(huán)形槽201內(nèi)。

所述第一環(huán)形槽501傾斜設(shè)置。

所述水槽1的底部設(shè)有用于水槽1內(nèi)排水的排水管。

上述刻蝕硅片水膜去水裝置在使用時，在硅片7設(shè)置好水膜后，在硅片7進行蝕刻前，先對硅片7表面進行水膜多余的水去除，首先啟動第一電機3和第二電機8，第一電機3帶動輸送輥2轉(zhuǎn)動，第二電機8帶動去水輥5轉(zhuǎn)動，將表面具有水膜的硅片7放置在輸送輥2上，輸送輥2帶動硅片7并與去水輥5 接觸，輸送輥2和去水輥5上的第一環(huán)形槽501和第二環(huán)形槽201，將硅片7上表面及下表面的多余水吸入，同時去水輥5將水膜上多余的水吸附在去水輥5的外周面，輸送輥2上第二環(huán)形槽201內(nèi)的水由下方的輥軸4上的凸環(huán)401引入到水槽1內(nèi)，去水輥5上內(nèi)的水由集水盒6的斜邊602引入到集水腔601內(nèi)，由于集水腔601呈中間高兩端低，水向兩端流到最后流入到水槽1內(nèi)，實現(xiàn)對硅片7表面水膜多余的水的收集，最后通過水槽1底部的排水管排出。

上述依據(jù)本發(fā)明的理想實施例為啟示，通過上述的說明內(nèi)容，相關(guān)工作人員完全可以在不偏離本項發(fā)明技術(shù)思想的范圍內(nèi)，進行多樣的變更以及修改。本項發(fā)明的技術(shù)性范圍并不局限于說明書上的內(nèi)容，必須要根據(jù)權(quán)利要求范圍來確定其技術(shù)性范圍。