一種太陽能電池硅片刻蝕效果檢測儀的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及太陽能電池領(lǐng)域，具體涉及一種太陽能電池硅片刻蝕效果檢測儀。
【背景技術(shù)】
[0002]在太陽能電池的生產(chǎn)過程中，刻蝕工序的目的是將硅片非擴(kuò)散面及側(cè)面P-N結(jié)以化學(xué)方法腐蝕掉，但是存在兩種刻蝕不合格的可能:第一種是欠刻，即側(cè)面的P-N結(jié)沒有徹底腐蝕掉，這樣成品電池片會因為邊緣導(dǎo)通而導(dǎo)致漏電，電池片效率會明顯降低，同時電池片使用壽命明顯降低；第二種刻蝕不合格的情況是過刻，即工藝過程中不但腐蝕掉了背面及側(cè)面P-N結(jié)，而且將正面距離硅片邊緣1.5 mm以內(nèi)的P-N結(jié)也腐蝕掉(1.5 mm為電池片正電極邊框位置)，這樣P型硅仍能將正負(fù)電極相連，成品電池會因為邊緣漏電而導(dǎo)致轉(zhuǎn)換效率下降，同時電池片使用壽命會明顯降低。而現(xiàn)行檢測刻蝕效果的方法是使用萬用表測試刻蝕后硅片側(cè)面兩點間電阻，當(dāng)電阻超過1000歐姆時，認(rèn)為硅片合格，當(dāng)電阻低于1000歐姆時，認(rèn)為硅片欠刻，即不合格，但這種檢測方法只能檢測欠刻，而對過刻則無法檢測，只能通過肉眼觀察硅片外觀來粗略判斷，整個測試都為人工操作，兩表筆間距離難于控制，同時表筆與硅片難于保證垂直，即表筆與硅片的接觸面積不穩(wěn)定，諸多因素影響測試的準(zhǔn)確性。現(xiàn)在雖然存在一些新的檢測手段，但是都不能有效的檢測過刻，且容易導(dǎo)致碎片，污染等情況。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]發(fā)明目的:本發(fā)明目的在于針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種便捷、有效、準(zhǔn)確度高的太陽能電池硅片刻蝕效果檢測儀。
[0004]技術(shù)方案:本發(fā)明所述的一種太陽能電池硅片刻蝕效果檢測儀，包括石墨底盤、石墨底座、固定探針和移動探針，所述石墨底盤為光滑平整的平板，所述石墨底座位于所述石墨底盤上，與所述石墨底盤構(gòu)成一體化結(jié)構(gòu)，所述石墨底座為立方體結(jié)構(gòu)，在所述立方體結(jié)構(gòu)上表面中心處設(shè)置豎直孔槽，所述固定探針固定于所述豎直孔槽中，與萬用表正極相連，所述移動探針與萬用表負(fù)極相連，在檢測過程中，將待測太陽能電池硅片擴(kuò)散面向上放置在所述石墨底片上。
[0005]優(yōu)選地，為避免檢測過程中導(dǎo)致電池硅片破壞或污染，所述移動探針在檢測過程中與待測太陽能電池硅片的柵線處接觸。
[0006]優(yōu)選地，為達(dá)到較好的檢測效果，所述檢測儀在工作過程中的光照強度為900-1100 Wa/m2。
[0007]優(yōu)選地，所述固定探針和移動探針為銅質(zhì)材料。
[0008]有益效果:(I)此檢測設(shè)備，構(gòu)造簡單，易操作，可以同時檢測太陽能電池硅片過刻及欠刻問題，更精準(zhǔn)的測試產(chǎn)品質(zhì)量；(2)在檢測過程中檢測探針不直接接觸刻蝕區(qū)，避免檢測過程中導(dǎo)致電池硅片破壞或污染；(3)此檢測設(shè)備選用石墨材質(zhì)，與PECVD供需所使用的石墨成分相同，不會對產(chǎn)品造成污染。
【附圖說明】
[0009]圖1為本發(fā)明的側(cè)面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0010]其中1.石墨底盤，2.石墨底座，3.固定探針，4.移動探針，5.豎直孔槽。
【具體實施方式】
[0011]下面通過附圖對本發(fā)明技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)說明，但是本發(fā)明的保護(hù)范圍不局限于所述實施例。
[0012]實施例:一種太陽能電池硅片刻蝕效果檢測儀，包括石墨底盤1、石墨底座2、固定探針3和移動探針4，所述石墨底盤I為光滑平整的平板，所述石墨底座2位于所述石墨底盤I上，與所述石墨底盤I構(gòu)成一體化結(jié)構(gòu)，所述石墨底座2為立方體結(jié)構(gòu)，在所述立方體結(jié)構(gòu)上表面中心處設(shè)置豎直孔槽5，所述固定探針3固定于所述豎直孔槽5中，與萬用表正極相連，所述移動探針4與萬用表負(fù)極相連，所述固定探針和移動探針為銅質(zhì)材料。基于上述結(jié)構(gòu)，具體測試過程如下:
[0013]測試原理:當(dāng)被測位置存在過刻情況時，1.5 mm位置處的PN結(jié)會被破壞，故測試電壓會明顯偏低；當(dāng)被測位置出現(xiàn)欠刻情況時，其屬于正負(fù)極導(dǎo)通狀態(tài)，電壓也會明顯偏低，故當(dāng)被測位置電壓高于120 mV時，認(rèn)為此位置即不存在過刻情況，也不存在欠刻情況，視為合格品。
[0014](I)將待測太陽能電池硅片擴(kuò)散面向上放置于所述石墨底片I上，調(diào)整光照強度至1000 Wa/m2;此光照條件下，當(dāng)萬用表顯示電壓大于120 mV時，刻蝕效果正常，當(dāng)萬用表顯示電壓小于120 mV時，刻蝕效果不良，判定產(chǎn)品為不合格品；
[0015](2)待電流穩(wěn)定后，將所述固定探針置入豎直孔槽5中，移動探針置于待測太陽能電池硅片的柵線處，所述柵線距離硅片邊緣1.5 _，記錄萬用表的示數(shù)，以此方法檢測并記錄三個不同點的萬用表示數(shù)，并求取平均值P ;
[0016](3)判斷產(chǎn)品質(zhì)量120 mV時，產(chǎn)品存在過刻或欠刻現(xiàn)象，為不合格產(chǎn)品；當(dāng)P彡120 mV時，刻蝕正常，為合格產(chǎn)品。
[0017]如上所述，盡管參照特定的優(yōu)選實施例已經(jīng)表示和表述了本發(fā)明，但其不得解釋為對本發(fā)明自身的限制。在不脫離所附權(quán)利要求定義的本發(fā)明的精神和范圍前提下，可對其在形式上和細(xì)節(jié)上作出各種變化。
【主權(quán)項】
1.一種太陽能電池硅片刻蝕效果檢測儀，其特征在于包括石墨底盤、石墨底座、固定探針和移動探針，所述石墨底盤為光滑平整的平板，所述石墨底座位于所述石墨底盤上，與所述石墨底盤構(gòu)成一體化結(jié)構(gòu)，所述石墨底座為立方體結(jié)構(gòu)，在所述立方體結(jié)構(gòu)上表面中心處設(shè)置豎直孔槽，所述固定探針固定于所述豎直孔槽中，與萬用表正極相連，所述移動探針與萬用表負(fù)極相連，在檢測過程中，將待測太陽能電池硅片擴(kuò)散面向上放置在所述石墨底片上。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述太陽能電池硅片刻蝕效果檢測儀，其特征在于所述移動探針在檢測過程中與待測太陽能電池硅片的柵線處接觸。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述太陽能電池硅片刻蝕效果檢測儀，其特征在于所述檢測儀在工作過程中的光照強度為900~1100 Wa/m2。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述太陽能電池硅片刻蝕效果檢測儀，其特征在于所述固定探針和移動探針為銅質(zhì)材料。
【專利摘要】本實用新型公開一種太陽能電池硅片刻蝕效果檢測儀，包括石墨底盤、石墨底座、固定探針和移動探針，所述石墨底盤為光滑平整的平板，所述石墨底座位于所述石墨底盤上，與所述石墨底盤構(gòu)成一體化結(jié)構(gòu)，所述石墨底座為立方體結(jié)構(gòu)，在所述立方體結(jié)構(gòu)上表面中心處設(shè)置豎直孔槽，所述固定探針固定于所述豎直孔槽中，與萬用表正極相連，所述移動探針與萬用表負(fù)極相連。此檢測設(shè)備，構(gòu)造簡單，易操作，可以同時檢測太陽能電池硅片過刻及欠刻問題，更精準(zhǔn)的測試產(chǎn)品質(zhì)量；在檢測過程中檢測探針不直接接觸刻蝕區(qū)，避免檢測過程中導(dǎo)致電池硅片破壞或污染；此檢測設(shè)備選用石墨材質(zhì)，與PECVD供需所使用的石墨成分相同，不會對產(chǎn)品造成污染。
【IPC分類】H01L21/66, H01L31/18
【公開號】CN204946864
【申請?zhí)枴緾N201520727964
【發(fā)明人】王守志
【申請人】中節(jié)能太陽能科技（鎮(zhèn)江）有限公司
【公開日】2016年1月6日
【申請日】2015年9月18日