本發(fā)明涉及半導體技術領域，具體而言，涉及一種改善外延片背面平整度的方法和一種外延片。

背景技術：

光刻機臺對外延片背面的平整度要求很高，當外延片背面凸起的厚度過大時，顯影后的外延片容易出現(xiàn)散膠的情況，在光學顯微鏡下觀察散膠后的外延片光刻圖形會發(fā)生嚴重的變形。目前背面平整度不符合要求的外延片只能進行報廢處理，十分浪費。

因此，如何通過一種改善外延片背面平整度的方法，使外延片背面的平整度滿足使用需求，成為亟待解決的技術問題。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明正是基于上述技術問題至少之一，提出了一種新的改善外延片背面平整度的方法，可使外延片背面的平整度滿足使用需求。

有鑒于此，本發(fā)明提出了一種改善外延片背面平整度的方法，包括：對外延片的背面的凸起厚度進行檢測；當檢測的所述凸起的厚度大于所述預設厚度時，將所述外延片的正面復合一層保護膜；對正面復合有所述保護膜的所述外延片的背面進行減薄處理；對已經(jīng)完成所述減薄處理的所述外延片的背面進行腐蝕處理，以使所述外延片的背面的凸起厚度小于所述預設厚度；將已經(jīng)完成所述腐蝕處理的所述外延片的正面的所述保護膜去除。

在該技術方案中，依次通過檢測外延片背面凸起厚度、在外延片正面復合保護膜、外延片背面減薄處理、外延片背面腐蝕處理、去除正面保護膜可以解決外延片背面不平整的問題，使外延片背面的平整度滿足使用需 求。在外延片正面復合保護膜是為了防止對外延片進行背面減薄和背面腐蝕處理時，外延片的正面受損。背面腐蝕處理是為了釋放外延片背面的硅的應力，防止外延片發(fā)生變形，提高外延片背面的平整度。

在上述技術方案中，優(yōu)選地，對已經(jīng)去除所述保護膜的所述外延片進行清洗。

在該技術方案中，對外延片進行清洗，一是為了防止外延片上殘留有保護膜的成分，影響外延片的正常使用。二是為了防止外延片上殘留有酸或其他腐蝕性液體，使外延片和與外延片接觸的設備受到腐蝕。

在該技術方案中，優(yōu)選地，所述預設厚度為0.8微米。

在該技術方案中，外延片背面凸起的厚度大于0.8微米時，顯影后的外延片容易出現(xiàn)散膠的情況，在光學顯微鏡下觀察散膠后的外延片光刻圖形會發(fā)生嚴重的變形。外延片背面凸起的厚度小于或等于0.8微米，外延片可正常使用，所以將預設厚度定為0.8微米，其中，具體地預設厚度值根據(jù)具體的外延片而定，不同批次的外延片的預設厚度值可能不同。

在上述技術方案中，優(yōu)選地，通過光刻機臺對外延片的背面的凸起厚度進行檢測。

在該技術方案中，光刻機臺對外延片背面的平整度要求很高，利用光刻機臺對外延片背面的凸起厚度進行檢測，可以提高檢測的準確率。

在上述技術方案中，優(yōu)選地，所述保護膜為耐酸藍膜，所述耐酸藍膜的厚度在130微米至150微米范圍內(nèi)。

在該技術方案中，在外延片正面復合130微米至150微米的耐酸藍膜，可以防止外延片的正面在外延片進行背面腐蝕處理時受到腐蝕，保證改善背面平整度之后的外延片可以正常使用。

在上述技術方案中，優(yōu)選地，通過減薄機對正面復合有所述保護膜的所述外延片的背面進行減薄處理，其中，所述外延片的背面減薄的厚度在20微米至30微米范圍內(nèi)。

在該技術方案中，減薄的厚度應在20微米至30微米范圍內(nèi)。外延片背面減薄的厚度過小，操作難度太大，外延片背面減薄的厚度過大，不但造成了資源浪費，還可能導致外延片無法正常使用。

在上述技術方案中，優(yōu)選地，將已經(jīng)完成所述減薄處理的所述外延片的背面放入所述硅酸腐蝕槽中，通過所述硅酸腐蝕槽中的硅腐蝕液將所述外延片的背面腐蝕10微米至12微米，使所述外延片的背面的凸起厚度小于所述預設厚度。

在該技術方案中，通過硅腐蝕液將外延片的背面腐蝕10微米至12微米，可以很好地釋放外延片背面的硅的應力，防止外延片發(fā)生變形，提高外延片背面的平整度。

在上述技術方案中，優(yōu)選地，所述腐蝕處理的時間在8分鐘至9分鐘范圍內(nèi)。

在該技術方案中，通過硅腐蝕液對外延片的背面進行8分鐘至9分鐘的腐蝕處理，可以很好地釋放外延片背面的硅的應力，防止外延片發(fā)生變形，提高外延片背面的平整度。

在上述技術方案中，優(yōu)選地，所述硅腐蝕液包括以下之一或其組合：硝酸、氫氟酸及冰乙酸。

在該技術方案中，硅酸腐蝕液包括硝酸、氫氟酸及冰乙酸，其具體組成成分根據(jù)外延片而定，不同批次的外延片使用的硅酸腐蝕液可能不同。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，還提出了一種外延片，使用如上述任一項所述的改善外延片背面平整度的方法。

在該技術方案中，依次通過檢測外延片背面凸起厚度、在外延片正面復合保護膜、外延片背面減薄處理、外延片背面腐蝕處理、去除正面保護膜可以解決外延片背面不平整的問題，使外延片背面的平整度滿足使用需求。

通過以上技術方案，可以有效地改善外延片背面的不平整，使外延片背面的平整度滿足使用需求。

附圖說明

圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的改善外延片背面平整度的方法的流程示意圖。

具體實施方式

為了能夠更清楚地理解本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點，下面結合附圖和具體實施方式對本發(fā)明進行進一步的詳細描述。需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請的實施例及實施例中的特征可以相互組合。

在下面的描述中闡述了很多具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是，本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其他方式來實施，因此，本發(fā)明的保護范圍并不受下面公開的具體實施例的限制。

圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的改善外延片背面平整度的方法的流程示意圖。

如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的改善外延片背面平整度的方法，包括：步驟102，對外延片的背面的凸起厚度進行檢測；步驟104，當檢測的所述凸起的厚度大于所述預設厚度時，將所述外延片的正面復合一層保護膜；步驟106，對正面復合有所述保護膜的所述外延片的背面進行減薄處理；步驟108，對已經(jīng)完成所述減薄處理的所述外延片的背面進行腐蝕處理，以使所述外延片的背面的凸起厚度小于所述預設厚度；步驟110，將已經(jīng)完成所述腐蝕處理的所述外延片的正面的所述保護膜去除。

在該技術方案中，依次通過檢測外延片背面凸起厚度、在外延片正面復合保護膜、外延片背面減薄處理、外延片背面腐蝕處理、去除正面保護膜可以解決外延片背面不平整的問題，使外延片背面的平整度滿足使用需求。在外延片正面復合保護膜是為了防止對外延片進行背面減薄和背面腐蝕處理時，外延片的正面受損。背面腐蝕處理是為了釋放外延片背面的硅的應力，防止外延片發(fā)生變形，提高外延片背面的平整度。

在上述技術方案中，優(yōu)選地，對已經(jīng)去除所述保護膜的所述外延片進行清洗。

在該技術方案中，對外延片進行清洗，一是為了防止外延片上殘留有保護膜的成分，影響外延片的正常使用。二是為了防止外延片上殘留有酸或其他腐蝕性液體，使外延片和與外延片接觸的設備受到腐蝕。

在該技術方案中，優(yōu)選地，所述預設厚度為0.8微米。

在該技術方案中，外延片背面凸起的厚度大于0.8微米時，顯影后的 外延片容易出現(xiàn)散膠的情況，在光學顯微鏡下觀察散膠后的外延片光刻圖形會發(fā)生嚴重的變形。外延片背面凸起的厚度小于或等于0.8微米，外延片可正常使用，優(yōu)選預設厚度定為0.8微米。

在上述技術方案中，優(yōu)選地，通過光刻機臺對外延片的背面的凸起厚度進行檢測。

在該技術方案中，光刻機臺對外延片背面的平整度要求很高，利用光刻機臺對外延片背面的凸起厚度進行檢測，可以提高檢測的準確率。

在上述技術方案中，優(yōu)選地，所述保護膜為耐酸藍膜，所述耐酸藍膜的厚度在130微米至150微米范圍內(nèi)。

在該技術方案中，在外延片正面復合130微米至150微米的耐酸藍膜，可以防止外延片的正面在外延片進行背面腐蝕處理時受到腐蝕，保證改善背面平整度之后的外延片可以正常使用，優(yōu)選耐酸藍膜的厚度為130微米。

在上述技術方案中，優(yōu)選地，通過減薄機對正面復合有所述保護膜的所述外延片的背面進行減薄處理，其中，所述外延片的背面減薄的厚度在20微米至30微米范圍內(nèi)。

在該技術方案中，減薄的厚度應在20微米至30微米范圍內(nèi)。外延片背面減薄的厚度過小，操作難度太大，外延片背面減薄的厚度過大，不但造成了資源浪費，還可能導致外延片無法正常使用，優(yōu)選減薄厚度為20微米。

在上述技術方案中，優(yōu)選地，將已經(jīng)完成所述減薄處理的所述外延片的背面放入所述硅酸腐蝕槽中，通過所述硅酸腐蝕槽中的硅腐蝕液將所述外延片的背面腐蝕10微米至12微米，使所述外延片的背面的凸起厚度小于所述預設厚度。

在該技術方案中，通過硅腐蝕液將外延片的背面腐蝕10微米至12微米，可以很好地釋放外延片背面的硅的應力，防止外延片發(fā)生變形，提高外延片背面的平整度，優(yōu)選腐蝕厚度為10微米。

在上述技術方案中，優(yōu)選地，所述腐蝕處理的時間在8分鐘至9分鐘范圍內(nèi)。

在該技術方案中，通過硅腐蝕液對外延片的背面進行8分鐘至9分鐘的腐蝕處理，可以很好地釋放外延片背面的硅的應力，防止外延片發(fā)生變形，提高外延片背面的平整度，優(yōu)選腐蝕時間為8分鐘。

在上述技術方案中，優(yōu)選地，所述硅腐蝕液包括以下之一或其組合：硝酸、氫氟酸及冰乙酸。

在該技術方案中，硅酸腐蝕液包括硝酸、氫氟酸及冰乙酸，其具體組成成分根據(jù)外延片而定，不同批次的外延片使用的硅酸腐蝕液可能不同。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，還提出了一種外延片，使用如上述任一項所述的改善外延片背面平整度的方法。

在該技術方案中，依次通過檢測外延片背面凸起厚度、在外延片正面復合保護膜、外延片背面減薄處理、外延片背面腐蝕處理、去除正面保護膜可以解決外延片背面不平整的問題，使外延片背面的平整度滿足使用需求。

以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對于本領域的技術人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。