本發(fā)明涉及一種靜電吸盤，具體涉及一種減少缺陷形成的靜電吸盤及晶圓刻蝕方法。

背景技術(shù)：

在晶圓刻蝕的過程中通常使用靜電吸盤對(duì)其進(jìn)行固定，在等離子刻蝕中，刻蝕用的等離子體流中的電子靜電吸盤通電的狀態(tài)下受力保持平衡，當(dāng)靜電吸盤一旦斷電或宕機(jī)時(shí)，電子的受力平衡被打破，電子在自身的重力作用下均加速落到晶圓表面，從而形成缺陷。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種減少缺陷形成的靜電吸盤及晶圓刻蝕方法。

本發(fā)明解決上述技術(shù)問題的技術(shù)方案如下：一種減少缺陷形成的靜電吸盤，包括靜電吸盤盤體，所述靜電吸盤盤體內(nèi)鑲嵌有磁體，所述磁體在所述靜電吸盤盤體的表面形成的磁場，且所述磁場的方向?yàn)橛伸o電吸盤盤體的中央指向邊緣。

本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明一種減少缺陷形成的靜電吸盤通過在靜電吸盤盤體內(nèi)增加磁體產(chǎn)生由靜電吸盤盤體的中央指向邊緣的磁場，這樣在靜電吸盤盤體斷電或宕機(jī)時(shí)，晶圓上方的帶點(diǎn)粒子在自身重力和磁場力的作用下會(huì)由原來的勻加速直線運(yùn)動(dòng)變成回旋漂移運(yùn)動(dòng)，減少帶點(diǎn)粒子落到晶圓上的概率，從而減少缺陷的形成。

在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，本發(fā)明還可以做如下改進(jìn)。

進(jìn)一步，所述磁體分布在所述靜電吸盤盤體的中央和邊緣，位于所述靜電吸盤盤體的中央的磁體的極性為N極，位于所述靜電吸盤盤體的邊緣的磁體的極性為S極。

進(jìn)一步，位于所述靜電吸盤盤體的邊緣的磁體在同一圓周上分布均勻，且位于所述靜電吸盤盤體的中央的磁體與每個(gè)位于所述靜電吸盤盤體的邊緣的磁體產(chǎn)生的磁場為均勻磁場。

采用上述進(jìn)一步方案的有益效果：磁場均勻，避免影響等離子體流的分布。

進(jìn)一步，位于所述靜電吸盤盤體的中央的磁體與每個(gè)位于所述靜電吸盤盤體的邊緣的磁體產(chǎn)生的磁場的磁場強(qiáng)度范圍為0.1～0.3A·m^-1。

采用上述進(jìn)一步方案的有益效果：磁場強(qiáng)度范圍為0.1～0.3A·m^-1，磁場強(qiáng)度不能太強(qiáng)，可以避免影響蝕刻的速率。

進(jìn)一步，在所述靜電吸盤盤體通電時(shí)，位于所述靜電吸盤盤體上方的電子受豎直向上的電場力Fes和豎直向下的力f保持平衡。

進(jìn)一步，所述f＝Fid+Fnd+Fg+Fth，其中，F(xiàn)id為離子間吸引力，F(xiàn)nd為中性粒子碰撞力，F(xiàn)g為重力，F(xiàn)th為分子間熱運(yùn)動(dòng)力。

進(jìn)一步，在所述靜電吸盤盤體斷電或宕機(jī)時(shí)，位于所述靜電吸盤盤體上方的電子在重力的作用下受豎直向下的重力Fg和在所述磁體產(chǎn)生的磁場中受水平方向上的磁場力F，且所述磁場力F的方向?yàn)橛伸o電吸盤盤體的中央指向邊緣，所述電子在向下的重力Fg和水平方向上的磁場力F的作用下在所述靜電吸盤盤體的上方向下做半徑遞增的回旋漂移運(yùn)動(dòng)。

基于上述一種減少缺陷形成的靜電吸盤，本發(fā)明還提供一種晶圓刻蝕方法。

一種晶圓刻蝕方法，利用上述所述的一種減少缺陷形成的靜電吸盤進(jìn)行晶圓刻蝕，通過對(duì)所述靜電吸盤盤體通電將晶圓固定在所述靜電吸盤盤體上，并利用刻蝕用等立體流對(duì)晶圓表面進(jìn)行刻蝕；當(dāng)所述靜電吸盤盤體斷電或宕機(jī)時(shí)，所述刻蝕用等立體流中的電子在重力的作用下受豎直向下的重力Fg和在所述磁體產(chǎn)生的磁場中受水平方向上的磁場力F，且所述磁場力F的方向?yàn)橛伸o電吸盤盤體的中央指向邊緣，所述電子在向下的重力Fg和水平方向上的磁場力F的作用下從所述晶圓的上方向下做半徑遞增的回旋漂移運(yùn)動(dòng)，并落在所述晶圓之外。

本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明一種晶圓刻蝕方法通過一種減少缺陷形成的靜電吸盤對(duì)晶圓進(jìn)行刻蝕，在斷電或宕機(jī)時(shí)，晶圓上方的帶點(diǎn)粒子在自身重力和磁場力的作用下做回旋漂移運(yùn)動(dòng)，減少帶點(diǎn)粒子落到晶圓上的概率，從而減少缺陷的形成。

在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，本發(fā)明還可以做如下改進(jìn)。

進(jìn)一步，所述刻蝕用等立體流中的電子在所述靜電吸盤盤體通電時(shí)，所述電子受向上的電場力Fes和向下的力f保持平衡。

進(jìn)一步，所述f＝Fid+Fnd+Fg+Fth，其中，F(xiàn)id為離子間吸引力，F(xiàn)nd為中性粒子碰撞力，F(xiàn)g為重力，F(xiàn)th為分子間熱運(yùn)動(dòng)力。

附圖說明

圖1為電子在傳統(tǒng)靜電吸盤通電時(shí)的受力狀態(tài)圖；

圖2為電子在傳統(tǒng)靜電吸盤斷電或宕機(jī)時(shí)的受力狀態(tài)圖；

圖3為電子在本發(fā)明一種減少缺陷形成的靜電吸盤斷電或宕機(jī)時(shí)的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)圖；

圖4為本發(fā)明一種減少缺陷形成的靜電吸盤的磁體分布圖。

附圖中，各標(biāo)號(hào)所代表的部件列表如下：

1、靜電吸盤盤體，2、磁體，3、電子。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的原理和特征進(jìn)行描述，所舉實(shí)例只用于解釋本發(fā)明，并非用于限定本發(fā)明的范圍。

電子在傳統(tǒng)靜電吸盤通電時(shí)的受力狀態(tài)如圖1所示，電子受向上的電場力Fes和向下的力f，f＝Fid+Fnd+Fg+Fth，其中，F(xiàn)id為離子間吸引力，F(xiàn)nd為中性粒子碰撞力，F(xiàn)g為重力，F(xiàn)th為分子間熱運(yùn)動(dòng)力，其中Fes＝f，電子受力保持平衡。當(dāng)靜電吸盤斷電或宕機(jī)時(shí)，電子只受自身的重力Fg，如圖2所示，此時(shí)，電子在自身的重力作用下勻加速落到晶圓表面形成缺陷。

本發(fā)明為了減少晶圓表面上缺陷的形成，特此提供了一種減少缺陷形成的靜電吸盤。

如圖3和圖4所示，一種減少缺陷形成的靜電吸盤，包括靜電吸盤盤體1，所述靜電吸盤盤體1內(nèi)鑲嵌有磁體2，所述磁體2在所述靜電吸盤盤體1的表面形成的磁場，且所述磁場的方向?yàn)橛伸o電吸盤盤體1的中央指向邊緣。

具體的：

所述磁體2分布在所述靜電吸盤盤體1的中央和邊緣，位于所述靜電吸盤盤體1的中央的磁體2的極性為N極，位于所述靜電吸盤盤體1的邊緣的磁體2的極性為S極。位于所述靜電吸盤盤體1的邊緣的磁體2在同一圓周上分布均勻，且位于所述靜電吸盤盤體1的中央的磁體2與每個(gè)位于所述靜電吸盤盤體1的邊緣的磁體2產(chǎn)生的磁場為均勻磁場。位于所述靜電吸盤盤體1的中央的磁體2與每個(gè)位于所述靜電吸盤盤體1的邊緣的磁體2產(chǎn)生的磁場的磁場強(qiáng)度范圍為0.1～0.3A·m^-1。

在所述靜電吸盤盤體1通電時(shí)，位于所述靜電吸盤盤體1上方的電子3受豎直向上的電場力Fes和豎直向下的力f保持平衡。所述f＝Fi d+Fnd+Fg+Fth，其中，F(xiàn)id為離子間吸引力，F(xiàn)nd為中性粒子碰撞力，F(xiàn)g為重力，F(xiàn)th為分子間熱運(yùn)動(dòng)力。在所述靜電吸盤盤體1斷電或宕機(jī)時(shí)，磁場比電場晚消失，因此，位于所述靜電吸盤盤體1上方的電子3在重力的作用下受豎直向下的重力Fg和在所述磁體2產(chǎn)生的磁場中受水平方向上的磁場力F，且所述磁場力F的方向?yàn)橛伸o電吸盤盤體1的中央指向邊緣，所述電子3在向下的重力Fg和水平方向上的磁場力F的作用下在所述靜電吸盤盤體1的上方向下做半徑遞增的回旋漂移運(yùn)動(dòng)。

本發(fā)明一種減少缺陷形成的靜電吸盤通過在靜電吸盤盤體內(nèi)增加磁體產(chǎn)生由靜電吸盤盤體的中央指向邊緣的磁場，這樣在靜電吸盤盤體斷電或宕機(jī)時(shí)，晶圓上方的帶點(diǎn)粒子在自身重力和磁場力的作用下會(huì)由原來的勻加速直線運(yùn)動(dòng)變成回旋漂移運(yùn)動(dòng)，減少帶點(diǎn)粒子落到晶圓上的概率，從而減少缺陷的形成。

基于上述一種減少缺陷形成的靜電吸盤，本發(fā)明還提供一種晶圓刻蝕方法。

一種晶圓刻蝕方法，利用上述所述的一種減少缺陷形成的靜電吸盤進(jìn)行晶圓刻蝕，通過對(duì)所述靜電吸盤盤體1通電將晶圓固定在所述靜電吸盤盤體1上，并利用刻蝕用等立體流對(duì)晶圓表面進(jìn)行刻蝕；當(dāng)所述靜電吸盤盤體1斷電或宕機(jī)時(shí)，所述刻蝕用等立體流中的電子3在重力的作用下受豎直向下的重力Fg和在所述磁體2產(chǎn)生的磁場中受水平方向上的磁場力F，且所述磁場力F的方向?yàn)橛伸o電吸盤盤體1的中央指向邊緣，所述電子3在向下的重力Fg和水平方向上的磁場力F的作用下從所述晶圓的上方向下做半徑遞增的回旋漂移運(yùn)動(dòng)，并落在所述晶圓之外。

所述刻蝕用等立體流中的電子3在所述靜電吸盤盤體1通電時(shí)，所述電子3受向上的電場力Fes和向下的力f保持平衡。所述f＝Fi d+Fnd+Fg+Fth，其中，F(xiàn)id為離子間吸引力，F(xiàn)nd為中性粒子碰撞力，F(xiàn)g為重力，F(xiàn)th為分子間熱運(yùn)動(dòng)力。

本發(fā)明一種晶圓刻蝕方法通過一種減少缺陷形成的靜電吸盤對(duì)晶圓進(jìn)行刻蝕，在斷電或宕機(jī)時(shí)，晶圓上方的帶點(diǎn)粒子在自身重力和磁場力的作用下做回旋漂移運(yùn)動(dòng)，減少帶點(diǎn)粒子落到晶圓上的概率，從而減少缺陷的形成。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。