1.一種薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，該方法包括：
采用一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成有源層的圖形，以及位于所述有源層上方且圖形與所述有源層的圖形相同的源漏金屬層；
在所述源漏金屬層上方形成第一絕緣層；
采用一次構(gòu)圖工藝對所述源漏金屬層和第一絕緣層進(jìn)行構(gòu)圖，使得與溝道區(qū)域所對應(yīng)的有源層露出，形成源漏極的圖形。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述構(gòu)圖工藝所采用的掩膜版為僅包含完全曝光區(qū)域和完全遮光區(qū)域的掩膜版。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，采用一次構(gòu)圖工藝對所述源漏金屬層和第一絕緣層進(jìn)行構(gòu)圖，使得與溝道區(qū)域所對應(yīng)的有源層露出，形成源漏極的圖形，包括：
在所述第一絕緣層上方形成光刻膠層；
對所述光刻膠層進(jìn)行曝光顯影，形成光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域，其中，所述光刻膠完全去除區(qū)域與所述溝道區(qū)域相對應(yīng)；
刻蝕光刻膠完全去除區(qū)域所對應(yīng)的第一絕緣層和源漏極金屬層，使得與溝道區(qū)域所對應(yīng)的有源層露出，形成源漏極的圖形。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，采用一次構(gòu)圖工藝對所述源漏金屬層和第一絕緣層進(jìn)行構(gòu)圖，使得與溝道區(qū)域所對應(yīng)的有源層露出，形成源漏極的圖形，包括：
在所述第一絕緣層上方形成光刻膠層；
對所述光刻膠層進(jìn)行曝光顯影，形成光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域，其中，所述光刻膠完全保留區(qū)域與用于形成源漏極圖形的區(qū)域相對應(yīng)；
刻蝕光刻膠完全去除區(qū)域所對應(yīng)的第一絕緣層，或第一絕緣層和源漏極金屬層，使得與溝道區(qū)域所對應(yīng)的有源層露出，形成源漏極的圖形。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述形成源漏極的圖形之后，還包括：
剝離所述光刻膠完全保留區(qū)域所對應(yīng)的光刻膠。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，剝離所述光刻膠完全保留區(qū)域所對應(yīng)的光刻膠之后，該方法還包括：
對與溝道區(qū)域所對應(yīng)的有源層進(jìn)行等離子體處理。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，對與溝道區(qū)域所對應(yīng)的有源層進(jìn)行等離子體處理之后，該方法還包括：
在所述第一絕緣層的上方形成第二絕緣層的圖形。
8.一種薄膜晶體管，包括襯底基板，位于所述襯底基板上層疊設(shè)置的柵極、柵極絕緣層和有源層，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括位于所述有源層上方且與所述有源層電性相連的源極和漏極，以及位于所述源極和漏極上方的第一絕緣層，其中，所述第一絕緣層不覆蓋所述源極和漏極之間的溝道區(qū)域。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括位于所述第一絕緣層上方的第二絕緣層。
10.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求8或9所述的薄膜晶體管。