技術總結
本發(fā)明公開一種全無機QLED及其制備方法，包括襯底、沉積于襯底上的N型半導體、分別沉積于N型半導體兩側臺階上的量子點和N型電極、依次沉積于量子點上的P型半導體和P型電極；所述N型半導體為n?GeAs、n?GeSb、n?SiAs、n?SiSb中的一種；所述P型半導體為p?GeAs、p?GeSb、p?SiAs、p?SiSb中的一種。利用本發(fā)明上述半導體材料作為QLED器件的電子和空穴傳輸層相比基于含氮鎵類的半導體結構材料電子遷移率更高，電荷傳輸率更高，進而有效的提高電子空穴的復合率；并且利用此器件結構來制備全無機QLED不僅制備方法簡單，而且可以有效改善器件的壽命。

技術研發(fā)人員：程陸玲;楊一行
受保護的技術使用者：TCL集團股份有限公司
文檔號碼：201610863081
技術研發(fā)日：2016.09.29
技術公布日：2016.12.07