本發(fā)明涉及發(fā)光二極管技術(shù)領(lǐng)域，更為具體的說，涉及一種倒裝高壓LED芯片。

背景技術(shù)：

LED（Light Emitting Diode，發(fā)光二極管）是一種利用載流子復(fù)合時(shí)釋放能量形成發(fā)光的半導(dǎo)體器件，LED芯片具有耗電低、色度純、壽命長(zhǎng)、體積小、響應(yīng)時(shí)間快、節(jié)能環(huán)保等諸多優(yōu)勢(shì)。近年來，隨著對(duì)LED芯片研究的不斷深入，LED芯片的發(fā)光效率得到的極大的提高，目前已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于顯示等各個(gè)領(lǐng)域。倒裝高壓芯片在大功率芯片的應(yīng)用市場(chǎng)中，有廣闊的空間。但是，如何提高倒裝高壓芯片的出光效率已成為倒裝高壓芯片大規(guī)模生產(chǎn)需要解決的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明提供了一種倒裝高壓LED芯片，提高倒裝高壓LED芯片的出光效率。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供的技術(shù)方案如下：

一種倒裝高壓LED芯片，包括：

襯底；

發(fā)光微結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光微結(jié)構(gòu)包括位于所述襯底表面的N型氮化鎵層，位于所述N型氮化鎵層表面的有源層和N型電極，位于所述有源層表面的P型氮化鎵層，位于所述P型氮化鎵層表面的金屬反射層，位于所述金屬反射層表面的P型電極, N型電極與P型電極之間相互絕緣；

連接電極，所述連接電極將相連的發(fā)光微結(jié)構(gòu)的N型電極和P型電極導(dǎo)電連接形成串聯(lián)結(jié)構(gòu)；

分布布拉格反射層，所述分布布拉格反射層覆蓋在所述發(fā)光微結(jié)構(gòu)表面、且延伸覆蓋至所述襯底表面；

N型焊盤，所述N型焊盤位于在所述分布布拉格反射層表面形，且與所述N型電極連接；

P型焊盤，所述P型焊盤位于在所述分布布拉格反射層表面形，且與所述P型電極連接。

優(yōu)選的，所述發(fā)光微結(jié)構(gòu)為梯形結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選的，所述發(fā)光微結(jié)構(gòu)具有預(yù)設(shè)區(qū)域即為形成所述N型電極的區(qū)域，其中，N型電極的面積小于預(yù)設(shè)區(qū)域的面積，避免N型電極與有源層、P型氮化鎵層等疊層接觸。

優(yōu)選的，在所述分布布拉格反射層對(duì)應(yīng)所述N型電極的區(qū)域內(nèi)形成一導(dǎo)電通孔，而后通過所述導(dǎo)電通孔的兩端分別連接所述N型電極和所述N型焊盤，以使所述N型電極與所述N型焊盤電連接；同樣的，在所述分布布拉格反射層對(duì)應(yīng)所述P型電極的區(qū)域內(nèi)形成一導(dǎo)電通孔，而后通過所述導(dǎo)電通孔的兩端分別連接第所述P型電極和所述P型焊盤，以使所述P型電極與所述P型焊盤電連接。

優(yōu)選的，所述分布布拉格反射層具有高鈍化性能和高反射性能。

相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明提供的技術(shù)方案至少具有以下優(yōu)點(diǎn)：

本發(fā)明提供的一種倒裝高壓LED芯片，在發(fā)光微結(jié)構(gòu)表面形成分布布拉格反射層，一方面將有源區(qū)發(fā)出的光反射回芯片的正面，提高芯片的出光效率，另一方面將N型電極、P型電極和N型焊盤、P型焊盤隔絕起來，起到良好的鈍化保護(hù)作用。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。

圖1為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種倒裝高壓LED芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

實(shí)施例一

本實(shí)施例提供了一種防倒裝高壓LED芯片，如圖1所示，包括：

襯底100；

發(fā)光結(jié)構(gòu)200，發(fā)光結(jié)構(gòu)200位于襯底100表面包括：位于襯底100表面的N型氮化鎵層201，位于N型氮化鎵層201表面的有源層202和N型電極205，位于有源層202表面的P型氮化鎵層203，位于P型氮化鎵層203表面的金屬反射層204，位于金屬反射層204表面的P型電極205；

連接電極210，連接電極210將相連的發(fā)光微結(jié)構(gòu)200的N型電極205和P型電極206導(dǎo)電連接形成串聯(lián)結(jié)構(gòu)；

分布布拉格反射層300，分布布拉格反射層300覆蓋在發(fā)光微結(jié)構(gòu)200表面、且延伸覆蓋至襯底100表面；

N型焊盤401，N型焊盤401位于在分布布拉格反射層300表面形，且與N型電極205連接；

P型焊盤402，P型焊盤402位于在分布布拉格反射層300表面形，且與P型電極206連接。

具體的，所述發(fā)光微結(jié)構(gòu)300為梯形結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選的，所述發(fā)光微結(jié)構(gòu)300具有預(yù)設(shè)區(qū)域即為形成所述N型電極205的區(qū)域，其中，N型電極205的面積小于預(yù)設(shè)區(qū)域的面積，避免N型電極205與有源層202、P型氮化鎵層203等疊層接觸。

優(yōu)選的，在所述分布布拉格反射層300對(duì)應(yīng)所述N型電極205的區(qū)域內(nèi)形成一導(dǎo)電通孔，而后通過所述導(dǎo)電通孔的兩端分別連接所述N型電極205和所述N型焊盤401，以使所述N型電極205與所述N型焊盤401電連接；同樣的，在所述分布布拉格反射層300對(duì)應(yīng)所述P型電極206的區(qū)域內(nèi)形成一導(dǎo)電通孔，而后通過所述導(dǎo)電通孔的兩端分別連接第所述P型電極206和所述P型焊盤402，以使所述P型電極206與所述P型焊盤402電連接。

優(yōu)選的，所述分布布拉格反射層300具有高鈍化性能和高反射性能。

由上述內(nèi)容可知，本申請(qǐng)實(shí)施例提供的技術(shù)方案，在發(fā)光微結(jié)構(gòu)表面形成分布布拉格反射層，一方面將有源區(qū)發(fā)出的光反射回芯片的正面，提高芯片的出光效率，另一方面將N型電極、P型電極和N型焊盤、P型焊盤隔絕起來，起到良好的鈍化保護(hù)作用。

對(duì)所公開的實(shí)施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。