技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種薄膜晶體管陣列基板的制造方法，包括：在通道層上形成包含銦和鋅的金屬氧化物的第一子層；形成包含金屬的第二子層覆蓋于所述第一子層上；形成包含銦和鋅的金屬氧化物的第三子層覆蓋于所述第二子層上；所述第一子層、第二子層和第三子層蝕刻形成一凹槽貫穿所述第一子層、第二子層和第三子層,以形成通過(guò)凹槽得以間隔的源極與漏極；沿第三子層指向第一子層的方向，該凹槽的尺寸逐漸變小。

技術(shù)研發(fā)人員：林欣樺;施博理;高逸群;萬(wàn)昌峻;張煒熾;吳逸蔚
受保護(hù)的技術(shù)使用者：鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司;鴻海精密工業(yè)股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.09.08
技術(shù)公布日：2017.07.21