本發(fā)明涉及膜擴(kuò)展裝置以及電子部件的制造方法，詳細(xì)地，涉及用于使粘貼有多個(gè)芯片的膜在面方向上擴(kuò)展的膜擴(kuò)展裝置以及使用該膜擴(kuò)展裝置的電子部件的制造方法。

背景技術(shù)：

例如，作為制造陶瓷電子部件的方法之一，有經(jīng)過對(duì)母塊(mother block)進(jìn)行切割而分割(單片化)為多個(gè)芯片的工序來制造電子部件的方法，其中，該母塊通過層疊陶瓷生片而形成。

可是，在專利文獻(xiàn)1中公開了一種隱形劃片用的粘接片，其具有形成在基材的單面的粘接劑層，使用激光器進(jìn)行劃片，其中，粘接片在23℃的楊氏模量為200～600MPa，粘接劑層在23℃的儲(chǔ)能模量為0.10～50MPa。

此外，在專利文獻(xiàn)1提出了一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，該方法包括：對(duì)表面形成了電路的半導(dǎo)體晶片照射激光，從而在晶片內(nèi)部形成改質(zhì)部的工序；在該半導(dǎo)體晶片的背面粘附上述的粘接片的工序；通過使粘接片在面方向上擴(kuò)展，從而分割半導(dǎo)體晶片，單片化為多個(gè)芯片的工序；以及拾取分離的多個(gè)芯片的工序。

而且，在上述的方法中，使粘附了半導(dǎo)體晶片的粘接片擴(kuò)展來擴(kuò)大相鄰的芯片的間隔，從而分割半導(dǎo)體晶片，由此能夠得到使對(duì)半導(dǎo)體芯片的拾取等處理變得容易的效果。

當(dāng)使用該專利文獻(xiàn)1記載的方法使粘附了半導(dǎo)體晶片的粘接膜擴(kuò)展時(shí)，粘接膜整體會(huì)均勻地?cái)U(kuò)展。因此，在粘附于膜的半導(dǎo)體晶片的周邊區(qū)域是不進(jìn)行單片化的空白部的情況下，上述空白部分也會(huì)擴(kuò)展，從而使粘附了半導(dǎo)體晶片的區(qū)域擴(kuò)展的比例降低。因此，在一次的擴(kuò)展工序中能夠處理的(能夠分離的)芯片的個(gè)數(shù)減少，存在生產(chǎn)性降低的問題。

此外，在芯片的平面形狀不是正方形的情況下，存在芯片的間隔根據(jù)方向而異的情況。具體地，工件的尺寸(半導(dǎo)體晶片的尺寸(準(zhǔn)確地說是半導(dǎo)體芯片的集合體的尺寸))大的方向上的芯片的間隔變得比工件的尺寸小的方向上的芯片的間隔大。

而且，在使工件的尺寸小的方向上的芯片的間隔充分?jǐn)U大至所需程度的情況下，工件的尺寸大的方向上的芯片的間隔會(huì)變得過大，其結(jié)果是，在一次的擴(kuò)展工序中能夠處理的芯片的個(gè)數(shù)減少，存在生產(chǎn)性降低的問題。

在先技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2011-119548號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明要解決的技術(shù)課題

本發(fā)明是為了解決上述課題而完成的，其目的在于，提供一種能夠增加在一次的擴(kuò)展工序中能夠處理的芯片的個(gè)數(shù)且生產(chǎn)性優(yōu)異的膜的擴(kuò)展裝置以及使用該擴(kuò)展裝置的生產(chǎn)性高的電子部件的制造方法。

用于解決課題的技術(shù)方案

為了解決上述課題，本發(fā)明的膜擴(kuò)展裝置是用于使粘貼了多個(gè)芯片的膜在面方向上進(jìn)行擴(kuò)展的膜擴(kuò)展裝置，其特征在于，具備：

保持部，對(duì)膜的周緣部進(jìn)行保持；

框體，在俯視下位于所述保持部的內(nèi)側(cè)，在使被所述保持部保持的所述膜在面方向上進(jìn)行擴(kuò)展時(shí)成為擴(kuò)展支點(diǎn)；以及

加熱臺(tái)，在俯視下位于所述框體的內(nèi)側(cè)，具有抵接部，所述抵接部的平面面積小于所述框體的內(nèi)側(cè)區(qū)域的平面面積，所述抵接部與所述膜的下表面抵接并對(duì)所述膜的所述框體的內(nèi)側(cè)的規(guī)定區(qū)域進(jìn)行加熱。

此外，在本發(fā)明的膜擴(kuò)展裝置中，優(yōu)選被構(gòu)成為：在所述框體與所述保持部的關(guān)系上使所述框體相對(duì)于所述保持部向上方移動(dòng)，從而使周緣部被所述保持部保持且下表面的規(guī)定區(qū)域與所述抵接部抵接而被加熱的所述膜以所述框體作為擴(kuò)展支點(diǎn)在面方向上進(jìn)行擴(kuò)展。

通過采用上述結(jié)構(gòu)，能夠選擇性地使膜中的所需的區(qū)域高效地進(jìn)行擴(kuò)展，能夠使本發(fā)明更有實(shí)效。

優(yōu)選所述抵接部的與所述膜的下表面抵接的面的、在作為規(guī)定的一個(gè)方向的X方向上的尺寸D_X不同于在作為與所述一個(gè)方向正交的另一個(gè)方向的Y方向上的尺寸D_Y。

通過使抵接部的與膜的下表面抵接的面的X方向上的尺寸D_X不同于作為另一個(gè)方向的Y方向上的尺寸D_Y，從而能夠使X方向和Y方向上的膜的擴(kuò)展量不同(進(jìn)行各向異性擴(kuò)展)，能夠提高擴(kuò)展方式的自由度。其結(jié)果是，通過適當(dāng)?shù)卦O(shè)定芯片集合體的形狀、尺寸與加熱臺(tái)的抵接部的形狀、尺寸的關(guān)系，從而能夠自由地控制作為規(guī)定的一個(gè)方向的X方向和作為與上述一個(gè)方向正交的另一個(gè)方向的Y方向上的各個(gè)芯片彼此的間隔。

此外，優(yōu)選所述抵接部的與所述膜的下表面抵接的面的平面形狀為長(zhǎng)方形。

在將加熱臺(tái)的抵接部的與膜的下表面抵接的面的平面形狀做成為長(zhǎng)方形的情況下，能夠以擴(kuò)展量在作為規(guī)定的一個(gè)方向的X方向和作為與上述一個(gè)方向正交的另一個(gè)方向的Y方向上不同的方式使膜進(jìn)行擴(kuò)展(進(jìn)行各向異性擴(kuò)展)。

此外，所述抵接部的與所述膜的下表面抵接的面的平面形狀也可以做成為長(zhǎng)方形且形成了圓角的形狀。

在將抵接部做成為例如形成了圓角的橫向長(zhǎng)的長(zhǎng)方形，即，(X方向上的尺寸D_X)＞(Y方向上的尺寸D_Y)的情況下，膜的與抵接部抵接而被加熱的加熱區(qū)域R的對(duì)角方向上的距離縮短，在考慮膜的對(duì)角方向的情況下，在包含加熱區(qū)域和非加熱區(qū)域的整體的擴(kuò)展量相同的情況下，與未形成圓角的情況相比，能夠相比于非加熱區(qū)域使加熱區(qū)域中的擴(kuò)展的比例增大。因此，能夠充分確保芯片集合體的對(duì)角方向上的擴(kuò)展量，能夠抑制構(gòu)成芯片集合體的各個(gè)芯片彼此的間隔的偏差，從而能夠提高均勻性。

此外，所述抵接部的與所述膜的下表面抵接的面的平面形狀也可以做成為圓形。

通過將抵接部的上表面做成為圓形，從而能夠使膜與其方向無關(guān)地在整個(gè)面均勻地進(jìn)行擴(kuò)展(進(jìn)行各向同性擴(kuò)展)，根據(jù)芯片、芯片的集合體的形狀(例如，在像芯片、芯片的集合體的平面形狀為正方形那樣的情況下)，能夠全方位地使芯片彼此的間隔均勻，有時(shí)特別優(yōu)選。

此外，本發(fā)明的電子部件的制造方法經(jīng)過對(duì)母塊進(jìn)行切割而分割為多個(gè)芯片的工序來制造電子部件，其特征在于，包括：

(a)設(shè)為使在規(guī)定的位置進(jìn)行切割的、包含多個(gè)芯片的母塊粘附在能夠在面方向上擴(kuò)展的膜的表面的狀態(tài)的工序；以及

(b)使用上述本發(fā)明的膜擴(kuò)展裝置使粘附了包含所述多個(gè)芯片的所述母塊的所述膜進(jìn)行擴(kuò)展，從而擴(kuò)大所述膜上的所述多個(gè)芯片彼此的間隔的工序。

此外，在本發(fā)明的電子部件的制造方法中，優(yōu)選是，粘附在所述膜的表面的所述母塊包含的多個(gè)芯片的集合體的、在作為規(guī)定的一個(gè)方向的X方向上的尺寸M_X大于在作為與所述一個(gè)方向正交的另一個(gè)方向的Y方向上的尺寸M_Y，且所述加熱臺(tái)的所述抵接部的與所述膜的下表面抵接的面的所述X方向上的尺寸D_X大于所述Y方向上的尺寸D_Y。

母塊包含的多個(gè)芯片的集合體的、與抵接部的X方向?qū)?yīng)的方向Xm上的尺寸M_X大于與抵接部的Y方向?qū)?yīng)的方向Ym上的尺寸M_Y，且加熱臺(tái)的抵接部的上表面的X方向上的尺寸D_X大于Y方向上的尺寸D_Y，在該情況下，能夠使Y方向上的芯片彼此的間隔大于X方向上的芯片彼此的間隔，例如能夠使各個(gè)芯片以X方向?yàn)樾D(zhuǎn)軸方向而旋轉(zhuǎn)90度(在Y方向轉(zhuǎn)動(dòng))并對(duì)旋轉(zhuǎn)后朝上的面實(shí)施處理(例如，粘附絕緣片)。

此外，因?yàn)槟ぴ赬方向上擴(kuò)展得不大，所以能夠在芯片彼此的間隔不會(huì)在X方向上變得過大的情況下在所需的范圍內(nèi)增多在一次的擴(kuò)展工序中能夠處理的(能夠分離的)芯片的個(gè)數(shù)，從而能夠提高生產(chǎn)性。

另外，X方向和Y方向是相對(duì)的，能夠考慮通過使膜大幅擴(kuò)展而想要增大芯片的間隔的方向來確定上述的X方向和Y方向，從而高效地應(yīng)對(duì)各種方式。

發(fā)明效果

本發(fā)明的用于使粘貼了多個(gè)芯片的膜在面方向上擴(kuò)展的膜擴(kuò)展裝置具備：保持部，對(duì)膜的周緣部進(jìn)行保持；框體，位于保持部的內(nèi)側(cè)，使被保持部保持的膜在面方向上進(jìn)行擴(kuò)展；以及加熱臺(tái)，在俯視下位于框體的內(nèi)側(cè)，具有平面面積比框體的內(nèi)側(cè)區(qū)域的平面面積小且與膜的下表面抵接來對(duì)膜的框體的內(nèi)側(cè)的規(guī)定區(qū)域進(jìn)行加熱的抵接部，因此，能夠使膜的被加熱而使楊氏模量降低的區(qū)域主要地進(jìn)行擴(kuò)展。而且，利用這一情況，通過使膜的加熱區(qū)域變化，從而能夠控制擴(kuò)展量。

其結(jié)果是，能夠使膜的所需的區(qū)域擴(kuò)展來增多在一次的擴(kuò)展工序中能夠處理的(能夠分離的)芯片的個(gè)數(shù)，從而能夠提高生產(chǎn)性。

即，通過使抵接部的形狀變化來調(diào)整加熱區(qū)域(使其變化)，從而能夠使膜具有所需的溫度差(根據(jù)位置的溫度差)，能夠利用膜的楊氏模量的差異使擴(kuò)展率在面內(nèi)產(chǎn)生差異。

此外，在本發(fā)明的電子部件的制造方法中，(a)設(shè)為使在規(guī)定的位置進(jìn)行切割的、包含多個(gè)芯片的母塊粘附在能夠在面方向上進(jìn)行擴(kuò)展的膜的表面的狀態(tài)，然后，(b)使用上述的本發(fā)明的膜擴(kuò)展裝置使粘附了包含多個(gè)芯片的母塊的膜進(jìn)行擴(kuò)展，從而擴(kuò)大膜上的多個(gè)芯片彼此的間隔，因此能夠高效地從膜上拾取各個(gè)芯片，能夠高效地制造電子部件。

附圖說明

圖1是示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式(實(shí)施方式1)涉及的膜擴(kuò)展裝置的圖，(a)是正面剖視圖，(b)是示出主要部分結(jié)構(gòu)的俯視圖。

圖2A是說明本發(fā)明的實(shí)施方式1涉及的膜擴(kuò)展裝置的動(dòng)作的圖，(a)是使膜擴(kuò)展之前的主要部分俯視圖，(b)是其主要部分正面剖視圖。

圖2B是說明本發(fā)明的實(shí)施方式1涉及的膜擴(kuò)展裝置的動(dòng)作的圖，(a)是使膜擴(kuò)展之后的主要部分俯視圖，(b)是其主要部分正面剖視圖。

圖3A是說明不具備本發(fā)明的要件的膜擴(kuò)展裝置的動(dòng)作的圖，(a)是使膜擴(kuò)展之前的主要部分俯視圖，(b)是其主要部分正面剖視圖。

圖3B是說明不具備本發(fā)明的要件的膜擴(kuò)展裝置的動(dòng)作的圖，(a)是使膜擴(kuò)展之后的主要部分俯視圖，(b)是其主要部分正面剖視圖

圖4是示出本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式(實(shí)施方式2)涉及的膜擴(kuò)展裝置的圖，(a)是正面剖視圖，(b)是示出主要部分結(jié)構(gòu)的俯視圖。

圖5是說明本發(fā)明的實(shí)施方式2涉及的膜擴(kuò)展裝置的動(dòng)作的圖，(a)是使膜擴(kuò)展之前的主要部分俯視圖，(b)是使膜擴(kuò)展之后的主要部分俯視圖。

圖6是示出本發(fā)明的實(shí)施方式2涉及的膜擴(kuò)展裝置的變形例的圖，(a)是使膜擴(kuò)展之前的主要部分俯視圖，(b)是使膜擴(kuò)展之后的主要部分俯視圖。

圖7是說明本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式(實(shí)施方式3)涉及的膜擴(kuò)展裝置的動(dòng)作的圖，(a)是使膜擴(kuò)展之前的主要部分俯視圖，(b)是使膜擴(kuò)展之后的主要部分俯視圖。

圖8是說明不具備本發(fā)明的實(shí)施方式3涉及的膜擴(kuò)展裝置的要件的情況下的動(dòng)作的圖，(a)是使膜擴(kuò)展之前的主要部分俯視圖，(b)是使膜擴(kuò)展之后的主要部分俯視圖。

圖9是示出通過本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式(實(shí)施方式4)涉及的電子部件的制造方法制造的電子部件(層疊陶瓷電容器)的結(jié)構(gòu)的正面剖視圖。

圖10是示出本發(fā)明的實(shí)施方式4涉及的電子部件的制造方法的圖，(a)是示出使膜擴(kuò)展之前的狀態(tài)的主要部分俯視圖，(b)是示出使膜擴(kuò)展之后的狀態(tài)的主要部分俯視圖。

圖中：1-膜，1a-膜的周緣部，2-保持部，2a-基部，2b-邊框，2c-保持部主體，3-框體，3a-擴(kuò)展支點(diǎn)(外周上側(cè)棱線部)，4-加熱臺(tái)，5-底座部，6-抵接部，20-芯片集合體，20a-各個(gè)芯片，102(102a、102b)-內(nèi)部電極，110-陶瓷層疊體(芯片)，103(103a、103b)-陶瓷層疊體110的端面，104(104a、104b)-外部電極，R-加熱區(qū)域，Rn-非加熱區(qū)域，D_X-抵接部的與膜的下表面抵接的面的X方向上的尺寸，D_Y-抵接部的與膜的下表面抵接的面的Y方向上的尺寸。

具體實(shí)施方式

以下示出本發(fā)明的實(shí)施方式，并對(duì)作為本發(fā)明的特征的部分進(jìn)行更詳細(xì)的說明。

[實(shí)施方式1]

該實(shí)施方式涉及的膜擴(kuò)展裝置是用于使粘貼有多個(gè)芯片的膜在面方向上擴(kuò)展的擴(kuò)展裝置，例如，如圖1的(a)、(b)所示，具備保持部2、框體3以及加熱臺(tái)4，保持部2保持膜1的周緣部1a，框體3在俯視下位于保持部2的內(nèi)側(cè)，使被保持部2保持的膜1在面方向上擴(kuò)展，加熱臺(tái)4位于框體3的內(nèi)側(cè)，從下表面?zhèn)葘?duì)膜1進(jìn)行加熱。

作為膜1，例如可使用具備基材層和粘接層的膜，基材層包括能夠進(jìn)行擴(kuò)展的具有伸縮性的各種材料，例如，聚氯乙烯(PVC)、聚烯烴或聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)等，粘接層形成在基材的表面，包括具有粘接性的各種材料，例如，亞克力或橡膠等。其中，膜1的結(jié)構(gòu)沒有特別的限制，也可以使用其它結(jié)構(gòu)的膜。

而且，加熱臺(tái)4構(gòu)成為，具備底座部5和抵接部6，抵接部6設(shè)置在底座部5，在俯視下比底座部5小，且位于底座部5所占的區(qū)域內(nèi)，抵接部6與膜1的下表面抵接并對(duì)膜1進(jìn)行加熱。即，構(gòu)成為膜1的與抵接部6抵接的區(qū)域成為加熱區(qū)域R。

此外，對(duì)膜1的周緣部1a進(jìn)行保持的保持部2具備基部2a、夾入膜1的周緣部1a的邊框2b、以及保持部主體2c，隔著邊框2b將膜1夾入到保持部主體2c與基部2a之間。

而且，該實(shí)施方式涉及的膜擴(kuò)展裝置構(gòu)成為，通過框體3向上方頂起周緣部1a被保持部2保持并且下表面與加熱臺(tái)4的抵接部6相接而被加熱的狀態(tài)的膜1，從而膜1以框體3(具體是外周上側(cè)棱線部3a)作為擴(kuò)展支點(diǎn)在面方向上進(jìn)行擴(kuò)展。

即，框體3構(gòu)成為，在俯視下位于保持部2的內(nèi)側(cè)的區(qū)域，能夠與加熱臺(tái)4一起向上方移動(dòng)，膜1構(gòu)成為，通過框體3向上方移動(dòng)而被頂起，以框體3的外周上側(cè)棱線部3a作為擴(kuò)展支點(diǎn)在面方向上進(jìn)行擴(kuò)展。

另外，雖然在該實(shí)施方式中框體3構(gòu)成為向上方移動(dòng)，但是只要在框體3與保持部2的關(guān)系上能夠使框體3相對(duì)于保持部2向上方移動(dòng)即可，因此也可以構(gòu)成為使保持部2下降。

該實(shí)施方式的膜擴(kuò)展裝置像上述那樣構(gòu)成，因此能夠主要使膜1的被加熱而使楊氏模量降低的區(qū)域(加熱區(qū)域R)進(jìn)行擴(kuò)展，并且能夠選擇性地對(duì)規(guī)定的區(qū)域進(jìn)行加熱而作為加熱區(qū)域R。其結(jié)果是，能夠使膜1的加熱區(qū)域R適當(dāng)?shù)刈兓我獾乜刂颇?的擴(kuò)展方向與擴(kuò)展量的關(guān)系。

因此，根據(jù)本發(fā)明的膜擴(kuò)展裝置，能夠像以下說明的那樣進(jìn)行擴(kuò)展量(擴(kuò)展的程度)根據(jù)方向而異的各向異性擴(kuò)展、擴(kuò)展量不會(huì)根據(jù)方向變動(dòng)的各向同性擴(kuò)展，能夠自由地控制構(gòu)成與膜1粘附的芯片集合體的各個(gè)芯片彼此的、例如在作為規(guī)定的一個(gè)方向的X方向和與X方向正交的Y方向上的間隔。

像這樣，能夠使膜1的所希望的區(qū)域(主要是作為與抵接部6抵接而被加熱的區(qū)域的加熱區(qū)域R)擴(kuò)展的結(jié)果是，能夠增多在一次的擴(kuò)展工序中能夠處理的(能夠分離的)芯片的個(gè)數(shù)，能夠提高生產(chǎn)性。

下面，對(duì)膜1的擴(kuò)展的方式進(jìn)行具體說明。

首先，像在圖2A的(a)、(b)以及圖2B的(a)、(b)中示意性地示出的那樣，在將具備底座部5和抵接部6的加熱臺(tái)4的抵接部6做成為例如在俯視下比框體3和底座部5小的圓形的情況下，當(dāng)在對(duì)膜1的與抵接部6抵接的加熱區(qū)域R進(jìn)行加熱的狀態(tài)下使框體3上升而使膜1以框體3的外周上側(cè)棱線部3a作為擴(kuò)展支點(diǎn)進(jìn)行擴(kuò)展時(shí)，膜1的未被加熱的非加熱區(qū)域Rn不怎么擴(kuò)展，主要是與抵接部6相接而被加熱的加熱區(qū)域R進(jìn)行擴(kuò)展。即，相對(duì)于膜1的整體的擴(kuò)展量，能夠增大加熱區(qū)域R的擴(kuò)展量。

此外，在像該實(shí)施方式那樣將抵接部6的形狀做成為比底座部5小的圓形的情況下，不僅能夠像上述的那樣相對(duì)于膜1的整體的擴(kuò)展量增大加熱區(qū)域R的擴(kuò)展量，而且能夠與其方向無關(guān)地使膜1均勻地進(jìn)行擴(kuò)展(進(jìn)行各向同性擴(kuò)展)。

因此，例如在像圖2B的(a)、(b)所示的那樣在平面形狀為正方形的芯片集合體20粘附在膜1的加熱區(qū)域R的內(nèi)側(cè)的狀態(tài)下使膜1以框體3的外周上側(cè)棱線部3a作為擴(kuò)展支點(diǎn)在面方向上進(jìn)行擴(kuò)展的情況下，膜1進(jìn)行各向同性擴(kuò)展，與此相伴地，芯片集合體20也進(jìn)行各向同性擴(kuò)展，能夠全方位地減少各個(gè)芯片彼此的間隔的偏差，從而提高均勻性。

相對(duì)于此，例如在像圖3A的(a)、(b)以及圖3B的(a)、(b)所示的那樣對(duì)膜1的由框體3規(guī)定的區(qū)域(與框體3的內(nèi)側(cè)的整個(gè)區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域)進(jìn)行加熱的情況下，即，在將框體3的內(nèi)側(cè)整體作為加熱區(qū)域R的情況下，框體3的內(nèi)側(cè)整體的大的區(qū)域成為加熱區(qū)域R，在該大的加熱區(qū)域R中膜1進(jìn)行擴(kuò)展，因此在將芯片集合體20粘附在膜1上的狀態(tài)下使膜1在面方向上進(jìn)行擴(kuò)展的情況下，相對(duì)于膜1的整體的擴(kuò)展量，粘附有芯片集合體20的區(qū)域的擴(kuò)展量的比例會(huì)減小，從而在一次的擴(kuò)展工序中能夠處理的(能夠分離的)芯片的個(gè)數(shù)減少，生產(chǎn)性受到限制。

另外，在本發(fā)明的膜擴(kuò)展裝置中，作為加熱臺(tái)，也可以構(gòu)成為，不設(shè)置平面面積比抵接部的平面面積大的底座部，使加熱臺(tái)的上表面整體作為抵接部發(fā)揮功能。但是，加熱臺(tái)優(yōu)選具有與框體的內(nèi)側(cè)區(qū)域?qū)?yīng)的底座部。

[實(shí)施方式2]

圖4是示出本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式(實(shí)施方式2)涉及的膜擴(kuò)展裝置的圖，(a)是正面剖視圖，(b)是主要部分俯視圖。在該實(shí)施方式2的膜擴(kuò)展裝置中，構(gòu)成加熱臺(tái)4的抵接部6在俯視下是比底座部5小、在X方向和Y方向上延伸、且滿足(X方向上的尺寸D_X)＞(Y方向上的尺寸D_Y)的長(zhǎng)方形，除此以外，構(gòu)成得與上述的實(shí)施方式1的膜擴(kuò)展裝置相同。

在像該實(shí)施方式2那樣將加熱臺(tái)4的抵接部6做成為例如像圖4的(a)、(b)所示的那樣平面形狀是比框體3和底座部5小、在X方向和Y方向上延伸、且滿足(X方向上的尺寸D_X)＞(Y方向上的尺寸D_Y)的長(zhǎng)方形的情況下，當(dāng)在對(duì)膜1的與抵接部6抵接的加熱區(qū)域R進(jìn)行加熱的狀態(tài)下使框體3上升，從而使膜1以框體3的外周上側(cè)棱線部3a作為擴(kuò)展支點(diǎn)進(jìn)行擴(kuò)展時(shí)，膜1的未被加熱的非加熱區(qū)域Rn不怎么擴(kuò)展，主要是與抵接部6相接而被加熱的加熱區(qū)域R進(jìn)行擴(kuò)展。

因此，如圖5的(a)、(b)所示，當(dāng)將芯片集合體20粘附在膜1的長(zhǎng)方形的加熱區(qū)域R的內(nèi)側(cè)區(qū)域、使加熱臺(tái)4的抵接部6與膜1的下表面接觸而對(duì)膜1進(jìn)行加熱并在該狀態(tài)下使框體3上升而使膜1以框體3的外周上側(cè)棱線部3a作為擴(kuò)展支點(diǎn)進(jìn)行擴(kuò)展時(shí)，因?yàn)榈纸硬?是滿足D_X＞D_Y的長(zhǎng)方形，所以如圖5的(b)所示，膜1在加熱區(qū)域R中與X方向相比在Y方向上擴(kuò)展得更大，粘附在膜1的芯片集合體20也與X方向相比在Y方向上擴(kuò)展得更大。其結(jié)果是，能夠以構(gòu)成芯片集合體20的各個(gè)芯片彼此的間隔在Y方向上大且在X方向上小的方式分離各個(gè)芯片。

此外，圖6的(a)、(b)是示出該實(shí)施方式2的膜擴(kuò)展裝置的變形例涉及的膜擴(kuò)展裝置的主要部分結(jié)構(gòu)的圖。在該變形例中，構(gòu)成加熱臺(tái)4的抵接部6做成為在俯視下比底座部5小且滿足(X方向上的尺寸D_X)＜(Y方向上的尺寸D_Y)的長(zhǎng)方形。其它結(jié)構(gòu)與上述的實(shí)施方式2涉及的膜擴(kuò)展裝置的情況相同。

在像這樣將抵接部6做成為滿足(X方向上的尺寸D_X)＜(Y方向上的尺寸D_Y)的長(zhǎng)方形的情況下，如圖6(a)所示，當(dāng)將芯片集合體20粘附在長(zhǎng)方形的加熱區(qū)域R的內(nèi)側(cè)區(qū)域、使加熱臺(tái)4的抵接部6與膜1的下表面接觸而對(duì)膜1進(jìn)行加熱并在該狀態(tài)下使框體3上升而使膜1以框體3的外周上側(cè)棱線部3a作為擴(kuò)展支點(diǎn)進(jìn)行擴(kuò)展時(shí)，因?yàn)榈纸硬?是滿足D_X＜D_Y的長(zhǎng)方形，所以如圖6(b)所示，膜1在加熱區(qū)域R中與Y方向相比在X方向上擴(kuò)展得更大，粘附在膜1的芯片集合體20也與Y方向相比在X方向上擴(kuò)展得更大。其結(jié)果是，能夠以構(gòu)成芯片集合體20的各個(gè)芯片彼此的間隔在X方向上大且在Y方向上小的方式分離各個(gè)芯片。

另外，可以考慮所希望的各向異性擴(kuò)展的方式而任意地決定是將抵接部6設(shè)為圖5的(a)、(b)所示的長(zhǎng)方形，還是設(shè)為圖6的(a)、(b)所示的長(zhǎng)方形。

[實(shí)施方式3]

此外，圖7的(a)、(b)是示出本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式(實(shí)施方式3)涉及的膜擴(kuò)展裝置的主要部分結(jié)構(gòu)的圖。

在實(shí)施方式3的膜擴(kuò)展裝置中，構(gòu)成加熱臺(tái)4的抵接部6具有如下形狀，即，做成為在俯視下比底座部5小、在X方向和Y方向上延伸、且滿足(X方向上的尺寸D_X)＞(Y方向上的尺寸D_Y)的長(zhǎng)方形，并且形成有圓角。其它結(jié)構(gòu)與上述的實(shí)施方式1和2的膜擴(kuò)展裝置的情況相同。

在像該實(shí)施方式3那樣將抵接部6做成為形成有圓角的、滿足(X方向上的尺寸D_X)＞(Y方向上的尺寸D_Y)的長(zhǎng)方形的情況下，加熱區(qū)域R的對(duì)角方向上的距離縮短，在考慮膜1的對(duì)角方向的情況下，在包含加熱區(qū)域R和非加熱區(qū)域Rn的整體中的膜1的擴(kuò)展量相同的情況下，與膜1的與非加熱區(qū)域Rn對(duì)應(yīng)的區(qū)域中的擴(kuò)展的比例相比，能夠增大膜1的與加熱區(qū)域R對(duì)應(yīng)的區(qū)域中的擴(kuò)展的比例。即，與抵接部6未形成圓角的情況相比，能夠增大與加熱區(qū)域R對(duì)應(yīng)的區(qū)域的擴(kuò)展的比例。

即，在像圖8的(a)所示的那樣將抵接部6做成為未形成圓角的、滿足(X方向上的尺寸D_X)＞(Y方向上的尺寸D_Y)的長(zhǎng)方形的情況下，與形成圓角的情況相比，加熱區(qū)域R的對(duì)角方向上的尺寸增大，與其相應(yīng)地，與膜1的與非加熱區(qū)域Rn相應(yīng)的區(qū)域中的擴(kuò)展的比例相比，膜1的與加熱區(qū)域R對(duì)應(yīng)的區(qū)域中的擴(kuò)展的比例減小。因此，在將芯片集合體20粘附在加熱區(qū)域R的內(nèi)側(cè)的區(qū)域并使膜1進(jìn)行擴(kuò)展的情況下，如圖8(b)所示，芯片集合體20的對(duì)角方向上的擴(kuò)展量與其它方向相比變得不充分。

相對(duì)于此，在像圖7的(a)所示的那樣將抵接部6做成為形成有圓角的、滿足(X方向上的尺寸D_X)＞(Y方向上的尺寸D_Y)的長(zhǎng)方形的情況下，與膜1的對(duì)角方向上的與非加熱區(qū)域Rn對(duì)應(yīng)的區(qū)域中的擴(kuò)展的比例相比，能夠增大膜1的對(duì)角方向上的與加熱區(qū)域R對(duì)應(yīng)的區(qū)域中的擴(kuò)展的比例，在將芯片集合體20粘附在加熱區(qū)域R內(nèi)并使膜1擴(kuò)展的情況下，如圖7的(b)所示，能夠充分地確保芯片集合體20的對(duì)角方向上的擴(kuò)展量，能夠抑制構(gòu)成芯片集合體20的各個(gè)芯片彼此的間隔的偏差。

另外，雖然在實(shí)施方式3中以抵接部6具有橫向長(zhǎng)且形成有圓角的形狀的情況為例進(jìn)行了說明，但是也可以將抵接部6做成為縱向長(zhǎng)且形成有圓角的形狀。此外，也可以做成為抵接部6的平面形狀為正方形且形成有圓角的結(jié)構(gòu)。

[實(shí)施方式4]

在該實(shí)施方式4中，作為經(jīng)過將母塊分割為多個(gè)芯片的工序來制造電子部件的方法，對(duì)圖9所示的層疊陶瓷電容器的制造方法進(jìn)行說明。其中，本發(fā)明不僅能夠應(yīng)用于層疊陶瓷電容器，還能夠應(yīng)用于電感器、熱敏電阻、壓電元件等陶瓷電子部件或半導(dǎo)體元件等經(jīng)過將母塊分割為多個(gè)芯片的工序制造的各種電子部件。

另外，由在該實(shí)施方式4中說明的方法制造的層疊陶瓷電容器具有如下結(jié)構(gòu)，即，如圖9所示，在隔著作為電介質(zhì)層的陶瓷層101層疊有多個(gè)內(nèi)部電極102(102a、102b)的陶瓷層疊體(芯片)110的一對(duì)端面103(103a、103b)配設(shè)有一對(duì)外部電極104(104a、104b)，使得該一對(duì)外部電極104(104a、104b)與內(nèi)部電極102(102a、102b)導(dǎo)通。

以下，對(duì)該層疊陶瓷電容器的制造方法進(jìn)行說明。(1)將層疊塊粘附于將要安裝到本發(fā)明的膜擴(kuò)展裝置的膜，并對(duì)層疊塊進(jìn)行分割，從而設(shè)為多個(gè)芯片的芯片集合體粘附在膜的表面的狀態(tài)。另外，設(shè)為芯片集合體粘附于膜的狀態(tài)的方法沒有特別限制，例如，能夠?qū)⑿纬闪硕鄠€(gè)內(nèi)部電極圖案的陶瓷生片和未形成內(nèi)部電極圖案的陶瓷生片按規(guī)定的順序?qū)盈B在可擴(kuò)展的膜上，從而形成層疊塊，并在規(guī)定的位置對(duì)該層疊塊進(jìn)行切割，從而得到芯片集合體。

此外，例如通過將在其它工序中對(duì)層疊塊進(jìn)行切割而得到的芯片集合體轉(zhuǎn)移到可擴(kuò)展的膜上，也能夠設(shè)為芯片集合體粘附在膜的表面的狀態(tài)。

(2)然后，使用本發(fā)明的膜擴(kuò)展裝置使位于框體的內(nèi)側(cè)的加熱臺(tái)的抵接部與膜1的下表面接觸，從而對(duì)膜的規(guī)定的區(qū)域(加熱區(qū)域)進(jìn)行加熱。

(3)然后，使粘附了包含多個(gè)芯片的芯片集合體的膜在面方向上進(jìn)行擴(kuò)展，從而分離各個(gè)芯片。

此時(shí)，也能夠使用像上述實(shí)施方式1的情況(參照?qǐng)D2)那樣構(gòu)成為加熱臺(tái)4的抵接部6為圓形，即，從另一個(gè)觀點(diǎn)來說是加熱區(qū)域R為圓形，且膜的擴(kuò)展的方式為各向同性擴(kuò)展的膜擴(kuò)展裝置，此外，也能夠使用像上述實(shí)施方式2的情況那樣構(gòu)成為加熱臺(tái)4的抵接部6為圖5所示的長(zhǎng)方形或圖6所示的長(zhǎng)方形，即，從另一個(gè)觀點(diǎn)來說是加熱區(qū)域R為圖5所示的長(zhǎng)方形或圖6所示的長(zhǎng)方形，且膜1的擴(kuò)展的方式為各向異性擴(kuò)展的膜擴(kuò)展裝置。

進(jìn)而，也能夠使用像上述實(shí)施方式3的情況那樣具備形成有圓角的抵接部6的膜擴(kuò)展裝置，即，從另一個(gè)觀點(diǎn)來說能夠使用具備形成有圓角的加熱區(qū)域R的膜擴(kuò)展裝置。

其中，在該實(shí)施方式4中，對(duì)使用構(gòu)成為加熱臺(tái)4的抵接部6橫向長(zhǎng)且進(jìn)行各向異性擴(kuò)展的膜擴(kuò)展裝置的情況進(jìn)行說明，即，從另一個(gè)觀點(diǎn)來說，對(duì)使用構(gòu)成為加熱區(qū)域R為橫向長(zhǎng)且進(jìn)行各向異性擴(kuò)展的膜擴(kuò)展裝置的情況進(jìn)行說明。

當(dāng)像圖10的(a)所示的那樣在將芯片集合體20粘附在膜1上的狀態(tài)下使膜1在面方向上進(jìn)行擴(kuò)展時(shí)，如圖10的(b)所示，膜1的粘附了芯片集合體20的區(qū)域在Y方向上擴(kuò)展得大，在X方向上則比Y方向上擴(kuò)展得小，成為膜1上的各個(gè)芯片20a隔開規(guī)定的間隔被保持的狀態(tài)，從而可以可靠地分離各個(gè)芯片20a。

此時(shí)，因?yàn)橄裆鲜龅哪菢幽?的粘附了芯片集合體20的區(qū)域在Y方向上擴(kuò)展得大，所以芯片20a彼此的間隔也增大。

因此，例如能夠使各個(gè)芯片30以X方向?yàn)樾D(zhuǎn)軸方向旋轉(zhuǎn)90度(在Y方向轉(zhuǎn)動(dòng))，對(duì)旋轉(zhuǎn)后朝上的面實(shí)施處理(例如，粘附絕緣片或涂敷絕緣膏)，所以是優(yōu)選的。此外，膜1在X方向上不會(huì)過度擴(kuò)展，芯片20a彼此的間隔在X方向上也不會(huì)變得過大，因此能夠在不過度減少在一次的擴(kuò)展工序中能夠處理的芯片的個(gè)數(shù)的情況下確保適當(dāng)?shù)纳a(chǎn)性。

(4)接著，從膜1上取下各個(gè)芯片20a并在規(guī)定的條件下進(jìn)行燒成，從而得到陶瓷層疊體。

(5)然后，在陶瓷層疊體的兩端側(cè)形成外部端子。由此，可得到具有如圖9所示的結(jié)構(gòu)的層疊陶瓷電容器。

使用像上述那樣構(gòu)成的膜擴(kuò)展裝置，使粘附了包括多個(gè)芯片的母塊的膜擴(kuò)展，從而擴(kuò)大多個(gè)芯片彼此的間隔，由此能夠高效地制造電子部件。

另外，在本發(fā)明中，X方向和Y方向是相對(duì)的，通過考慮想要增大芯片的間隔的方向來確定上述的X方向和Y方向，從而能夠可靠地應(yīng)對(duì)各種方式。

本發(fā)明在其它方面也不限定于上述實(shí)施方式，關(guān)于加熱臺(tái)的結(jié)構(gòu)、抵接部的形狀、框體的結(jié)構(gòu)、框體的形狀、芯片集合體的結(jié)構(gòu)等，能夠在發(fā)明的范圍內(nèi)進(jìn)行各種應(yīng)用、變形。