本發(fā)明涉及一種芯片制造領(lǐng)域，特別涉及一種晶圓片翻膜方法及在晶圓片翻膜方法中使用的定位裝置。

背景技術(shù)：

在LED芯片的制造過程中，需要將LED晶圓片切割成若干獨立的晶粒，上述晶粒通過后續(xù)的封裝鍵合過程后形成LED芯片。LED芯片的加工過程包括若干工藝步驟，比如LED晶圓片劃片、翻膜、背檢、擴膜、裂片、測試、分揀等工藝步驟。由于LED晶圓片在正面劃片后需要進行晶粒的背面檢測，因此，翻膜工藝在劃片工藝后就可以進行。目前現(xiàn)有的LED晶圓片的翻膜工藝的流程包括以下步驟：

先將LED晶圓片從劃片機上取下來，LED晶圓片的背面貼有一張第一藍膜的上表面；

在LED晶圓片的正面貼一張第二藍膜；

翻轉(zhuǎn)180度，將待翻轉(zhuǎn)的晶圓片放置在橡膠墊上，一手撕第一藍膜，另一手用鋁板壓住管芯(劃片后的LED晶圓片)。

在撕膜過程中，由于采取人工按壓定位的方式，使得第二藍膜及LED晶圓片得不到有效定位，由于第一藍膜與晶圓片之間的粘力較大，因此在撕膜過程中，因此第二藍膜會跟隨第一藍膜撕膜方向上有移動且褶皺，從而引起LED晶粒排列歪斜、旋轉(zhuǎn)等排列異常的情況出現(xiàn)。另外，由于第二藍膜及LED晶圓片得不到有效定位，操作人員無法雙手同時進行撕膜，因此，第一藍膜的剝離LED晶圓片的過程中，出現(xiàn)剝離速度緩慢的問題。

因此，現(xiàn)有的晶圓片翻膜方法會產(chǎn)生晶粒排列異常且翻膜效率低的問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是為了解決上述問題，提供一種在翻膜過程中能夠保持晶圓片良率及具有較高翻膜效率的晶圓片翻膜方法。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種晶圓片翻膜方法，其包括以下步驟：

獲取晶圓片，所述晶圓片的背面貼有第一膜，所述第一膜上貼有第一金屬環(huán)；

在所述晶圓片的正面貼上第二膜，所述第二膜上貼有第二金屬環(huán)；

將晶圓片翻轉(zhuǎn)180度使晶圓片的正面朝下并將晶圓片放置于定位裝置上，所述第二膜及晶圓片定位于所述定位裝置上；

剝離貼于晶圓片背面的第一膜。

進一步地，所述晶圓片與所述第一金屬環(huán)位于第一膜相同的一側(cè)，所述晶圓片與所述第二金屬環(huán)位于第二膜相同的一側(cè)，所述第一金屬環(huán)與所述第二金屬環(huán)接觸。

進一步地，所述定位裝置包括承接所述第二膜及晶圓片的微孔陶瓷盤、承接所述微孔陶瓷盤的基座及設(shè)置于基座外的真空泵，當(dāng)所述真空泵開啟后，所述第二膜及晶圓片吸附于所述微孔陶瓷盤。

進一步地，所述定位裝置還包括置于基座上方且設(shè)有凹陷槽的承載盤及設(shè)置于承載盤周邊的若干磁性元件，所述第一金屬環(huán)及第二金屬環(huán)位于磁性元件上方且被磁性元件吸引，所述陶瓷盤位于所述凹陷槽內(nèi)。

本發(fā)明的目的是為了解決上述問題，還提供一種在晶圓片翻膜過程中能夠保持晶圓片良率及具有較高翻膜效率的定位裝置。

一種定位裝置，其用于定位膜及貼于膜上的晶圓片，其包括：

基座；

微孔陶瓷盤，其位于基座上方且用于放置所述膜及晶圓片，所述微孔陶瓷盤內(nèi)設(shè)有若干第三通道；

真空泵，其與所述第三通道連通；

當(dāng)開啟真空泵后，所述第三通道內(nèi)形成真空負壓，所述膜及晶圓片吸附于所述微孔陶瓷盤。

進一步地，所述定位裝置還包括置于基座上方且設(shè)有凹陷槽的承載盤及設(shè)置于承載盤周邊的若干磁性元件，所述第一金屬環(huán)及第二金屬環(huán)位于磁性元件上方且被磁性元件吸引，所述陶瓷盤位于所述凹陷槽內(nèi)。

進一步地，所述基座包括位底板、承接盤及位于底板及承接盤中間的支柱。

進一步地，所述承接盤上設(shè)有第一通道，所述承載盤上設(shè)有一個通孔，使得所述基座與所述微孔陶瓷盤之間形成第一收容腔，所述第一收容腔分別與所述第一通道及第三通道連通，所述定位裝置還包括連接所述第一通道下端及真空泵的第一圓管。

進一步地，當(dāng)開啟所述真空開關(guān)后，所述承載盤吸附于所述基座的承接盤。

進一步地，所述承接盤上設(shè)有第二通道，所述基座與所述承載盤之間具有形成與所述第二通道連通的第二收容腔，所述定位裝置還包括連接所述第二通道下端及真空泵的第二圓管。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實施例提供的晶圓片翻膜方法中，采用了定位裝置來實現(xiàn)第二膜及晶圓片的定位，使得在晶圓片翻膜過程中，晶圓片的良率高且翻膜效率高。因此，通過本發(fā)明提供的定位裝置，夠保證在晶圓片翻膜過程中晶圓片良率及具有較高翻膜效率。

附圖說明

此處所說明的附圖用來提供對本發(fā)明的進一步理解，構(gòu)成本發(fā)明的一部分，本發(fā)明的示意性實施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中：

圖1為本發(fā)明晶圓片翻膜方法的流程示意圖；

圖2為本發(fā)明晶圓片翻膜方法中所用的第一膜及貼于第一膜的晶圓片及第一金屬環(huán)的俯視圖；

圖3為本發(fā)明晶圓片翻膜方法中所用的第二膜及貼于第二膜的第二金屬環(huán)的俯視圖；

圖4為本發(fā)明晶圓片翻膜方法中所用的第二膜及第一膜均貼于晶圓片的上下表面的側(cè)視圖；

圖5為在晶圓片翻膜過程中所使用的本發(fā)明定位裝置的剖面圖；

圖6為第一膜、第二膜、晶圓片、第一金屬環(huán)及第二金屬環(huán)放置于定位裝置上的剖面圖。

具體實施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明具體實施例及相應(yīng)的附圖對本發(fā)明技術(shù)方案進行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實施例僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

本發(fā)明實施例提供一種晶圓片翻膜方法，由于晶圓片背面貼膜、正面切割，因此該晶圓片翻膜方法為正面翻膜(即晶圓片正面貼膜后，撕去晶圓片背面的膜)，上述晶圓片翻膜方法的主要目的是為了進行晶圓片劃片后的側(cè)面腐蝕、背面去膠等工藝，此外也是為了進行晶圓片劃片后正反面的缺陷檢查，如，各個晶粒背面是否存在如崩片、破損等不良情形。

本文中，晶圓片的“正面”是指晶圓片上有電極的一面，晶圓的“背面”是指與“正面”相對的一面。在本發(fā)明實施例中，晶圓片可以為LED晶圓片。

請參考圖1，本發(fā)明提供的一種晶圓片翻膜方法，其包括以下步驟：

S101：獲取晶圓片11，所述晶圓片11的背面貼有第一膜12，所述第一膜上貼有第一金屬環(huán)13。

如圖2所示，步驟S101中晶圓片11及第一膜12是從劃片機上取下來，因此，晶圓片11被分割成若干獨立的晶粒111。另外，一個第一金屬環(huán)13貼 于第一膜12上，且與晶圓片11一同位于第一膜12上具有粘性的一面。第一金屬環(huán)13貼于第一膜12的周邊，第一金屬環(huán)13可以為第一膜12提供一定的水平張力，使得第一膜12保持平整的狀態(tài)。第一金屬環(huán)13呈圓形金屬環(huán)。晶圓片11位于第一膜12的中心位置。需要說明的是，第一膜12可以選擇符合晶圓片11劃片及翻膜工藝要求的對應(yīng)規(guī)格的藍膜或透明膜。

S102：在所述晶圓片11的正面貼上第二膜14，所述第二膜14上貼有第二金屬環(huán)15。

如圖3及圖4所示，提供預(yù)先貼有第二金屬環(huán)15的第二膜14，第二金屬環(huán)15位于第二膜14的周邊，第二金屬環(huán)15呈方形金屬環(huán)，第二金屬環(huán)15也可以為第二膜14提供一定的水平張力，使得第二膜14保持平整的狀態(tài)。然后將上述準備好的第二膜14貼于晶圓片11的正面。完成上述貼覆步驟后，晶圓片11位于第一膜12及第二膜14之間，第一金屬環(huán)13與第二金屬環(huán)15接觸。需要說明的是，第二膜14也可以選擇符合翻膜工藝要求的藍膜或透明膜。

S103：將晶圓片11翻轉(zhuǎn)180度使晶圓片11的正面朝下并將晶圓片11放置于定位裝置2上，所述第二膜14及晶圓片11定位于所述定位裝置2上。

經(jīng)過本步驟后，如圖6所示，第二膜14貼于定位裝置2的上表面，定位裝置2包括若干磁性元件25，貼于第二膜14上的第二金屬環(huán)15因磁性元件25的吸引力而使第二膜14的邊緣部分初步定位于定位裝置2上。具體地，定位裝置2為真空定位裝置。因此，當(dāng)定位裝置2工作時，第二膜14及晶圓片11可以牢固的吸附于定位裝置2上。

S104：剝離貼于晶圓片11背面的第一膜12。

在此步驟中，操作人員可以雙手將貼在晶圓片11背面的第一膜12撕去。由于，第二膜14連同晶圓片11吸附于定位裝置2上，同時貼于第一膜12上的第一金屬環(huán)13因磁性元件25的吸引力而定位于定位裝置2上。因此，操作人員在第一膜12的剝離過程中，第二膜14不會產(chǎn)生皺褶而引起晶粒排列歪斜、旋轉(zhuǎn)等排列異常的情況出現(xiàn)。同時，由于有專用的定位裝置2，使得操作人員 可以雙手進行剝離操作，使得撕膜的效率高，進而提高了整個晶圓片11翻膜的效率。

請參考圖5及圖6，本發(fā)明實施例還提供了一種在晶圓片翻膜過程中用到的定位裝置2，該定位定位裝置2主要用于定位晶圓片及貼于晶圓片一側(cè)的膜以便操作人員進行撕膜。具體地，以下針對定位裝置2的具體結(jié)構(gòu)作進一步詳細描述。

定位裝置2，包括：基座21，置于基座21上方的承載盤22，承載盤22的上表面設(shè)有一個凹陷槽221，收容于凹陷槽221的微孔陶瓷盤23，微孔陶瓷盤23用于承接第二膜14及設(shè)置于基座21外的真空泵24。定位裝置2還包括設(shè)置于承載盤22邊緣的若干磁性元件25。以下針對定位裝置2的各個元件作具體說明。

基座21由金屬材質(zhì)制成，其包括底板211、承接盤212及位于底板211及承接盤212中間的支柱213。支柱213呈中空管狀，支柱213的壁面上設(shè)有一個與外界連通的開口2131。在一種實施方式中，支柱213與承接盤212之間，支柱213與底板211之間均可以通過螺釘(未圖示)將二者固定在一起。在其它實施方式中，基座21也可以是一個單獨的整體。承接盤22上設(shè)有貫穿其上下表面的第一通道2121及第二通道2122。

承載盤22呈圓盤狀，其置于基座21承接盤212的上方，其上表面設(shè)有一個凹陷槽221，其下表面設(shè)有一個與凹陷槽221連通的通孔222。由于通孔222的存在，使得置于承載盤22凹陷槽221內(nèi)的微孔陶瓷盤23與基座21承接盤212之間形成一個第一收容腔26，如圖5所示。

微孔陶瓷盤23呈圓盤狀，其收容于承載盤22的凹陷槽221內(nèi)，其設(shè)有貫穿其上下表面的若干第三通道231，該等第三通道231呈微孔狀。

需要說明的是，第一收容腔26分別與第一通道2121及第三通道231連通。

定位裝置2還包括一根第一圓管28，通過開口2131，其一端連接真空泵24，其另一端連接至第一通道2121的下端。當(dāng)上述真空泵24開啟后，在真空 泵24的驅(qū)動下，第一通道2121、第一收容腔26及第三通道231內(nèi)形成真空負壓。因此，承接于微孔陶瓷盤23上的第二膜14及晶圓片11可以被牢固的吸附于上述微孔陶瓷盤23的上表面。進一步的，第一收容腔26具有密封圈261，使得第一收容腔26內(nèi)的真空密封性更好。

另外，承載盤22與承接盤212之間設(shè)有第二收容腔27，如圖5所示。該第二收容腔27與第二通道2122連通。

定位裝置2還包括一根第二圓管29，通過開口2131，其一端連接真空泵24，其另一端連接至第二通道2122的下端。當(dāng)上述真空泵24開啟后，在真空泵24的驅(qū)動下，第二通道2122、第二收容腔27內(nèi)形成真空負壓。因此，置于承接盤212上的承載盤22可以被牢固的吸附于上述承接盤212上，使得承接盤212與承載盤22在上下方向上定位在一起。

因此，本發(fā)明實施例提供定位裝置2可以有效的定位第二膜14及晶圓片11，而確保本發(fā)明提供的晶圓片翻膜方法的得到有效良好的實施。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實施例提供的晶圓片翻膜方法中，采用了定位裝置來實現(xiàn)第二膜及晶圓片的定位，使得在晶圓片翻膜過程中，晶圓片的良率高且翻膜效率高。因此，通過本發(fā)明實施例提供的定位裝置，夠保證在晶圓片翻膜過程中晶圓片良率及具有較高翻膜效率。

以上所述的具體實例，對本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進行了進一步詳細說明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。