技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及用雙峰工藝氣體組合物進行等離子體蝕刻的方法和系統(tǒng)。將襯底設(shè)置在處理模塊內(nèi)的襯底支架上。所述襯底包括覆蓋靶材料的掩模材料，其中所述靶材料中的至少一個部分通過所述掩模材料中的開口暴露。供給雙峰工藝氣體組合物到在所述襯底上的等離子體產(chǎn)生區(qū)域。在第一時間段,施加第一射頻功率到所述雙峰工藝氣體組合物以產(chǎn)生造成在所述襯底上的蝕刻為主的效果的等離子體。在所述第一時間段結(jié)束后的第二時間段,施加第二射頻功率到所述雙峰工藝氣體組合物以產(chǎn)生造成在所述襯底上的沉積為主的效果的等離子體。在用以去除暴露的所要求量的所述靶材料的總的時間段，以交替和連續(xù)的方式施加所述第一射頻功率和所述第二射頻功率。

技術(shù)研發(fā)人員：譚忠奎;傅乾;吳英;許晴
受保護的技術(shù)使用者：朗姆研究公司
文檔號碼：201610719175
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.25
技術(shù)公布日：2017.05.10