顯示裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種用于制造顯示裝置的方法，所述方法包括以下步驟：(1)提供前板電極，(2)提供背板電極，并且(3)在該前板電極與該背板電極之間插入一個或多個由至少一種有機半導體材料組成的層，其中所述前板電極是包含一個或多個通過以下步驟可獲得的多層組件的組件：(i)提供至少一個由組合物[組合物(C1)]組成的層(L1)，該組合物包含以下項、優(yōu)選地由以下項組成：至少一種熱塑性聚合物[聚合物(T1)]，所述層(L1)具有兩個相反的表面；(ii)在蝕刻氣體介質的存在下用射頻輝光放電方法處理該層(L1)的至少一個表面；(iii)通過無電沉積將由至少一種金屬化合物(M1)組成的層[層(L2)]涂覆到在步驟(ii)中提供的該層(L1)的每個經處理的表面上。本發(fā)明還涉及通過所述方法提供的顯示裝置并且涉及所述顯示裝置在有機電子裝置中的用途。
【專利說明】 曰f駐罷業(yè)不表直
[0001 ] 本申請要求在2013年12月23日提交的歐洲申請?zhí)?3199419.6的優(yōu)先權，出于所有的目的將此申請的全部內容通過引用結合在此。
技術領域
[0002]本發(fā)明涉及一種顯示裝置，涉及一種用于其制造的方法并且涉及其在有機電子裝置中的用途。
【背景技術】
[0003]有機電子裝置(OED)典型地包含位于兩個電極，陽極與陰極，之間的有機材料的一個或多個層，這些層都沉積在基底上。
[0004]已知的OED構造的非限制性實例包括有機光伏裝置(OPV)，有機發(fā)光二極管(OLED)和有機薄膜晶體管(OTFT)如有機場效應晶體管(OFET)。
[0005]由于這些OED裝置的主要應用是在液晶顯示器中，玻璃通常作為基底用在這些OED構造中。隨著對于柔性電子產品的日益增長的需求，對于用對可見光光學透明的聚合物基底代替玻璃基底存在很大興趣，特別地在其中低體積、輕重量和穩(wěn)健性是重要的平板顯示技術中。
[0006]眾所周知的是有機材料可能受到可以容易地滲透入該聚合物基底的氧和水分的不利的影響。
[0007]為了防止污染物如氧和水分滲透到基底中，在惰性環(huán)境中分開的封裝和制造步驟是典型地需要的并且制造成本大大增加。
[0008]目前，Sn-摻雜的In2O3(ITO)，其有利地是對可見光光學透明的，是最廣泛采用的用于制造OED裝置中的陽極的材料。然而，ITO的大規(guī)模實施由于銦的缺乏、毒性和高成本受到嚴重阻礙。
[0009]而且，陽極表面中的瑕疵典型地降低陽極-有機膜界面粘附，增加電阻，并且允許OED材料中非發(fā)射暗點的更頻繁的形成，從而不利地影響這些裝置的壽命。對于ITO/玻璃基底降低陽極粗糙度的機制包括使用薄膜和自組裝的單層。
[0010]因此，在本領域中對于具有高的與外部環(huán)境的阻隔特性、低厚度和良好的光學透明度，同時展現良好的層間粘附特性的適用于制造有機電子顯示裝置的OED多層裝置，以及對于允許容易地制造所述顯示裝置的方法仍存在需要。
發(fā)明概述
[0011]現在已經出人意料地發(fā)現，通過將包含熱塑性聚合物基底層的整體組件用作前板電極，有可能提供本發(fā)明的有機電子顯示裝置，這些有機電子顯示裝置有利地長期具有與提供出色的柔性一樣低的厚度，同時確保高的與外部環(huán)境的阻隔特性以及，優(yōu)選地，良好的光學透明度。
[0012]具體地，已經發(fā)現本發(fā)明的顯示裝置具有對于水蒸氣和氣體、特別是氧氣的低的透過性。
[0013]另外，已經發(fā)現本發(fā)明的顯示裝置展現出良好的層間粘附特性。
[0014]此外，已經發(fā)現所述顯示裝置可以容易地通過本發(fā)明的方法獲得。
[0015]在第一實例中，本發(fā)明涉及一種用于制造顯示裝置的方法，所述方法包括以下步驟:
(1)提供前板電極，
(2)提供背板電極，并且
(3)在該前板電極與該背板電極之間插入一個或多個由至少一種有機半導體材料組成的層，
其中所述前板電極是包含一個或多個通過以下步驟可獲得的多層組件的組件:
(i)提供至少一個由組合物[組合物(Cl)]組成的層(LI)，該組合物包含以下項、優(yōu)選地由以下項組成:至少一種熱塑性聚合物[聚合物(Tl)]，所述層(LI)具有兩個相反的表面；
(ii)在蝕刻氣體介質的存在下用射頻輝光放電方法處理該層(LI)的至少一個表面；
(iii)通過無電沉積將由至少一種金屬化合物(Ml)組成的層[層(L2)]涂覆到在步驟(i i)中提供的該層(LI)的每個經處理的表面上。
[0016]在第二實例中，本發(fā)明涉及一種顯示裝置，該顯示裝置包含:
-前板電極，
-背板電極，以及
-直接粘附到該前板電極的內表面以及該背板電極的內表面上的由至少一種有機半導體材料組成的一個或多個層，
其中該前板電極是包含一個或多個包含以下層的多層組件的組件:
-至少一個由組合物[組合物(Cl)]組成的層[層(LI)]，該組合物包含以下項、優(yōu)選地由以下項組成:至少一種熱塑性聚合物[聚合物(Tl)]，所述層(LI)層具有兩個相反的表面，其中至少一個表面包含一種或多種接枝的官能團[表面(Ll-f)]，以及
-直接粘附到該層(LI)的表面(Ll-f)上的由至少一種金屬化合物(Ml)組成的層[層(L2)]0
[0017]本發(fā)明的顯示裝置是有利地通過本發(fā)明的方法可獲得的。
[0018]本發(fā)明的顯示裝置優(yōu)選地包含:
-前板電極，
-背板電極，以及
-直接粘附到該前板電極的內表面以及該背板電極的內表面上的由至少一種有機半導體材料組成的一個或多個層，
其中該前板電極是包含一個或多個包含以下層的多層組件的組件:
-外層(LI)，所述外層(LI)層具有兩個相反的表面，其中該內表面包含一種或多種接枝的官能團[表面(Ll-f)]，
-直接粘附到該外層(LI)的表面(Ll-f)上的層(L2)，
-一個或多個中間層(LI)，所述中間層(LI)層具有兩個相反的表面，其中這兩個表面都包含一種或多種接枝的官能團[表面(Ll-f)]，以及
-直接粘附到中間層(LI)的每個表面(Ll-f)上的層(L2)。
[0019]出于本發(fā)明的目的，術語“顯示裝置”旨在表示用于以視覺或觸覺形式呈現信息的輸出電子裝置，其中該輸入信息作為電信號提供。
[0020]在第三實例中，本發(fā)明涉及本發(fā)明的顯示裝置在有機電子裝置中的用途。
[0021]因此，本發(fā)明涉及本發(fā)明的顯示裝置在有機光伏裝置(OPV)、有機發(fā)光二極管(OLED)和有機薄膜晶體管(OTFT)中的用途。
[0022]出于本發(fā)明的目的，術語“前板電極”旨在表示在本發(fā)明的顯示裝置的前面上的電極構造。
[0023]出于本發(fā)明的目的，術語“背板電極”旨在表示在本發(fā)明的顯示裝置的后面上的電極構造。
[0024]本發(fā)明的顯示裝置的前板電極有利地是光學透明的。
[0025]出于本發(fā)明的目的，通過術語“光學透明的”它是指該前片狀電極允許入射電磁輻射從其中穿過而沒有被散射。
[0026]本發(fā)明的顯示裝置的前板電極有利地是對于具有從約10nm至約2500nm、優(yōu)選地從約400nm至約800nm的波長的入射電磁輻射光學透明的。
[0027]本發(fā)明的顯示裝置的前板電極優(yōu)選地是對于具有從約10nm至約400nm的波長的入射電磁輻射不光學透明的。
[0028]本發(fā)明的顯示裝置的前板電極有利地具有該入射電磁輻射的至少50%、優(yōu)選地至少55 %、更優(yōu)選地至少60 %的透射率。
[0029]可以使用分光光度計根據任何適合的技術測量該透射率。
[0030]本發(fā)明的顯示裝置的前板電極典型地具有包括在5μπι與150μπι之間、優(yōu)選地約100μ
m的厚度。
[0031]本發(fā)明的顯示裝置的前板電極有利地是所述顯示裝置的陽極。
[0032]本發(fā)明的顯示裝置的背板電極有利地是所述顯示裝置的陰極。
[0033]該背板電極沒有特別限制。本領域技術人員，取決于本發(fā)明的顯示裝置的性質，將選擇適用于在其中使用的適當的背板電極。
[0034]出于本發(fā)明的目的，通過術語“層”，它是指具有小于其長度或者其寬度任一個的厚度的位于另一件上或下方的一塊覆蓋材料或零件。
[0035]出于本發(fā)明的目的，術語“有機半導體材料”旨在表示具有半導體材料的固有特性的基于碳的化合物。
[0036]該有機半導體材料沒有特別限制。本領域技術人員，取決于本發(fā)明的顯示裝置的性質，將選擇適用于在其中使用的適當的有機半導體材料。
[0037]該有機半導體材料典型地選自由以下各項組成的組:聚噻吩、聚(3-烷基噻吩)、聚噻吩乙炔、聚(對-亞苯基亞乙烯基)、聚芴和其混合物。
[0038]出于本發(fā)明的目的，術語“熱塑性聚合物”旨在表示在室溫下(低于其玻璃化轉變溫度，如果它是無定形的，或者低于其熔點，如果它是半晶質的)存在的任何一種聚合物，并且它是直鏈的或支鏈的(即不是網狀的)。當該熱塑性聚合物被加熱時它具有變軟的特性，并且當它被冷卻時具有再次變硬的特性，而沒有明顯的化學變化。這樣一種定義例如可在稱為“聚合物科學詞典(Polymer Science Dict1nary)”，Mark S.M.Alger，倫敦聚合物工藝學院(London School of Polymer Technology)，北倫敦理工大學(Polytechnic ofNorth London)，UK，由愛思唯爾應用科學(Elsevier Applied Science)出版，1989，的百科全書中找到。
[0039]該層(LI)有利地是光學透明的。
[0040]本發(fā)明的顯示裝置的前板電極的層(LI)通常是所述顯示裝置的外層。
[0041]該層(LI)的表面(Ll-f)有利地是通過在蝕刻氣體介質的存在下用射頻輝光放電方法處理該層(LI)的至少一個表面可獲得的。
[0042]術語“官能團”在此根據其通常的含義用于表示通過共價鍵彼此連接的一組原子，其造成具有該聚合物(Tl)的表面(Ll-f)的反應性。
[0043]出于本發(fā)明的目的，術語“接枝的官能團”旨在表示通過接枝到該聚合物(Tl)的主鏈上可獲得的官能團。
[0044]出于本發(fā)明的目的，術語“接枝”根據其通常的含義用于表示自由基過程，通過該自由基過程一個或多個官能團被插入到聚合物骨架的表面上。
[0045]通過在蝕刻氣體介質的存在下用射頻輝光放電方法來處理該層(LI)的至少一個表面可獲得的接枝的官能團典型地包含所述蝕刻氣體介質的至少一個原子。
[0046]該層(LI)典型地具有至少5μπι、優(yōu)選地至少ΙΟμπι的厚度。具有小于5μπι厚度的層(LI)，盡管仍然適用于本發(fā)明的隔離系統(tǒng)，但當要求足夠的機械阻力時將不被使用。
[0047]按照該層(LI)的厚度的上限，這沒有特別限制，其條件是所述層(LI)仍可以提供特定領域的目標用途所要求的柔性。
[0048]該層(LI)典型地具有最多50μπι、優(yōu)選地最多30μπι的厚度。
[0049]本領域的技術人員，取決于該聚合物(Tl)的性質，將選擇該層(LI)的適當厚度以便提供所要求的透過性和柔性。
[0050]另外，本領域的技術人員，取決于該聚合物(Tl)的性質，將選擇該層(LI)的適當厚度以提供所要求的光學透明度。
[0051]聚合物(Tl)優(yōu)選地選自以下各項組成的組:
-氟聚合物，包含衍生自至少一種氟化單體的重復單元，
-聚酯，如聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯以及其共聚物，
-聚烯烴，如低密度、直鏈低密度和高密度的聚乙烯，聚丙烯和雙軸取向的聚丙烯，以及聚丁烯，
-取代的聚烯烴如聚苯乙烯，
-聚醚砜，
-聚碳酸酯，
-聚丙烯酸酯，以及 -聚酰亞胺。
[0052]通過術語“氟化單體”，它在此旨在表示包含至少一個氟原子的烯鍵式不飽和單體。
[0053]術語“至少一種氟化單體”應理解為是指該氟聚合物可以包含衍生自一種或多于一種氟化單體的重復單元。在本文的其余部分，表述“氟化單體”出于本發(fā)明的目的應理解為是復數和單數形式均可，即它們表示一種或多于一種如以上定義的氟化單體二者。
[0054]值得注意地，合適的氟化單體的非限制性實例包括以下各項: -C3-C8全氟烯烴，比如四氟乙烯(TFE)和六氟丙烯(HFP);
-C2-C8氫化的氟稀經，比如偏二氟乙稀(VDF)、氟乙稀、I，2-二氟乙稀以及三氟乙稀(TrFE)；
-具有式CH2 = CH-Rf0的全氟烷基乙稀，其中Rf 0是&-(:6全氟烷基；
_氯代-和/或溴代_和/或碘代-C2-C6氟稀經，如二氟氯乙稀(CTFE)；
-具有式CF2 = CFORfj^ (全)氟烷基乙烯基醚，其中Rf 1是(^-05氟代-或全氟烷基，例如CF3、C2F5、C3F7;
-CF2 = CFOXo (全)氟-氧烷基乙烯基醚，其中Xo是C1-C12燒基、C1-C12氧烷基或包含一個或多個醚基的&-&2 (全)氟氧烷基，如全氟-2-丙氧基-丙基；
-具有式CF2 = CFOCF2ORf2的(全)氟烷基乙烯基醚，其中Rf 2是&-05氟代-或全氟烷基，例如CF3、C2F5、C3F7，或包含一個或多個醚基的C1-C6 (全)氟氧烷基，如-C2F5-O-CF3 ；
-具有式CF2 = CFOYo的官能的(全)氟代-氧烷基乙烯基醚，其中￥0是&-&2烷基或(全)氟烷基、C1-C12氧烷基或包含一個或多個醚基的C1-C12(全)氟氧烷基，并且Yo包含羧酸或磺酸基團，呈其酸、?；u或鹽的形式；
-氟間二氧雜環(huán)戊烯，優(yōu)選全氟間二氧雜環(huán)戊烯；以及
-具有式 CR7R8 = CR9OCR1QR11(CR12R13)a(O)bCR14 = CR15R16 的可環(huán)化聚合單體，其中R7 至Ri6，彼此獨立，各自選自-F和C1-C3氣燒基，a是O或I，13是0或I，其條件是當a是I時b是O。
[0055]該氟聚合物可以進一步包含至少一種氫化單體。
[0056]通過術語“氫化單體”，它在此旨在表示包含至少一個氫原子并且不含氟原子的烯鍵式不飽和單體。
[0057]術語“至少一種氫化單體”應理解為是指該氟聚合物可以包含衍生自一種或多于一種氫化單體的重復單元。在本文的其余部分，表述“氫化單體”出于本發(fā)明的目的應理解為是復數和單數形式均可，即它們表示一種或多于一種如以上定義的氫化單體二者。
[0058]值得注意地，適合的氫化單體的非限制性實例包括，非氟化單體如乙烯、丙烯，乙烯基單體如乙酸乙烯酯，(甲基)丙烯酸單體以及苯乙烯單體如苯乙烯和對-甲基苯乙烯。
[0059]該氟聚合物可以是半晶質的或無定形的。
[0060]術語“半晶質”在此旨在表示如根據ASTMD3418-08測量的，具有從10至90J/g、優(yōu)選從30至60J/g、更優(yōu)選從35至55J/g的熔解熱的氟聚合物。
[0061 ]術語“無定形的”在此旨在表示具有，如根據ASTM D-3418-08測量的，小于5J/g、優(yōu)選小于3J/g、更優(yōu)選小于2J/g的熔解熱的氟聚合物。
[0062]該氟聚合物優(yōu)選地選自由以下項組成的組:
(A)包含衍生自至少一種選自四氟乙烯(TFE)和三氟氯乙烯(CTFE)的氟化單體、以及至少一種選自乙烯、丙烯以及異丁烯的氫化單體的重復單元的氟聚合物，任選地含有一種或多種額外的共聚單體，該一種或多種額外的共聚單體的量典型地為基于TFE和/或CTFE以及所述一種或多種氫化單體的總量的按摩爾計從0.01%至30%;以及
(B)由衍生自三氟氯乙烯(CTFE)的重復單元組成的氟聚合物。
[0063]如以上定義的氟聚合物(A)優(yōu)選地包含衍生自乙烯(E)以及三氟氯乙烯(CTFE)和四氟乙烯(TFE)中的至少一種的重復單元。
[0064]如以上定義的氟聚合物(A)更優(yōu)選地包含: (a)按摩爾計從30%至48%、優(yōu)選從35%至45%的乙稀(E)；
(b)按摩爾計從52%至70%、優(yōu)選地從55%至65%的三氟氯乙烯(CTFE)、四氟乙烯(TFE)或其混合物；以及
(c)基于單體(a)和(b)的總量，按摩爾計最高達5%、優(yōu)選地最高達2.5%的一種或多種氟化和/或氫化的共聚單體。
[0065]該共聚單體優(yōu)選地是選自(甲基)丙烯酸單體的組的氫化共聚單體。該氫化共聚單體更優(yōu)選地是選自由以下各項組成的組:丙烯酸羥烷基酯共聚單體(如丙烯酸羥乙基酯、丙烯酸羥丙基酯和丙烯酸(羥基)乙基己基酯)，以及丙烯酸烷基酯共聚單體(如丙烯酸正丁基酯)。
[0066]在如以上定義的氟聚合物(A)中，優(yōu)選的是ECTFE共聚物，即乙烯和CTFE以及任選地第三共聚單體的共聚物。
[0067]適合于本發(fā)明的方法的ECTFE聚合物典型地具有不超過210°C、優(yōu)選地不超過2000C、甚至不超過198 0C、優(yōu)選地不超過195 °C、更優(yōu)選地不超過193 °C、甚至更優(yōu)選地不超過190 0C的熔融溫度。該ECTFE聚合物具有有利地至少120 °C、優(yōu)選地至少130°C、還優(yōu)選地至少140°C、更優(yōu)選地至少145°C、甚至更優(yōu)選地至少150°C的熔融溫度。
[0068]根據ASTM D 3418，通過差示掃描量熱法(DSC)以10°C/min的加熱速率確定該熔融溫度。
[0069]已經發(fā)現給出特別良好結果的ECTFE聚合物是主要由衍生自以下各項的重復單元組成的那些:
(a)按摩爾計從35%至47%的乙稀(E)；
(b)按摩爾計從53%至65%的三氟氯乙烯(CTFE)。
[0070]導致重復單元不同于上述那些的端鏈、缺陷或少量單體雜質仍可包含在優(yōu)選的ECTFE中，而不影響該材料的特性。
[0071]按照ASTM 3275-81程序在230°C和2.16Kg下測量的該ECTFE聚合物的熔體流動速率的范圍通常從0.01g/10min至75g/10min、優(yōu)選地從0.lg/10min至50g/10min、更優(yōu)選地從
0.5g/10min至30g/10min。
[0072]根據ASTM D 3418，以10°C/min的加熱速率，通過差示掃描熱量法(DSC)確定如以上定義的氟聚合物(A)的熔解熱。
[0073]如以上定義的氟聚合物(A)典型地具有最多35J/g、優(yōu)選地最多30J/g、更優(yōu)選地最多25J/g的熔解熱。
[0074]如以上定義的氟聚合物(A)典型地具有至少lj/g、優(yōu)選地至少2J/g、更優(yōu)選地至少5J/g的熔解熱。
[0075]如以上定義的氟聚合物(A)有利地是半晶質聚合物。
[0076]該組合物(Cl)可以進一步包含一種或多種添加劑，諸如但不限于，干燥劑和氧氣清除劑。本領域的技術人員將依賴于該層(LI)的厚度來選擇該組合物(Cl)中一種或更多種添加劑的合適的量。
[0077]干燥劑典型地以納米顆粒的形式使用。適合的干燥劑的非限制性實例包括，值得注意地，氧化硼、氧化鋇、氧化鈣和沸石。
[0078]該組合物(Cl)典型地使用熔融加工技術在熔融相中進行處理。該組合物(Cl)通常是在總體上包含在100°c與300°C之間的溫度下通過擠出穿過?？趤硖幚?，以生成通常被切割用于提供粒料的條狀物。雙螺桿擠出機是用于實現該組合物(Cl)的熔融混配的優(yōu)選的設備。
[0079]通過加工通過傳統(tǒng)膜擠出技術如此獲得的粒料來典型地制造該層(LI)。膜擠出優(yōu)選地使用扁平流延膜擠出法或熱吹塑膜擠出法來實現。
[0080]該層(LI)優(yōu)選地還通過一種或多種平面化技術進行加工。
[0081]值得注意地，適合的平面化技術的非限制性實例包括，雙向拉伸、拋光和平面化涂覆處理。
[0082]已經發(fā)現，通過借助一個或多個平面化技術來進一步加工該層(LI)，其表面呈平滑的以確保該層(L2)的更高的層間粘附性。
[0083]通過“射頻輝光放電方法”，它在此旨在表示通過射頻放大器供能的方法，其中輝光放電是通過在含有蝕刻氣體的電池中的兩個電極之間施用電壓而產生的。然后，典型地將如此產生的輝光放電穿過噴射頭以到達待處理的材料的表面。
[0084]通過“蝕刻氣體介質”，它在此旨在表示適合于在射頻輝光放電方法中使用的氣體或氣體的混合物。
[0085]該蝕刻氣體介質優(yōu)選地選自由以下各項組成的組:空氣、N2、冊3、CH4、C02、He、02、H2以及其混合物。
[0086]該蝕刻氣體介質更優(yōu)選地包含N2和/或NH3以及，任選地，H2。
[0087]該射頻輝光放電方法典型地是在減壓下或在大氣壓下進行的。
[0088]該射頻輝光放電方法優(yōu)選地是在約760托的大氣壓下進行的。
[0089]大氣壓等離子體具有顯著的技術意義，因為與低壓等離子體或高壓等離子體相比，無需確保反應容器維持不同于大氣壓力的壓力水平。
[0090 ]該射頻輝光放電方法典型地在包括在I kHz與I OOkHz之間的射頻下進行。
[0091 ]該射頻輝光放電方法典型地是在包括在IkV與50kV之間的電壓下進行。
[0092]根據本發(fā)明方法的第一實施例，該射頻輝光放電方法產生電暈放電。
[0093]本發(fā)明方法的此第一實施例的射頻輝光放電方法典型地在包括在5kHz與15kHz之間的射頻下進行。
[0094]本發(fā)明方法的此第一實施例的射頻輝光放電方法典型地在包括在IkV與20kV之間的電壓下進行。
[0095]該電暈放電典型地具有包括在I X 19與I X 113Cnf3之間的密度。
[0096]根據本發(fā)明方法的第二實施例，該射頻輝光放電方法產生等離子體放電。
[0097]本發(fā)明方法的此第二實施例的射頻輝光放電方法典型地在包括在IOkHz與I OOkHz之間的射頻下進行。
[0098]本發(fā)明方法的此第二實施例的射頻輝光放電方法典型地在包括在5kV與15kV之間的電壓下進行。
[0099]該等離子體放電典型地具有包括在IX 116與I X 119Cnf3之間的密度。
[0100]本
【申請人】已經發(fā)現，在蝕刻氣體介質的存在下用射頻輝光放電方法處理該層(LI)的一個表面之后，該層(LI)成功地保持包括其柔性和其光學透明度的其本體特性。
[0101]通過在包含N2和/或NH3以及任選地H2的蝕刻氣體介質存在下，典型地在大氣壓下，用射頻輝光放電方法處理該層(LI)的表面可獲得的該層(LI)的表面(Ll-f)的接枝的官能團的非限制性實例值得注意地包括選自下組的那些，該組由以下各項組成:胺基團(_nh2)、亞胺基團(-CH=NH)、腈基團(-CN)和酰胺基團(-CONH2)。
[0102]該層(LI)的表面(Ll-f)的接枝的官能團的性質可以通過任何合適的技術、典型地通過FT-1R技術如耦合到FT-1R技術的衰減全反射(ATR)或通過X射線誘導的光電子能譜(XPS)技術來確定。
[0103]該層(L2)是有利地通過無電沉積到該層(LI)的表面(Ll-f)上可獲得的。
[0104]本
【申請人】已經出人意料地發(fā)現該層(LI)的表面(Ll-f)有利地提供了與通過無電沉積涂覆到其上的層(L2)的優(yōu)異的層間粘附。
[0105]該層(L2)有利地是光學透明的。
[0106]該金屬化合物(Ml)典型地是選自由以下各項組成的組的金屬氧化物:
-Si0x、Zn0、In203、Sn02和其混合物，其中X是包含在0.5與2之間，
-雜質摻雜的選自下組的金屬氧化物，該組由以下各項組成:ZnO、Ιη2θ3、Sn02、CdO以及其混合物，如Sn-摻雜的選自下組的金屬氧化物，該組由以下各項組成:ZnO、Ιη2θ3、Sn02、CdO以及其混合物，以及Al-摻雜的選自下組的金屬氧化物，該組由以下各項組成Ζη0、Ιη203、Sn02、Cd0和其混合物，以及
-ZmSnCU、ZnSnCb、Ζη2?η2θ5、Ζη3?η2θ6、ImSnCU、CdSnCb，以及其混合物。
[0107]出于本發(fā)明的目的，通過“無電沉積”，它是指典型地在電鍍浴中進行的氧化還原過程，其中在適合的化學還原劑的存在下金屬化合物被從其氧化態(tài)還原至其元素態(tài)。
[0108]該層(LI)的表面(Ll-f)典型地與無電金屬化催化劑接觸，由此提供催化層[層
(Llc)Jo
[0109]然后，該層(L2)典型地是使用包含至少一種源于至少一種金屬化合物(Ml)的金屬離子的組合物(C2)通過無電沉積到該層(LI。)上可獲得的。
[0110]本
【申請人】認為，這并不限制本發(fā)明的范圍，該層(LI。)是該無電沉積過程的瞬時中間體，這樣使得該層(L2)最終被直接粘附至該層(LI)的表面(Ll-f)上。
[0111]該無電金屬化催化劑典型地選自由基于以下各項的催化劑組成的組:鈀、鉑、銠、銥、鎳、銅、銀和金。
[0112]該無電金屬化催化劑優(yōu)選地選自鈀催化劑(比如PdCl2)。
[0113]該層(LI)的表面(Ll-f)典型地與該無電金屬化催化劑在液相中在至少一種液體介質的存在下接觸。
[0114]該組合物(C2)典型地包含至少一種源于至少一種金屬化合物(Ml)的金屬離子、至少一種還原劑、至少一種液體介質以及任選地一種或多種添加劑。
[0115]值得注意地，適合的液體介質的非限制性實例包括水、有機溶劑和離子液體。
[0116]在有機溶劑中，醇是優(yōu)選的，如乙醇。
[0117]適合的還原劑的非限制性實例包括，值得注意的是，甲醛、次磷酸鈉以及肼。
[0118]值得注意地，合適的添加劑的非限制性實例包括鹽、緩沖劑和適于增強該液體組合物中催化劑穩(wěn)定性的其他材料。
[0119]在本發(fā)明方法中的步驟(ii i )中提供的多層組件典型地被干燥，優(yōu)選地在包含在50 °C與150 °C之間的溫度下、更優(yōu)選地在包含在100 °C與150 °C之間的溫度下。
[0120]該層(L2)典型地具有包含在0.05μπι與5μπι之間、優(yōu)選地在0.5μπι與1.5μπι之間的厚度。
[0121]該層(L2)的厚度可以通過任何合適的技術、典型地通過掃描電子顯微鏡(SEM)技術測量。
[0122]根據本發(fā)明的第一實施例，本發(fā)明的顯示裝置的前板電極是包含一個或多個多層組件的組件，該一個或多個多層組件進一步包含直接粘附到該層(L2)上的由至少一種金屬化合物(M2)組成的層[層(L3)]，所述金屬化合物(M2)與該金屬化合物(Ml)相同或不同。
[0123]該層(L3)優(yōu)選地是通過電沉積到該層(L2)上可獲得的。
[0124]該層(L3)有利地是光學透明的。
[0125]出于本發(fā)明的目的，通過“電沉積”，它是指典型地在電解池中使用電解液進行的過程，其中使用電流來將金屬化合物從其氧化態(tài)還原至其元素態(tài)。
[0126]典型地通過電沉積使用包含至少一種源于至少一種金屬化合物(M2)的金屬離子的組合物(C3)將該層(L3)涂覆到該層(L2)上。
[0127]該金屬化合物(M2)，與該金屬化合物(Ml)相同或不同，典型地是選自由以下各項組成的組的金屬氧化物:
-Si0x、Zn0、In203、Sn02和其混合物，其中X是包含在0.5與2之間，
-雜質摻雜的選自下組的金屬氧化物，該組由以下各項組成:ZnO、Ιη2θ3、Sn02、CdO以及其混合物，如Sn-摻雜的選自下組的金屬氧化物，該組由以下各項組成:ZnO、Ιη2θ3、Sn02、CdO以及其混合物，以及Al-摻雜的選自下組的金屬氧化物，該組由以下各項組成Ζη0、Ιη203、Sn02、Cd0和其混合物，以及
-ZmSnCU、ZnSnCb、Ζη2?η2θ5、Ζη3?η2θ6、ImSnCU、CdSnCb，以及其混合物。
[0128]該組合物(C3)優(yōu)選地包含至少一種源于至少一種金屬化合物(M2)的金屬離子、至少一種金屬鹵化物、以及任選地至少一種離子液體。
[0129]合適的離子液體的非限制性實例值得注意地包括包含以下各項的那些:
-選自由以下各項組成的組的陽離子:硫鑰離子或咪唑鑰、吡啶鑰、吡咯烷鑰或哌啶鑰環(huán)，所述環(huán)任選地在氮原子上特別地被具有I至8個碳原子的一個或多個烷基取代，并且在碳原子上特別是被具有I至30個碳原子的一個或多個烷基取代，以及-陰離子，選自由鹵化物陰離子、全氟化的陰離子和硼酸根組成的組。
[0130]本
【申請人】還已經發(fā)現該層(L2)有利地提供了與通過電沉積涂覆到其上的層(L3)的優(yōu)異的層間粘附。
[0131]由此提供的多層組件典型地被干燥，優(yōu)選地在包含在500C與150 °C之間的溫度下、更優(yōu)選地在包含在100 °C與150 °C之間的溫度下。
[0132]該層(L3)，如果有的話，典型地具有包含在0.05μπι與5μπι之間、優(yōu)選地在0.5μπι與
1.5μηι之間的厚度。
[0133]該層(L3)的厚度可以通過任何合適的技術、典型地通過掃描電子顯微鏡(SEM)技術測量。
[0134]根據本發(fā)明的第二實施例，本發(fā)明的顯示裝置的前板電極是包含一個或多個多層組件的組件，該一個或多個多層組件進一步包含直接粘附到該層(L2)上的由至少一種金屬化合物(M3)組成的有圖案的層[層(L4)]，所述金屬化合物(M3)與該金屬化合物(Ml)相同或不同。
[0135]根據本發(fā)明的第三實施例，本發(fā)明的顯示裝置的前板電極是包含一個或多個多層組件的組件，該一個或多個多層組件進一步包含:
-直接粘附到該層(L2)上的由至少一種金屬化合物(M2)組成的層[層(L3)]，所述金屬化合物(M2)與該金屬化合物(Ml)相同或不同，以及
-直接粘附到該層(L3)上的由至少一種金屬化合物(M3)組成的有圖案的層[層(L4)]，所述金屬化合物(M3)與該金屬化合物(Ml)和該金屬化合物(M2)相同或不同。
[0136]出于本發(fā)明的目的，通過“有圖案的層”，它是指具有任何圖案幾何結構的層。
[0137]該層(L4)優(yōu)選是有圖案的網格層[層(L4_g)]。
[0138]出于本發(fā)明的目的，通過“有圖案的網格層”，它是指具有任何網格圖案幾何結構的層。
[0139]該層(L4-g)典型地具有包括在I ΟΟμπι與800μπι之間、優(yōu)選地在150μπι與500μπι之間的篩目尺寸。
[0140]該層(L4_g)典型地具有包括在5μπι與70μπι之間、優(yōu)選地在7μπι與35μπι之間的條寬度。
[0141]可以使用數字顯微鏡根據任何合適的技術測量該層(L4_g)的篩目尺寸和條寬度。
[0142]該化合物(M3)典型地選自下組，該組由以下各項組成:
(a)Rh、Ir、Ru、T1、Re、Os、Cd、Tl、Pb、B1、In、Sb、Al、T1、Cu、N1、Pd、V、Fe、Cr、Mn、Co、Zn、
10、￥、六8、六11、？扒&、1?11、？(1、311、66、63、其合金以及其衍生物，以及
(b)選自下組的氧化物，該組由以下各項組成:
-Si0x、Zn0、In203、Sn02和其混合物，其中X是包含在0.5與2之間，
-雜質摻雜的選自下組的金屬氧化物，該組由以下各項組成:ZnO、Ιη2θ3、Sn02、CdO以及其混合物，如Sn-摻雜的選自下組的金屬氧化物，該組由以下各項組成:ZnO、Ιη2θ3、Sn02、CdO以及其混合物，以及Al-摻雜的選自下組的金屬氧化物，該組由以下各項組成Ζη0、Ιη203、Sn02、Cd0和其混合物，以及
-ZmSnCU、ZnSnCb、Ζη2?η2θ5、Ζη3?η2θ6、ImSnCU、CdSnCb，以及其混合物。
[0143]根據本發(fā)明的第二或第三實施例的第一變體，通過印刷技術，優(yōu)選通過絲網印刷、凹版印刷、柔版印刷或噴墨印刷技術，更優(yōu)選通過噴墨印刷技術，將該層(L4)典型地涂覆到或者該層(L2)上或者該層(L3)上(如果有的話)。
[0144]根據本發(fā)明的第二或第三實施例的第二變體，通過將該層(L4)組裝到所述層(L2)或所述層(L3)上將該層(L4)典型地涂覆到或者該層(L2)上或者該層(L3)上(如果有的話)。
[0145]可以將該層(L4)支撐到由組合物[組合物(Cl)]組成的層上，該組合物包含以下項、優(yōu)選地由以下項組成:至少一種熱塑性聚合物[聚合物(Tl)]。
[0146]根據本發(fā)明的第四實施例，本發(fā)明的顯示裝置的前板電極是包含一個或多個多層組件的組件，該一個或多個多層組件進一步包含一個或多個由選自下組的化合物組成的層，該組由干燥劑和氧氣清除劑組成。
[0147]適合的干燥劑的非限制性實例包括，值得注意地，氧化硼、氧化鋇、氧化鈣和沸石。
[0148]若任何通過引用結合在此的專利、專利申請以及公開物的披露內容與本申請的描述相沖突的程度到了可能導致術語不清楚，則本說明應該優(yōu)先。
【主權項】
1.一種用于制造顯示裝置的方法，所述方法包括以下步驟: (1)提供前板電極， (2)提供背板電極，并且 (3)在該前板電極與該背板電極之間插入一個或多個由至少一種有機半導體材料組成的層， 其中所述前板電極是包含一個或多個通過以下步驟可獲得的多層組件的組件: (i)提供至少一個由組合物[組合物(Cl)]組成的層(LI)，該組合物包含至少一種熱塑性聚合物[聚合物(Tl)]，所述層(LI)具有兩個相反的表面； (ii)在蝕刻氣體介質的存在下用射頻輝光放電方法處理該層(LI)的至少一個表面； (iii)通過無電沉積將由至少一種金屬化合物(Ml)組成的層[層(L2)]涂覆到在步驟(i i)中提供的該層(LI)的每個經處理的表面上。2.根據權利要求1所述的方法，其中該前板電極是光學透明的。3.根據權利要求1或2所述的方法，其中該聚合物(Tl)選自下組，該組由以下各項組成: -氟聚合物，包含衍生自至少一種氟化單體的重復單元， -聚酯，如聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯以及其共聚物， -聚烯烴，如低密度、直鏈低密度和高密度的聚乙烯，聚丙烯和雙軸取向的聚丙烯，以及聚丁烯， -取代的聚烯烴如聚苯乙烯， -聚醚砜， -聚碳酸酯， -聚丙烯酸酯，以及 _聚酰亞胺。4.根據權利要求1至3中任一項所述的方法，其中，在步驟(ii)中，該蝕刻氣體介質選自由以下各項組成的組:空氣、N2、NH3、CH4、CO2、He、O2、H2以及其混合物。5.根據權利要求4所述的方法，其中，在步驟(ii)中，該蝕刻氣體介質包含犯和/或NH3以及，任選地，H2。6.根據權利要求1至5中任一項所述的方法，所述方法進一步包括通過電沉積將由至少一種金屬化合物(M2)組成的層[層(L3)]涂覆到該層(L2)上，所述金屬化合物(M2)與該金屬化合物(Ml)相同或不同。7.根據權利要求1至5中任一項所述的方法，所述方法進一步包括將由至少一種金屬化合物(M3)組成的有圖案的層[層(L4)]涂覆到該層(L2)上，所述金屬化合物(M3)與該金屬化合物(Ml)相同或不同。8.根據權利要求1至6中任一項所述的方法，所述方法進一步包括將由至少一種金屬化合物(M3)組成的有圖案的層[層(L4)]涂覆到該層(L3)上，所述金屬化合物(M3)與該金屬化合物(Ml)和該金屬化合物(M2)相同或不同。9.一種通過根據權利要求1至8中任一項所述的方法可獲得的顯示裝置，所述顯示裝置包含: -前板電極， -背板電極，以及 -直接粘附到該前板電極的內表面以及該背板電極的內表面上的由至少一種有機半導體材料組成的一個或多個層， 其中該前板電極是包含一個或多個包含以下層的多層組件的組件: -至少一個由組合物[組合物(Cl)]組成的層[層(LI)]，該組合物包含至少一種熱塑性聚合物[聚合物(Tl)]，所述層(LI)層具有兩個相反的表面，其中至少一個表面包含一種或多種接枝的官能團[表面(Ll-f)]，以及 -直接粘附到該層(LI)的表面(Ll-f)上的由至少一種金屬化合物(Ml)組成的層[層(L2)]010.—種通過根據權利要求5所述的方法可獲得的顯示裝置，其中該表面(Ll-f)包含一種或多種選自下組的接枝的官能團，該組由以下各項組成:胺基團(-NH2)、亞胺基團(-CH =NH)、腈基團(-CN)和酰胺基團(-CONH2)。11.通過根據權利要求6所述的方法可獲得的顯示裝置，其中該前板電極是包含一個或多個多層組件的組件，該一個或多個多層組件進一步包含直接粘附到該層(L2)上的由至少一種金屬化合物(M2)組成的層[層(L3)]，所述金屬化合物(M2)與該金屬化合物(Ml)相同或不同。12.通過根據權利要求7所述的方法可獲得的顯示裝置，其中該前板電極是包含一個或多個多層組件的組件，該一個或多個多層組件進一步包含直接粘附到該層(L2)上的由至少一種金屬化合物(M3)組成的有圖案的層[層(L4)]，所述金屬化合物(M3)與該金屬化合物(Ml)相同或不同。13.通過根據權利要求8所述的方法可獲得的顯示裝置，其中該前板電極是包含一個或多個多層組件的組件，該一個或多個多層組件進一步包含: -直接粘附到該層(L2)上的由至少一種金屬化合物(M2)組成的層[層(L3)]，所述金屬化合物(M2)與該金屬化合物(Ml)相同或不同，以及 -直接粘附到該層(L3)上的由至少一種金屬化合物(M3)組成的有圖案的層[層(L4)]，所述金屬化合物(M3)與該金屬化合物(Ml)和該金屬化合物(M2)相同或不同。14.根據權利要求9至13中任一項所述的顯示裝置，其中該前板電極的至少一個層(LI)是該顯示裝置的外層。15.根據權利要求9至14中任一項所述的顯示裝置，其中該層(L2)具有包含在0.05μπι與5μηι之間、優(yōu)選地在0.5μηι與1.5μηι之間的厚度。
【文檔編號】B32B27/16GK105849926SQ201480070679
【公開日】2016年8月10日
【申請日】2014年12月23日
【發(fā)明人】P.科約卡魯, M.阿波斯托羅, F.M.特里厄爾齊, M.A.斯伯阿菲科, A.V.奧瑞尼
【申請人】索爾維特殊聚合物意大利有限公司