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精細(xì)線路印制板蝕刻工藝的制作方法

文檔序號:9287761閱讀:812來源:國知局
精細(xì)線路印制板蝕刻工藝的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及印制電路板的生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域,特別是精細(xì)線路印制板蝕刻工藝。
【背景技術(shù)】
[0002]目前所有的電子儀器線路的設(shè)計與連接多是以印刷電路板為基礎(chǔ)的,隨著電子工業(yè)的科技進(jìn)步,印制板向多層化、密集化的方向發(fā)展,蝕刻工藝逐步從過去的粗放型向?qū)I(yè)化發(fā)展。蝕刻是印制線路板生產(chǎn)中的必要工序,但是隨著其精細(xì)化程度提高,傳統(tǒng)的蝕刻工藝已經(jīng)開始無法實現(xiàn),尤其是側(cè)蝕問題越來越嚴(yán)重。電子工業(yè)中腐蝕銅箔支座印制電路板時經(jīng)常采用的方法是三氯化鐵化學(xué)腐蝕法,它存在如下缺點:不能應(yīng)用于反鍍法新工藝;三氯化鐵耗量大;腐蝕溶液容量?。粍趧訔l件差等。處理使用過的溶液工藝較復(fù)雜,回收銅及再生三氯化鐵都需要較復(fù)雜的設(shè)備和較大的投資。
[0003]精細(xì)線路電路板生產(chǎn)中經(jīng)常需要在基材的某些區(qū)域開出設(shè)計要求大小的窗口,若選擇等離子蝕刻、或激光燒蝕方法,存在先期投入和維護(hù)費用太高,并且對操作工人的要求也高等不足;而采用機械沖切,往往只能應(yīng)用在一些對精度要求不高的單面或雙面撓性電路板中,卻無法完成對高附加值的小型、高密度的精細(xì)線路多層電路板的生產(chǎn)。
[0004]傳統(tǒng)的線路印制板在生產(chǎn)時,一旦工藝參數(shù)制定完成后,將直接進(jìn)行批量生產(chǎn),但是如果某一工藝步驟出現(xiàn)問題,導(dǎo)致印制板生產(chǎn)不合格,將會導(dǎo)致批量產(chǎn)品不合格。傳統(tǒng)的蝕刻槽內(nèi)蝕刻液使用條件不明確,不清楚在什么情況下需要對蝕刻液進(jìn)行調(diào)整,這將會大大的影響蝕刻效果。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的缺點,提供一種可避免出現(xiàn)批量不合格產(chǎn)品以及蝕刻效果好的精細(xì)線路印制板蝕刻工藝。
[0006]本發(fā)明的目的通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn):精細(xì)線路印制板蝕刻工藝,包括以下步驟:
51、開缸配液:對缸體內(nèi)壁進(jìn)行沖洗,將雜物清除干凈,然后向退墨缸內(nèi)加入水至退墨缸體積的1/3,再向退墨缸內(nèi)加入NaOH,再向退墨缸內(nèi)補加清水至缸體要求液位,使得缸體內(nèi)溶液濃度為3?8% ;向蝕刻槽內(nèi)添加蝕刻液,并使Cu2+的濃度為135?160g/L、Cl的濃度為 180 ?210g/L ;
52、開機檢查:包括以下子步驟:
521、檢查噴嘴:檢查磨板機內(nèi)各噴嘴,確保其噴嘴暢通,且噴嘴與印制板板面垂直;
522、檢查過濾芯:查看磨板機上的各濾芯,確保濾芯內(nèi)無雜物,且及時更換破損的濾芯;
523、檢查吸水棉:確保吸水棉輪保持清潔,并呈半濕潤狀態(tài),且無破損;
53、開機:將磨板機嚴(yán)格按照操作要求啟動,控制傳輸速度范圍為2?4m/min;
54、首件蝕刻:對每個型號的印制板蝕刻進(jìn)行首件蝕刻,其具體操作步驟如下: 541、表面清洗:將I?3張同型號的印制板依次放在生產(chǎn)線上,對印制板表面進(jìn)行清洗,放入酸性除油液中2min?6min,除去板面上的油脂污染和氧化層,確保板面清潔,烘干;
542、貼干膜,在印制板上貼上銅箔層,需要蝕刻開窗的部分不覆蓋銅箔層,其余為完全覆蓋;貼好銅箔層的印制板外側(cè)再進(jìn)行雙面貼多層干膜;
543、咬蝕:將印制板置于不銹鋼掛籃中并上下固定,將不銹鋼掛籃置入步驟SI所配制的蝕刻槽中,控制蝕刻槽內(nèi)溫度為45?53°C,噴嘴壓力為2.0?3.5 kg/cm2,輕輕振蕩3min?5min,待窗口溶解后取出;
544、水洗:將裝有印制板的不銹鋼掛籃用水沖洗,將蝕刻液完全沖掉為止;
545、退墨:將不銹鋼掛籃連同印制板一起放入退墨缸中,控制退墨缸內(nèi)溫度為40?50°C,噴嘴壓力為1.0?2.5kg/cm2,輕輕振蕩Imin?3min,待干膜完全溶解后,取出烘干;
546、檢測:將得到的首件產(chǎn)品放在顯微鏡下觀察窗口下進(jìn)行檢測,然后測試器電氣性會K ;
S5、批量生產(chǎn):步驟S46檢測合格后,再將多塊同型號的印制板放在生產(chǎn)線上按照步驟S41?S45進(jìn)行批量生產(chǎn),在批量生產(chǎn)過程中進(jìn)行抽檢。
[0007]還包括在批量生產(chǎn)過程中用比重計對蝕刻液的比重進(jìn)行檢測,當(dāng)蝕刻液比重小于1.1時,則向蝕刻槽中添加Cu2+和Cl,使其比重在1.1?2.5之間。
[0008]所述的蝕刻槽內(nèi)的蝕刻液還加有雙氧水,其中雙氧水的體積占蝕刻液體積的25%。
[0009]本發(fā)明具有以下優(yōu)點:
1、本發(fā)明在同一型號的印制板批量生產(chǎn)前,對該型號的印制板進(jìn)行首件蝕刻生產(chǎn),完全按照印制板的蝕刻工藝步驟進(jìn)行,并對首件蝕刻進(jìn)行檢測,合格后再進(jìn)行批量生產(chǎn),而且在批量生產(chǎn)過程中對印制板進(jìn)行抽檢,如果出現(xiàn)不合格產(chǎn)品,及時調(diào)整,可避免出現(xiàn)大批量不合格產(chǎn)品出現(xiàn)。
[0010]2、當(dāng)蝕刻液比重小于1.1時,則向蝕刻槽中添加Cu2+和Cl,使其比重在1.1?2.5之間,可確保蝕刻過程完全進(jìn)行,并處于最佳狀態(tài),可有效提高蝕刻電路板的蝕刻效果。當(dāng)蝕刻電路板面積超過4000m2后,對退墨缸內(nèi)的液體進(jìn)行更換,同時蝕刻液每月進(jìn)行更換,可確保缸內(nèi)液體活性。
[0011]3、在蝕刻槽內(nèi)添加雙氧水,可使氯化亞銅氧化再生,進(jìn)行回收。
【具體實施方式】
[0012]下面對本發(fā)明做進(jìn)一步的描述,但本發(fā)明的保護(hù)范圍不局限于以下所述。
[0013]【實施例1】:
精細(xì)線路印制板蝕刻工藝,包括以下步驟:
51、開缸配液:對缸體內(nèi)壁進(jìn)行沖洗,將雜物清除干凈,然后向退墨缸內(nèi)加入水至退墨缸體積的1/3,再向退墨缸內(nèi)加入NaOH,再向退墨缸內(nèi)補加清水至缸體要求液位,使得缸體內(nèi)溶液濃度為8% ;向蝕刻槽內(nèi)添加蝕刻液,并使Cu2+的濃度為160g/L、Cl的濃度為210g/L ;
52、開機檢查:包括以下子步驟:
S21、檢查噴嘴:檢查磨板機內(nèi)各噴嘴,確保其噴嘴暢通,且噴嘴與印制板板面垂直; 522、檢查過濾芯:查看磨板機上的各濾芯,確保濾芯內(nèi)無雜物,且及時更換破損的濾芯;
523、檢查吸水棉:確保吸水棉輪保持清潔,并呈半濕潤狀態(tài),且無破損;
53、開機:將磨板機嚴(yán)格按照操作要求啟動,控制傳輸速度為4m/min;
54、首件蝕刻:對每個型號的印制板蝕刻進(jìn)行首件蝕刻,其具體操作步驟如下:
541、表面清洗:將I?3張同型號的印制板依次放在生產(chǎn)線上,對印制板表面進(jìn)行清洗,放入酸性除油液中2min?6min,除去板面上的油脂污染和氧化層,確保板面清潔,烘干;
542、貼干膜,在印制板上貼上銅箔層,需要蝕刻開窗的部分不覆蓋銅箔層,其余為完全覆蓋;貼好銅箔層的印制板外側(cè)再進(jìn)行雙面貼多層干膜;
543、咬蝕:將印制板置于不銹鋼掛籃中并上下固定,將不銹鋼掛籃置入步驟SI所配制的蝕刻槽中,控制蝕刻槽內(nèi)溫度為45°C,噴嘴壓力為2.0kg/cm2,輕輕振蕩5min,待窗口溶解后取出;
544、水洗:將裝有印制板的不銹鋼掛籃用水沖洗,將蝕刻液完全沖掉為止;
545、退墨:將不銹鋼掛籃連同印制板一起放入退墨缸中,控制退墨缸內(nèi)溫度為50°C,噴嘴壓力為2.5kg/cm2,輕輕振蕩lmin,待干膜完全溶解后,取出烘干;
546、檢測:將得到的首件產(chǎn)品放在顯微鏡下觀察窗口下進(jìn)行檢測,然后測試器電氣性會K ;
55、批量生產(chǎn):步驟S46檢測合格后,再將多塊同型號的印制板放在生產(chǎn)線上按照步驟S41?S45進(jìn)行批量生產(chǎn),在批量生產(chǎn)過程中進(jìn)行抽檢。
[0014]在批量生產(chǎn)過程中用比重計對蝕刻液的比重進(jìn)行檢測,當(dāng)蝕刻液比重小于1.1時,則向蝕刻槽中添加Cu2+和Cl,使其比重為1.1o
[0015]所述的蝕刻槽內(nèi)的蝕刻液還加有雙氧水,其中雙氧水的體積占蝕刻液體積的25%。
[0016]【實施例2】:
精細(xì)線路印制板蝕刻工藝,包括以下步驟:
51、開缸配液:對缸體內(nèi)壁進(jìn)行沖洗,將雜物清除干凈,然后向退墨缸內(nèi)加入水至退墨缸體積的1/3,再向退墨缸內(nèi)加入NaOH,再向退墨缸內(nèi)補加清水至缸體要求液位,使得缸體內(nèi)溶液濃度為5% ;向蝕刻槽內(nèi)添加蝕刻液,并使Cu2+的濃度為150g/L、Cl的濃度為200g/L ;
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