半導(dǎo)體晶圓蝕刻后的深孔清洗方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造工藝技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種半導(dǎo)體晶圓蝕刻后的深孔清洗方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)過程中，需要清洗刻蝕出的深孔，而深孔清洗直接關(guān)系著半導(dǎo)體器件的最終功能的實現(xiàn)。深孔通常經(jīng)過干法蝕刻制程形成，刻蝕深度可以達到lOOum。然而，在干法蝕刻過程中會產(chǎn)生聚合物，如果無法在清洗過程中將聚合物完全清洗干凈，就會直接影響后續(xù)鍍金制程中形成的金屬層的導(dǎo)通能力，繼而導(dǎo)致器件的接地性能受到影響，會嚴重影響成品的性能、成品率及可靠性。
[0003]但是，由于深孔的深度較大，現(xiàn)有的深孔清洗技術(shù)難以完全清洗干凈深孔中的聚合物。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供一種半導(dǎo)體晶圓蝕刻后的深孔清洗方法，能夠完全清洗深孔中的聚合物。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個技術(shù)方案是:提供一種半導(dǎo)體晶圓蝕刻后的深孔清洗方法，包括:采用EKC溶液對刻蝕后的半導(dǎo)體晶圓進行第一次清洗，其中，EKC溶液為NMP溶劑和帶有堿性的胺的混合溶液;采用NMP溶劑對所述半導(dǎo)體晶圓進行第二次清洗;采用IPA溶劑對所述半導(dǎo)體晶圓進行第三次清洗;采用純水對所述半導(dǎo)體晶圓進行第四次清洗;對所述半導(dǎo)體晶圓進行干燥。
[0006]優(yōu)選地，所述第一次清洗、第二次清洗、第三次清洗和第四次清洗的方式為浸泡或噴射。
[0007]優(yōu)選地，所述第一次清洗的方式為浸泡時，浸泡時間為30分鐘，浸泡溫度為90°。
[0008]優(yōu)選地，所述第二次清洗的方式為浸泡時，浸泡時間為30分鐘，浸泡溫度為90°。
[0009]優(yōu)選地，所述第二次浸泡的浸泡時間為30分鐘，浸泡溫度為90°。
[0010]優(yōu)選地，所述第三次清洗的方式為浸泡時，浸泡時間為5分鐘。
[0011]優(yōu)選地，所述第四次清洗的方式為浸泡時，浸泡時間為5分鐘。
[0012]優(yōu)選地，所述干燥的方式為旋轉(zhuǎn)甩干或氮氣吹干。
[0013]優(yōu)選地，所述干燥的持續(xù)時間為5分鐘。
[0014]優(yōu)選地，所述NMP溶劑的濃度為95 %以上，所述IPA溶劑的濃度為95 %以上。
[0015]區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本發(fā)明的有益效果是:通過在進行NMP溶劑浸泡之前，進行EKC溶液浸泡，從而能夠完全清洗深孔中的聚合物，保證半導(dǎo)體器件的成品性能、成品率及可靠性。
【附圖說明】
[0016]圖1是本發(fā)明實施例半導(dǎo)體晶圓蝕刻后的深孔清洗方法的流程示意圖。
【具體實施方式】
[0017]下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅是本發(fā)明的一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0018]參見圖1，是本發(fā)明實施例半導(dǎo)體晶圓蝕刻后的深孔清洗方法的流程示意圖。本發(fā)明實施例的深孔清洗方法包括以下步驟:
[0019]S1:采用EKC溶液對刻蝕后的半導(dǎo)體晶圓進行第一次清洗，其中，EKC溶液為NMP溶劑和帶有堿性的胺的混合溶液。
[0020]其中，EKC溶液由于含有NMP(N-甲基吡咯烷酮，N-Methyl pyrrolidon)溶劑并帶有堿性，對半導(dǎo)體晶圓的本體有一定的蝕刻作用，但是通過調(diào)整胺的添加比例，可以在清洗聚合物時起到顯著作用同時能夠避免或者盡量降低蝕刻作用。
[0021 ]在本實施例中，第一次清洗的方式為浸泡或噴射，當清洗方式為浸泡時，浸泡時間為30分鐘，浸泡溫度為90°。
[0022]S2:采用NMP溶劑對所述半導(dǎo)體晶圓進行第二次清洗。
[0023]其中，NMP溶劑為純有機溶劑且不具腐蝕性，可以在清洗聚合物的過程中起到顯著的作用，不會對半導(dǎo)體晶圓本體產(chǎn)生時刻作用?？蛇x地，NMP溶劑的濃度為95 %以上。
[0024]在本實施例中，第二次清洗的方式為浸泡或噴射，當清洗方式為浸泡時，浸泡時間為30分鐘，浸泡溫度為90°。
[0025]通過第二次清洗，可以將第一次清洗后殘余的少量聚合物完全清洗掉。
[0026]S3:采用IPA溶劑對所述半導(dǎo)體晶圓進行第三次清洗。
[0027]其中，可選地，IPA(異丙醇，iso-Propyl alcohol)溶劑的濃度為95%以上。在本實施例中，第三次清洗的方式為浸泡或噴射，當清洗方式為浸泡時，浸泡時間為5分鐘。
[0028]S4:采用純水對所述半導(dǎo)體晶圓進行第四次清洗。
[0029]其中，在本實施例中，第四次清洗的方式為浸泡或噴射，當清洗方式為浸泡時，浸泡時間為5分鐘?？蛇x地，純水為去離子水。
[0030]S5:對所述半導(dǎo)體晶圓進行干燥。
[0031]其中，干燥的方式可以為旋轉(zhuǎn)甩干或氮氣吹干，干燥的持續(xù)時間為5分鐘。
[0032]通過上述方式，本發(fā)明實施例的半導(dǎo)體晶圓蝕刻后的深孔清洗方法通過在進行NMP溶劑浸泡之前，進行EKC溶液浸泡，從而能夠完全清洗深孔中的聚合物，保證半導(dǎo)體器件的成品性能、成品率及可靠性。
[0033]以上所述僅為本發(fā)明的實施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護范圍內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種半導(dǎo)體晶圓蝕刻后的深孔清洗方法，其特征在于，包括: 采用EKC溶液對刻蝕后的半導(dǎo)體晶圓進行第一次清洗，其中，EKC溶液為NMP溶劑和帶有堿性的胺的混合溶液； 采用NMP溶劑對所述半導(dǎo)體晶圓進行第二次清洗； 采用IPA溶劑對所述半導(dǎo)體晶圓進行第三次清洗； 采用純水對所述半導(dǎo)體晶圓進行第四次清洗； 對所述半導(dǎo)體晶圓進行干燥。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶圓蝕刻后的深孔清洗方法，其特征在于，所述第一次清洗、第二次清洗、第三次清洗和第四次清洗的方式為浸泡或噴射。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體晶圓蝕刻后的深孔清洗方法，其特征在于，所述第一次清洗的方式為浸泡時，浸泡時間為30分鐘，浸泡溫度為90°。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體晶圓蝕刻后的深孔清洗方法，其特征在于，所述第二次清洗的方式為浸泡時，浸泡時間為30分鐘，浸泡溫度為90°。5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體晶圓蝕刻后的深孔清洗方法，其特征在于，所述第三次清洗的方式為浸泡時，浸泡時間為5分鐘。6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體晶圓蝕刻后的深孔清洗方法，其特征在于，所述第四次清洗的方式為浸泡時，浸泡時間為5分鐘。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶圓蝕刻后的深孔清洗方法，其特征在于，所述干燥的方式為旋轉(zhuǎn)甩干或氮氣吹干。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體晶圓蝕刻后的深孔清洗方法，其特征在于，所述干燥的持續(xù)時間為5分鐘。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶圓蝕刻后的深孔清洗方法，其特征在于，所述NMP溶劑的濃度為95%以上，所述IPA溶劑的濃度為95%以上。
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體晶圓蝕刻后的深孔清洗方法，其包括：采用EKC溶液對刻蝕后的半導(dǎo)體晶圓進行第一次清洗，其中，EKC溶液為NMP溶劑和帶有堿性的胺的混合溶液；采用NMP溶劑對半導(dǎo)體晶圓進行第二次清洗；采用IPA溶劑對半導(dǎo)體晶圓進行第三次清洗；采用純水對半導(dǎo)體晶圓進行第四次清洗；對半導(dǎo)體晶圓進行干燥。通過上述方式，本發(fā)明能夠完全清洗深孔中的聚合物。
【IPC分類】H01L21/02
【公開號】CN105551942
【申請?zhí)枴緾N201610024141
【發(fā)明人】王超
【申請人】成都海威華芯科技有限公司
【公開日】2016年5月4日
【申請日】2016年1月14日