技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種具有良好兼容性的晶體硅太陽能電池及其制備方法，包括襯底、多晶硅薄膜，襯底與多晶硅薄膜之間設(shè)有鈍化層，鈍化層表面設(shè)有氧化硅薄膜，氧化硅薄膜與多晶硅薄膜之間設(shè)有上電極；多晶硅薄膜上設(shè)有P?n結(jié)，襯底設(shè)置在背面AI電極上；所述多晶硅薄膜為N型多晶硅薄膜，多晶硅薄膜的厚度為5—20微米，所述氧化硅薄膜的厚度為2—20nm，折射率為2.1—2.4；所述襯底為透明襯底。

技術(shù)研發(fā)人員：張杰
受保護的技術(shù)使用者：四川英發(fā)太陽能科技有限公司
文檔號碼：201610696137
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.22
技術(shù)公布日：2016.11.16