本發(fā)明涉及太陽能電池工程領(lǐng)域，具體涉及一種具有良好兼容性的晶體硅太陽能電池。
背景技術(shù)：
光伏行業(yè)的相關(guān)技術(shù)人員為了提高太陽能電池的轉(zhuǎn)化效率，在傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上做了大量的技術(shù)創(chuàng)新及改進，例如已經(jīng)研發(fā)出的一種結(jié)構(gòu)包括表層、緩沖層、含至少一個P-N結(jié)的光吸收區(qū)、過渡層、P或N型區(qū)的集電柵和電極的非晶硅薄膜太陽能電池。這是一種受光面可以得到充分利用的結(jié)構(gòu)，同時由于底部P-N結(jié)的集柵型排布，增加了P-N結(jié)的有效長度，從而提高了薄膜太陽能電池的轉(zhuǎn)化率，然而其結(jié)構(gòu)過于復雜，重復性不好；另一種利用N型晶體硅制成的單面電極太陽能電池，具有合理的結(jié)構(gòu)，較高的轉(zhuǎn)化效率，遠遠優(yōu)于常規(guī)晶硅太陽能電池，然而優(yōu)于硅片的脆性，考慮到產(chǎn)品的良率，在大規(guī)模生產(chǎn)中也不容易達到最理想的尺寸，且不具有良好的兼容性。
技術(shù)實現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的在于提供一種具有良好兼容性的晶體硅太陽能電池及其制備方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中太陽能電池的電池光電轉(zhuǎn)換率低、兼容性差等技術(shù)問題。
本發(fā)明通過下述技術(shù)方案實現(xiàn)：
一種具有良好兼容性的晶體硅太陽能電池，包括襯底、多晶硅薄膜，襯底與多晶硅薄膜之間設(shè)有鈍化層，鈍化層表面設(shè)有氧化硅薄膜，氧化硅薄膜與多晶硅薄膜之間設(shè)有上電極；上電極與多晶硅薄膜之間設(shè)有P型硅基體，多晶硅薄膜上設(shè)有P-n結(jié)，襯底設(shè)置在背面AI電極上。
優(yōu)選，所述多晶硅薄膜為N型多晶硅薄膜，多晶硅薄膜的厚度為5—20微米。
優(yōu)選，所述氧化硅薄膜的厚度為2—20nm，折射率為2.1—2.4。
優(yōu)選，所述鈍化層為透明導電的氧化物薄層，鈍化層的厚度為55—65nm。
優(yōu)選，所述襯底上設(shè)有增加透光率的絨毛層。
優(yōu)選，所述襯底為非晶硅的玻璃層。
一種具有良好兼容性的晶體硅太陽能電池的制備方法，所述晶體硅太陽能電池采用厚度為355—400um的硅片通過PECVD方法制備而得。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有如下的優(yōu)點和有益效果：
本發(fā)明通過設(shè)置鈍化層，在鈍化層上設(shè)置氧化硅薄膜，這種氧化硅薄膜可以釋放在高電勢下氮化硅薄膜中儲存的正電荷，從而具有抗高電勢下衰減的作用，并且提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。
附圖說明
此處所說明的附圖用來提供對本發(fā)明實施例的進一步理解，構(gòu)成本申請的一部分，并不構(gòu)成對本發(fā)明實施例的限定。在附圖中：
圖1為本發(fā)明結(jié)構(gòu)示意圖；
附圖中標記及對應的零部件名稱：
1-襯底，1-1—絨毛層，2-N型多晶硅薄膜，3-上電極，4-背電極，5-鈍化層。
具體實施方式
為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚明白，下面結(jié)合實施例和附圖，對本發(fā)明作進一步的詳細說明，本發(fā)明的示意性實施方式及其說明僅用于解釋本發(fā)明，并不作為對本發(fā)明的限定。
實施例1：
如圖1所示，本實施例一種具有良好兼容性的晶體硅太陽能電池，包括襯底2、多晶硅薄膜6，襯底2與多晶硅薄膜6之間設(shè)有鈍化層3，鈍化層3表面設(shè)有氧化硅薄膜4，氧化硅薄膜4與多晶硅薄膜6之間設(shè)有上電極3；上電極（3）與多晶硅薄膜6之間設(shè)有P型硅基體，多晶硅薄膜6上設(shè)有P-n結(jié)，襯底2設(shè)置在背面AI電極1上。
其中，所述多晶硅薄膜6為N型多晶硅薄膜，多晶硅薄膜6的厚度為5—20微米。
其中，所述氧化硅薄膜4的厚度為2—20nm，折射率為2.1—2.4。
其中，所述鈍化層3為透明導電的氧化物薄層，鈍化層3的厚度為55—65nm。
其中，所述襯底2上設(shè)有增加透光率的絨毛層。
其中，所述襯底2為非晶硅的玻璃層。
一種具有良好兼容性的晶體硅太陽能電池的制備方法，所述晶體硅太陽能電池采用厚度為355—400um的硅片通過PECVD方法制備而得。
采用PECVD方法制備獲得的晶體硅太陽能電池具有良好的兼容性。
以上所述的具體實施方式，對本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進行了進一步詳細說明，所應理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實施方式而已，并不用于限定本發(fā)明的保護范圍，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。