1.一種透明電極，所述透明電極包括：
柔性基底；以及
導(dǎo)電性的非晶合金層，形成在柔性基底上并具有多個(gè)孔隙。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明電極，其中，非晶合金層由多條非晶合金納米線形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的透明電極，其中，每條非晶合金納米線的直徑大于或等于10nm且小于或等于500nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明電極，其中，非晶合金層包括以多個(gè)突起形狀形成的預(yù)設(shè)區(qū)域。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明電極，其中，非晶合金層的厚度厚于或等于5nm且薄于或等于10μm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明電極，其中，柔性基底由從薄玻璃、纖維增強(qiáng)塑料、聚酰亞胺和聚降冰片烯中選擇的至少一種形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明電極，其中，非晶合金層包括被構(gòu)造為設(shè)置在所述多個(gè)孔隙中的保護(hù)層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明電極，其中，非晶合金包括從鐵、銅、鋯、鈦、鉿、鋅、鋁、銀、金、鈷、鎳、鎂、錫、鈀、磷、鈹、鈮、鎵、硅、硼和碳中選擇的至少一種。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明電極，其中，非晶合金層包括通過(guò)非晶合金與氮?dú)庵g的反應(yīng)形成的非晶合金復(fù)合物，
其中，非晶合金復(fù)合物包括以高于或等于10原子百分比且低于或等于90原子百分比的含量存在的晶相，
其中，晶相的每個(gè)晶粒的尺寸大于或等于5nm且小于或等于1000nm。
10.一種制造透明電極的方法，所述方法包括以下步驟：
提供柔性基底；以及
在柔性基底上形成具有多個(gè)孔隙的導(dǎo)電性的非晶合金層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，形成非晶合金層的步驟包括：
提供多條非晶合金納米線；以及
將所述多條非晶合金納米線涂覆在柔性基底上。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，形成非晶合金層的步驟包括：
在柔性基底上形成限定非晶合金沉積區(qū)的圖案；
在形成有所述圖案的柔性基底上沉積非晶合金層；以及
蝕刻除了非晶合金沉積區(qū)之外的區(qū)域。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，在柔性基底上的除了非晶合金沉積區(qū)之外的區(qū)域中涂覆陶瓷復(fù)合物顆粒以形成所述圖案，蝕刻步驟包括蝕刻陶瓷復(fù)合物顆粒。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，形成所述圖案的步驟包括：
使被圖案化成使除了非晶合金沉積區(qū)之外的區(qū)域暴露的膜附著到柔性基底的上表面上；
在膜的暴露區(qū)域中形成與酸反應(yīng)的材料層；以及
去除所述膜。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，形成非晶合金層的步驟包括：
沉積非晶合金層；
將通過(guò)按突起形狀對(duì)除了非晶合金沉積區(qū)之外的區(qū)域進(jìn)行圖案化而形成的模子壓印到沉積的非晶合金層上；以及
蝕刻壓印的非晶合金層的除了非晶合金沉積區(qū)之外的區(qū)域。