本發(fā)明涉及半導體技術領域，具體而言涉及一種半導體器件及其制造方法和電子裝置。

背景技術：

在半導體技術領域中，隨著射頻電路(rf)工作頻率和集成度的提高，襯底材料對電路性能的影響越來越大。絕緣體上硅(soi)襯底因其良好的電學性能和與cmos工藝兼容的特點，在射頻電路等領域得到了廣泛的應用。

現(xiàn)有的雙面薄soi工藝中，由于承載晶圓(carrierwafer)離rf(inductor)的器件比較近，會影響rf器件的性能。

其次，現(xiàn)有的雙面薄soi工藝中，由于承載晶圓(carrierwafer)表面沒有經(jīng)過特殊處理在于底部晶圓接合之后很容易發(fā)生脫落，使器件失效。

因此，為解決現(xiàn)有技術中的上述技術問題，有必要提出一種新的半導體器件及其制造方法和電子裝置。

技術實現(xiàn)要素：

在發(fā)明內(nèi)容部分中引入了一系列簡化形式的概念，這將在具體實施方式部分中進一步詳細說明。本發(fā)明的發(fā)明內(nèi)容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護的技術方案的關鍵特征和必要技術特征，更不意味著試圖確定所要求保護的技術方案的保護范圍。

為了克服目前存在的問題，本發(fā)明實施例一提供了半導體器件的制造方法，所述方法包括：

提供第一襯底，在所述第一襯底的第一表面一側(cè)形成包括晶體管和第一互連結構的前端器件，以及位于所述晶體管外側(cè)的第二互連結構，在所述第一表面上還形成有接合材料層；

提供第二襯底，在所述第二襯底的表面上形成有捕獲層；

通過鍵合工藝將所述捕獲層與所述接合材料層鍵合，以使所述第二襯底與所述第一襯底相接合。

可選地，所述捕獲層包括多晶硅或無定型硅。

可選地，所述接合材料層包括氧化物層。

可選地，所述方法還進一步包括：

從所述第一襯底的與所述第一表面相對的第二表面一側(cè)對所述第一襯底進行減薄處理；

在所述第一襯底的所述第二表面形成與所述第二互連結構中的金屬層電連接的硅通孔；

在所述硅通孔以及部分所述第一襯底的所述第二表面上形成焊盤，所述焊盤與所述硅通孔相連。

可選地，所述方法還進一步包括：

形成覆蓋所述第一襯底的所述第二表面但暴露出所述焊盤的打線區(qū)的鈍化層。

可選地，所述第一襯底為絕緣體上硅襯底，包括自下而上的體硅、氧化埋層和頂層硅。

可選地，所述前端器件還包括形成于所述第一襯底的所述第一表面上的射頻器件。

可選地，在所述前端器件和所述第二互連結構之間還形成有無源器件及其互連結構。

本發(fā)明還提供了一種半導體器件，包括：

第一襯底，在所述第一襯底的第一表面一側(cè)形成有包括晶體管和第一互連結構的前端器件以及位于所述晶體管外側(cè)的第二互連結構；

接合材料層，位于所述第一襯底的所述第一表面上；

第二襯底；

捕獲層，位于所述第二襯底的表面；

其中，所述第二襯底通過捕獲層與所述第一襯底的接合材料層鍵合，以與所述第一襯底相接合。

可選地，所述捕獲層包括多晶硅或無定型硅。

可選地，所述接合材料層包括氧化物層。

本發(fā)明還提供了一種電子裝置，所述電子裝置包括上述的半導體器件。

綜上所述，本發(fā)明為了解決目前工藝中存在的問題，提供了一種半導體器件的制造方法，在所述方法中在所述第一襯底上形成接合材料層，然后在所述第二襯底上形成捕獲層，在鍵合時將所述接合材料層與所述捕獲層相鍵合，以使所述第一襯底和所述第二襯底相接合，所述捕獲層和所述接合材料層之間具有良好的接合性能，從而使所述第一襯底和所述第二襯底的鍵合性能進一步提高，因此提高了器件的性能和良率。

本發(fā)明的半導體器件，由于采用了上述制造方法，因而同樣具有上述優(yōu)點。本發(fā)明的電子裝置，由于采用了上述半導體器件，因而同樣具有上述優(yōu)點。

附圖說明

本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實施例及其描述，用來解釋本發(fā)明的原理。

附圖中：

圖1為本發(fā)明的另一個實施例的一種半導體器件的制造方法的示意性流程圖；

圖2a-圖2e為本發(fā)明的一實施例中的一種半導體器件的制造方法的相關步驟形成的結構的剖視圖；

圖3示出了根據(jù)本發(fā)明一實施方式的電子裝置的示意圖。

具體實施方式

在下文的描述中，給出了大量具體的細節(jié)以便提供對本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對于本領域技術人員而言顯而易見的是，本發(fā)明可以無需一個或多個這些細節(jié)而得以實施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對于本領域公知的一些技術特征未進行描述。

應當理解的是，本發(fā)明能夠以不同形式實施，而不應當解釋為局限于這里提出的實施例。相反地，提供這些實施例將使公開徹底和完全，并且將本發(fā)明的范圍完全地傳遞給本領域技術人員。在附圖中， 為了清楚，層和區(qū)的尺寸以及相對尺寸可能被夸大。自始至終相同附圖標記表示相同的元件。

應當明白，當元件或?qū)颖环Q為“在...上”、“與...相鄰”、“連接到”或“耦合到”其它元件或?qū)訒r，其可以直接地在其它元件或?qū)由?、與之相鄰、連接或耦合到其它元件或?qū)?，或者可以存在居間的元件或?qū)印Ｏ喾?，當元件被稱為“直接在...上”、“與...直接相鄰”、“直接連接到”或“直接耦合到”其它元件或?qū)訒r，則不存在居間的元件或?qū)?。應當明白，盡管可使用術語第一、第二、第三等描述各種元件、部件、區(qū)、層和/或部分，這些元件、部件、區(qū)、層和/或部分不應當被這些術語限制。這些術語僅僅用來區(qū)分一個元件、部件、區(qū)、層或部分與另一個元件、部件、區(qū)、層或部分。因此，在不脫離本發(fā)明教導之下，下面討論的第一元件、部件、區(qū)、層或部分可表示為第二元件、部件、區(qū)、層或部分。

空間關系術語例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在這里可為了方便描述而被使用從而描述圖中所示的一個元件或特征與其它元件或特征的關系。應當明白，除了圖中所示的取向以外，空間關系術語意圖還包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附圖中的器件翻轉(zhuǎn)，然后，描述為“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征將取向為在其它元件或特征“上”。因此，示例性術語“在...下面”和“在...下”可包括上和下兩個取向。器件可以另外地取向(旋轉(zhuǎn)90度或其它取向)并且在此使用的空間描述語相應地被解釋。

在此使用的術語的目的僅在于描述具體實施例并且不作為本發(fā)明的限制。在此使用時，單數(shù)形式的“一”、“一個”和“所述/該”也意圖包括復數(shù)形式，除非上下文清楚指出另外的方式。還應明白術語“組成”和/或“包括”，當在該說明書中使用時，確定所述特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一個或更多其它的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、部件和/或組的存在或添加。在此使用時，術語“和/或”包括相關所列項目的任何及所有組合。

這里參考作為本發(fā)明的理想實施例(和中間結構)的示意圖的橫截面圖來描述發(fā)明的實施例。這樣，可以預期由于例如制造技術和/ 或容差導致的從所示形狀的變化。因此，本發(fā)明的實施例不應當局限于在此所示的區(qū)的特定形狀，而是包括由于例如制造導致的形狀偏差。例如，顯示為矩形的注入?yún)^(qū)在其邊緣通常具有圓的或彎曲特征和/或注入濃度梯度，而不是從注入?yún)^(qū)到非注入?yún)^(qū)的二元改變。同樣，通過注入形成的埋藏區(qū)可導致該埋藏區(qū)和注入進行時所經(jīng)過的表面之間的區(qū)中的一些注入。因此，圖中顯示的區(qū)實質(zhì)上是示意性的，它們的形狀并不意圖顯示器件的區(qū)的實際形狀且并不意圖限定本發(fā)明的范圍。

為了徹底理解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細的步驟以及詳細的結構，以便闡釋本發(fā)明提出的技術方案。本發(fā)明的較佳實施例詳細描述如下，然而除了這些詳細描述外，本發(fā)明還可以具有其他實施方式。

本發(fā)明為了解決目前工藝存在的問題，提供了一種半導體器件的制造方法，所述方法包括：

提供第一襯底，在所述第一襯底的第一表面一側(cè)形成包括晶體管和第一互連結構的前端器件，以及位于所述晶體管外側(cè)的第二互連結構，在所述第一表面上還形成有接合材料層；

提供第二襯底，在所述第二襯底的表面上形成有捕獲層；

通過鍵合工藝將所述捕獲層與所述接合材料層鍵合，以使所述第二襯底與所述第一襯底的形成有所述前端器件的一側(cè)相接合。

其中，所述捕獲層包括多晶硅或無定型硅。

其中，所述接合材料層包括氧化物層。

綜上所述，本發(fā)明為了解決目前工藝中存在的問題，提供了一種半導體器件的制造方法，在所述方法中在所述第一襯底上形成接合材料層，然后在所述第二襯底上形成捕獲層，在鍵合時將所述接合材料層與所述捕獲層相鍵合，以使所述第一襯底和所述第二襯底相接合，所述捕獲層和所述接合材料層之間具有良好的接合性能，從而使所述第一襯底和所述第二襯底的鍵合性能進一步提高，因此提高了器件的性能和良率。

本發(fā)明的半導體器件，由于采用了上述制造方法，因而同樣具有 上述優(yōu)點。本發(fā)明的電子裝置，由于采用了上述半導體器件，因而同樣具有上述優(yōu)點。

實施例一

下面，參照圖1以及圖2a至圖2e來描述本發(fā)明實施例提出的半導體器件的制造方法一個示例性方法的詳細步驟。其中，圖1為本發(fā)明實施例的一種半導體器件的制造方法的示意性流程圖，2a至圖2e為本發(fā)明實施例的一種半導體器件的制造方法的相關步驟形成的結構的剖視圖。

如圖1所示，所述制造方法具體包括以下步驟：

步驟s1：提供第一襯底，在所述第一襯底的第一表面一側(cè)形成包括晶體管和第一互連結構的前端器件，以及位于所述晶體管外側(cè)的第二互連結構，在所述第一表面上還形成有接合材料層；

步驟s2：提供第二襯底，在所述第二襯底的表面上形成有捕獲層；

步驟s3：通過鍵合工藝將所述捕獲層與所述接合材料層鍵合，以使所述第二襯底與所述第一襯底相接合。

本實施例的半導體器件的制造方法，具體包括如下步驟：

首先，執(zhí)行步驟一，提供第一襯底100，在所述第一襯底100的第一表面一側(cè)形成包括晶體管1011和第一互連結構1012的前端器件，以及位于所述晶體管1011外側(cè)的第二互連結構102。

具體地，如圖2a所示，第一襯底100可以是以下所提到的材料中的至少一種：硅、絕緣體上硅(soi)、絕緣體上層疊硅(ssoi)、絕緣體上層疊鍺化硅(s-sigeoi)、絕緣體上鍺化硅(sigeoi)以及絕緣體上鍺(geoi)等。作為示例，本實施例中，第一襯底100為絕緣體上硅(soi)，包括自下而上的體硅1001、氧化埋層1002和頂層硅1003。

其中，所述第一襯底包射頻器件區(qū)域(rf)、集成無源器件區(qū)域(integratedpassivedevice，ipd)和焊盤區(qū)域(pad)，所述前端器件包括射頻器件并形成于所述射頻器件區(qū)域，所述無源器件位于所述集 成無源器件區(qū)域，所述第二互連結構位于所述焊盤區(qū)域。

其中所述第二互連結構102包括金屬層(例如銅層或鋁層)、金屬插塞，其中所述第二互連結構102的底層金屬層1021位于所述第一襯底100的第一表面的上方。

可選地，所述無源器件可以包括金屬-絕緣層-金屬電容(mim)、螺旋電感器等。

作為示例，在第一襯底的第一表面上還形成有射頻器件。在本實施例中，晶體管1011用于構成各種電路，射頻器件用于形成射頻組件或模塊，第一互連結構1012用于連接晶體管1011、射頻器件以及前端器件中的其他組件。

其中，晶體管1011可以為普通晶體管、高k金屬柵極晶體管、鰭型晶體管或其他合適的晶體管。第一互連結構1012可以包括金屬層(例如銅層或鋁層)、金屬插塞等。射頻器件可以包括電感(inductor)等器件。

除包括晶體管1011、射頻器件和第一互連結構1012外，前端器件還可以包括其他各種可行的組件，例如電阻、電容、mems器件等，在此并不進行限定。

其中，前端器件中的各個組件的具體結構和形成方法，本領域的技術人員可以根據(jù)實際需要參照現(xiàn)有技術進行選擇，此處不再贅述。

其中，所述第二互連結構和所述第一互連結構同時形成，其形成方法可以選用常規(guī)的制造方法，例如形成介電層103，然后對所述介電層進行圖案化，以形成開口并選用導電材料填充所述開口，依次形成各個金屬層和通孔，以形成所述互連結構，在形成所述頂部金屬層之后進一步沉積介電層，以覆蓋所述頂部金屬層并平坦化，如圖2a所示。

其中，所述頂部金屬層選用金屬材料al，所述金屬材料al的沉積方法可以為化學氣相沉積(cvd)法、物理氣相沉積(pvd)法或原子層沉積(ald)法等形成的低壓化學氣相沉積(lpcvd)、激光燒蝕沉積(lad)以及選擇外延生長(seg)中的一種，在本發(fā)明中優(yōu)選為物理氣相沉積(pvd)法。

其中，第二互連結構102可在前端器件制作的同時形成，其同樣 包括多層金屬層以及相鄰金屬層之間的通孔。

進一步，在所述第一表面上還形成有接合材料層104，其中所述接合材料層選用氧化物，例如選用sio2等，并不局限于所述示例，其中所述接合材料層104應該具有較好的粘附性能。

接著，執(zhí)行步驟二，提供第二襯底200，在所述第二襯底的表面上形成有捕獲層201。

如圖2b所示，提供第二襯底200，在本實施例中，第二襯底200為承載襯底(carrierwafer)，用于在后續(xù)對第一襯底100進行減薄處理的工藝以及其他后續(xù)工藝中承載和保護前端器件。第二襯底200可以為普通硅襯底或其他合適的襯底，在此并不進行限定。

其中，在所述第二襯底200中與所述第一襯底鍵合一面上形成有捕獲層201(hightraplayer)，以提高所述第二襯底200與所述第一襯底鍵合性能。

可選地，所述捕獲層包括多晶硅或無定型硅。

執(zhí)行步驟三，通過鍵合工藝將所述捕獲層與所述接合材料層鍵合，以使所述第二襯底與所述第一襯底的形成有所述前端器件的一側(cè)相接合。

具體地，如圖2c所示，在該步驟中通過鍵合工藝將所述第二襯底200與所述第一襯底100的形成有所述前端器件的一側(cè)相接合。

通過鍵合工藝將第二襯底200的一側(cè)與第一襯底100的形成有前端器件的一側(cè)(即第一表面一側(cè))相接合(鍵合)，如圖2d所示。其中，鍵合工藝可采用本領域技術人員熟知的任何方法進行，例如氧化物熔融鍵合工藝等。

在所述方法中在所述第一襯底上形成接合材料層，然后在所述第二襯底上形成捕獲層，在鍵合時將所述接合材料層與所述捕獲層相鍵合，以使所述第一襯底和所述第二襯底相接合，所述捕獲層和所述接合材料層之間具有良好的接合性能，從而使所述第一襯底和所述第二襯底的鍵合性能進一步提高，因此提高了器件的性能和良率。

接著，執(zhí)行步驟四，從所述第一襯底的與所述第一表面相對的第二表面一側(cè)對所述第一襯底進行減薄處理。

具體地，如圖2e所示，從第一襯底100的與第一表面相對的第二表面一側(cè)對第一襯底100進行減薄處理。

示例性地，第一襯底100為soi襯底，該減薄處理停止于位于soi襯底內(nèi)的氧化埋層1002之上。該減薄處理可以為cmp(化學機械研磨)或其他合適的方法。

接著，執(zhí)行步驟五，在所述第一襯底的所述第二表面形成與所述第二互連結構中的金屬層電連接的硅通孔。

具體地，如圖2e所示，從所述第一襯底100的所述第二表面開始，刻蝕所述第一襯底100，以形成硅通孔開口。

示例性地，所述第一襯底100為soi襯底時，從所述第一襯底100的所述第二表面開始，依次刻蝕氧化埋層1002和頂層硅1003，以形成所述硅通孔開口。

其中，對于氧化埋層1002的刻蝕既可以采用干法刻蝕也可以采用濕法刻蝕。干法刻蝕能夠采用基于氟化碳氣體的各向異性刻蝕法。濕法刻蝕能夠采用氫氟酸溶液，例如緩沖氧化物蝕刻劑(bufferoxideetchant(boe))或氫氟酸緩沖溶液(buffersolutionofhydrofluoricacid(bhf))，刻蝕停止于所述第二互連結構的金屬層上。

然后填充所述硅通孔開口以形成硅通孔結構，其中，所述硅通孔由內(nèi)向外依次包括導電層、阻擋層和襯里層。

接著，執(zhí)行步驟六，形成覆蓋所述第一襯底的所述第二表面但暴露出所述焊盤的打線區(qū)的鈍化層。

在一個示例中，形成覆蓋所述第一襯底100的所述第二表面但暴露出所述焊盤105的打線區(qū)的鈍化層106。

鈍化層106用于保護第一襯底100以及焊盤105。鈍化層106的材料可以為氮化硅或其他合適的材料?？刹捎没瘜W氣相沉積等方法沉積形成鈍化層106。

至此，完成了本實施例的半導體器件的制造方法的關鍵步驟的介紹。通過上述步驟，形成了雙面薄soi(絕緣體上硅)的結構。接下來還可以根據(jù)現(xiàn)有的各種方法來完成整個半導體器件的制造。

綜上所述，本發(fā)明為了解決目前工藝中存在的問題，提供了一種半導體器件的制造方法，在所述方法中在所述第一襯底上形成接合材料層，然后在所述第二襯底上形成捕獲層，在鍵合時將所述接合材料層與所述捕獲層相鍵合，以使所述第一襯底和所述第二襯底相接合，所述捕獲層和所述接合材料層之間具有良好的接合性能，從而使所述第一襯底和所述第二襯底的鍵合性能進一步提高，因此提高了器件的性能和良率。

本發(fā)明的半導體器件，由于采用了上述制造方法，因而同樣具有上述優(yōu)點。本發(fā)明的電子裝置，由于采用了上述半導體器件，因而同樣具有上述優(yōu)點。

實施例二

本發(fā)明實施例提供一種半導體器件，其采用前述實施例一中的制造方法制備獲得。該半導體器件，可以為包括射頻(rf)器件的集成電路或集成電路中間產(chǎn)品。

下面，參照圖2e來描述本發(fā)明實施例提出的半導體器件的一種結構。其中，圖2e為本發(fā)明實施例的半導體器件的結構的一種剖視圖。

如圖2e所示，本實施例的半導體器件包括：

第一襯底100，在所述第一襯底100的第一表面一側(cè)形成有包括晶體管1011和第一互連結構1012的前端器件以及位于所述晶體管1011外側(cè)的第二互連結構102；

接合材料層104，位于所述第一襯底的所述第一表面上；

第二襯底200；

捕獲層201，位于所述第二襯底的表面；

其中，所述第二襯底通過捕獲層和所述第一襯底的接合材料層鍵合，以與所述第一襯底接合。

其中，第一襯底100可以是以下所提到的材料中的至少一種：硅、絕緣體上硅(soi)、絕緣體上層疊硅(ssoi)、絕緣體上層疊鍺化硅(s-sigeoi)、絕緣體上鍺化硅(sigeoi)以及絕緣體上鍺(geoi)等。作為示例，本實施例中，第一襯底100為絕緣體上硅(soi)，值得注意的是，第一襯底100實際為減薄處理后的絕緣體上硅(soi)。

作為示例，在第一襯底的第一表面上還形成有射頻器件。在本實施例中，晶體管1011用于構成各種電路，射頻器件用于形成射頻組件或模塊，第一互連結構1012用于連接晶體管1011、射頻器件以及前端器件中的其他組件。其中，晶體管1011可以為普通晶體管、高k金屬柵極晶體管、鰭型晶體管或其他合適的晶體管。第一互連結構1012可以包括金屬層(例如銅層或鋁層)、金屬插塞等。射頻器件可以包括電感(inductor)等器件。

除包括晶體管1011、射頻器件和第一互連結構1012外，前端器件還可以包括其他各種可行的組件，例如電阻、電容、mems器件等，在此并不進行限定。前端器件中的各個組件的具體結構和形成方法，本領域的技術人員可以根據(jù)實際需要參照現(xiàn)有技術進行選擇，此處不再贅述。

其中，第二互連結構102可在前端器件制作的同時形成，其同樣包括多層金屬層以及相鄰金屬層之間的通孔。

在所述第一襯底100的與所述第一表面相對的所述第二表面形成有貫穿所述第一襯底100暴露所述第二互連結構的金屬層的開口，在所述開口中形成所述硅通孔。

在一個示例中，本發(fā)明的半導體器件還包括覆蓋所述第一襯底100的所述第二表面形成但暴露出所述焊盤105的打線區(qū)的鈍化層106。

鈍化層106用于保護第一襯底100以及焊盤105。鈍化層106的材料可以為氮化硅或其他合適的材料?？刹捎没瘜W氣相沉積等方法沉積形成鈍化層106。

進一步地，本發(fā)明的半導體器件還包括第二襯底200，所述第二襯底200與所述第一襯底100的形成有所述前端器件的一側(cè)相接合。

在本實施例中，第二襯底200為承載襯底(carrierwafer)，用于 在后續(xù)對第一襯底100進行減薄處理的工藝以及其他后續(xù)工藝中承載和保護前端器件。第二襯底200可以為普通硅襯底或其他合適的襯底，在此并不進行限定。

其中，在所述第二襯底200中與所述第一襯底鍵合一面上形成有捕獲層201(hightraplayer)，以提高所述第二襯底200與所述第一襯底鍵合性能。

可選地，所述捕獲層包括多晶硅或無定型硅。

通過鍵合工藝將所述第二襯底200與所述第一襯底100的形成有所述前端器件的一側(cè)相接合。

通過鍵合工藝將第二襯底200的一側(cè)與第一襯底100的形成有前端器件的一側(cè)(即第一表面一側(cè))相接合(鍵合)，如圖2b所示。其中，鍵合工藝可采用本領域技術人員熟知的任何方法進行，例如氧化物熔融鍵合工藝等。

在所述方法中在所述第一襯底上形成接合材料層，然后在所述第二襯底上形成捕獲層，在鍵合時將所述接合材料層與所述捕獲層相鍵合，以使所述第一襯底和所述第二襯底相接合，所述捕獲層和所述接合材料層之間具有良好的接合性能，從而使所述第一襯底和所述第二襯底的鍵合性能進一步提高，因此提高了器件的性能和良率。

本實施例的半導體器件，可以為射頻前端模塊或其他電路或模塊。由于該半導體器件的性能得到提升，因而可以滿足更多應用環(huán)境下對器件性能的需求。

實施例三

本發(fā)明實施例提供一種電子裝置，其包括電子組件以及與該電子組件電連接的半導體器件。其中，所述半導體器件包括根據(jù)實施例二所述的半導體器件的制造方法制造的半導體器件，或包括實施例一所述的半導體器件。

該電子裝置，可以是手機、平板電腦、筆記本電腦、上網(wǎng)本、游戲機、電視機、vcd、dvd、導航儀、照相機、攝像機、錄音筆、mp3、mp4、psp等任何電子產(chǎn)品或設備，也可以是具有上述半導體器件的中間產(chǎn)品，例如：具有該集成電路的手機主板等。

其中，圖3示出移動電話手機的示例。移動電話手機300被設置有包括在外殼301中的顯示部分302、操作按鈕303、外部連接端口304、揚聲器305、話筒306等。

其中所述移動電話手機包括前述的半導體器件，或根據(jù)實施例一所述的半導體器件的制造方法所制得的半導體器件，所述半導體器件包括第一襯底，在所述第一襯底的第一表面一側(cè)形成有包括晶體管和第一互連結構的前端器件以及位于所述晶體管外側(cè)的第二互連結構；接合材料層，位于所述第一襯底的所述第一表面上；第二襯底；捕獲層，位于所述第二襯底的表面；其中，所述第二襯底通過捕獲層和所述第一襯底的接合材料層鍵合，以與所述第一襯底接合。所述捕獲層和所述接合材料層之間具有良好的接合性能，從而使所述第一襯底和所述第二襯底的鍵合性能進一步提高，因此提高了器件的性能和良率。

本發(fā)明已經(jīng)通過上述實施例進行了說明，但應當理解的是，上述實施例只是用于舉例和說明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實施例范圍內(nèi)。此外本領域技術人員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實施例，根據(jù)本發(fā)明的教導還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護的范圍以內(nèi)。本發(fā)明的保護范圍由附屬的權利要求書及其等效范圍所界定。