技術(shù)編號：12916783
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體而言涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法和電子裝置。背景技術(shù)在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域中，隨著射頻電路(RF)工作頻率和集成度的提高，襯底材料對電路性能的影響越來越大。絕緣體上硅(SOI)襯底因其良好的電學(xué)性能和與CMOS工藝兼容的特點，在射頻電路等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用?，F(xiàn)有的雙面薄SOI工藝中，由于承載晶圓(carrierwafer)離RF(inductor)的器件比較近，會影響RF器件的性能。其次，現(xiàn)有的雙面薄SOI工藝中，由于承載晶圓(carrierwafer)表面沒有經(jīng)過特...
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