本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體而言涉及深溝槽結(jié)構(gòu)的制作方法、半導(dǎo)體器件及電子裝置。

背景技術(shù)：

隨著半導(dǎo)體制程技術(shù)的發(fā)展，深溝槽結(jié)構(gòu)在現(xiàn)今的半導(dǎo)體技術(shù)中得到較為廣泛的應(yīng)用。一般將深度在10μm以上的溝槽稱為深溝槽。深溝槽結(jié)構(gòu)有各種各樣的應(yīng)用，例如，深溝槽可作為隔離結(jié)構(gòu)以隔絕不同操作電壓的電子器件。又如，深溝槽可應(yīng)用于超級(jí)結(jié)mos晶體管(superjunctionmosfet)，作為pn結(jié)通過(guò)耗盡態(tài)的電荷平衡達(dá)到高擊穿電壓性能。

目前，一種深溝槽結(jié)構(gòu)的制作方法包括以下步驟：首先形成深溝槽，并在深溝槽的側(cè)壁上經(jīng)過(guò)熱氧形成側(cè)壁保護(hù)，用于器件的橫向隔離；然后在深槽隔離中填充滿多晶硅。然而，目前這種深溝槽結(jié)構(gòu)的制造方法存在以下缺點(diǎn)：1)由于深溝槽的深寬比較大，其內(nèi)填充的多晶硅間會(huì)有細(xì)縫，如圖1a所示，并且這些細(xì)縫在后面的熱過(guò)程會(huì)重新結(jié)晶形成分布不均的多晶硅晶粒，如圖1b所示。2)填充工藝穩(wěn)定性差。

因此，有必要提出一種新的制作方法，以解決上述問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

在發(fā)明內(nèi)容部分中引入了一系列簡(jiǎn)化形式的概念，這將在具體實(shí)施方式部分中進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。本發(fā)明的發(fā)明內(nèi)容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提出一種深溝槽結(jié)構(gòu)的制作方法， 可以避免填充材料中存在空隙以及分布不均的晶粒，并提高工藝穩(wěn)定性。

為了克服目前存在的問(wèn)題，本發(fā)明一方面提供一種深溝槽結(jié)構(gòu)的制作方法，該方法包括：提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底中形成第一溝槽，并在所述第一溝槽的側(cè)壁上形成間隙壁；在所述半導(dǎo)體襯底中在所述第一溝槽下方形成第二溝槽；通過(guò)熱氧化法在所述第二溝槽的表面和所述第一溝槽靠近所述第二溝槽的部分側(cè)壁上形成氧化層，以使所述間隙壁靠近所述第二溝槽的部分傾斜并封閉所述第二溝槽；填充所述第一溝槽。

進(jìn)一步地，在所述第一溝槽的側(cè)壁上形成間隙壁的步驟包括：在所述第一溝槽側(cè)壁、底部以及所述半導(dǎo)體襯底表面形成間隙壁材料層；刻蝕所述間隙壁材料層形成所述間隙壁。

進(jìn)一步地，所述間隙壁的材料為氮化硅。

進(jìn)一步地，封閉的第二溝槽形成空隙，所述第二溝槽的剖面呈圓形或橢圓形。

本發(fā)明的深溝槽結(jié)構(gòu)制造方法，通過(guò)在第一溝槽之下形成第二溝槽，然后在第二溝槽表層形成氧化層，這樣一方面通過(guò)形成氧化層驅(qū)使第一溝槽側(cè)壁上的間隙壁互相靠近，與氧化層共同封閉第二溝槽，另一方面第二溝槽表面的氧化層和第一溝槽側(cè)壁的間隙壁可以更好地實(shí)現(xiàn)橫向隔離，因而使得第一溝槽的深度可以相對(duì)減小，因此后續(xù)填充第一溝槽時(shí)由于深寬比降低因而填充效果和穩(wěn)定性得到改善。

本發(fā)明另一方面提供一種半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器件包括：半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底中有形成有第一溝槽和位于所述第一溝槽之下的第二溝槽，在所述第一溝槽的側(cè)壁上形成有間隙壁，在所述第二溝槽的表面形成有氧化層，所述間隙壁靠近第二溝槽的部分呈傾斜設(shè)置，并且該部分呈傾斜設(shè)置的間隙壁和所述氧化層將所述第二溝槽封閉，在所述第一溝槽中填充有導(dǎo)電材料/介電材料。

進(jìn)一步地，所述間隙壁的材料為氮化硅。

進(jìn)一步地，封閉的第二溝槽形成空隙，所述第二溝槽的剖面呈圓形或橢圓形。

本發(fā)明提出的半導(dǎo)體器件，由于在第一溝槽側(cè)壁形成間隙壁，在 第一溝槽靠近第二溝槽的部分側(cè)壁上和第二溝槽的表面形成氧化層，從而可以更好地實(shí)現(xiàn)橫向隔離，并且間隙壁靠近第二溝槽的部分呈傾斜設(shè)置，并和氧化層將第二溝槽封閉，這樣后續(xù)只需填充第一溝槽，而第一溝槽的深度由于第二溝槽的存在可以減小，其深度和寬度均能得到良好控制，并且由于間隙壁呈傾斜設(shè)置，第一溝槽的深寬比相對(duì)減小，因而容易實(shí)現(xiàn)良好填充，提高了工藝穩(wěn)定性，以及器件的耐壓性。

本發(fā)明再一方面提供一種電子裝置，其包括一種半導(dǎo)體器件以及與所述半導(dǎo)體器件相連接的電子組件，所述半導(dǎo)體器件包括：半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底中有形成有第一溝槽和位于所述第一溝槽之下的第二溝槽，在所述第一溝槽的側(cè)壁上形成有間隙壁，在所述第二溝槽的表面形成有氧化層，所述間隙壁的一部分呈傾斜設(shè)置，并且該呈傾斜設(shè)置的部分間隙壁和所述氧化層將所述第二溝槽封閉，在所述第一溝槽中填充有導(dǎo)電材料/介電材料。

進(jìn)一步地，所述間隙壁的材料為氮化硅。

進(jìn)一步地，封閉的第二溝槽形成空隙，所述第二溝槽的剖面呈圓形或橢圓形。

本發(fā)明提出的電子裝置，由于具有上述半導(dǎo)體器件，因而具有類似的優(yōu)點(diǎn)。

附圖說(shuō)明

本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施例及其描述，用來(lái)解釋本發(fā)明的原理。

附圖中：

圖1a示出了現(xiàn)有深溝槽結(jié)構(gòu)中填充多晶硅中的細(xì)縫；

圖1b示出了現(xiàn)有深溝槽結(jié)構(gòu)中分布不均勻的多晶硅中晶粒；

圖2示出了根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的深溝槽結(jié)構(gòu)的制作方法的步驟流程圖；

圖3a～圖3d示出了根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的深溝槽結(jié)構(gòu)的制作方法依次實(shí)施各步驟所獲得深溝槽結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；

圖4示出了根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對(duì)本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見(jiàn)的是，本發(fā)明可以無(wú)需一個(gè)或多個(gè)這些細(xì)節(jié)而得以實(shí)施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對(duì)于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn)行描述。

應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明能夠以不同形式實(shí)施，而不應(yīng)當(dāng)解釋為局限于這里提出的實(shí)施例。相反地，提供這些實(shí)施例將使公開(kāi)徹底和完全，并且將本發(fā)明的范圍完全地傳遞給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為了清楚，層和區(qū)的尺寸以及相對(duì)尺寸可能被夸大自始至終相同附圖標(biāo)記表示相同的元件。

應(yīng)當(dāng)明白，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為“在…上”、“與…相鄰”、“連接到”或“耦合到”其它元件或?qū)訒r(shí)，其可以直接地在其它元件或?qū)由稀⑴c之相鄰、連接或耦合到其它元件或?qū)樱蛘呖梢源嬖诰娱g的元件或?qū)?。相反，?dāng)元件被稱為“直接在…上”、“與…直接相鄰”、“直接連接到”或“直接耦合到”其它元件或?qū)訒r(shí)，則不存在居間的元件或?qū)?。?yīng)當(dāng)明白，盡管可使用術(shù)語(yǔ)第一、第二、第三等描述各種元件、部件、區(qū)、層和/或部分，這些元件、部件、區(qū)、層和/或部分不應(yīng)當(dāng)被這些術(shù)語(yǔ)限制。這些術(shù)語(yǔ)僅僅用來(lái)區(qū)分一個(gè)元件、部件、區(qū)、層或部分與另一個(gè)元件、部件、區(qū)、層或部分。因此，在不脫離本發(fā)明教導(dǎo)之下，下面討論的第一元件、部件、區(qū)、層或部分可表示為第二元件、部件、區(qū)、層或部分。

空間關(guān)系術(shù)語(yǔ)例如“在…下”、“在…下面”、“下面的”、“在…之下”、“在…之上”、“上面的”等，在這里可為了方便描述而被使用從而描述圖中所示的一個(gè)元件或特征與其它元件或特征的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)明白，除了圖中所示的取向以外，空間關(guān)系術(shù)語(yǔ)意圖還包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附圖中的器件翻轉(zhuǎn)，然后，描述為“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征將取向?yàn)樵谄渌蛱卣鳌吧稀薄Ｒ虼?，示例性術(shù)語(yǔ)“在…下面”和“在…下”可包括上和下兩個(gè)取向。器件可以另外地取向(旋轉(zhuǎn)90度或其它取向)并且在此使用的空間描述語(yǔ)相應(yīng)地被解釋。

在此使用的術(shù)語(yǔ)的目的僅在于描述具體實(shí)施例并且不作為本發(fā)明的限制。在此使用時(shí)，單數(shù)形式的“一”、“一個(gè)”和“所述/該”也意圖包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚指出另外的方式。還應(yīng)明白術(shù)語(yǔ)“組成”和/或“包括”，當(dāng)在該說(shuō)明書(shū)中使用時(shí)，確定所述特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一個(gè)或更多其它的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、部件和/或組的存在或添加。在此使用時(shí)，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括相關(guān)所列項(xiàng)目的任何及所有組合。

為了解決前述問(wèn)題，克服現(xiàn)有深溝槽填充中容易出現(xiàn)細(xì)縫以及分布不均的晶粒，本發(fā)明提供一種深溝槽結(jié)構(gòu)的制作方法，該方法包括：提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底中形成第一溝槽，并在所述第一溝槽的側(cè)壁上形成間隙壁；在所述半導(dǎo)體襯底中在所述第一溝槽下方形成第二溝槽；通過(guò)熱氧化法在所述第二溝槽的表面和所述第一溝槽靠近所述第二溝槽的部分側(cè)壁上形成氧化層，以使所述間隙壁靠近所述第二溝槽的部分傾斜并封閉所述第二溝槽；填充所述第一溝槽。

本發(fā)明的深溝槽結(jié)構(gòu)的制造方法，通過(guò)在第一溝槽之下形成第二溝槽，然后在第二溝槽表層和所述第一溝槽靠近所述第二溝槽的部分側(cè)壁上形成氧化層，以使所述間隙壁靠近所述第二溝槽的部分傾斜并封閉所述第二溝槽，這樣一方面通過(guò)形成氧化層驅(qū)使第一溝槽側(cè)壁上的間隙壁互相靠近，使部分間隙壁傾斜，并與氧化層共同封閉第二溝槽，另一方面第二溝槽表面的氧化層和第一溝槽側(cè)壁的間隙壁可以更好地實(shí)現(xiàn)橫向隔離，因而使得第一溝槽的深度可以相對(duì)減小，并且由于第一溝槽的部分間隙壁傾斜，使得第一溝槽的深寬比相對(duì)減小，因此后續(xù)填充第一溝槽時(shí)由于深寬比降低因而填充效果和穩(wěn)定性得到改善。

為了徹底理解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細(xì)的結(jié)構(gòu)及步驟，以便闡釋本發(fā)明提出的技術(shù)方案。本發(fā)明的較佳實(shí)施例詳細(xì)描述如下，然而除了這些詳細(xì)描述外，本發(fā)明還可以具有其他實(shí)施方式。

實(shí)施例一

下面將參照?qǐng)D2以及圖3a～圖3d對(duì)本發(fā)明一實(shí)施方式的深溝槽結(jié)構(gòu)的制作方法做詳細(xì)描述。

首先，執(zhí)行步驟201：提供半導(dǎo)體襯底300，在所述半導(dǎo)體襯底中形成第一溝槽303，并形成覆蓋所述半導(dǎo)體襯底300表面和所述第一溝槽303表面的間隙壁材料層304，所形成的結(jié)構(gòu)如圖3a所示。

其中，其中，半導(dǎo)體襯底300可以是以下所提到的材料中的至少一種：si、ge、sige、sic、sigec、inas、gaas、inp或者其它iii/v化合物半導(dǎo)體，還包括這些半導(dǎo)體構(gòu)成的多層結(jié)構(gòu)等或者為絕緣體上硅(soi)、絕緣體上層疊硅(ssoi)、絕緣體上層疊鍺化硅(s-sigeoi)、絕緣體上鍺化硅(sigeoi)以及絕緣體上鍺(geoi)等。作為示例，在本實(shí)施例中，半導(dǎo)體襯底300的構(gòu)成材料選用單晶硅。

第一溝槽303為深溝槽，示例性比如深度為15μm，其通過(guò)如下步驟形成：在所述半導(dǎo)體襯底300上墊底氧化層301，所述墊底氧化層301示例性地為二氧化硅層，其通過(guò)熱氧化法形成，厚度為作為后續(xù)氮化硅層的應(yīng)力緩沖層；在所述墊底氧化層301上形成氮化硅層302，所述氮化硅層302通過(guò)cvd方法形成，厚度為在后續(xù)深溝槽填充中保護(hù)有源區(qū)，并可作為后續(xù)cmp的阻擋層；刻蝕所述墊底氧化層(padoxide)301和氮化硅層302，即通過(guò)光刻技術(shù)圖形化有源區(qū)，并通過(guò)合適的諸如干法刻蝕或濕法刻蝕的方法刻蝕所述墊底氧化層301和氮化硅層302，然后以所述墊底氧化層301和氮化硅層302為掩膜刻蝕半導(dǎo)體襯底300形成所述第一溝槽303。

示例性地，在本實(shí)施例中，為了提高后續(xù)工藝的選擇性，間隙壁材料層304采用氮化硅，其可以通過(guò)本領(lǐng)域常用的pvd、cvd、ald等方法形成。當(dāng)然，間隙壁材料層304并不局限于氮化硅，而可以是其他合適的材料。

接著，執(zhí)行步驟202，刻蝕所述間隙壁材料層304以在所述第一溝槽303的側(cè)壁上形成間隙壁305，并且在所述第一溝槽303之下形成第二溝槽306，所形成結(jié)構(gòu)如圖3b所示。

示例性，在本實(shí)施例中，首先通過(guò)合適的刻蝕工藝刻蝕所述間隙壁材料層304，以去除間隙壁材料層304位于所述氮化硅層302之上的部分位于所述第一溝槽303底部分部分，從而在第一溝槽303的側(cè) 壁上形成間隙壁305。所述刻蝕工藝包括可以為濕法蝕刻工藝或干法蝕刻工藝，干法蝕刻工藝包括但不限于：反應(yīng)離子蝕刻(rie)、離子束蝕刻、等離子體蝕刻或者激光切割。所述干法蝕刻的源氣體可以包括cf4、chf3或其他碳氟化合物氣體。

示例性，在本實(shí)施中，采用干法刻蝕工藝對(duì)隔離結(jié)構(gòu)303執(zhí)行回蝕刻，且作為示例，在本實(shí)施例中，所述蝕刻為干法蝕刻，所述干法蝕刻的工藝參數(shù)包括：蝕刻氣體包含cf4、chf3等氣體，其流量分別為50sccm～500sccm、10sccm～100sccm，壓力為2mtorr～50mtorr，其中，sccm代表立方厘米/分鐘，mtorr代表毫毫米汞柱。

然后，以所述間隙壁305為掩膜，刻蝕所述第一溝槽303之下的半導(dǎo)體襯底，以在第一溝槽303之下形成第二溝槽306。所述刻蝕工藝采用各向同性刻蝕工藝完成，比如采用各向同性干法蝕刻工藝或濕法刻蝕工藝。比如通過(guò)合適濃度的氫氟酸和硝酸混合物，并通過(guò)控制刻蝕時(shí)間來(lái)控制第二溝槽306的深度和形狀。示例性，在本實(shí)施例中，第二溝槽306的形狀為圓形或橢圓形，從而使其表面積較大。

接著，執(zhí)行步驟103，通過(guò)熱氧化法在所述第二溝槽306的表面和所述第一溝槽的部分側(cè)壁上形成氧化層307，以使所述第一溝槽的部分間隙壁傾斜，并封閉所述第二溝槽306，所形成的結(jié)構(gòu)如圖3c所示。

示例性，在本實(shí)施例中，通過(guò)熱氧化法在所述第二溝槽306的表面形成氧化層307，比如向第二溝槽306中通入氧或含氧物質(zhì)，同時(shí)進(jìn)行加熱，第二溝槽306表面的硅與氧反應(yīng)轉(zhuǎn)變?yōu)檠趸?，同時(shí)第一溝槽303和第二溝槽306交界處的硅，即第一溝槽303的部分側(cè)壁也與氧反應(yīng)轉(zhuǎn)變?yōu)檠趸?，由于硅轉(zhuǎn)變氧化物后體積增大，因而驅(qū)使第一溝槽303側(cè)壁上的間隙壁306彼此靠近，使得溝槽靠下的間隙壁傾斜，并且與第二溝槽表面的氧化層307一起封閉所述第二溝槽306從而形成空隙。

最后，執(zhí)行步驟104，填充所述第一溝槽303，所形成的結(jié)構(gòu)如圖3d所示。

示例性，在本實(shí)施例中，通過(guò)本領(lǐng)域常用的pvd、cvd、ald工藝向第一溝槽303中填充多晶硅308，從而形成深溝槽隔離結(jié)構(gòu)。

可以理解的是，雖然在本是實(shí)施例中，向第一溝槽303中填充的是多晶硅，但是在其他實(shí)施例中，也可以填充其他導(dǎo)電材料或介電材料。

至此，完成了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的方法實(shí)施的工藝步驟，可以理解的是，本實(shí)施例深溝槽結(jié)構(gòu)的制作方法不僅包括上述步驟，在上述步驟之前、之中或之后還可包括其他需要的步驟，比如后續(xù)還可以包括平坦化步驟、墊底氧化層301和淡化硅層302的去除步驟，其都包括在本實(shí)施例的制作方法的范圍內(nèi)。

可以理解的是，本發(fā)明提出的深溝槽結(jié)構(gòu)的制作方法，可以適用于各種需要深溝槽結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件，比如深溝槽隔離結(jié)構(gòu)，或深溝槽電容。

本實(shí)施例的深溝槽結(jié)構(gòu)的制作方法，通過(guò)在第一溝槽之下形成第二溝槽，然后在第二溝槽表層和第一溝槽的部分側(cè)壁上形成氧化層，這樣一方面通過(guò)形成氧化層驅(qū)使第一溝槽側(cè)壁上的間隙壁互相靠近，使部分間隙壁傾斜，并與氧化層共同封閉第二溝槽，另一方面第二溝槽表面的氧化層和第一溝槽側(cè)壁的間隙壁可以更好地實(shí)現(xiàn)橫向隔離，因而使得第一溝槽的深度可以相對(duì)減小，并且由于第一溝槽的部分間隙壁傾斜，因而使得第一溝槽的深寬比相對(duì)減小，因此后續(xù)填充第一溝槽時(shí)由于深寬比降低因而填充效果和穩(wěn)定性得到改善。

進(jìn)一步地，由于第二溝槽呈圓形或橢圓形，因而其橫向面積較大，這樣可以更好地實(shí)現(xiàn)橫向隔離，避免相鄰器件的干擾，提高了器件的耐壓性。

此外，本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制作方法，第一溝槽部分間隙壁的傾斜，是通過(guò)第二溝槽表層和第一溝槽部分側(cè)壁的氧化過(guò)程中的體積增大驅(qū)動(dòng)形成，與直接形成傾斜的間隙壁相比，工藝難度和成本相比低很多。

實(shí)施例二

本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體器件，如圖4所示，該半導(dǎo)體器件包括： 半導(dǎo)體襯底400，在所述半導(dǎo)體襯底400中有形成有第一溝槽401和位于所述第一溝槽401之下的第二溝槽402，在所述第一溝槽401的側(cè)壁上形成有間隙壁403，在所述第二溝槽402的表面和所述第一溝槽401的靠近第二溝槽402的部分側(cè)壁上形成有氧化層404，所述間隙壁403靠近所述第二溝槽402的部分呈傾斜設(shè)置，并且和所述氧化層404將所述第二溝槽402封閉，封閉的第二溝槽形成空隙，在所述第一溝槽401中填充有導(dǎo)電材料/介電材料405。

示例性地，所述間隙壁403為氮化硅。

示例性，所述第二溝槽402的剖面呈圓形或橢圓形。

進(jìn)一步，該半導(dǎo)體器件還包括覆蓋其中一個(gè)第三介電層403的柵極材料層405。

其中半導(dǎo)體襯底400可以是以下所提到的材料中的至少一種：si、ge、sige、sic、sigec、inas、gaas、inp或者其它iii/v化合物半導(dǎo)體，還包括這些半導(dǎo)體構(gòu)成的多層結(jié)構(gòu)等或者為絕緣體上硅(soi)、絕緣體上層疊硅(ssoi)、絕緣體上層疊鍺化硅(s-sigeoi)、絕緣體上鍺化硅(sigeoi)以及絕緣體上鍺(geoi)等。半導(dǎo)體襯底上可以形成有器件，例如nmos和/或pmos等。同樣，半導(dǎo)體襯底中還可以形成有導(dǎo)電構(gòu)件，導(dǎo)電構(gòu)件可以是晶體管的柵極、源極或漏極，也可以是與晶體管電連接的金屬互連結(jié)構(gòu)，等等。此外，在半導(dǎo)體襯底中還可以形成有隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)為淺溝槽隔離(sti)結(jié)構(gòu)或者局部氧化硅(locos)隔離結(jié)構(gòu)作為示例。在本實(shí)施例中，半導(dǎo)體襯底400的構(gòu)成材料選用單晶硅。

本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件，由于將深溝槽分為第一溝槽和第二溝槽，并在第一溝槽側(cè)壁形成間隙壁，在第一溝槽靠近第二溝槽的部分側(cè)壁和第二溝槽表面形成氧化層，以實(shí)現(xiàn)橫向隔離，并且間隙壁靠近第二溝槽的部分呈傾斜設(shè)置，該部分和第二溝槽表面的氧化層將第二溝槽封閉，這樣后續(xù)只需填充第一溝槽，而第一溝槽的深度由于第二溝槽的存在可以減小，其深度和寬度均能得到良好控制，且由于間隙壁靠近第二溝槽的部分呈傾斜設(shè)置，因而使得第一溝槽的深寬比相對(duì)減小，因而容易實(shí)現(xiàn)良好填充，提高了工藝穩(wěn)定性，以及器件的耐壓性。

實(shí)施例三

本發(fā)明的再一個(gè)實(shí)施例提供一種電子裝置，包括半導(dǎo)體器件以及與所述半導(dǎo)體器件相連的電子組件。其中，該半導(dǎo)體器件包括：半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底中有形成有第一溝槽和位于所述第一溝槽之下的第二溝槽，在所述第一溝槽的側(cè)壁上形成有間隙壁，在所述第二溝槽的表面形成有氧化層，所述間隙壁和所述氧化層將所述第二溝槽封閉，封閉的第二溝槽形成空隙，在所述第一溝槽中填充有導(dǎo)電材料/介電材料。

進(jìn)一步地，所述間隙壁為氮化硅。

進(jìn)一步地，所述第二溝槽的剖面呈圓形或橢圓形。

其中半導(dǎo)體襯底可以是以下所提到的材料中的至少一種：si、ge、sige、sic、sigec、inas、gaas、inp或者其它iii/v化合物半導(dǎo)體，還包括這些半導(dǎo)體構(gòu)成的多層結(jié)構(gòu)等或者為絕緣體上硅(soi)、絕緣體上層疊硅(ssoi)、絕緣體上層疊鍺化硅(s-sigeoi)、絕緣體上鍺化硅(sigeoi)以及絕緣體上鍺(geoi)等。半導(dǎo)體襯底上可以形成有器件，例如nmos和/或pmos等。同樣，半導(dǎo)體襯底中還可以形成有導(dǎo)電構(gòu)件，導(dǎo)電構(gòu)件可以是晶體管的柵極、源極或漏極，也可以是與晶體管電連接的金屬互連結(jié)構(gòu)，等等。此外，在半導(dǎo)體襯底中還可以形成有隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)為淺溝槽隔離(sti)結(jié)構(gòu)或者局部氧化硅(locos)隔離結(jié)構(gòu)作為示例。在本實(shí)施例中，半導(dǎo)體襯底的構(gòu)成材料選用單晶硅。

其中，該電子組件，可以為分立器件、集成電路等任何電子組件。

本實(shí)施例的電子裝置，可以是手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦、上網(wǎng)本、游戲機(jī)、電視機(jī)、vcd、dvd、導(dǎo)航儀、照相機(jī)、攝像機(jī)、錄音筆、mp3、mp4、psp等任何電子產(chǎn)品或設(shè)備，也可為任何包括該半導(dǎo)體器件的中間產(chǎn)品。

本發(fā)明實(shí)施例的電子裝置，由于使用了上述的半導(dǎo)體器件，因而同樣具有上述優(yōu)點(diǎn)。

本發(fā)明已經(jīng)通過(guò)上述實(shí)施例進(jìn)行了說(shuō)明，但應(yīng)當(dāng)理解的是，上述實(shí)施例只是用于舉例和說(shuō)明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述 的實(shí)施例范圍內(nèi)。此外本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施例，根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍以內(nèi)。本發(fā)明的保護(hù)范圍由附屬的權(quán)利要求書(shū)及其等效范圍所界定。