技術(shù)編號(hào):12837962
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,具體而言涉及深溝槽結(jié)構(gòu)的制作方法、半導(dǎo)體器件及電子裝置。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體制程技術(shù)的發(fā)展,深溝槽結(jié)構(gòu)在現(xiàn)今的半導(dǎo)體技術(shù)中得到較為廣泛的應(yīng)用。一般將深度在10μm以上的溝槽稱為深溝槽。深溝槽結(jié)構(gòu)有各種各樣的應(yīng)用,例如,深溝槽可作為隔離結(jié)構(gòu)以隔絕不同操作電壓的電子器件。又如,深溝槽可應(yīng)用于超級(jí)結(jié)MOS晶體管(superjunctionMOSFET),作為PN結(jié)通過(guò)耗盡態(tài)的電荷平衡達(dá)到高擊穿電壓性能。目前,一種深溝槽結(jié)構(gòu)的制作方法包括以下步驟:首先形成深溝槽,并在深溝槽的側(cè)壁...
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