本發(fā)明是有關(guān)于一種保護(hù)裝置，特別是有關(guān)于一種具有二極管結(jié)構(gòu)的保護(hù)裝置。

背景技術(shù)：

一般而言，每一集成電路由許多半導(dǎo)體電路所構(gòu)成。部分半導(dǎo)體電路的操作電壓可能相同。因此，具有相同操作電壓的半導(dǎo)體電路的電源端或接地端會(huì)被耦接在一起。然而，當(dāng)一電源端或接地端的位準(zhǔn)改變時(shí)，將會(huì)影響到其它電源端或接地端的位準(zhǔn)，因而影響相對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體電路的操作。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種保護(hù)裝置，包括一基底、一第一摻雜區(qū)、一第一井區(qū)、一第二摻雜區(qū)、一第三摻雜區(qū)、一第四摻雜區(qū)、一第二井區(qū)、一第五摻雜區(qū)以及一第六摻雜區(qū)?；拙哂幸坏谝粚?dǎo)電型。第一摻雜區(qū)設(shè)置在基底中，并具有一第二導(dǎo)電型。第一井區(qū)設(shè)置在第一摻雜區(qū)中，并具有第一導(dǎo)電型。第二摻雜區(qū)設(shè)置在第一摻雜區(qū)中，并未接觸第一井區(qū)，并且具有第二導(dǎo)電型。第三摻雜區(qū)設(shè)置在第一井區(qū)中，并具有第一導(dǎo)電型。第四摻雜區(qū)設(shè)置在第一井區(qū)中，并具有第二導(dǎo)電型。第二井區(qū)設(shè)置在基底中，并具有第二導(dǎo)電型。第五摻雜區(qū)設(shè)置在第二井區(qū)中，并具有第一導(dǎo)電型。第六摻雜區(qū)設(shè)置在第二井區(qū)中，并具有第二導(dǎo)電型。

本發(fā)明更提供一種操作系統(tǒng)，包括一第一半導(dǎo)體電路、一第二半導(dǎo)體電路以及一保護(hù)裝置。第一半導(dǎo)體電路耦接一第一電源端以及一第一接地端，用以接收一第一操作電壓以及一第二操作電壓。第一操作電壓大于第二操作電壓。第二半導(dǎo)體電路耦接一第二電源端以及一第二接地端，用以接收一第三操作電壓以及一第四操作電壓。第三操作電壓大于第四操作電壓。保護(hù)裝置耦接第一、第二電源端、第一及第二接地端的至少一者，并包括一基底、一第一摻雜區(qū)、一第一井區(qū)、一第二摻雜區(qū)、一第三摻 雜區(qū)、一第四摻雜區(qū)、一第二井區(qū)、一第五摻雜區(qū)以及一第六摻雜區(qū)?；拙哂幸坏谝粚?dǎo)電型。第一摻雜區(qū)設(shè)置在基底中，并具有一第二導(dǎo)電型。第一井區(qū)設(shè)置在第一摻雜區(qū)中，并具有第一導(dǎo)電型。第二摻雜區(qū)設(shè)置在第一摻雜區(qū)中，并未接觸第一井區(qū)，并且具有第二導(dǎo)電型。第三摻雜區(qū)設(shè)置該第一井區(qū)中，并具有第一導(dǎo)電型。第四摻雜區(qū)設(shè)置在第一井區(qū)中，并具有第二導(dǎo)電型。第二井區(qū)設(shè)置在基底中，并具有第二導(dǎo)電型。第五摻雜區(qū)設(shè)置在第二井區(qū)中，并具有第一導(dǎo)電型。第六摻雜區(qū)設(shè)置在第二井區(qū)中，并具有第二導(dǎo)電型。

本發(fā)明實(shí)施例具有的保護(hù)裝置耦接于兩半導(dǎo)體電路的之間，用以避免其中之一接地端的電壓位準(zhǔn)影響到另外一個(gè)的電壓位準(zhǔn)。通過(guò)保護(hù)裝置中二極管的電連接，當(dāng)一電源端或接地端的電壓位準(zhǔn)改變時(shí)，不會(huì)影響到其他電源端或接地端的電壓位準(zhǔn)。

為讓本發(fā)明的特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉出較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說(shuō)明如下。

附圖說(shuō)明

圖1a～圖1c為本發(fā)明的操作系統(tǒng)的實(shí)施例。

圖2a～圖2c、圖3a～圖3c為本發(fā)明的保護(hù)裝置的實(shí)施例。

附圖標(biāo)號(hào)：

100a、100b、100c：操作系統(tǒng)；

110、120：半導(dǎo)體電路；

130a、130b、130c、200a、200b、200c、300a、300b、300c：保護(hù)裝置；

151、152：電源端；

161、162：接地端；

170：輸入輸出墊；

vdd_io、vss_io、vdd_core、vss_core：操作電壓；

131a、131b、131c：二極管串

d1～d9、251～254：二極管；

210：基底；

221～229、261～264：摻雜區(qū)；

231～233、270、292：井區(qū)；

241～246、281～284：隔離物；

ln1～ln6：導(dǎo)線；

291：埋層；

310、320、330、340：區(qū)塊。

具體實(shí)施方式

圖1a為本發(fā)明的操作系統(tǒng)的一實(shí)施例。如圖所示，操作系統(tǒng)100a包括半導(dǎo)體電路110、120以及一保護(hù)裝置130a。半導(dǎo)體電路110耦接一電源端151以及一接地端161。電源端151用以接收一操作電壓vdd_io。接地端161用以接收另一操作電壓vss_io。在本實(shí)施例中，操作電壓vdd_io大于操作電壓vss_io。

半導(dǎo)體電路120耦接一電源端152以及一接地端162。電源端152用以接收一操作電壓vdd_core。接地端162用以接收另一操作電壓vss_core。在本實(shí)施例中，操作電壓vdd_core大于操作電壓vss_core。在另一實(shí)施例中，操作電壓vdd_io相似操作電壓vdd_core，并且操作電壓vss_io相似操作電壓vss_core。

保護(hù)裝置130a耦接在接地端161與162之間，用以避免接地端161的位準(zhǔn)影響接地端162的位準(zhǔn)。在本實(shí)施例中，保護(hù)裝置130a具有一二極管串131a。二極管串131a包括二極管d1與d2。二極管d1的陽(yáng)極耦接接地端161，其陰極耦接二極管d2的陽(yáng)極。二極管d2的陰極耦接接地端162。當(dāng)接地端161所接收到的操作電壓vss_io的位準(zhǔn)上升時(shí)，接地端162所接收到的操作電壓vss_core的位準(zhǔn)不會(huì)受到影響。本發(fā)明并不限定二極管串131a的二極管數(shù)量。在其它實(shí)施例中，二極管串131a具有3個(gè)或以上的二極管。

在本實(shí)施例中，在二極管串131a的多個(gè)二極管中，一第一二極管的種類不同于一第二二極管的種類。舉例而言，二極管d1是n+/pw二極管，而二極管d2是p+/nw二極管。在另一實(shí)施例中，二極管d1是p+/nw二極管，而二極管d2是n+/pw二極管。在其它實(shí)施例中，當(dāng)二極管串131a具有多個(gè)二極管時(shí)，則多個(gè)二極管中的至少一者為n+/pw二極管，而其余的二極管的至少一者為p+/nw二極管。稍后將說(shuō)明n+/pw二極管與p+/nw二極管的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。

在一些實(shí)施例中，保護(hù)裝置130a更包括一二極管d3，但并非用以限制本發(fā)明。在其它實(shí)施例中，二極管d3可被省略。二極管d3用以避免接地端162的一靜電放 電電流進(jìn)入接地端161，因而影響半導(dǎo)體電路110的運(yùn)作。在本實(shí)施例中，二極管d3的陽(yáng)極耦接接地端162，其陰極耦接接地端161。

圖1b為本發(fā)明的操作系統(tǒng)的另一實(shí)施例。圖1b相似圖1a，不同之處在于，圖1b的保護(hù)裝置130b耦接于電源端151與152之間，用以避免操作電壓vdd_io影響操作電壓vdd_core。由于保護(hù)裝置130b的結(jié)構(gòu)與動(dòng)作原理與圖1a的保護(hù)裝置130a相似，故不再贅述。

圖1c為本發(fā)明的操作系統(tǒng)的另一實(shí)施例。圖1c相似圖1a，不同之處在于，圖1c的保護(hù)裝置130c耦接于電源端151與一輸入輸出墊170之間，用以避免輸入輸出墊170的位準(zhǔn)影響操作電壓vdd_io的位準(zhǔn)。由于保護(hù)裝置130c的結(jié)構(gòu)與動(dòng)作原理與圖1a的保護(hù)裝置130a相似，故不再贅述。

圖2a為本發(fā)明的保護(hù)裝置的一實(shí)施例。如圖所示，保護(hù)裝置200a包括一基底210、摻雜區(qū)221～226、井區(qū)231～232以及隔離物241～245?；?10具有一第一導(dǎo)電型。基底210可為一半導(dǎo)體基板，例如硅基板。此外，上述半導(dǎo)體基板亦可為元素半導(dǎo)體，包括鍺(germanium)；化合物半導(dǎo)體，包括碳化硅(siliconcarbide)、砷化鎵(galliumarsenide)、磷化鎵(galliumphosphide)、磷化銦(indiumphosphide)、砷化銦(indiumarsenide)及/或銻化銦(indiumantimonide)；合金半導(dǎo)體，包括硅鍺合金(sige)、磷砷鎵合金(gaasp)、砷鋁銦合金(alinas)、砷鋁鎵合金(algaas)、砷銦鎵合金(gainas)、磷銦鎵合金(gainp)及/或磷砷銦鎵合金(gainasp)或上述材料的組合。此外，基底210也可以是絕緣層上覆半導(dǎo)體(semiconductoroninsulator)。在一實(shí)施例中，此基底210可為未摻雜的基板。然而，在其它實(shí)施例中，基底210亦可為輕摻雜的基板，例如輕摻雜的p型或n型基板。

摻雜區(qū)221設(shè)置在基底210中，并具有一第二導(dǎo)電型。第一導(dǎo)電型與第二導(dǎo)電型相異。舉例而言，當(dāng)?shù)谝粚?dǎo)電型為p型時(shí)，則第二導(dǎo)電型為n型。相反地，當(dāng)?shù)谝粚?dǎo)電型為n型時(shí)，則第二導(dǎo)電型為p型。在一實(shí)施例中，摻雜區(qū)221可通過(guò)離子注入步驟形成。例如，當(dāng)此第二導(dǎo)電型為n型時(shí)，可于預(yù)定形成摻雜區(qū)221的區(qū)域注入磷離子或砷離子以形成摻雜區(qū)221。然而，當(dāng)此第二導(dǎo)電型為p型時(shí)，可于預(yù)定形成摻雜區(qū)221的區(qū)域注入硼離子或銦離子以形成摻雜區(qū)221。在本實(shí)施例中，摻雜區(qū)221為一深井區(qū)(deepwell)，用以包圍井區(qū)231。

井區(qū)231設(shè)置在摻雜區(qū)221中，并具有第一導(dǎo)電型。摻雜區(qū)222設(shè)置在摻雜區(qū) 221中，并未接觸井區(qū)231，并且具有第二導(dǎo)電型。摻雜區(qū)223設(shè)置在井區(qū)231中，并具有第一導(dǎo)電型。摻雜區(qū)224設(shè)置在井區(qū)231中，并具有第二導(dǎo)電型。在本實(shí)施例中，摻雜區(qū)223與224構(gòu)成一二極管251。當(dāng)?shù)谝粚?dǎo)電型為p型并且第二導(dǎo)電型為n型時(shí)，則二極管251為一n+/pw二極管。相反地，當(dāng)?shù)谝粚?dǎo)電型為n型并且第二導(dǎo)電型為p型時(shí)，則二極管251為一p+/nw二極管。

井區(qū)232設(shè)置在基底210中，并具有第二導(dǎo)電型。摻雜區(qū)225設(shè)置在井區(qū)232中，并具有第一導(dǎo)電型。摻雜區(qū)226設(shè)置在井區(qū)232中，并具有第二導(dǎo)電型。在本實(shí)施例中，摻雜區(qū)225與226構(gòu)成一二極管252。當(dāng)?shù)谝粚?dǎo)電型為p型并且第二導(dǎo)電型為n型時(shí)，則二極管252為一p+/nw二極管。相反地，當(dāng)?shù)谝粚?dǎo)電型為n型并且第二導(dǎo)電型為p型時(shí)，則二極管252為一n+/pw二極管。

此外，摻雜區(qū)221、222、224、226與井區(qū)232均具有第二導(dǎo)電型。在一實(shí)施例中，摻雜區(qū)222、224與226的雜質(zhì)濃度相似，均高于摻雜區(qū)221與井區(qū)232的雜質(zhì)濃度。另外，基底210、井區(qū)231、摻雜區(qū)223以及225均具有第一導(dǎo)電型。在一實(shí)施例中，摻雜區(qū)223與225的雜質(zhì)濃度相似，均高于基底210以及井區(qū)231的雜質(zhì)濃度。

隔離物241～245用以隔離摻雜區(qū)222～226。在本實(shí)施例中，摻雜區(qū)222設(shè)置在隔離物241與242之間。摻雜區(qū)223設(shè)置在隔離物242與243之間。摻雜區(qū)224設(shè)置在隔離物243與244之間。隔離物245設(shè)置在摻雜區(qū)225與226之間。在一實(shí)施例中，隔離物241～245為淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)(stistructure)。隔離物241～245的形成包括了通過(guò)一光刻工藝以圖案化基底210、于基底210內(nèi)刻蝕(舉例來(lái)說(shuō)，通過(guò)干刻蝕、濕刻蝕、其他適當(dāng)刻蝕工藝或其組合)出如溝槽的一凹口，以及填滿(舉例來(lái)說(shuō)，通過(guò)使用化學(xué)氣相沉積)此凹口。

在本實(shí)施例中，一導(dǎo)線ln1電連接摻雜區(qū)224與225，用以串聯(lián)二極管251與252。串聯(lián)的二極管251與252可作為圖1a～圖1c中的二極管串131a～131c的一者。為方便說(shuō)明，假設(shè)圖2a的二極管251與252作為圖1a的二極管d1與d2。如圖1a所示，由于二極管d1的陽(yáng)極耦接接地端161，并且二極管d2的陰極耦接接地端162，因此，圖2a中的摻雜區(qū)223電連接接地端161，摻雜區(qū)226電連接接地端162。在此例中，摻雜區(qū)222電連接電源端151，但并非用以限制本發(fā)明。摻雜區(qū)222也可電連接接地端161或是為一浮接狀態(tài)(floating)。

在其它實(shí)施例中，串聯(lián)的二極管251與252也可作為圖1b的二極管d4與d5。在此例中，摻雜區(qū)223需電連接至電源端151，并且摻雜區(qū)226需電連接至電源端152。此時(shí)，摻雜區(qū)222可耦接至電源端151或是為一浮接狀態(tài)。

另外，串聯(lián)的二極管251與252可作為圖1c的二極管d7與d8。在此例中，圖2a的摻雜區(qū)223需電連接至輸入輸出墊170，并且摻雜區(qū)226需電連接至電源端151。此時(shí)，摻雜區(qū)222可耦接至電源端151或是為一浮接狀態(tài)。

圖2b為本發(fā)明的保護(hù)裝置的另一可能示意圖。圖2b相似圖2a，不同之處在于，圖2b的保護(hù)裝置200b更包括一井區(qū)233、摻雜區(qū)227、228以及一隔離物246。在本實(shí)施例中，井區(qū)233設(shè)置在基底210中，并具有第二導(dǎo)電型。在一實(shí)施例中，井區(qū)233的雜質(zhì)濃度相似井區(qū)232的雜質(zhì)濃度。

摻雜區(qū)227設(shè)置在井區(qū)233之中，并具有第一導(dǎo)電型。在一實(shí)施例中，摻雜區(qū)227的雜質(zhì)濃度相似摻雜區(qū)223的雜質(zhì)濃度。此外，摻雜區(qū)228設(shè)置在井區(qū)233之中，并具有第二導(dǎo)電型。隔離物246設(shè)置在摻雜區(qū)227與228之間。在一實(shí)施例中，摻雜區(qū)228的雜質(zhì)濃度相似摻雜區(qū)224的雜質(zhì)濃度。在本實(shí)施例中，摻雜區(qū)227與228構(gòu)成一二極管253。

在一實(shí)施例中，二極管253可作為圖1a中的二極管d3。請(qǐng)參考圖1a，二極管d3的陽(yáng)極耦接接地端162，其陰極耦接接地端161，因此，在圖2b中，摻雜區(qū)227通過(guò)導(dǎo)線ln2電連接至接地端162，摻雜區(qū)228電連接接地端161。在其它實(shí)施例中，二極管253亦可作為圖1b中的二極管d6。在此例中，圖2b的摻雜區(qū)227需改電連接至電源端152，并且摻雜區(qū)228需改電連接至電源端151。此外，二極管253亦可作為圖1c中的二極管d9。在此例中，圖2b的摻雜區(qū)227需改電連接至電源端151。此外，摻雜區(qū)228需改電連接至輸入輸出墊170。

圖2c為本發(fā)明的保護(hù)裝置的另一實(shí)施例。圖2c相似圖2a，不同之處在于，在圖2c中，摻雜區(qū)221包括一埋層(buriedlayer)291以及一井區(qū)292。埋層291具有第二導(dǎo)電型。當(dāng)?shù)诙?dǎo)電型為n型時(shí)，則埋層291稱為一n型埋層(n-typeburiedlayer；nbl)。相反地，當(dāng)?shù)诙?dǎo)電型為p型時(shí)，則埋層291稱為一p型埋層(p-typeburiedlayer；pbl)。井區(qū)292設(shè)置在埋層291之上，具有第二導(dǎo)電型，并圍繞(surround)井區(qū)231。在本實(shí)施例中，摻雜區(qū)229通過(guò)導(dǎo)線ln3電連接電源端151。

圖3a為本發(fā)明的保護(hù)裝置的另一實(shí)施例。圖3a相似圖2a，不同之處在于，圖 3a的保護(hù)裝置300a多了摻雜區(qū)261～264、井區(qū)270以及隔離物281～284。摻雜區(qū)261設(shè)置在基底210之中，并具有第二導(dǎo)電型。在本實(shí)施例中，摻雜區(qū)261為一深井區(qū)，用以包圍井區(qū)270。在其它實(shí)施例中，摻雜區(qū)261相似圖2c的摻雜區(qū)221，具有一埋層以及一第二導(dǎo)電型的井區(qū)，用以包括井區(qū)270。

井區(qū)270設(shè)置在摻雜區(qū)261之中，并具有第一導(dǎo)電型。摻雜區(qū)262設(shè)置在摻雜區(qū)261之中，并未接觸井區(qū)270，并具有第二導(dǎo)電型，摻雜區(qū)263設(shè)置在井區(qū)270之中，并具有第一導(dǎo)電型。摻雜區(qū)264設(shè)置在井區(qū)270之中，并具有第二導(dǎo)電型。在本實(shí)施例中，摻雜區(qū)261、262與264均具有第二導(dǎo)電型。摻雜區(qū)262與264的雜質(zhì)濃度相似，均大于摻雜區(qū)261的雜質(zhì)濃度。在其它實(shí)施例中，摻雜區(qū)262的雜質(zhì)濃度相似于摻雜區(qū)222的雜質(zhì)濃度。此外，摻雜區(qū)261的雜質(zhì)濃度相似于摻雜區(qū)221的雜質(zhì)濃度。

摻雜區(qū)263與井區(qū)270均具有第一導(dǎo)電型。摻雜區(qū)263的雜質(zhì)濃度大于井區(qū)270的雜質(zhì)濃度。在一實(shí)施例中，摻雜區(qū)263的雜質(zhì)濃度相似摻雜區(qū)223的雜質(zhì)濃度。井區(qū)270的雜質(zhì)濃度相似井區(qū)231的雜質(zhì)濃度。

在本實(shí)施例中，摻雜區(qū)263與264構(gòu)成一二極管254。由于摻雜區(qū)263通過(guò)導(dǎo)線ln4電連接摻雜區(qū)226。因此，二極管251、252以及254串聯(lián)在一起，用以作一二極管串。

假設(shè)第一導(dǎo)電型為p型，第二導(dǎo)電型為n型時(shí)，則二極管251與254屬于n+/pw二極管，而二極管252屬于p+/nw二極管。在其它實(shí)施例中，若第一導(dǎo)電型為n型，第二導(dǎo)電型為p型時(shí)，則二極管251與254屬于p+/nw二極管，而二極管252屬于n+/pw二極管。

假設(shè)二極管251、252與254作為第1a圖的二極管串131a時(shí)，則摻雜區(qū)223需電連接至接地端161、摻雜區(qū)264需電連接至接地端162。在此例中，摻雜區(qū)222與262可電連接至電源端151，但并非用以限制本發(fā)明。在其它實(shí)施例中，摻雜區(qū)222與262可電連接至接地端161或是為一浮動(dòng)狀態(tài)。

另外，在第3a圖中，區(qū)塊310包括摻雜區(qū)221～224、井區(qū)231以及隔離物241～244，區(qū)塊320包括摻雜區(qū)225～226、井區(qū)232以及隔離物245，區(qū)域330包括摻雜區(qū)261～264、井區(qū)270以及隔離物281～284。在本實(shí)施例中，區(qū)塊320設(shè)置在310與330之間。因此，二極管252串聯(lián)在二極管251與254之間。在此例中，二極管251與254為相同種類的二極管，但不同于二極管252。

在其它實(shí)施例中，區(qū)塊330的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)可能相似于區(qū)塊320的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。在此例中，二極管252與254為相同種類的二極管，如p+/nw二極管或n+/pw二極管。在另一實(shí)施例中，區(qū)塊310的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)相似于區(qū)塊320的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。在此例中，二極管251與252為相同種類的二極管，如p+/nw二極管或n+/pw二極管。

圖3b為本發(fā)明的保護(hù)裝置的另一實(shí)施例。圖3b相似圖3a，不同之處在于，區(qū)塊330設(shè)置在區(qū)塊310與320之間，并且摻雜區(qū)224通過(guò)導(dǎo)線ln5電連接至摻雜區(qū)263，并且摻雜區(qū)264通過(guò)導(dǎo)線ln6電連接至摻雜區(qū)225。因此，在圖3b中，二極管254串聯(lián)在二極管251與252之間。

本發(fā)明并不限定區(qū)塊310、320與330之間的設(shè)置關(guān)系。只要將區(qū)塊310、320與330的二極管串聯(lián)在一起，便可作為二極管131a、131b或是131c。在圖3a中，區(qū)塊320設(shè)置在區(qū)塊310與330之間。在圖3b中，區(qū)塊330設(shè)置在區(qū)塊310與320之間。在其它實(shí)施例中，區(qū)塊310可能設(shè)置在區(qū)塊320與330之間。在此例中，區(qū)塊310的左側(cè)為區(qū)塊320，區(qū)塊310的右側(cè)為區(qū)塊330。

圖3c為本發(fā)明的保護(hù)裝置的另一實(shí)施例。圖3c相似圖3a，不同之處在于圖3c的保護(hù)裝置300c多了區(qū)塊340。區(qū)域340提供了一二極管253。在本實(shí)施例中，區(qū)塊340包括一井區(qū)233、摻雜區(qū)227、228以及一隔離物246。摻雜區(qū)227與228構(gòu)成二極管253。當(dāng)摻雜區(qū)227電連接至接地端162，并且摻雜區(qū)228電連接至接地端161時(shí)，二極管253并聯(lián)二極管251、252與254所構(gòu)成的二極管串，用以疏導(dǎo)接地端162的esd電流進(jìn)入接地端161。在其它實(shí)施例中，區(qū)塊340的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)亦可應(yīng)用至圖3b。

本發(fā)明并不限定二極管串的二極管數(shù)量。只要二極管串里的一第一二極管為n+/pw二極管，并且一第二二極管為p+/nw二極管，其余二極管可為n+/pw二極管或是p+/nw二極管。另外，本發(fā)明亦不限制n+/pw二極管與p+/nw二極管的排列順序。在一實(shí)施例中，一第一n+/pw二極管可能串聯(lián)在兩p+/nw二極管之間，或是串聯(lián)在一n+/pw二極管與一第二p+/nw二極管之間。此外，一第一p+/nw二極管可能串聯(lián)在兩n+/pw二極管之間(如圖3a所示)，或是串聯(lián)在一第二p+/nw二極管與一n+/pw二極管之間。

除非另作定義，在此所有詞匯(包含技術(shù)與科學(xué)詞匯)均屬本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中相關(guān)技術(shù)人員的一般理解。此外，除非明白表示，詞匯于一般字典中的定義應(yīng)解釋為 與其相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的文章中意義一致，而不應(yīng)解釋為理想狀態(tài)或過(guò)分正式的語(yǔ)態(tài)。

雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中相關(guān)技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求為準(zhǔn)。