本揭露涉及半導(dǎo)體封裝裝置，且更確切地說(shuō)，涉及具有發(fā)光組件的半導(dǎo)體封裝裝置。

背景技術(shù)：

發(fā)光二極管(led)或雷射二極管廣泛地用于各種應(yīng)用中。半導(dǎo)體發(fā)光裝置可包括led芯片，其具有一或多個(gè)半導(dǎo)體層。當(dāng)所述半導(dǎo)體層受激發(fā)時(shí)，其可發(fā)射同調(diào)及/或非同調(diào)之光線。在制造過(guò)程中，大量的led半導(dǎo)體管芯可被制造于半導(dǎo)體晶圓上，所述晶圓可藉由探測(cè)或測(cè)試以精確地識(shí)別各管芯之特定顏色特征(如色溫)。接著，可將所述晶圓切割成復(fù)數(shù)個(gè)芯片。所述led芯片通常被封裝以提供：外部電連接、散熱、透鏡或?qū)Ч饧?、環(huán)境保護(hù)及/或其他特征。制造led芯片封裝之方法包括如管芯貼合、打線、模封、測(cè)試及其他制程。

于一相同封裝內(nèi)包括不同型態(tài)的發(fā)光組件及/或在所述封裝中具有不同發(fā)射特性的發(fā)光組件為所欲的特征。例如，用于第一型態(tài)的組件的增強(qiáng)發(fā)光強(qiáng)度的所欲特性及用于第二型態(tài)的組件的增強(qiáng)發(fā)光效率的所欲特性。另一個(gè)所欲的特征為具有小尺寸的封裝，其包括在發(fā)光的方向上具有小封裝厚度。例如，對(duì)于一個(gè)擬用于消費(fèi)性電子(如智能型手機(jī))的封裝，隨著消費(fèi)性電子的尺寸縮小或功能增加，發(fā)光組件所允許的封裝尺寸將減少。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

根據(jù)本揭露的部分實(shí)施例，電子裝置具有第一載體、第一電子組件、第二載體、第二電子組件、模封體及透鏡。所述第一電子組件位于所述第一載體上。所述第二載體定義一孔且位于所述第一載體上。所述孔位于所述第一電子組件上并暴露所述第一電子組件。所述第二電子組件位于所述第二載體上。所述模封體覆蓋所述第二電子組件。所述透鏡定義一空腔且位于所述第一載體的所述孔上。

根據(jù)本揭露的部分實(shí)施例，半導(dǎo)體封裝裝置包括載體、第一芯片、第一封裝體、第二封裝體及第二芯片。所述第一芯片位于所述載體上。所述第一封裝體模封所述第一芯片。所述第二封裝體定義一空腔且位于所述載體上。所述第二芯片位于所述第二封裝體的所述空腔內(nèi)

根據(jù)本揭露的部分實(shí)施例，制造一半導(dǎo)體封裝裝置的方法包括：(a)提供定義一孔的第一載體及位于所述第一載體上的第一芯片；(b)形成覆蓋所述第一芯片的模封體；(c)于所述孔上形成透鏡，所述透鏡定義一空腔；(d)提供第二載體及位于所述第二載體上的第二芯片；及(e)將所述第一載體連接至所述第二載體，使所述第二芯片置于所述透鏡的所述空腔內(nèi)。

附圖說(shuō)明

圖1a、1b及1c說(shuō)明根據(jù)本揭露的部分實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝裝置的剖面圖。

圖2a說(shuō)明根據(jù)本揭露的部分實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝裝置的分解示意圖。

圖2b說(shuō)明根據(jù)本揭露的部分實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝裝置的下視圖。

圖2c說(shuō)明根據(jù)本揭露的部分實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝裝置的剖面圖。

圖2d說(shuō)明根據(jù)本揭露的部分實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝裝置的下視圖。

圖3說(shuō)明根據(jù)本揭露的部分實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝裝置的示意圖。

圖4說(shuō)明根據(jù)本揭露的部分實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝裝置的示意圖。

圖5a及5b說(shuō)明根據(jù)本揭露的部分實(shí)施例的制造半導(dǎo)體封裝裝置的流程圖。

圖6說(shuō)明根據(jù)本揭露的部分實(shí)施例的制造半導(dǎo)體封裝裝置的流程圖。

貫穿圖式和具體實(shí)施方式使用共同參考數(shù)字以指示相同或類似元件。從以下結(jié)合附圖作出的詳細(xì)描述，本發(fā)明將會(huì)更加顯而易見。

具體實(shí)施方式

圖1a說(shuō)明根據(jù)本揭露的部分實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝裝置1的剖面圖。所述半導(dǎo)體封裝裝置1包括載體10、第一電子組件12、第二電子組件13、第一封裝體15及擋墻結(jié)構(gòu)19。

所述載體10可為例如印刷電路版，如紙基銅箔積層板(paper-basedcopperfoillaminate)、復(fù)合銅箔積層板(compositecopperfoillaminate)或聚合物浸漬玻璃纖維基銅箔積層板(polymer-impregnatedglass-fiber-basedcopperfoillaminate)。所述載體10可包括內(nèi)部連接結(jié)構(gòu)，例如復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)電布線或連通柱。在一實(shí)施例中，所述載體10包括陶瓷材料或金屬板。在部分實(shí)施例中，所述載體10可為基板、有機(jī)基板或引線框架。在部分實(shí)施例中，所述載體10可為雙層基板，其具有核心層及導(dǎo)電材料及/或位于所述載體10的上表面及下表面上的結(jié)構(gòu)。所述導(dǎo)電材料及/或結(jié)構(gòu)可包括復(fù)數(shù)個(gè)布線。

第一電子組件12置于所述載體10上。所述第一電子組件12可為發(fā)光管芯或其他光學(xué)管芯。例如，所述第一電子組件12可具有發(fā)光二極管(led)、雷射二極管或其他包括一或多層半導(dǎo)體層的裝置。所述等半導(dǎo)體層可包括硅、碳化硅、氮化鎵或其他任何半導(dǎo)體材料。所述第一電子組件12可藉由如覆晶(flip-chip)或接合導(dǎo)線(wire-bond)技術(shù)連接至載體10。在部分實(shí)施例中，led管芯藉由管芯接合材料與載體10接合。所述led管芯具有至少一接合導(dǎo)線焊墊。所述led管芯藉由導(dǎo)線與載體10電連接，所述導(dǎo)線的一端與所述led管芯的所述接合導(dǎo)線焊墊接合且所述導(dǎo)線的另一端與載體10的一接合導(dǎo)線焊墊接合。

第二電子組件13置于所述載體10上。所述第二電子組件13可為發(fā)光器或光學(xué)管芯。例如，所述第二電子組件13可具有l(wèi)ed、雷射二極管或其他包括一或多層半導(dǎo)體層的裝置。所述等半導(dǎo)體層可包括硅、碳化硅、氮化鎵或其他任何半導(dǎo)體材料。在部分實(shí)施例中，所述第二電子組件13與所述第一電子組件12實(shí)質(zhì)上相同。在其他實(shí)施例中，所述第二電子組件13與所述第一電子組件12相異。所述第二電子組件13可藉由如覆晶或接合導(dǎo)線技術(shù)連接至載體10。

所述第一封裝體15位于所述載體10上，俾以覆蓋所述第一電子組件12，并于所述第一電子組件12及所述第一封裝體15之間留下一空氣間隙15c。在部分實(shí)施例中，可使用除了空氣間隙以外的間隙(如真空間隙或填滿空氣以外的物質(zhì)或材料的間隙)，而不使用空氣間隙15c，或可使用其結(jié)合。在部分實(shí)施例中，所述第一封裝體15包括環(huán)氧樹脂。在部分實(shí)施例中，所述第一封裝體15為透鏡。

所述第二封裝體14位于所述載體10上，俾以實(shí)質(zhì)上覆蓋所述第二電子組件13(如完全覆蓋所述第二電子組件13)。所述第二封裝體14為實(shí)心，且在所述第二封裝體14及所述第二電子組件13之間實(shí)質(zhì)上不存在間隙(如所述第二封裝體14及/或所述載體10實(shí)質(zhì)上與所述第二電子組件13的所有外表面接觸)。在部分實(shí)施例中，所述第二封裝體14包括環(huán)氧樹脂。在部分實(shí)施例中，所述第二封裝體14與所述第一封裝體15具有相同材料。在部分實(shí)施例中，所述第二封裝體14與所述第一封裝體15具有不同材料。

所述擋墻結(jié)構(gòu)19位于所述載體10上，且位于所述第一電子組件12與所述第二電子組件13之間。所述擋墻結(jié)構(gòu)19不透光，俾以防止由所述第一電子組件12及所述第二電子組件13所發(fā)出的光互相干擾。

圖1b說(shuō)明根據(jù)本揭露的部分實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝裝置的剖面圖。圖1b左圖的示意性半導(dǎo)體封裝裝置可藉由封裝的結(jié)構(gòu)所致的準(zhǔn)直提供增強(qiáng)的發(fā)光強(qiáng)度(如增強(qiáng)圖1a的第一電子組件12的發(fā)光強(qiáng)度)。圖1b左圖所示的半導(dǎo)體封裝裝置以圖式說(shuō)明兩表面的交互作用使所述第一電子組件12所發(fā)射的光線折射。第一表面的交互作用位于空氣跟透鏡之間，且第二表面的交互作用位于透鏡與空氣之間。亦即，由所述第一電子組件12發(fā)射的光線至少折射兩次。例如，當(dāng)光線通過(guò)空氣間隙15c與第一封裝體15間的接口時(shí)發(fā)生第一次折射，且當(dāng)光線通過(guò)第一封裝體15與第一封裝體15外部空氣間的接口時(shí)發(fā)生第二次折射。因此，相較于通過(guò)模制于發(fā)光組件周圍的透鏡的光線(如1b圖右圖所示，光線自不包括空氣間隙的封裝射出)，自所述第一電子組件12發(fā)射通過(guò)所述第一封裝體15的光線可具有增強(qiáng)的光線中心強(qiáng)度。

圖1c說(shuō)明根據(jù)本揭露的部分實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝裝置的剖面圖。圖1c左圖的示意性半導(dǎo)體封裝裝置可提供增強(qiáng)的發(fā)光效率(如增強(qiáng)圖1a的第一電子組件13的發(fā)光效率)。所述第二封裝體14可為一模封體，其置于所述第二電子組件13周圍。在部分實(shí)施例中，模封體為模制復(fù)合物(moldingcompound)。在部分實(shí)施例中，所述模封體在所欲的頻率范圍內(nèi)為透光的。例如，若所述模封體用于發(fā)射紅光(或紅外光)頻帶的發(fā)光組件周圍，則所述模封體可在包括所述紅光(或紅外光)頻帶的頻率范圍內(nèi)為透光的。藉由使用如模制復(fù)合物來(lái)模封所述第二電子組件13，可避免光線于空氣接口反射(如圖1c右圖所示)所造成的功率損耗。

圖2a說(shuō)明根據(jù)本揭露的部分實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝裝置2的分解示意圖。所述半導(dǎo)體封裝裝置2包括第一載體20、第二載體21、第一電子組件22、第二電子組件23、第一封裝體25及第二封裝體24。

所述第一載體20可為例如一印刷電路版，如紙基銅箔積層板、復(fù)合銅箔積層板或聚合物浸漬玻璃纖維基銅箔積層板。所述第一載體20可包括內(nèi)部連接結(jié)構(gòu)，例如復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)電布線或連通柱。在一實(shí)施例中，所述第一載體20包括陶瓷材料或金屬板。在部分實(shí)施例中，所述第一載體20可包括基板、有機(jī)基板或引線框架。在部分實(shí)施例中，所述第一載體20可為雙層基板，其具有一核心層及一導(dǎo)電材料及/或位于所述載體20的上表面及下表面上的結(jié)構(gòu)。所述導(dǎo)電材料及/或結(jié)構(gòu)可包括復(fù)數(shù)個(gè)布線。

所述第一電子組件22置于所述第一載體20上。所述第一電子組件22可為發(fā)光管芯或其他光學(xué)管芯。例如，所述第一電子組件22可具有l(wèi)ed、雷射二極管或其他包括一或多層半導(dǎo)體層的裝置。所述等半導(dǎo)體層可包括硅、碳化硅、氮化鎵或其他任何半導(dǎo)體材料。所述第一電子組件22可藉由如覆晶或接合導(dǎo)線技術(shù)連接至所述第一載體20。在一實(shí)施例中，led管芯藉由管芯接合材料與所述第一載體20接合。所述led管芯具有至少一接合導(dǎo)線焊墊。所述led管芯藉由導(dǎo)線與所述第一載體20電連接，所述導(dǎo)線的一端與所述led管芯的所述接合導(dǎo)線焊墊接合且所述導(dǎo)線的另一端與所述第一載體20的一接合導(dǎo)線焊墊接合。

所述第二載體21位于所述第一載體20上。在部分實(shí)施例中，所述第二載體21藉由一非導(dǎo)電膠26n貼合至所述第一載體20。在部分實(shí)施例中，所述第二載體21與所述第一載體20實(shí)質(zhì)上相同。在另一實(shí)施例中，所述第二載體21與所述第一載體20相異。

所述第二載體21定義一開口21h或一孔，其鄰近于所述第一電子組件22。所述開口21h可暴露至少所述第一電子組件22的頂部。在一實(shí)施例中，所述第二載體21為雙層基板。所述開口21h可由所述第二載體21的基板核心層的一部分定義。所述核心層可為如雙馬來(lái)酰亞胺-三氮雜苯樹脂(bismaleimide-triazing,bt)核心或玻璃布(fr-4)階級(jí)核心。所述開口21h可由挖槽制程(routingprocess)或打孔制程(punchprocess)形成。因此，當(dāng)所述第二載體21貼合至所述第一載體20時(shí)，所述第一電子組件22自所述第二載體21暴露。所述第二載體21于其下表面具有一屏障結(jié)構(gòu)21b(詳參圖2b)。所述屏障結(jié)構(gòu)21b可包括如自所述下表面的連續(xù)突出物。所述屏障結(jié)構(gòu)21b可環(huán)繞所述開口21h。所述屏障結(jié)構(gòu)21b有助于避免溢膠。

所述第二電子組件23置于所述第二載體21上。所述第二電子組件23可為發(fā)光器或光學(xué)管芯。例如，所述第二電子組件23可具有l(wèi)ed、雷射二極管或其他包括一或多層半導(dǎo)體層的裝置。所述等半導(dǎo)體層可包括硅、碳化硅、氮化鎵或其他任何半導(dǎo)體材料。在部分實(shí)施例中，所述第二電子組件23與所述第一電子組件22實(shí)質(zhì)上相同。在其他實(shí)施例中，所述第二電子組件23與所述第一電子組件22相異。所述第二電子組件23可藉由如覆晶或接合導(dǎo)線技術(shù)連接至第二載體21。

所述第一封裝體25具有或定義一空腔25c，且位于所述第二載體21的開口21h上或開口21h內(nèi)。在部分實(shí)施例中，所述第一封裝體25包括環(huán)氧樹脂。在部分實(shí)施例中，所述第一封裝體25為透鏡。至少一部分的第一封裝體25位于所述開口21h內(nèi)。所述第一電子組件22及所述第一封裝體25之間存在一空間或間隙。在部分實(shí)施例中，所述空間填滿空氣。在此種組態(tài)中，由所述第一電子組件22發(fā)射的光線至少折射兩次。當(dāng)光線通過(guò)所述空腔25c內(nèi)的空氣與所述第一封裝體25間的接口時(shí)發(fā)生第一次折射。當(dāng)光線通過(guò)所述第一封裝體25與所述第一封裝體25外部空氣間的接口時(shí)發(fā)生第二次折射。因此，相較于通過(guò)模制于發(fā)光組件周圍且不具空氣間隙的透鏡的光線，自所述第一電子組件22發(fā)射通過(guò)所述第一封裝體25的光線可具有增強(qiáng)的光線中心強(qiáng)度。

所述第二封裝體24位于所述第二載體21上，并覆蓋所述第二電子組件23。所述第二封裝體24為實(shí)心，且在所述第二封裝體24及所述第二電子組件23之間實(shí)質(zhì)上不存在空間或間隙(如所述第二封裝體24及/或所述載體21實(shí)質(zhì)上與所述第二電子組件23的所有外表面接觸)。在部分實(shí)施例中，所述第二封裝體24包括環(huán)氧樹脂。在部分實(shí)施例中，所述第二封裝體24與所述第一封裝體25具有相同材料。在部分實(shí)施例中，所述第二封裝體24與所述第一封裝體25具有不同材料。所述第二封裝體24的折射系數(shù)可大于空氣的折射系數(shù)(空氣的折射系數(shù)n為1)，故可避免光線于空氣接口反射(如全反射)時(shí)造成功率損耗。因此，部分的功率損耗可藉由模封所述第二電子組件23而不使模封體中存在空氣空腔來(lái)避免。因此，相較于其他發(fā)射光線，所述第二電子組件23發(fā)射通過(guò)所述第二封裝體24的光線具有較高的功率。

在部分半導(dǎo)體封裝裝置中，不同型態(tài)的led或具有不同發(fā)光特征的led置于不同封裝內(nèi)，如此將增將封裝或與封裝整合的裝置的尺寸，并增加連接導(dǎo)線配置的復(fù)雜度。如圖2a所示，具有高中心強(qiáng)度的led及具有高功率的led可被整合至相同的封裝中，如此可將半導(dǎo)體封裝裝置2的尺寸最小化，并簡(jiǎn)化其制程。

圖2c說(shuō)明根據(jù)本揭露的部分實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝裝置2的剖面圖。

如圖2c所示，所述第一封裝體25位于所述第一電子組件22上，并于所述第一電子組件22及所述第一封裝體25之間留下一空氣間隙21h。所述第一電子組件22朝向所述第一封裝體25發(fā)射光線至所述空氣間隙內(nèi)。如上述有關(guān)圖1b的論述，在此種組態(tài)中，由所述第一電子組件22發(fā)射的光線至少折射兩次。例如，當(dāng)光線通過(guò)所述空氣間隙21h與所述第一封裝體25間的接口時(shí)發(fā)生第一次折射，且當(dāng)光線通過(guò)所述第一封裝體25與所述第一封裝體25外部空氣間的接口時(shí)發(fā)生第二次折射。因此，自所述第一電子組件22發(fā)射通過(guò)所述第一封裝體25的光線具有增強(qiáng)的光線中心強(qiáng)度。

所述第二封裝體24可作為模封體，其置于所述第二電子組件23周圍。在部分實(shí)施例中，模封體為模制復(fù)合物。在部分實(shí)施例中，所述模封體在所欲的頻率范圍內(nèi)為透光的。例如，若所述模封體用于發(fā)射紅光(或紅外光)頻帶的發(fā)光組件周圍，則所述模封體可在包括所述紅光(或紅外光)頻帶的頻率范圍內(nèi)為透光的。藉由完全模封所述第二電子組件23(不具任何空氣間隙)，可避免光線于空氣接口反射所造成的功率損耗。

圖2d說(shuō)明根據(jù)本揭露的部分實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝裝置2的上視圖。

如圖2d所示，所述第一封裝體25具有內(nèi)凹部分25s(如擋墻或所述第一封裝體25的側(cè)面向內(nèi)凹或具有一凹面)，且所述第二封裝體24鄰近于所述內(nèi)凹部分25s，其可減少所述半導(dǎo)體封裝裝置2的布局面積(如所述第二封裝體24的外凸部分向外凸出或具有一凸面，所述外凸部分可鄰近于所述內(nèi)凹部分25s)。所述第一封裝體25可具有用于容納所述第一電子組件的第一部分25a(例如，可為實(shí)質(zhì)上圓形或橢圓形)及用于容納所述第一電子組件的接合導(dǎo)線的第二部分25b。

圖3說(shuō)明根據(jù)本揭露的部分實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝裝置3的示意圖。所述半導(dǎo)體封裝裝置3包括載體30、第一電子組件32、第二電子組件33、第一封裝體35、第二封裝體34及第三封裝體37。

所述載體30可為例如印刷電路版，如紙基銅箔積層板、復(fù)合銅箔積層板或聚合物浸漬玻璃纖維基銅箔積層板。所述載體30可包括內(nèi)部連接結(jié)構(gòu)，例如復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)電布線或連通柱。在一實(shí)施例中，所述載體30包括陶瓷材料或金屬板。在部分實(shí)施例中，所述載體30可包括基板、有機(jī)基板或引線框架。在部分實(shí)施例中，所述載體30可為雙層基板，其具有一核心層及一導(dǎo)電材料及/或位于所述載體30的上表面及下表面上的結(jié)構(gòu)。所述導(dǎo)電材料及/或結(jié)構(gòu)可包括復(fù)數(shù)個(gè)布線。

所述第一電子組件32置于所述載體30上。所述第一電子組件32可為發(fā)光管芯或其他光學(xué)管芯。例如，所述第一電子組件32可具有l(wèi)ed、雷射二極管或其他包括一或多層半導(dǎo)體層的裝置。所述等半導(dǎo)體層可包括硅、碳化硅、氮化鎵或其他任何半導(dǎo)體材料。所述第一電子組件32可藉由如覆晶或接合導(dǎo)線技術(shù)連接至所述載體30。在部分實(shí)施例中，led管芯藉由管芯接合材料與所述載體30接合。所述led管芯具有至少一接合導(dǎo)線焊墊。所述led管芯藉由導(dǎo)線與所述載體30電連接，所述導(dǎo)線的一端與所述led管芯的所述接合導(dǎo)線焊墊接合且所述導(dǎo)線的另一端與所述載體30的一接合導(dǎo)線焊墊接合。

所述第二電子組件33置于所述載體30上。所述第二電子組件33可為發(fā)光器或光學(xué)管芯。例如，所述第二電子組件33可具有l(wèi)ed、雷射二極管或其他包括一或多層半導(dǎo)體層的裝置。所述等半導(dǎo)體層可包括硅、碳化硅、氮化鎵或其他任何半導(dǎo)體材料。在部分實(shí)施例中，所述第二電子組件33與所述第一電子組件32實(shí)質(zhì)上相同。在其他實(shí)施例中，所述第二電子組件33與所述第一電子組件32相異。所述第二電子組件33可藉由如覆晶或接合導(dǎo)線技術(shù)連接至所述載體30。

所述第一封裝體35位于所述載體30上，所述第一封裝體35覆蓋所述第一電子組件32，并于所述第一電子組件32與所述第一封裝體35之間留下空氣間隙。在部分實(shí)施例中，所述第一封裝體35包括環(huán)氧樹脂。在部分實(shí)施例中，所述第一封裝體35為透鏡。

所述第二封裝體34位于所述載體30上，并實(shí)質(zhì)上覆蓋所述第二電子組件33(如完全覆蓋所述第二電子組件33)。所述第二封裝體34為實(shí)心，且在所述第二封裝體34及所述第二電子組件33之間實(shí)質(zhì)上不存在空間。在部分實(shí)施例中，所述第二封裝體34包括環(huán)氧樹脂。在部分實(shí)施例中，所述第二封裝體34與所述第一封裝體35具有相同材料。在部分實(shí)施例中，所述第二封裝體34與所述第一封裝體35具有不同材料。

所述第三封裝體37位于所述載體30上，并覆蓋所述載體30、一部分的第一封裝體35及一部分的第二封裝體34。如圖3所示，所述第一封裝體35的頂部部分及所述第二封裝體34的頂部部分自所述第三封裝體37暴露，且可自所述第三封裝體37凸出。在部分實(shí)施例中，所述第三封裝體37包括環(huán)氧樹脂。在部分實(shí)施例中，所述第三封裝體37、所述第一封裝體35與所述第二封裝體34具有相同材料。在部分實(shí)施例中，所述第三封裝體37、所述第一封裝體35與所述第二封裝體34具有不同材料。

圖4說(shuō)明根據(jù)本揭露的部分實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝裝置4的示意圖。所述半導(dǎo)體封裝裝置4與圖3所示的半導(dǎo)體封裝裝置3相似，其差異處為一部分的第一封裝體35及一部分的第二封裝體34被一蓋子47環(huán)繞，而非被第三封裝體37環(huán)繞。

所述蓋子47位于所述載體30上，并環(huán)繞所述載體30的周圍。所述蓋子47包圍所述第一封裝體35及所述第二封裝體34。在部分實(shí)施例中，所述蓋子47包括塑料。

圖5a說(shuō)明根據(jù)本揭露的部分實(shí)施例的制造如圖2a所示的半導(dǎo)體封裝裝置2的流程圖。即使有關(guān)各組件的部分制程、操作或步驟記載于下，然任何制程、操作或步驟可僅針對(duì)一個(gè)組件來(lái)操作，或針對(duì)一個(gè)組件與全部組件間的任何數(shù)目的組件來(lái)操作。

參閱操作s51，提供包括多個(gè)第一載體20的第一載體條。提供多個(gè)第一載體20可允許同時(shí)制造多個(gè)半導(dǎo)體封裝裝置。第一電子組件22藉由如覆晶或接合導(dǎo)線技術(shù)分別連接至每一個(gè)第一載體20。

參閱操作s52，將非導(dǎo)電膠16n施用于每一個(gè)第一載體20上。在部分實(shí)施例中，所述非導(dǎo)電膠16n沿著每一個(gè)第一載體20的邊緣施用。

參閱操作s53，將導(dǎo)電膠26c施用于每一個(gè)第一載體20上。所述導(dǎo)電膠26c可用以提供位于第一載體20的第一電子組件22與位于第二載體21上的第二電子組件23之間的電連接。

參閱操作s51a，提供包括多個(gè)第二載體21的第二載體條。提供多個(gè)第二載體21可允許同時(shí)制造多個(gè)半導(dǎo)體封裝裝置。開口21h各自形成于每一個(gè)第二載體21內(nèi)，并貫穿每一個(gè)第二載體21。在部分實(shí)施例中，所述開口21h可由鉆孔、蝕刻或其他合適制程所形成。

參閱操作s52，復(fù)數(shù)個(gè)第二電子組件23的各者藉由如覆晶或接合導(dǎo)線技術(shù)分別連接至每一個(gè)第二載體21。

參閱操作s53a，包括或定義一空腔或空氣間隙25c的第一封裝體25分別形成于每一個(gè)第二載體21上，并覆蓋各自的開口21h。不具空腔或空氣間隙的第二封裝體24分別形成于每一個(gè)第二載體21上，并覆蓋各自的第二電子組件23。

在部分實(shí)施例中，執(zhí)行操作s54a，其包括對(duì)包括第二載體21的第二載體條執(zhí)行單?；瞥獭Ｋ鰡瘟；瞥炭山逵扇缜懈顧C(jī)、雷射或其他合適的切割技術(shù)來(lái)執(zhí)行。

在操作s54中，各第二載體21藉由如抓取與放置(pick-and-place)技術(shù)(如圖5b左圖所示)貼合至所述第一載體條。在部分實(shí)施例中，所述等第二載體21藉由非導(dǎo)電膠26n固定于所述第一載體條。所述等第二載體21經(jīng)配置俾使其各自開口21h位于被置于第一載體20上的相對(duì)應(yīng)的第一電子組件22上。藉由使用抓取與放置技術(shù)將各第二載體21貼合至所述第一載體條，第二載體與第一載體的相對(duì)位置可更易控制，其有助于增加準(zhǔn)確性及精確性。

在其他實(shí)施例中，執(zhí)行操作s55，第二載體條(尚未執(zhí)行單?；?藉由如板對(duì)板(panel-to-panel)技術(shù)貼合至所述第一載體條。在部分實(shí)施例中，所述第二載體條藉由非導(dǎo)電膠26n固定于所述第一載體條。所述第二載體條經(jīng)配置俾使每一個(gè)第二載體21的各自開口21h位于被置于第一載體20上的相對(duì)應(yīng)的第一電子組件22上。使用板對(duì)板技術(shù)(如圖5b右圖所示)將第二載體條貼合至第一載體條有助于增加制造產(chǎn)出率，如單位/每小時(shí)(unitsperhour,uph)。

參閱操作s56，執(zhí)行切割制程，接著執(zhí)行單?；瞥桃苑蛛x各自半導(dǎo)體封裝裝置。若第二載體條于操作s54a中分離，則單?；瞥滔滇槍?duì)第一載體條執(zhí)行。若第二載體條并未分離，且藉由板對(duì)板技術(shù)(s55)貼合至第一載體條，則單?；瞥滔滇槍?duì)第一載體條及第二載體條執(zhí)行。所述單?；瞥炭山逵扇缜懈顧C(jī)、雷射或其他合適的切割技術(shù)來(lái)執(zhí)行。

圖6說(shuō)明根據(jù)本揭露的部分實(shí)施例的制造如圖3及4所示的半導(dǎo)體封裝裝置3及4的流程圖。即使有關(guān)各組件的部分制程、操作或步驟記載于下，然任何制程、操作或步驟可僅針對(duì)一個(gè)組件來(lái)操作，或針對(duì)一個(gè)組件與全部組件間的任何數(shù)目的組件來(lái)操作。

參閱操作s61，提供包括多個(gè)載體30的載體條。提供多個(gè)載體30可允許同時(shí)制造多個(gè)半導(dǎo)體封裝裝置。第一電子組件32藉由如覆晶或接合導(dǎo)線技術(shù)分別連接至每一個(gè)載體30。第二電子組件33藉由如覆晶或接合導(dǎo)線技術(shù)分別連接至每一個(gè)載體30。

參閱操作s62，包括或定義一空腔的第一封裝體35分別形成于每一個(gè)載體30上，并覆蓋相對(duì)應(yīng)的第一電子組件32。不具空腔的第二封裝體34分別形成于每一個(gè)載體30上，并覆蓋第二電子組件33。

參閱操作s63，執(zhí)行半切制程以形成由多個(gè)載體定義的溝槽。

在部分實(shí)施例中，執(zhí)行操作s64a以形成如圖3半導(dǎo)體封裝裝置3，其中第三封裝體37分別形成于每一個(gè)載體30上，以覆蓋至少一部分的載體30、一部分的相對(duì)應(yīng)的第一封裝體35及一部分的相對(duì)應(yīng)的第二封裝體34。

在另一實(shí)施例中，執(zhí)行操作s64b以形成如圖4半導(dǎo)體封裝裝置4，其中蓋子47分別形成于每一個(gè)載體30上，并環(huán)繞所述載體30各自的周圍。所述蓋子47包圍相對(duì)應(yīng)的第一封裝體35及相對(duì)應(yīng)的第二封裝體34。

參閱操作s65，執(zhí)行切割制程，接著執(zhí)行單?；瞥桃苑蛛x各自半導(dǎo)體封裝裝置。例如，執(zhí)行單粒化以穿過(guò)包括載體30的載體條。所述單?；瞥炭山逵扇缜懈顧C(jī)、雷射或其他合適的切割技術(shù)來(lái)執(zhí)行。

如本文中所使用，術(shù)語(yǔ)「實(shí)質(zhì)上」、「實(shí)質(zhì)的」、「大約」及「約」用以描述及考慮小變化。當(dāng)與事件或情形結(jié)合使用時(shí)，所述術(shù)語(yǔ)可以指其中事件或情形明確發(fā)生的情況以及其中事件或情形極近似于發(fā)生的情況。舉例而言，所述術(shù)語(yǔ)可以指小于或等于±10％，諸如小于或等于±5％、小于或等于±4％、小于或等于±3％、小于或等于±2％、小于或等于±1％、小于或等于±0.5％、小于或等于±0.1％或小于或等于±0.05％。術(shù)語(yǔ)「實(shí)質(zhì)上共平面」可指兩表面沿著同一平面具有微米以內(nèi)的差異，如40μm內(nèi)、30μm內(nèi)、20μm內(nèi)、10μm內(nèi)或1μm內(nèi)。當(dāng)術(shù)語(yǔ)「實(shí)質(zhì)上」、「大約」、「約」用于一事件或情況時(shí)，其可指所述事件或所述情況準(zhǔn)確地發(fā)生，亦可指所述事件或所述情況接近一近似值。

在部分實(shí)施例的敘述中，一組件位于另一組件之「上」可包括所述組件直接位于另一組件之上(如實(shí)體接觸)，亦可指所述組件與另一組件之間具有其他組件。

另外，有時(shí)在本文中按范圍格式呈現(xiàn)量、比率及其他數(shù)值。應(yīng)理解，此范圍格式系出于便利及簡(jiǎn)潔起見，且應(yīng)靈活地理解，不僅包括明確地指定為范圍限制的數(shù)值，而且包括涵蓋于彼范圍內(nèi)的所有個(gè)別數(shù)值或子范圍，如同明確地指定每一數(shù)值及子范圍一般。

雖然已參考本發(fā)明的特定實(shí)施例描述及說(shuō)明本發(fā)明，但這些描述及說(shuō)明并不限制本發(fā)明。熟習(xí)此項(xiàng)技術(shù)者應(yīng)理解，在不脫離如由所附權(quán)利要求書界定的本發(fā)明的真實(shí)精神及范疇的情況下，可作出各種改變且可取代等效物。所述說(shuō)明可未必按比例繪制。歸因于制造制程及容限，本發(fā)明中的藝術(shù)再現(xiàn)與實(shí)際設(shè)備之間可存在區(qū)別?？纱嬖诓⑽刺囟ㄕf(shuō)明的本發(fā)明的其他實(shí)施例。應(yīng)將本說(shuō)明書及圖式視為說(shuō)明性的而非限制性的?？勺鞒鲂薷?，以使特定情況、材料、物質(zhì)組成、方法或制程適應(yīng)于本發(fā)明的目標(biāo)、精神及范疇。所有此等修改意欲在所附權(quán)利要求書的范疇內(nèi)。雖然本文中所揭示的方法已參考按特定次序執(zhí)行的特定操作加以描述，但應(yīng)理解，可在不脫離本發(fā)明的教示的情況下組合、細(xì)分或重新排序這些操作以形成等效方法。因此，除非本文中特別指示，否則操作的次序及分組并非本發(fā)明的限制。