本發(fā)明涉及半導(dǎo)體的封裝領(lǐng)域，特別涉及一種半導(dǎo)體封裝裝置、半導(dǎo)體引線(xiàn)框架及其切筋方法。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體封裝裝置是由晶圓按照產(chǎn)品型號(hào)及功能需求加工得到的具有獨(dú)立芯片的裝置。目前，半導(dǎo)體封裝裝置，例如，三極管封裝裝置，其管腳的尺寸一般為1.35mm寬，0.5mm厚。該半導(dǎo)體封裝裝置安裝在pcb印制電路板上時(shí)，占用的pcb印制電路板的面積一般為1.35mm*0.5mm*3(其中3為管腳數(shù)量)，對(duì)于直插式封裝而言，pcb印制電路板要為半導(dǎo)體封裝裝置的每一只管腳開(kāi)一開(kāi)孔，并且管腳越大，開(kāi)孔尺寸也就越大，占用pcb印制電路板的尺寸也越大，導(dǎo)致pcb印制電路板上焊接的半導(dǎo)體器件的數(shù)量減少。另一方面，因pcb印制電路板上的開(kāi)孔略大于管腳，在將管腳焊接至pcb印制電路板時(shí)，容易造成管腳上的焊錫通過(guò)開(kāi)孔向下流動(dòng)，造成管腳與pcb印制電路板的焊接性能差、焊接不可靠的問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的半導(dǎo)體封裝裝置的管腳與pcb印制電路板焊接性能差、焊接不可靠的問(wèn)題，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體封裝裝置。

本發(fā)明另提供一種半導(dǎo)體引線(xiàn)框架，該引線(xiàn)框架切筋后能夠形成上述半導(dǎo)體封裝裝置的管腳結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明另提供一種半導(dǎo)體引線(xiàn)框架，所述引線(xiàn)框架為切筋過(guò)后的引線(xiàn)框架，該引線(xiàn)框架具有上述半導(dǎo)體封裝裝置的管腳結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明另提供一種半導(dǎo)體引線(xiàn)框架的切筋方法，該方法能夠形成上述半導(dǎo)體封裝裝置的管腳結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體封裝裝置，包括：

封裝外殼；

半導(dǎo)體器件，包覆在所述封裝外殼內(nèi)；

管腳，用于與所述半導(dǎo)體器件電氣連接，所述管腳裸露在所述封裝外殼外；

所述管腳靠近所述封裝外殼的兩側(cè)分別具有由兩凸起和一凹槽形成的方波狀結(jié)構(gòu)，所述凸起和所述凹槽沿所述管腳的長(zhǎng)度方向依次交替設(shè)置，所述管腳與pcb印制電路板進(jìn)行焊接時(shí)，焊錫將匯聚在所述凹槽中。

可選的，在所述管腳插入pcb印制電路板后，所述pcb印制電路板卡在所述兩凸起之間，使得其中一個(gè)凸起位于所述pcb印制電路板上表面，另一個(gè)凸起位于所述pcb印制電路板的下表面。

可選的，所述管腳的寬度尺寸為0.7mm-0.9mm，所述凸起的高度為0.075mm-0.1mm。

可選的，所述管腳的外表面涂覆有錫層。

可選的，所述錫層的覆蓋范圍為從所述管腳的凹槽開(kāi)始延伸到靠近所述封裝外殼的管腳部分。

本發(fā)明另提供一種半導(dǎo)體引線(xiàn)框架，包括：

至少一散熱區(qū)；

至少一載片區(qū)，用于安裝半導(dǎo)體器件，所述載片區(qū)連接所述散熱區(qū)；

至少一管腳框架，所述管腳框架包括邊角框架，位于所述邊角框架內(nèi)的多個(gè)管腳以及連接各管腳的第一連筋、第二連筋，所述第一連筋靠近所述載片區(qū)，所述第二連筋位于所述第一連筋遠(yuǎn)離所述載片區(qū)的一側(cè)；

所述第一連筋被切斷后，各管腳兩側(cè)的切筋處分別形成第一凸起，所述第二連筋被切斷后，各管腳兩側(cè)的切筋處分別形成第二凸起，所述第一凸起和所述第二凸起沿所述管腳的長(zhǎng)度方向間隔設(shè)置，且所述第一凸起和所述第二凸起之間形成一凹槽，第一凸起、所述第二凸起和所述凹槽形成方波狀結(jié)構(gòu)。

可選的，所述第一連筋和所述第二連筋之間的管腳寬度為0.7mm~0.9mm。

本發(fā)明另提供一種半導(dǎo)體引線(xiàn)框架，包括：

散熱區(qū)；

載片區(qū)，用于安裝半導(dǎo)體器件，所述載片區(qū)連接所述散熱區(qū)；

管腳，用于電氣連接所述載片區(qū)中的半導(dǎo)體器件，所述管腳靠近所述載片區(qū)的兩側(cè)分別具有由兩凸起和一凹槽形成的方波狀結(jié)構(gòu)，所述凸起和所述凹槽沿所述管腳的長(zhǎng)度方向依次交替設(shè)置，所述管腳與pcb印制電路板進(jìn)行焊接時(shí)，焊錫將匯聚在所述凹槽中。

本發(fā)明另提供一種半導(dǎo)體引線(xiàn)框架切筋方法，所述引線(xiàn)框架包括散熱區(qū)、載片區(qū)和管腳框架，所述管腳框架包括邊角框架，位于所述邊角框架內(nèi)的多個(gè)管腳以及連接各管腳的第一連筋、第二連筋，所述方法包括：

第一次切筋：切斷第一連筋，第一連筋切完后，各管腳兩側(cè)的切筋處分別形成第一凸起；

電鍍：在管腳框架的外表面電鍍形成一錫層；

第二次切筋：切斷第二連筋，切完第二連筋后，各管腳兩側(cè)的切筋處分別形成第二凸起，所述第一凸起和所述第二凸起之間形成一凹槽，所述錫層的覆蓋范圍為從所述管腳的凹槽處開(kāi)始至靠近所述載片區(qū)的管腳部分。

可選的，在第一次切筋之前，所述方法還包括：

對(duì)所述半導(dǎo)體引線(xiàn)框架進(jìn)行鍍膜，使整個(gè)引線(xiàn)框架的外表面形成一電鍍層。

本發(fā)明的實(shí)施例提供的技術(shù)方案可以包括以下有益效果：

本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝裝置通過(guò)在管腳的兩側(cè)分別形成由兩凸起和一凹槽形成的方波狀結(jié)構(gòu)，使得管腳與pcb印制電路板焊接時(shí)，焊錫通過(guò)兩凸起鎖住在凹槽中，從而使得焊錫能夠充分與管腳、pcb印制電路板接觸，進(jìn)而加強(qiáng)管腳和pcb印制電路板的焊接強(qiáng)度，提升管腳和pcb板的焊接性能和可靠性。

本發(fā)明的半導(dǎo)體引線(xiàn)框架通過(guò)設(shè)置第一連筋和第二連筋，使得在第一連筋和第二連筋被切割后，能夠在管腳兩側(cè)的切筋處形成第一凸起、第二凸起和凹槽，藉此，由該半導(dǎo)體引線(xiàn)框架制成的半導(dǎo)體封裝裝置在與pcb印制電路板焊接時(shí)，通過(guò)第一凸起和第二凸起將焊錫鎖住在凹槽中，從而使得焊錫能夠充分與管腳、pcb印制電路板接觸，進(jìn)而加強(qiáng)管腳和pcb印制電路板的焊接強(qiáng)度，提升管腳和pcb板的焊接性能和可靠性。

本發(fā)明的半導(dǎo)體引線(xiàn)框架通過(guò)在管腳的兩側(cè)形成兩凸起和凹槽，藉此，由該半導(dǎo)體引線(xiàn)框架制成的半導(dǎo)體封裝裝置在與pcb印制電路板焊接時(shí)，通過(guò)兩凸起將焊錫鎖住在凹槽中，從而使得焊錫能夠充分與管腳、pcb印制電路板接觸，進(jìn)而加強(qiáng)管腳和pcb印制電路板的焊接強(qiáng)度，提升管腳和pcb板的焊接性能和可靠性。

本發(fā)明的半導(dǎo)體引線(xiàn)框架切筋方法通過(guò)第一次切筋、電鍍和第二次切筋的方法步驟，使管腳兩側(cè)的切筋處形成第一凸起、第二凸起和凹槽，藉此，由該切筋后的半導(dǎo)體引線(xiàn)框架制成的半導(dǎo)體封裝裝置在與pcb印制電路板焊接時(shí)，通過(guò)第一凸起和第二凸起將焊錫鎖住在凹槽中，從而使得焊錫能夠充分與管腳、pcb印制電路板接觸，進(jìn)而加強(qiáng)管腳和pcb印制電路板的焊接強(qiáng)度，提升管腳和pcb板的焊接性能和可靠性。并且，第二次切筋能夠使從凹槽處開(kāi)始至靠近載片區(qū)的管腳部分保留錫層，從而能夠效避免管腳裸露的底材（例如，銅材）與焊錫直接焊接，進(jìn)而避免因銅材與焊錫相容性差而導(dǎo)致焊接性能差的問(wèn)題。

應(yīng)當(dāng)理解的是，以上的一般描述和后文的細(xì)節(jié)描述僅是示例性的，并不能限制本發(fā)明。

附圖說(shuō)明

此處的附圖被并入說(shuō)明書(shū)中并構(gòu)成本說(shuō)明書(shū)的一部分，示出了符合本發(fā)明的實(shí)施例，并于說(shuō)明書(shū)一起用于解釋本發(fā)明的原理。

圖1為本發(fā)明半導(dǎo)體封裝裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為圖1中a區(qū)的局部放大圖。

圖3為本發(fā)明半導(dǎo)體引線(xiàn)框架的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4為本發(fā)明的半導(dǎo)體引線(xiàn)框架切筋方法流程圖。

具體實(shí)施方式

為了進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明的原理和結(jié)構(gòu)，現(xiàn)結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。

如圖1所示，其為本發(fā)明半導(dǎo)體封裝裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。該封裝裝置10包括封裝外殼11，包覆在封裝外殼11內(nèi)的半導(dǎo)體器件（未示出）和裸露在封裝外殼11外的管腳12。

在圖1中，該半導(dǎo)體封裝裝置可以為晶體管的封裝裝置，例如，三級(jí)管封裝裝置，該晶體管的封裝裝置具有三個(gè)管腳，可分別對(duì)應(yīng)連接三級(jí)管的柵極、源極和漏極。但并不受限于此，該半導(dǎo)體封裝裝置也可應(yīng)用于其他半導(dǎo)體器件的封裝，例如，二極管、集成芯片等。管腳的數(shù)量可根據(jù)封裝半導(dǎo)體器件的型號(hào)而變化。

在本實(shí)施例中，主要以三只管腳的半導(dǎo)體封裝裝置為例進(jìn)行說(shuō)明。

如圖1所示，封裝外殼11外裸露出三只管腳12，每一管腳12的兩側(cè)分別形成方波狀結(jié)構(gòu)。結(jié)合圖2所示，其為圖1中a區(qū)的局部放大圖。每一管腳12的兩側(cè)分別具有兩凸起121、122和形成在兩凸起121、122之間的凹槽123，兩凸起121、122和凹槽123沿管腳12的長(zhǎng)度方向依次交替設(shè)置，形成方波狀結(jié)構(gòu)。

當(dāng)管腳12插入至pcb印制電路板（printedcircuitboard）時(shí)，pcb印制電路板卡在兩凸起121、122之間，其中一個(gè)凸起121位于pcb印制電路板上表面，另一個(gè)凸起122位于pcb印制電路板的下表面，即，pcb印制電路板位于凹槽123的中間。在隨后的焊接過(guò)程中，焊錫從凸起121的外端面流入至凹槽123中，凸起122將流入凹槽123中的焊錫阻擋在凹槽123中，防止焊錫流失，使焊錫能夠充分與電路板、管腳12接觸，進(jìn)而加強(qiáng)管腳12和pcb印制電路板的焊接強(qiáng)度，提升管腳12和pcb板的焊接性能和可靠性。

為減小管腳12在pcb印制電路板上占據(jù)的面積，削減管腳12的寬度，使其寬度l1減小到0.7mm-0.9mm。管腳12兩側(cè)的凸起的高度為0.075mm，因此，管腳在凸起121（或凸起122）處的寬度l2為兩凸起的高度和管腳寬度之和，例如，為0.075mm+0.075mm+0.7mm=0.85mm。

更優(yōu)的，為避免管腳12的裸露底材（例如，銅材）與pcb印制電路板直接焊接，在管腳12的外表面涂覆一層能夠與焊錫融合的錫層。

更佳的，該錫層形成在生產(chǎn)該半導(dǎo)體封裝裝置時(shí)所進(jìn)行的引線(xiàn)框架的切筋過(guò)程中（下文將詳細(xì)說(shuō)明），即該錫層的覆蓋范圍為從管腳12的凹槽123開(kāi)始延伸到靠近封裝外殼11的管腳部分（如圖1所示的l3部分）。該錫層的覆蓋范圍能夠有效避免管腳12與pcb印制電路板焊接時(shí)銅材直接與焊錫焊接的情況，進(jìn)而避免了因銅材與焊錫之間的相容性差而導(dǎo)致焊接性能差的問(wèn)題。

本發(fā)明另提供一種半導(dǎo)體引線(xiàn)框架，如圖3所示，其為本發(fā)明半導(dǎo)體引線(xiàn)框架的結(jié)構(gòu)示意圖。該半導(dǎo)體引線(xiàn)框架20包括至少一散熱區(qū)21、至少一用于安裝半導(dǎo)體器件載片區(qū)22和至少一管腳框架23，載片區(qū)22連接散熱區(qū)21，管腳框架23位于載片區(qū)22遠(yuǎn)離散熱區(qū)21的一側(cè)。在圖3中，僅示出兩個(gè)散熱區(qū)21，兩個(gè)載片區(qū)22和一個(gè)管腳框架23（兩個(gè)載片區(qū)22共用一個(gè)管腳框架23，管腳框架23內(nèi)布設(shè)有兩個(gè)載片區(qū)22所需的管腳數(shù)）。但并不限于此，該引線(xiàn)框架20可包括多個(gè)散熱區(qū)21、多個(gè)載片區(qū)22和多個(gè)管腳框架23，在此不對(duì)散熱區(qū)21、載片區(qū)22和管腳框架23的數(shù)量進(jìn)行限制。在本實(shí)施例中，主要以晶體管的引線(xiàn)框架為例進(jìn)行說(shuō)明，例如，以三極管的引線(xiàn)框架為例。圖3中示出的是具有三只管腳的半導(dǎo)體引線(xiàn)框架，可以理解，本發(fā)明的引線(xiàn)框架也可應(yīng)用于兩只管腳或三只管腳以上的半導(dǎo)體引線(xiàn)框架，管腳的數(shù)量可依據(jù)半導(dǎo)體器件型號(hào)的不同進(jìn)行變化。

如圖3所示，管腳框架23包括邊角框架231，位于邊角框架231內(nèi)的多個(gè)管腳232以及連接各管腳232的第一連筋233、第二連筋234，該第一連筋233靠近載片區(qū)22，該第二連筋234位于第一連筋233遠(yuǎn)離載片區(qū)22的一側(cè)。

此外，第一連筋233和第二連筋234之間的管腳寬度為0.7mm~0.9mm，除設(shè)置有第一連筋233和第二連筋234的管腳部分外，管腳232的寬度也為0.7mm~0.9mm。

當(dāng)?shù)谝贿B筋233被切斷后，各管腳232的兩側(cè)的切筋處分別形成第一凸起，該第一凸起為圖2中所示的凸起121；當(dāng)?shù)诙B筋234被切斷后，各管腳232兩側(cè)的切筋處分別形成第二凸起，該第二凸起為圖2中所示的凸起122；第一凸起和第二凸起沿管腳232的長(zhǎng)度方向間隔設(shè)置，且第一凸起和第二凸起之間形成一凹槽，該凹槽可為圖2中所示的凹槽123，第一凸起、第二凸起和凹槽形成如圖2所示的方波狀結(jié)構(gòu)。即，第一連筋233和第二連筋234被切后，引線(xiàn)框架20的管腳形成上述半導(dǎo)體封裝裝置10的管腳結(jié)構(gòu)。

因此，上述的半導(dǎo)體封裝裝置10可由本實(shí)施例中的引線(xiàn)框架20形成，即，在引線(xiàn)框架20切筋完成后，在載片區(qū)22貼上半導(dǎo)體器件的晶片，再利用超細(xì)的金屬導(dǎo)線(xiàn)或者導(dǎo)電性樹(shù)脂將晶片的接合焊盤(pán)連接到對(duì)應(yīng)的管腳，接著將載片區(qū)22和散熱區(qū)21用樹(shù)脂制成的封裝外殼進(jìn)行封裝，便可形成上述的半導(dǎo)體封裝裝置10。

進(jìn)一步，本發(fā)明另提供一種半導(dǎo)體引線(xiàn)框架，該引線(xiàn)框架為切筋后的引線(xiàn)框架，即該引線(xiàn)框架用于獨(dú)立芯片的封裝，其包括散熱區(qū)、用于安裝半導(dǎo)體器件晶片的載片區(qū)和至少兩管腳。載片區(qū)與散熱區(qū)電氣連接。每一管腳靠近載片區(qū)的兩側(cè)分別具有由兩凸起和一凹槽形成的方波狀結(jié)構(gòu)，該些凸起和該凹槽沿管腳的長(zhǎng)度方向依次交替設(shè)置，使得該管腳與pcb印制電路板進(jìn)行焊接時(shí)，焊錫能夠匯聚在該凹槽中。

本實(shí)施例中的半導(dǎo)體引線(xiàn)框架可用于形成上述的半導(dǎo)體封裝裝置10，具體的形成過(guò)程如下：

先在載片區(qū)貼上半導(dǎo)體器件的晶片，再利用超細(xì)的金屬導(dǎo)線(xiàn)或者導(dǎo)電性樹(shù)脂將晶片的接合焊盤(pán)與對(duì)應(yīng)的管腳連接，然后將載片區(qū)和散熱區(qū)用封裝外殼進(jìn)行封裝，如此，便可形成上述的半導(dǎo)體封裝裝置10。

本發(fā)明另提供一種半導(dǎo)體引線(xiàn)框架切筋方法，如圖4所示，其為本發(fā)明的半導(dǎo)體引線(xiàn)框架切筋方法流程圖。本實(shí)施例中的半導(dǎo)體引線(xiàn)框架為上述圖3中所示的引線(xiàn)框架20，該引線(xiàn)框架包括散熱區(qū)、載片區(qū)和管腳框架，管腳框架包括邊角框架、位于邊角框架內(nèi)的多個(gè)管腳以及連接各管腳的第一連筋、第二連筋。本發(fā)明的方法如下：

步驟s1，第一次切筋：切斷第一連筋，第一連筋切完后，各管腳兩側(cè)的切筋處分別形成第一凸起。

在第一次切筋步驟開(kāi)始之前，對(duì)整個(gè)引線(xiàn)框架進(jìn)行鍍膜，使整個(gè)引線(xiàn)框架的外表面形成具有保護(hù)作用的電鍍層。該電鍍層可以是合金電鍍層、鈦電鍍層或其他金屬電鍍層。

第一次切筋完成后，管腳框架全部裸露出底材（例如，銅材）。

步驟s2，電鍍：在管腳框架的外表面電鍍形成一錫層；

第一次切筋完成后，在裸露出底材的管腳框架上電鍍形成一錫層，以利于后續(xù)管腳與pcb印制電路板的焊接。

待電鍍完成后，對(duì)該錫層進(jìn)行烘烤。

步驟s3，第二次切筋：切斷第二連筋，切完第二連筋后，各管腳兩側(cè)的切筋處分別形成第二凸起，第一凸起和第二凸起之間形成一凹槽，所述錫層的覆蓋范圍為從管腳的凹槽處開(kāi)始至靠近載片區(qū)的管腳部分。

第二次切筋時(shí)，切筋開(kāi)始的位置為第二連筋處，且切筋方向是由第二連筋處向遠(yuǎn)離載片區(qū)的方向的切割，因此，位于第二連筋以上的錫層被沒(méi)有被切掉，即，從管腳的凹槽處開(kāi)始至靠近載片區(qū)的管腳部分保留有錫層。另一方面，也正是由于從凹槽處開(kāi)始至靠近載片區(qū)的管腳部分保留有錫層，使得管腳和pcb印制電路板進(jìn)行焊接時(shí)，能夠有效避免管腳裸露的底材（例如，銅材）與焊錫直接焊接，進(jìn)而避免因銅材與焊錫相容性差而導(dǎo)致焊接性能差的問(wèn)題。而本發(fā)明的保留在管腳上的錫層能夠有效地與焊錫融合，進(jìn)而提高焊接性能。

本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝裝置通過(guò)在管腳的兩側(cè)分別形成由兩凸起和一凹槽形成的方波狀結(jié)構(gòu)，使得管腳與pcb印制電路板焊接時(shí)，焊錫通過(guò)兩凸起鎖住在凹槽中，從而使得焊錫能夠充分與管腳、pcb印制電路板接觸，進(jìn)而加強(qiáng)管腳和pcb印制電路板的焊接強(qiáng)度，提升管腳和pcb板的焊接性能和可靠性。

本發(fā)明的半導(dǎo)體引線(xiàn)框架通過(guò)設(shè)置第一連筋和第二連筋，使得在第一連筋和第二連筋被切割后，能夠在管腳兩側(cè)的切筋處形成第一凸起、第二凸起和凹槽，藉此，由該半導(dǎo)體引線(xiàn)框架制成的半導(dǎo)體封裝裝置在與pcb印制電路板焊接時(shí)，通過(guò)第一凸起和第二凸起將焊錫鎖住在凹槽中，從而使得焊錫能夠充分與管腳、pcb印制電路板接觸，進(jìn)而加強(qiáng)管腳和pcb印制電路板的焊接強(qiáng)度，提升管腳和pcb板的焊接性能和可靠性。

本發(fā)明的半導(dǎo)體引線(xiàn)框架通過(guò)在管腳的兩側(cè)形成兩凸起和凹槽，藉此，由該半導(dǎo)體引線(xiàn)框架制成的半導(dǎo)體封裝裝置在與pcb印制電路板焊接時(shí)，通過(guò)兩凸起將焊錫鎖住在凹槽中，從而使得焊錫能夠充分與管腳、pcb印制電路板接觸，進(jìn)而加強(qiáng)管腳和pcb印制電路板的焊接強(qiáng)度，提升管腳和pcb板的焊接性能和可靠性。

本發(fā)明的半導(dǎo)體引線(xiàn)框架切筋方法通過(guò)第一次切筋、電鍍和第二次切筋的方法步驟，使管腳兩側(cè)的切筋處形成第一凸起、第二凸起和凹槽，藉此，由該切筋后的半導(dǎo)體引線(xiàn)框架制成的半導(dǎo)體封裝裝置在與pcb印制電路板焊接時(shí)，通過(guò)第一凸起和第二凸起將焊錫鎖住在凹槽中，從而使得焊錫能夠充分與管腳、pcb印制電路板接觸，進(jìn)而加強(qiáng)管腳和pcb印制電路板的焊接強(qiáng)度，提升管腳和pcb板的焊接性能和可靠性。并且，第二次切筋能夠使從凹槽處開(kāi)始至靠近載片區(qū)的管腳部分保留錫層，從而能夠效避免管腳裸露的底材（例如，銅材）與焊錫直接焊接，進(jìn)而避免因銅材與焊錫相容性差而導(dǎo)致焊接性能差的問(wèn)題。

以上僅為本發(fā)明的較佳可行實(shí)施例，并非限制本發(fā)明的保護(hù)范圍，凡運(yùn)用本發(fā)明說(shuō)明書(shū)及附圖內(nèi)容所作出的等效結(jié)構(gòu)變化，均包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。