技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種聲波元件保護(hù)結(jié)構(gòu)及其制造方法，用以于封裝過程中保護(hù)具有一共振區(qū)的一聲波元件，以避免封裝模料在芯片封裝過程中流進(jìn)該聲波元件的共振區(qū)；該制造方法包含：在該聲波元件上定義出一犧牲層區(qū)域；在該犧牲層區(qū)域上形成一犧牲層；覆蓋一金屬覆蓋層在該犧牲層上方，使金屬覆蓋層的底緣與聲波元件接合，并與聲波元件之間形成至少一個(gè)開口；以及使用化學(xué)溶液移除該犧牲層，以在金屬覆蓋層與元件共振區(qū)之間形成一空腔，以形成上述聲波元件保護(hù)結(jié)構(gòu)。

技術(shù)研發(fā)人員：林正國;蔡緒孝;許榮豪;劉怡伶;林瑞欽;廖珮淳
受保護(hù)的技術(shù)使用者：穩(wěn)懋半導(dǎo)體股份有限公司
文檔號碼：201610090940
技術(shù)研發(fā)日：2016.02.18
技術(shù)公布日：2017.03.22