專利名稱：聲界面波裝置的制造方法以及聲界面波裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明，涉及一種利用在媒質(zhì)的界面?zhèn)魉偷穆暯缑娌ǖ穆暯缑娌ㄑb置的制造方法以及該聲界面波裝置，更為詳細(xì)來說，涉及一種具有在電極兩側(cè)的媒質(zhì)中的一方媒質(zhì)的外側(cè)還層積有媒質(zhì)的構(gòu)造的聲界面波裝置的制造方法以及聲界面波裝置。
背景技術(shù)：
以往，在移動(dòng)電話用RF濾波器與IF濾波器，以及VCO用共振子與電視機(jī)用VIF濾波器等中，使用各種聲表面波裝置。聲表面波裝置，使用在媒質(zhì)表面?zhèn)魉偷娜鹄ɑ虻?泄漏波等聲表面波。
聲表面波由于在媒質(zhì)表面?zhèn)魉停虼藢?duì)媒質(zhì)的表面狀態(tài)的變化很敏感。因此，為了保護(hù)媒質(zhì)的聲表面波傳送面，聲表面波器件被氣密封在設(shè)有面對(duì)該傳送面的空洞的封裝中。由于使用這種具有空洞的封裝，因此聲表面波裝置的成本不得不增高。另外，由于封裝的尺寸遠(yuǎn)大于聲表面波器件的尺寸，因此聲表面波裝置不得不增大。
另外，在彈性波中，除了上述聲表面波之外，還有在固體間的界面中傳送的聲界面波(Boundary Acoustic Wave)。
例如，下述的非專利文獻(xiàn)1中，公開了一種在126°旋轉(zhuǎn)Y板X傳送的LiTaO3基板上形成有IDT，并且IDT與LiTaO3基板上SiO2膜形成為給定的厚度的聲界面波裝置。這里，示出了傳送稱作斯通利(stoneley)波的SV+P型的聲界面波的情形。另外，非專利文獻(xiàn)1中，示出了在上述SiO2膜的膜厚為1.0λ(λ為聲界面波的波長)的情況下，機(jī)電結(jié)合系數(shù)為2％。
聲界面波，在能量集中在固體間的界面部分中的狀態(tài)下傳送。因此，上述LiTaO3基板的底面以及SiO2膜的表面上，幾乎不存在能量，所以基板或薄膜的表面狀態(tài)的變化幾乎不引起特性變化。所以，能夠省去空洞形成封裝，減小彈性波裝置的尺寸。
另外，利用彈性波的濾波器或共振子中，為了抑制共振頻率或中心頻率的偏差，提出了各種各樣的頻率調(diào)整方法。例如，下述專利文獻(xiàn)1中，公開了一種在利用體波的厚度振動(dòng)的壓電陶瓷濾波器中，通過對(duì)壓電陶瓷基板的表面上形成有的共振電極蒸鍍絕緣性物質(zhì)，來進(jìn)行頻率調(diào)整的方法。
另外，下述專利文獻(xiàn)2中，在利用表面波的表面波裝置中，形成SiN膜來將形成在壓電基板上的IDT電極以及反射器覆蓋起來，通過該SiN膜的膜厚調(diào)整，來調(diào)整中心頻率或共振頻率。
另外，下述專利文獻(xiàn)3中，公開了圖12所示的聲界面波裝置。聲界面波裝置100中，在壓電性的第1基板101上，形成有梳齒電極102、102。之后，形成電介質(zhì)膜103覆蓋梳齒電極102、102。之后，在電介質(zhì)膜103的上面，層積由Si類材料所形成的第2基板104。聲界面波裝置100中，Si類材料所形成的第2基板104不與梳齒電極102、102直接接觸，之間設(shè)有電介質(zhì)膜103，因此能夠降低梳齒電極102、102間的寄生電阻。
非專利文獻(xiàn)1“Piezoelectric Acoustic Boundary Waves PropagatingAlong the Interface Between SiO2 and LiTaO3”IEEE Trans.Sonics andultrason.，VOL.SU-25，No.6,1978IEEE專利文獻(xiàn)1特開平5-191193號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2特開平2-301210號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3WO98/51011號(hào)前述的聲界面波裝置中，由于不需要空洞形成封裝，因此能夠?qū)崿F(xiàn)彈性波裝置的小型化。但是，根據(jù)本發(fā)明人的實(shí)驗(yàn)，聲界面波裝置中，也和聲表面波裝置的情況一樣，容易因制造偏差引起共振頻率或中心頻率偏差。特別是聲界面波裝置中，在第1媒質(zhì)上形成了電極之后，形成第2媒質(zhì)覆蓋該電極。因此，第2媒質(zhì)的制造如果產(chǎn)生偏差，聲界面波裝置的頻率就容易產(chǎn)生很大的偏差。
另外，專利文獻(xiàn)1與專利文獻(xiàn)2所述的方法中，在實(shí)施體波裝置的頻率調(diào)整時(shí)，在體波基板表面蒸鍍絕緣性物質(zhì)，專利文獻(xiàn)2所述的方法中，在表面波基板上設(shè)置SiN膜進(jìn)行頻率調(diào)整。也即，以往的體波裝置或聲表面波裝置中，利用振動(dòng)能量分布在基板表面這一點(diǎn)，通過在基板表面上設(shè)置絕緣體或金屬，來進(jìn)行頻率調(diào)整。另外，還公知有通過蝕刻基板表面的電極，或蝕刻基板表面來調(diào)整頻率的方法。
但是，聲界面波裝置中，由于裝置表面幾乎沒有分布界面波的振動(dòng)能量，因此無法使用這樣的頻率調(diào)整方法。也即，即使在基板表面設(shè)置絕緣物等異物，或切削基板表面，共振頻率或通頻帶也不會(huì)變化。
專利文獻(xiàn)3所述的聲界面波裝置100中，通過介插上述電介質(zhì)膜103來實(shí)現(xiàn)寄生電阻的降低，但完成后無法進(jìn)行頻率調(diào)整。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明，正是鑒于上述以往技術(shù)的現(xiàn)狀提出的，其目的在于提供一種能夠穩(wěn)定且可靠地提供能夠有效抑制制造偏差等所引起的頻率偏差，從而具有所期望的頻率特性的聲界面波裝置的制造方法，以及頻率偏差較少，且具有所期望的頻率特性的聲界面波裝置。
本申請(qǐng)的第1發(fā)明，是一種聲界面波裝置的制造方法，該聲界面波裝置按順序?qū)臃e有第1～第3媒質(zhì)、并且第1媒質(zhì)與第2媒質(zhì)間的界面上設(shè)有電極，該聲界面波裝置的制造方法，包括準(zhǔn)備層積有第1媒質(zhì)與第2媒質(zhì)、并在第1、第2媒質(zhì)的界面上設(shè)有電極的層積體的工序；在上述層積體階段，通過第2媒質(zhì)的膜厚調(diào)整頻率、或聲表面波、偽聲界面波或聲界面波的聲速的調(diào)整工序；以及，上述調(diào)整工序后，形成聲界面波的聲速及/或材料與第2媒質(zhì)不同的第3媒質(zhì)的工序。
第1發(fā)明的某個(gè)特定方案中，在設(shè)聲界面波的波長為λ時(shí)，第3媒質(zhì)的厚度，大于0.5λ。
本申請(qǐng)的第2發(fā)明，是一種聲界面波裝置的制造方法，該聲界面波裝置按順序?qū)臃e有第1～第4媒質(zhì)、且第1媒質(zhì)與第2媒質(zhì)間的界面上設(shè)有電極，該聲界面波裝置的制造方法，包括準(zhǔn)備按順序?qū)臃e有第1～第3媒質(zhì)、并在第1媒質(zhì)與第2媒質(zhì)的界面上設(shè)有電極的層積體的工序；在上述層積體階段，調(diào)整頻率、或聲表面波、偽聲界面波或聲界面波的聲速的調(diào)整工序；以及，上述調(diào)整工序后，形成聲速及/或材料與第3媒質(zhì)不同的第4媒質(zhì)的工序。
如上所述，第1、第2發(fā)明中，分別讓第3媒質(zhì)及第4媒質(zhì)，構(gòu)成為與第2媒質(zhì)及第3媒質(zhì)的聲速及/或材料不同。這種情況下，如果材料不同，縱波的聲速或橫波的聲速就不同。另外，即使是同一材料，通過讓結(jié)晶狀態(tài)不同，或在多結(jié)晶體的情況下通過變更致密程度，能夠變更聲速。另外，在媒質(zhì)層為各向同性體的情況下，媒質(zhì)層的縱波的聲速Vs，與橫波的聲速Vp，由該媒質(zhì)層的彈性勁度常數(shù)C11、C12以及密度ρ，通過下述式(1)與式(2)表示。
Vs=C11-C122ρ···(1)]]>[數(shù)2]Vp=C11ρ···(2)]]>第2發(fā)明的某個(gè)特定方案中，在設(shè)聲界面波的波長為λ時(shí)，上述第4媒質(zhì)的厚度大于0.5λ。
第1、第2發(fā)明的另一特定方案中，至少1個(gè)媒質(zhì)，具有層積了多個(gè)材料層的層積構(gòu)造。
第1、第2發(fā)明的再另一特定方案中，使用從Au、Ag、Cu、Fe、Ta、W、Ti以及Pt所構(gòu)成的群中選擇出的1種金屬，作為上述電極材料。
第1、第2發(fā)明的制造方法的另一特定方案中，上述媒質(zhì)層，使用從鈮酸鋰、鈮酸鈣、鉭酸鋰、四硼酸鋰、硅酸鎵钄(LGS)或鈮酸鎵钄(LGN)、水晶、PZT(鋯鈦酸鉛陶瓷)、ZnO、AIN、氧化硅、玻璃、硅、藍(lán)寶石、氮化硅以及氮化碳所構(gòu)成的群中選擇出的至少1種材料構(gòu)成。
第1、第2發(fā)明的制造方法的再另一特定方案中，上述電極是用來構(gòu)成聲界面波共振子或聲界面波濾波器的電極，得到聲界面波共振子或聲界面波濾波器作為聲界面波裝置。
本申請(qǐng)的第3發(fā)明，是一種聲界面波裝置，按順序?qū)臃e有第1～第4媒質(zhì)，在第1媒質(zhì)與第2媒質(zhì)間的界面上設(shè)有電極，第3媒質(zhì)與第4媒質(zhì)的聲速及/或材料不同。
第1發(fā)明的制造方法中，準(zhǔn)備層積有第1媒質(zhì)與第2媒質(zhì)、且在第1媒質(zhì)與第2媒質(zhì)的界面上設(shè)有電極的層積體，之后，在該層積體階段，通過第2媒質(zhì)的膜厚調(diào)整頻率或聲界面波的聲速。調(diào)整工序之后，形成聲速及/或材料與第2媒質(zhì)不同的第3媒質(zhì)。也即，如果準(zhǔn)備第1、第2媒質(zhì)間設(shè)有電極的層積體，在該層積體階段調(diào)整第2膜厚，就能夠調(diào)整頻率或聲表面波、偽聲界面波或聲界面波的聲速。因此，能夠得到實(shí)現(xiàn)所期望的頻率的聲界面波裝置的層積體。這種情況下，為了在層積體階段通過第2媒質(zhì)調(diào)整頻率或聲速，可以在得到層積體時(shí)調(diào)整第2媒質(zhì)的膜厚，或得到層積體后變化第2媒質(zhì)的膜厚，來進(jìn)行調(diào)整。
之后，雖然上述調(diào)整工序后，形成聲速及/或材料與第2媒質(zhì)不同的第3媒質(zhì)，但由于第3媒質(zhì)中幾乎不存在聲界面波的能量分布，因此即使產(chǎn)生了第3媒質(zhì)的制造偏差，也不易產(chǎn)生所得到的聲界面波裝置中的聲速或頻率的偏差。因此能夠容易并穩(wěn)定地提供特性偏差較小的聲界面波裝置。
第2發(fā)明的制造方法中，準(zhǔn)備按順序?qū)臃e有第1媒質(zhì)與第2媒質(zhì)以及第3媒質(zhì)、且在第1媒質(zhì)與第2媒質(zhì)的界面上設(shè)有電極的層積體之后，在該層積體階段，通過第3媒質(zhì)的膜厚調(diào)整頻率或聲界面波的聲速。調(diào)整工序后，形成聲速及/或材料與第3媒質(zhì)不同的第4媒質(zhì)。也即，如果準(zhǔn)備第1、第2媒質(zhì)間設(shè)有電極、且第2媒質(zhì)之上層積有第3媒質(zhì)的層積體，并在該層積體階段調(diào)整第3媒質(zhì)的膜厚，就能夠調(diào)整頻率或聲表面波、偽聲界面波或聲界面波的聲速。因此，能夠得到實(shí)現(xiàn)所期望的頻率的聲界面波裝置的層積體。這種情況下，為了在該層積體階段通過第3媒質(zhì)調(diào)整頻率或聲速，可以在得到層積體時(shí)調(diào)整第3媒質(zhì)的膜厚，或得到層積體后變化第3媒質(zhì)的膜厚，來進(jìn)行調(diào)整。
之后，雖然上述調(diào)整工序后，形成聲速及/或材料與第3媒質(zhì)不同的第4媒質(zhì)，但由于第4媒質(zhì)中幾乎不存在聲界面波的能量分布，因此即使產(chǎn)生了第4媒質(zhì)的制造偏差，也不易產(chǎn)生所得到的聲界面波裝置中的聲速或頻率的偏差。因此能夠容易并穩(wěn)定地提供特性偏差較小的聲界面波裝置。
在第1發(fā)明或第2發(fā)明所構(gòu)成的聲界面波裝置中傳送的界面波，過半的能量分布在第1發(fā)明的媒質(zhì)3或第2發(fā)明的媒質(zhì)4的厚0.5λ的范圍內(nèi)。因此，可以將第1發(fā)明的媒質(zhì)3或第2發(fā)明的媒質(zhì)4的厚度設(shè)為0.5λ以上。
在至少1個(gè)媒質(zhì)具有層積了多個(gè)材料層的層積構(gòu)造的情況下，通過選擇多個(gè)材料層，能夠容易地形成各種各樣的聲速或頻率特性的媒質(zhì)層。
在使用從Ag、Au、Cu、Fe、Ta、W、Ti以及Pt所構(gòu)成的群中選擇出的1種金屬，作為電極材料的情況下，這些金屬可以用作界面波裝置的傳送通道或IDT、反射器。
在媒質(zhì)層使用從鈮酸鋰、鈮酸鈣、鉭酸鋰、四硼酸鋰、LGS或LGN、水晶、PZT、ZnO、AIN、氧化硅、玻璃、硅、藍(lán)寶石、氮化硅以及氮化碳所構(gòu)成的群中選擇出的至少1種材料構(gòu)成的情況下，使用這些金屬材料與媒質(zhì)材料，調(diào)整金屬材料的膜厚或IDT、反射器的占空比，讓界面波的聲速比媒質(zhì)材料的聲速低，通過這樣能夠構(gòu)成界面波裝置。
在上述電極是用來構(gòu)成聲界面波共振子或聲界面波濾波器的電極的情況下，按照本發(fā)明，能夠提供一種頻率偏差較小的聲界面波共振子或聲界面波濾波器。
本發(fā)明的聲界面波裝置，按順序?qū)臃e有第1～第3媒質(zhì)，在第1媒質(zhì)與第2媒質(zhì)間的界面上設(shè)有電極，第2媒質(zhì)與第3媒質(zhì)的聲速及/或材料不同；由于界面波的能量如圖5所示分布，因此通過變化第2媒質(zhì)的厚度能夠調(diào)整界面波的聲速。另外，即使變化第3媒質(zhì)的厚度，由于第3媒質(zhì)的表面沒有分布界面波的能量，因此不會(huì)調(diào)整界面波的聲速。界面波裝置的動(dòng)作頻率F，通過界面波的聲速V與IDT的條形配置周期λ，表示為F＝V/λ，因此通過調(diào)整聲速能夠調(diào)整界面波裝置的動(dòng)作頻率。
第3發(fā)明中，按順序?qū)臃e有第1～第4媒質(zhì)，在第1媒質(zhì)與第2媒質(zhì)間的界面上設(shè)有電極，第3媒質(zhì)與第4媒質(zhì)的聲速及/或材料不同；由于界面波的能量如圖6所示分布，因此通過變化第3媒質(zhì)的厚度能夠調(diào)整界面波的聲速。另外，即使變化第4媒質(zhì)的厚度，由于第4媒質(zhì)的表面沒有分布界面波的能量，因此不會(huì)調(diào)整界面波的聲速。界面波裝置的動(dòng)作頻率F，通過界面波的聲速V與IDT的條形配置周期λ，表示為F＝V/λ，因此通過調(diào)整聲速能夠調(diào)整界面波裝置的動(dòng)作頻率。
另外，第3發(fā)明中，第2媒質(zhì)與第4媒質(zhì)能夠使用相同材料，通過這樣能夠?qū)崿F(xiàn)各種特性的改善。一般來說，很多電介質(zhì)材料、金屬材料相對(duì)彈性波的聲速，具有負(fù)的溫度系數(shù)。在第1～第3媒質(zhì)層以及電極層分別使用負(fù)的材料的情況下，聲界面波的聲速的溫度系數(shù)變?yōu)樨?fù)。聲界面波裝置的動(dòng)作頻率的溫度系數(shù)TCF為[數(shù)3]TCF=1V.ΔVΔT-α]]>這里，V為界面波的聲速，ΔV為聲速變化幅度，ΔT為溫度變化幅度，α為線熱膨脹系數(shù)。α在很多電介質(zhì)材料、金屬材料中為正。因此，聲界面波裝置的TCF變?yōu)樨?fù)。聲界面波裝置中，希望TCF為零。
為了改善溫度特性，能夠通過具有正的溫度系數(shù)的SiO2構(gòu)成第2媒質(zhì)與第4媒質(zhì)。這種情況下，與第2媒質(zhì)通過具有負(fù)的溫度系數(shù)的電介質(zhì)材料構(gòu)成的情況相比，能夠讓溫度系數(shù)接近零。進(jìn)而，如果適當(dāng)選擇第1與第3媒質(zhì)材料或各個(gè)媒質(zhì)的厚度，就能夠?qū)CF設(shè)為零。


圖1為說明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的聲界面波裝置的簡略主視剖面圖。
圖2(a)、(b)為表示本發(fā)明成立的前提的聲表面波裝置中的電極構(gòu)造的平面圖以及該聲界面波裝置的主視剖面圖。
圖3為說明聲界面波裝置中的IDT或反射器的占空比的示意部分放大剖面圖。
圖4為表示以前的聲界面波裝置的剖面構(gòu)造與聲界面波的能量分布的關(guān)系的圖。
圖5為表示通過本申請(qǐng)的第1發(fā)明所得到的聲界面波裝置的剖面構(gòu)造與聲界面波的能量分布的關(guān)系的圖。
圖6為表示通過本申請(qǐng)的第2發(fā)明所得到的聲界面波裝置的剖面構(gòu)造與聲界面波的能量分布的關(guān)系的圖。
圖7為表示實(shí)施例1中所得到的聲界面波裝置中的第2媒質(zhì)即SiO2膜的膜厚H2與聲速(中心頻率×λ)之間的關(guān)系的圖。
圖8為表示實(shí)施例1中所得到的聲界面波裝置中的第2媒質(zhì)即SiO2膜的膜厚H2與頻率溫度系數(shù)之間的關(guān)系的圖。
圖9為表示作為實(shí)施例2中所得到的聲界面波裝置中的第3媒質(zhì)的多結(jié)晶Si的膜厚H3與聲速(中心頻率×λ)之間的關(guān)系的圖。
圖10為表示作為實(shí)施例2中所得到的聲界面波裝置中的第3媒質(zhì)的多結(jié)晶Si的膜厚H3與頻率溫度系數(shù)之間的關(guān)系的圖。
圖11為表示作為使用本發(fā)明的聲界面波裝置之一例的梯式濾波器的電路結(jié)構(gòu)的電路圖。
圖12為用來說明以前的聲界面波裝置之一例的的立體圖。
圖13為表示以前的聲界面波裝置中，產(chǎn)生頻率偏差的狀態(tài)的頻率特性圖。
圖中1-第1媒質(zhì)，2-第2媒質(zhì)，3-第3媒質(zhì)，5-電極，20-聲界面波裝置，21-第1媒質(zhì)，22-第2媒質(zhì)，23-第3媒質(zhì)，24-第4媒質(zhì)，25-電極。
具體實(shí)施例方式
下面，對(duì)照附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
進(jìn)行說明，通過這樣來明確本發(fā)明。
本發(fā)明人，制作了如圖2(a)以及(b)所示的聲界面波裝置，并進(jìn)行了研究。圖2(b)為該聲界面波裝置200的主視剖面圖，聲界面波裝置200，具有層積了第1媒質(zhì)201與第2媒質(zhì)202的構(gòu)造。第1、第2媒質(zhì)201、202間的界面中，作為電極形成有輸入IDT205、輸出IDT206、207以及反射器208、209。這些電極構(gòu)造，在圖2(a)中通過平面圖來表示。
制作上述聲界面波裝置200時(shí)，第1媒質(zhì)201通過15°Y切X傳送的LiNbO3基板構(gòu)成，將基于IDT205～207的中心部的配置周期的波長λ設(shè)為30μm，電極指交叉幅度為50λ。另外，輸入IDT205的電極指的對(duì)數(shù)為14.5對(duì)，該IDT204的界面波傳送方向外側(cè)的4根電極指的配置周期為0.86λ。輸出IDT206、207中，電極指的對(duì)數(shù)分別為8.5對(duì)，接近輸入IDT205側(cè)設(shè)置的4根電極指的配置周期為0.86λ。反射器208、209的電極指的根數(shù)為41根，配置周期為1.033λ。并且，反射器208、209的反射帶域內(nèi)配置濾波器通過帶域，輸入IDT205與輸出IDT206、207的最接近電極指中心間距離為0.43λ。另外，輸出IDT206、207與反射器208、209的最接近電極指中心間距離為0.5λ。IDT205～207與反射器208、209的占空(duty)比為0.5。
另外，圖3為說明上述占空比的示意剖面圖。占空比是由圖3的L/P所決定的值。這里，L是電極指的寬度，P是在界面波傳送方向上相鄰的電極指間空間的中心間距。IDT或反射器的配置周期λ，通過λ＝2×P來表示。
另外，上述各個(gè)電極，通過0.05λ的Au膜、與設(shè)置在該Au膜的基底處的0.003λ的NiCr膜的層積體構(gòu)成。另外，第2媒質(zhì)通過SiO2膜構(gòu)成。
制作兩次上述聲界面波裝置，得到第1批與第2批的各個(gè)聲界面波裝置。
然后，測(cè)定由第1批與第2批所得到的聲界面波裝置的S21特性(通過特性)的結(jié)果，如圖13所示，可以確認(rèn)通過帶域的中心頻率在第1批的平均值與第2批的平均值上，有5.6MHz的差別。
濾波器的通過帶域中，需要使其中心頻率與所期望的中心頻率相一致，需要高精度抑制通過帶域的頻率偏差。因此，與上述第1、第2批同樣，再次制作第1批與第2批的聲界面波裝置。這里，測(cè)定作為第2媒質(zhì)的SiO2膜的成膜前后的通過頻率。結(jié)果顯示在下述的表1中。


從表1可以得知，第1批與第2批中，SiO2膜成膜前后的頻率變化幅度都很大，達(dá)到了約220MHz。另外，將第1批的聲界面波裝置的情況下的結(jié)果、與第2批的聲界面波裝置的結(jié)果進(jìn)行比較，可以得知在SiO2膜成膜之后，頻率差進(jìn)一步擴(kuò)大了2MHz。因此可以得知，作為第2媒質(zhì)的SiO2膜成的批量間的偏差，給最終所得到的聲界面波裝置的頻率偏差帶來了很大的影響。
如上所述，在第1媒質(zhì)上形成電極之后，形成作為第2媒質(zhì)的SiO2膜的情況下，如果第2媒質(zhì)中產(chǎn)生了偏差，聲界面波裝置中就會(huì)產(chǎn)生很大的頻率偏差。
與此相對(duì)，本申請(qǐng)的第1發(fā)明中，在形成第2媒質(zhì)的層積體階段，進(jìn)行頻率調(diào)整。因此，在頻率調(diào)整工序后，批量間的頻率偏差顯著降低。并且，在進(jìn)一步還形成了第3媒質(zhì)的情況下，即使第3媒質(zhì)產(chǎn)生偏差，所得到的聲界面波裝置中的頻率偏差也得到了有效抑制。對(duì)照?qǐng)D1、圖4以及圖5對(duì)這一點(diǎn)進(jìn)行說明。
圖1為表示本發(fā)明的一實(shí)施方式的聲界面波裝置的部分剖切主視剖面圖。該聲界面波裝置中，第1媒質(zhì)1上層積有第2媒質(zhì)2以及第3媒質(zhì)3。第1媒質(zhì)1與第2媒質(zhì)2之間的界面上，形成有電極5。本實(shí)施方式中，在第1媒質(zhì)上形成了電極5之后，形成第2媒質(zhì)2，得到層積體。然后，在該層積體階段，進(jìn)行頻率調(diào)整。具體的說，變化第2媒質(zhì)2的膜厚，進(jìn)行頻率調(diào)整。變化該第2媒質(zhì)的膜厚的方法，例如有使用通過蝕刻等使得第2媒質(zhì)2的膜厚變薄的加工的方法，或進(jìn)一步通過濺射等成膜法成膜由與第2媒質(zhì)相同的材料構(gòu)成的膜，并實(shí)質(zhì)上增大第2媒質(zhì)2的膜厚的方法等?；蛘咴诘?媒質(zhì)2的成膜階段，調(diào)整其膜厚。
之后，本實(shí)施方式中，在進(jìn)行了膜厚調(diào)整之后，形成第3媒質(zhì)3。
另外，第2媒質(zhì)2以及第3媒質(zhì)3的形成方法，并不僅限于濺射等成膜形成方法，可以通過各種各樣的方法來進(jìn)行。特別是對(duì)于第3媒質(zhì)3，還可以將另外準(zhǔn)備的由第3媒質(zhì)形成的薄膜或板狀體，貼合在第2媒質(zhì)上。
另外，第1發(fā)明的聲界面波裝置中，需要讓第3媒質(zhì)3相對(duì)第2媒質(zhì)2，構(gòu)成為界面波的聲速及/或材料不同。在第2媒質(zhì)2與第3媒質(zhì)3中的聲速以及材料相同的情況下，有時(shí)即使進(jìn)行上述頻率調(diào)整工序，頻率也不會(huì)變化。
圖4為表示以前的聲界面波裝置的示意主視剖面圖、與聲界面波的能量分布之間的關(guān)系的圖。從圖4可以得知，聲界面波裝置200中，在膜厚H1的第1媒質(zhì)201與膜厚H2的第2媒質(zhì)202的界面上，設(shè)有IDT205等電極。如圖4的右側(cè)所示，界面波的能量集中在界面附近。但是，第1、第2媒質(zhì)201、202中，隨著遠(yuǎn)離界面，能量衰減，但例如第2媒質(zhì)202中，圖4的帶陰影的部分中也分布有能量。因此，第2媒質(zhì)202形成之后，如果第2媒質(zhì)中產(chǎn)生偏差，就會(huì)產(chǎn)生頻率偏差。
圖5為表示按照本申請(qǐng)的第1發(fā)明所構(gòu)成的上述實(shí)施方式的聲界面波裝置的示意剖面圖與能量分布之間的關(guān)系的圖。
圖5所示的聲界面波裝置中，膜厚H1的第1媒質(zhì)1與膜厚H2的第2媒質(zhì)2的界面上形成有電極5。這種情況下，在第1媒質(zhì)上形成電極5，既而形成第2媒質(zhì)2。在形成該第2媒質(zhì)的階段，進(jìn)行頻率調(diào)整。然后，在頻率調(diào)整后形成膜厚H3的第3媒質(zhì)3。這樣所得到的聲界面波裝置中，在層積第1、第2媒質(zhì)1、2的層積體階段，進(jìn)行頻率調(diào)整。
另外，上述聲界面波裝置中的界面波的能量分布中，如圖5的右側(cè)所示，第3媒質(zhì)3中只分布了能量的極少的一部分。因此可知，即使第3媒質(zhì)3中產(chǎn)生制造偏差，其所引起的頻率偏差也非常小。因此，通過在第3媒質(zhì)3形成前進(jìn)行頻率調(diào)整，能夠顯著降低形成第3媒質(zhì)3后的聲界面波裝置的頻率偏差。
圖6為用來說明第2發(fā)明的聲界面波裝置中能夠減小頻率偏差的理由的示意剖面圖以及表示界面波的能量分布的圖。
第2發(fā)明的聲界面波裝置20中，膜厚H1的第1媒質(zhì)21與膜厚H2的第2媒質(zhì)22間形成電極25，進(jìn)而層積膜厚H3的第3媒質(zhì)23，得到層積體。在該層積體階段進(jìn)行頻率調(diào)整。然后，在第3媒質(zhì)23上層積膜厚H4的第4媒質(zhì)24。這樣所得到的聲界面波裝置20中，界面波的能量分布如圖6的右側(cè)所示。也即，第4媒質(zhì)中，只分布了界面波的能量的極少的一部分。因此，如果在形成上述第3媒質(zhì)23的層積體階段進(jìn)行頻率調(diào)整，顯著減小頻率偏差，則即使進(jìn)一步形成第4媒質(zhì)24，也能夠?qū)㈩l率偏差控制得較小。
另外，第2發(fā)明中，需要讓第3媒質(zhì)23與第4媒質(zhì)24，構(gòu)成為聲速不同、及/或材料不同。這是由于，如果不這樣頻率就不會(huì)變化。
如上所述，本申請(qǐng)的第1、第2發(fā)明的制造方法中能夠抑制頻率偏差，是通過在最后所形成的第3媒質(zhì)或第4媒質(zhì)被形成之前，進(jìn)行頻率調(diào)整，最后再形成第3媒質(zhì)及第4媒質(zhì)。也即，第1發(fā)明中的第3媒質(zhì)、第2發(fā)明中的第4媒質(zhì)中，只分布有極少一部分界面波的能量。因此，第1發(fā)明中的第3媒質(zhì)、第2發(fā)明中的第4媒質(zhì)中，即使發(fā)生了制造偏差，該制造偏差也基本不會(huì)給最終所得到的聲界面波裝置的頻率偏差帶來太多影響。因此，通過在層積體階段進(jìn)行頻率調(diào)整，能夠提供一種頻率偏差小的聲界面波裝置。
另外，第2發(fā)明中，第2媒質(zhì)22與第4媒質(zhì)24既可以由同一材料構(gòu)成，又可以由不同材料構(gòu)成。例如，在第2媒質(zhì)22通過頻率溫度系數(shù)為正的材料的SiO2構(gòu)成的情況下，通過將SiO2與頻率溫度系數(shù)為負(fù)的多種材料組合起來，能夠改善界面波裝置的頻率溫度系數(shù)。第1發(fā)明中，在第2媒質(zhì)2與第3媒質(zhì)3的一方使用SiO2的情況下，另一方最好使用頻率溫度為負(fù)的SiO2以外的材料。不過，第2媒質(zhì)2與第3媒質(zhì)3雙方也可以由SiO2構(gòu)成，但這種情況下，由于需要讓SiO2的密度或硬度(彈性常數(shù))等不同，來使得聲速不同，因此有可能會(huì)導(dǎo)致頻率溫度系數(shù)的改善效果惡化。因此，第1發(fā)明中，最好讓第2媒質(zhì)2與第3媒質(zhì)3中只有一方使用SiO2。
另外，第2發(fā)明中，在第2媒質(zhì)22與第4媒質(zhì)24雙方由SiO2構(gòu)成的情況下，第3媒質(zhì)23可以使用SiO2以外的材料。因此，能夠在維持由SiO2實(shí)現(xiàn)的頻率溫度系數(shù)改善效果的同時(shí)，進(jìn)行頻率調(diào)整。
另外，第1發(fā)明中，第2媒質(zhì)的厚度H2(λ)最好為1λ以下。也即，通過將第2媒質(zhì)的厚度設(shè)為1λ以下，由于聲界面波的能量分布幾乎不分布在第3媒質(zhì)側(cè)，因此能夠有效地降低第3媒質(zhì)的制造偏差所引起的頻率偏差。另外，最好讓第3媒質(zhì)的厚度H3大于0.5λ。如果第3媒質(zhì)的厚度大于0.5λ，則即使在第3媒質(zhì)中分布有界面波的能量的情況下，第3媒質(zhì)中，如圖5所示，在到達(dá)與媒質(zhì)2相接的面的相反側(cè)的媒質(zhì)3的表面之前，界面波的能量被可靠衰減，可得到良好的界面波傳送。如果像這樣構(gòu)成，則即使在表面附著有異物的情況下，界面波裝置的特性也很穩(wěn)定。
第2發(fā)明中，如果將第2媒質(zhì)的厚度H2設(shè)為0.5λ以下，便如圖6所示，能夠?qū)⒔缑娌ǖ哪芰啃孤┑降?媒質(zhì)中。另外，如果將第3媒質(zhì)的厚度H3設(shè)為0.1λ以下，能將界面波的能量泄漏到第4媒質(zhì)中。由于“第2、第4”與“第3”媒質(zhì)的聲速不同，因此如果調(diào)整第3媒質(zhì)的厚度，就能夠調(diào)整界面波的聲速。在第2媒質(zhì)較厚，界面波的能量不會(huì)泄漏到第3媒質(zhì)中的情況下，即使變更第3媒質(zhì)的狀態(tài)，也無法調(diào)整界面波的聲速。進(jìn)而，在第3媒質(zhì)較厚，界面波的能量不會(huì)泄漏到第4媒質(zhì)中的情況下，即使變更第3媒質(zhì)的厚度，也無法調(diào)整界面波的聲速。
另外，如圖6所示，在到達(dá)與媒質(zhì)3相接的面的相反側(cè)的媒質(zhì)4的表面之前，界面波的能量被可靠衰減，可得到良好的界面波傳送。如果像這樣構(gòu)成，則即使在表面附著有異物的情況下，界面波裝置的特性也很穩(wěn)定。
接下來對(duì)具體實(shí)施例進(jìn)行說明。
(實(shí)施例1)準(zhǔn)備15°Y切X傳送的LiNbO3基板作為第1媒質(zhì)，在該LiNbO3基板上，制作如圖2所示的電極構(gòu)造。也即，形成如圖2(a)所示的輸入IDT205、輸出IDT206、207以及反射器208、209。形成電極時(shí)，將LiNbO3基板清洗之后，旋涂保護(hù)層，預(yù)烘干之后，進(jìn)行顯影，形成保護(hù)層圖形。之后，按順序真空蒸鍍NiCr膜與Au膜，剔除保護(hù)層并洗凈。如上所述，得到了Au膜的膜厚為0.055λ，NiCr的膜厚為0.001λ的電極構(gòu)造。
接下來，覆蓋上述LiNbO3基板的電極形成面，通過RF濺射法成膜厚0.1λ的SiO2膜，作為第2媒質(zhì)。這樣，得到了如圖2(b)所示的層積體。
接下來，在上述SiO2膜上，旋涂保護(hù)層并顯影，形成保護(hù)層圖形，之后實(shí)施反應(yīng)性離子蝕刻以及保護(hù)層去除，去除與外部電連接的電極上的SiO2膜。
將晶片探測(cè)器的檢查端子接觸如上所露出的外部端子，測(cè)定中心頻率。對(duì)SiO2膜進(jìn)行加工，使得所得到的測(cè)定值與所期望的中心頻率相一致。進(jìn)行該加工時(shí)，使用通過反應(yīng)性離子蝕刻讓SiO2膜變薄的加工，或者通過濺射來成膜，增厚SiO2膜的方法來進(jìn)行。
也即，在測(cè)定值低于所期望的中心頻率的情況下，如上所述削薄SiO2膜，反之在高于的情況下增加SiO2膜的厚度。
另外，此時(shí)所傳送的彈性波，并不是聲界面波而是將變位集中在表面的聲表面波，頻率調(diào)整對(duì)聲表面波進(jìn)行。
頻率調(diào)整之后，在上述SiO2膜上，通過濺射法形成厚1λ的多結(jié)晶Si膜，作為第3媒質(zhì)。
此時(shí)，所傳送的彈性波變?yōu)槁暯缑娌ā?br> 在上述多結(jié)晶Si膜上，旋涂保護(hù)層并顯影、燒接，并通過反應(yīng)性離子蝕刻進(jìn)行構(gòu)圖。之后，去除保護(hù)層，去除外部端子上的多結(jié)晶Si。這樣，得到多個(gè)聲界面波裝置。
如上所得到的聲界面波裝置，共振頻率的偏差較小。
另外，圖7為表示本實(shí)施例所得到的聲界面波裝置中的SiO2的膜厚H2、與中心頻率乘以λ所求出的界面波裝置的聲速之間的關(guān)系的圖。另外，圖8中示出了SiO2的膜厚H2與頻率溫度系數(shù)TCF(ppm/℃)之間的關(guān)系。另外，由于是聲界面波裝置，因此第3媒質(zhì)即多結(jié)晶Si的膜厚與聲速無關(guān)。
從圖7可以得知，作為第2媒質(zhì)的SiO2膜的膜厚H2越大，聲速就越低。另外，從圖8可以得知，SiO2膜的膜厚H2越厚，頻率溫度系數(shù)TCF就越能得到改善。
(實(shí)施例2)準(zhǔn)備15°Y切X傳送的LiNbO3基板作為第1媒質(zhì)，與實(shí)施例1一樣，形成如圖2(a)所示的電極構(gòu)造。準(zhǔn)備多個(gè)這樣的形成有電極的LiNbO3基板。
接下來，在LiNbO3基板上通過RF濺射法成膜SiO2膜，覆蓋上述LiNbO3基板上的電極。這種情況下，分別制造成膜有厚為0.1λ、0.3λ、0.5λ以及1.0λ的膜厚的SiO2膜的構(gòu)造。之后，在SiO2膜上通過RF濺射法成膜厚0.5λ的多晶硅，準(zhǔn)備具有多結(jié)晶Si/SiO2/電極/LiNbO3基板的層積構(gòu)造、即層積有第3媒質(zhì)/第2媒質(zhì)/電極/第1媒質(zhì)的層積體。
另外，此時(shí)所傳送的彈性波不是聲界面波，而是變位集中在表面的聲表面波，頻率調(diào)整對(duì)聲表面波進(jìn)行。
接下來，在如上所得到的層積體的多結(jié)晶Si膜上，旋涂保護(hù)層并預(yù)烘干、構(gòu)圖，之后進(jìn)行反應(yīng)性離子蝕刻，去除保護(hù)層，通過這樣，去除外部端子上的多結(jié)晶Si與SiO2，讓外部端子露出來。將晶片探測(cè)器的檢查端子接觸如上所露出的外部端子，測(cè)定濾波特性的中心頻率。
對(duì)多結(jié)晶Si進(jìn)行加工，使得頻率測(cè)定值與所期望的中心頻率相一致。實(shí)施該加工時(shí)，在測(cè)定值低于中心頻率的目標(biāo)值的情況下，通過反應(yīng)性離子蝕刻將多結(jié)晶Si加工得較薄。反之，在測(cè)定值高于所期望的中心頻率的情況下，通過濺射再次成膜多結(jié)晶Si，增大多結(jié)晶Si的膜厚。頻率調(diào)整工序之后，在多結(jié)晶Si上，通過濺射法形成厚1λ的SiO2膜，作為第4媒質(zhì)。
此時(shí)，所傳送的彈性波變?yōu)槁暯缑娌ā?br> 在上述SiO2膜上，旋涂保護(hù)層并構(gòu)圖，進(jìn)行反應(yīng)性離子蝕刻，去除保護(hù)層，通過這樣，去除外部端子上的SiO2膜。這樣，得到了多個(gè)聲界面波裝置。
對(duì)如上所得到的多個(gè)聲界面波裝置測(cè)定中心頻率。形成有厚0.1λ、0.3λ、0.5λ、以及1.0λ的第2媒質(zhì)的各個(gè)聲界面波裝置中的中心頻率的偏差，分別依次減小。
圖9為表示如上所得到并且第2媒質(zhì)SiO2膜的厚度H2為0.1λ、0.3λ、0.5λ的聲界面波裝置中的、第3媒質(zhì)即多結(jié)晶Si的厚度H3、與聲速(中心頻率×λ)之間的關(guān)系的圖。圖10為表示多結(jié)晶Si的厚度H3與頻率溫度系數(shù)TCF(ppm/℃)之間的關(guān)系。
另外，由于是聲界面波裝置，因此第4媒質(zhì)SiO2膜的膜厚與聲速無關(guān)。
從圖9可以得知，在多結(jié)晶Si的膜厚H3為0～0.1λ的范圍內(nèi)，聲速的變化較大，在該范圍內(nèi)能夠高效地進(jìn)行頻率調(diào)整。另外，在該范圍內(nèi)，從圖10可以得知，頻率溫度系數(shù)TCF與圖8所示的實(shí)施例1的情況下的頻率溫度系數(shù)相比，最大改善了25ppm/℃。另外，雖然第2媒質(zhì)即SiO2膜的膜厚為0.5λ時(shí)，如圖9所示能夠看到聲速的變化，但在第2媒質(zhì)的膜厚大于0.5λ的情況下，即使多結(jié)晶Si的膜厚H3在圖9所示的范圍內(nèi)變化，聲速也不會(huì)變化。
因此優(yōu)選，在層積第1～第4媒質(zhì)構(gòu)成的聲界面波裝置中，讓第2媒質(zhì)的膜厚H2為0.5λ以下。
另外，上述實(shí)施例中，對(duì)圖2(a)所示的3IDT構(gòu)造的縱結(jié)合型聲界面波共振子濾波器進(jìn)行了說明，但本發(fā)明的聲界面波裝置，能夠采用各種各樣的電極構(gòu)造。也即，可以是使用兩個(gè)以上的IDT的縱結(jié)合型聲界面波共振子濾波器，或如圖11中電路圖所示，多個(gè)聲界面波共振子S1、S2、P1、P2連接而成的梯式濾波器。另外，雖然圖11中連接有4個(gè)聲界面波共振子，但也可以構(gòu)成任意級(jí)數(shù)的梯式濾波器。
另外，梯式濾波器中的共振子的數(shù)目沒有特別限制。另外，本發(fā)明的聲界面波裝置及其制造方法，還能夠提供橫結(jié)合型聲界面波濾波器。
進(jìn)而，電極可以不使用IDT，而使用“聲表面波工學(xué)”(電子信息通信學(xué)會(huì)發(fā)行，初版第6次印刷，第57頁)中所記載的梳形換能器(transducer)。在使用梳形換能器的情況下，λ為梳形換能器的梳齒的配置周期?？傊?，只要將電聲變換器進(jìn)行激勵(lì)的波長設(shè)為λ即可。
再有，雖然上述實(shí)施例1、2中，電極以Au所構(gòu)成的電極層為主體，基底層積有NiCr層，但也可以使用其他金屬來形成電極。例如，可以使用Ag、Cu、Fe、Ta、W、Ti以及Pt中的1種。另外，為了提高電極對(duì)第1媒質(zhì)與第2媒質(zhì)的密合性，提高耐電性，還可以層積Ti、Cr或NiCr等所構(gòu)成的較薄的第2電極層。第2電極層，可以設(shè)置在第1媒質(zhì)與上述Au等所構(gòu)成的主電極層之間，或主電極層與第2媒質(zhì)之間。再有，電極還可以采用層積了3個(gè)以上的電極層的構(gòu)造，這種情況下，第2電極層可以作為中間層來層積。
另外，本發(fā)明中，電極構(gòu)造可以通過多個(gè)金屬所構(gòu)成的合金來構(gòu)成。
進(jìn)而，構(gòu)成本發(fā)明中的第1～第3媒質(zhì)以及第1～第4媒質(zhì)的材料也沒有特別限制。也即，可以使用各種各樣的電介質(zhì)作為媒質(zhì)。作為這樣的媒質(zhì)，可以列舉出例如鈮酸鋰、鈮酸鈣、鉭酸鋰、四硼酸鋰、硅酸鎵钄(Langasite)或鈮酸鎵钄(Langanite)、水晶、PZT、ZnO、AIN、氧化硅、玻璃、硅、藍(lán)寶石、氮化硅以及氮化碳所構(gòu)成的群中所選擇出的1種等。
另外，媒質(zhì)不必由單一材料構(gòu)成，也可以具有層積多個(gè)媒質(zhì)層所構(gòu)成的層積構(gòu)造。也即，第1～第3媒質(zhì)或第1～第4媒質(zhì)中的至少1個(gè)媒質(zhì)，可以具有層積多個(gè)材料層的層積構(gòu)造。
另外，本發(fā)明的聲界面波裝置中，外側(cè)可以形成用來提高強(qiáng)度、防止腐蝕性氣體等侵入的保護(hù)層。另外，聲界面波裝置，如果并不排斥部件尺寸較大，則還可以具有封入在封裝中的構(gòu)造。
另外，上述保護(hù)層可以通過氧化鈦、氮化鋁、氧化鋁等絕緣性材料構(gòu)成，或Au、Al或W等金屬膜構(gòu)成，還可以通過環(huán)氧樹脂等樹脂膜構(gòu)成。
權(quán)利要求
1.一種聲界面波裝置的制造方法，該聲界面波裝置按順序?qū)臃e有第1～第3媒質(zhì)、并且第1媒質(zhì)與第2媒質(zhì)間的界面上設(shè)有電極，該聲界面波裝置的制造方法，包括準(zhǔn)備層積有第1媒質(zhì)與第2媒質(zhì)、并在第1、第2媒質(zhì)的界面上設(shè)有電極的層積體的工序；在上述層積體階段，通過第2媒質(zhì)的膜厚調(diào)整頻率、或聲表面波、偽聲界面波或聲界面波的聲速的調(diào)整工序；以及，上述調(diào)整工序后，形成聲界面波的聲速及/或材料與第2媒質(zhì)不同的第3媒質(zhì)的工序。
2.如權(quán)利要求1所述的聲界面波裝置的制造方法，其特征在于在設(shè)聲界面波的波長為λ時(shí)，第3媒質(zhì)的厚度大于0.5λ。
3.一種聲界面波裝置的制造方法，該聲界面波裝置按順序?qū)臃e有第1～第4媒質(zhì)、且第1媒質(zhì)與第2媒質(zhì)間的界面上設(shè)有電極，該聲界面波裝置的制造方法，包括準(zhǔn)備按順序?qū)臃e有第1～第3媒質(zhì)、并在第1媒質(zhì)與第2媒質(zhì)的界面上設(shè)有電極的層積體的工序；在上述層積體階段，調(diào)整頻率、或聲表面波、偽聲界面波或聲界面波的聲速的調(diào)整工序；以及，上述調(diào)整工序后，形成聲速及/或材料與第3媒質(zhì)不同的第4媒質(zhì)的工序。
4.如權(quán)利要求3所述的聲界面波裝置的制造方法，其特征在于在設(shè)聲界面波的波長為λ時(shí)，上述第4媒質(zhì)的厚度大于0.5λ。
5.如權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的聲界面波裝置的制造方法，其特征在于至少1個(gè)媒質(zhì)，具有層積了多個(gè)材料層的層積構(gòu)造。
6.如權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的聲界面波裝置的制造方法，其特征在于使用從Au、Ag、Cu、Fe、Ta、W、Ti以及Pt所構(gòu)成的群中選擇出的1種金屬，作為上述電極材料。
7.如權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的聲界面波裝置的制造方法，其特征在于上述媒質(zhì)層，使用從鈮酸鋰、鈮酸鈣、鉭酸鋰、四硼酸鋰、硅酸鎵钄或鈮酸鎵钄、水晶、PZT(鋯鈦酸鉛陶瓷)、ZnO、AIN、氧化硅、玻璃、硅、藍(lán)寶石、氮化硅以及氮化碳所構(gòu)成的群中所選擇出的至少1種材料構(gòu)成。
8.如權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的聲界面波裝置的制造方法，其特征在于上述電極，是用來構(gòu)成聲界面波共振子或聲界面波濾波器的電極，得到聲界面波共振子或聲界面波濾波器作為聲界面波裝置。
9.一種聲界面波裝置，其特征在于按順序?qū)臃e有第1～第4媒質(zhì)，在第1媒質(zhì)與第2媒質(zhì)間的界面上設(shè)有電極，第3媒質(zhì)與第4媒質(zhì)的聲速及/或材料不同。
全文摘要
本發(fā)明提供一種頻率偏差較小的聲界面波裝置的制造方法。該聲界面波裝置，按順序?qū)臃e有第1～第3媒質(zhì)(1～3)、并且第1媒質(zhì)(1)與第2媒質(zhì)(2)間的界面上設(shè)有電極(5)。該制造方法中，準(zhǔn)備層積有第1媒質(zhì)(1)與第2媒質(zhì)(2)，并在第1、第2媒質(zhì)(1、2)的界面中設(shè)有電極(5)的層積體，在該層積體階段，通過調(diào)整第2媒質(zhì)(2)的膜厚來調(diào)整頻率或聲表面波、偽聲界面波或聲界面波的聲速，實(shí)施該調(diào)整后，形成聲界面波的聲速及/或材料與第2媒質(zhì)不同的第3媒質(zhì)(3)。
文檔編號(hào)H03H9/145GK1938946SQ20058000975
公開日2007年3月28日 申請(qǐng)日期2005年3月24日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月29日
發(fā)明者門田道雄, 神藤始 申請(qǐng)人:株式會(huì)社村田制作所