本申請(qǐng)要求于2016年2月18日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2016-0018989號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)的權(quán)益，所述韓國(guó)專利申請(qǐng)的全部公開(kāi)內(nèi)容出于所有目的通過(guò)引用被包含于此。

本公開(kāi)涉及一種聲波諧振器模塊及其制造方法。

背景技術(shù)：

根據(jù)無(wú)線通信裝置的小型化的趨勢(shì)，已經(jīng)積極地進(jìn)行了射頻組件小型化的技術(shù)。這樣的射頻組件小型化的技術(shù)的示例為使用半導(dǎo)體制造技術(shù)的具有體聲波(baw)諧振器的形式的濾波器。

體聲波(baw)諧振器指的是這樣的諧振器：其中的致諧振元件包括沉積在諸如硅晶圓的半導(dǎo)體基板上的壓電介電材料的薄膜，并利用壓電介電材料的壓電特性實(shí)現(xiàn)為濾波器。

體聲波(baw)諧振器的應(yīng)用包括移動(dòng)通信裝置以及化學(xué)和生物裝置的小且輕的濾波器、振蕩器、諧振元件和聲波諧振質(zhì)量傳感器，但不限于此。

baw濾波器通常連接到電感器以改善通頻帶內(nèi)的插入損耗il和回波損耗rl。然而，由于聲波諧振器和電感器被分別制造，然后需要被安裝在基板上，因此制造這樣的baw濾波器的過(guò)程復(fù)雜。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

提供該發(fā)明內(nèi)容以簡(jiǎn)化形式來(lái)介紹發(fā)明構(gòu)思的選擇，以下在具體實(shí)施方式中進(jìn)一步描述該發(fā)明構(gòu)思。本發(fā)明內(nèi)容并不意在確定所要求保護(hù)的主題的關(guān)鍵特征或必要特征，也無(wú)意用于幫助確定所要求保護(hù)的主題的范圍。

在一個(gè)總的方面，一種聲波諧振器模塊包括：諧振部，設(shè)置在基板上；電感器，電連接到諧振部，并具有被設(shè)置為與基板分開(kāi)的至少一部分。

諧振部可包括第一諧振部和設(shè)置為與第一諧振部分開(kāi)的第二諧振部。

電感器可包括：螺旋部，呈螺旋狀，并具有連接到第一諧振部的下電極的第一端；引線部，將螺旋部的第二端連接到第二諧振部的上電極。

螺旋部可包括第一材料，第一材料與下電極的材料相同，引線部可包括第二材料，第二材料與上電極的材料相同。電感器的螺旋部可包括鉬(mo)，電感器的引線部可包括釕(ru)。

第一諧振部、電感器和第二諧振部可串聯(lián)連接。

第一諧振部和第二諧振部可串聯(lián)連接，且電感器可與第二諧振部并聯(lián)連接。

基板可包括位于電感器和諧振部下方的氣隙腔。設(shè)置在電感器下方的氣隙腔具有比電感器的面積大的面積。

在另一總的方面，一種制造聲波諧振器模塊的方法包括：在基板上形成下?tīng)奚鼘樱煌ㄟ^(guò)在下?tīng)奚鼘由享樞虻囟询B第一導(dǎo)電層、壓電層和第二導(dǎo)電層形成諧振部和電感器；去除下?tīng)奚鼘右栽谥C振部和基板之間以及電感器和基板之間形成氣隙腔。

下?tīng)奚鼘拥男纬煽砂ǎ涸诨宓牡谝槐砻嬷行纬汕?；用下?tīng)奚鼘拥牟牧咸畛渌銮弧?/p>

諧振部和電感器的形成可包括：形成第一導(dǎo)電層；通過(guò)使第一導(dǎo)電層圖案化形成下電極和螺旋部；形成填埋螺旋部的上犧牲層；在下電極上堆疊壓電層；在壓電層和上犧牲層上形成第二導(dǎo)電層；通過(guò)使第二導(dǎo)電層圖案化形成上電極和引線部。

上犧牲層的形成可包括在上犧牲層中形成通孔以使螺旋部的端部暴露，且在第二導(dǎo)電層的形成中，第二導(dǎo)電層通過(guò)通孔電連接到螺旋部。

上犧牲層和下?tīng)奚鼘涌捎上嗤牟牧闲纬桑以谌コ聽(tīng)奚鼘訒r(shí)將上犧牲層與下?tīng)奚鼘右黄鹑コ?/p>

制造聲波諧振器模塊的方法還可包括在上電極上形成由絕緣材料形成的保護(hù)層。

在另一總的方面，一種聲波諧振器模塊包括：第一諧振部，設(shè)置在基板上；第二諧振部，設(shè)置在基板上，第二諧振部與第一諧振部分開(kāi)；電感器，連接到第一諧振部和第二諧振部，其中，電感器懸浮在設(shè)置于基板中的氣腔之上。

第一諧振部和第二諧振部各自可包括：下電極、壓電層和上電極，壓電層堆疊在下電極和上電極之間。

電感器可包括螺旋部，螺旋部的第一端連接到第一諧振部的下電極，螺旋部的第二端連接到第二諧振部的上電極。

其它特征和方面將通過(guò)下面的具體實(shí)施方式、附圖和權(quán)利要求而顯而易見(jiàn)。

附圖說(shuō)明

圖1是示意性地示出聲波諧振器模塊的示例的平面圖。

圖2是沿著圖1的線i-i’截取的聲波諧振器的截面圖。

圖3是示意性地示出聲波諧振器模塊的示例的平面圖。

圖4至圖10是示出圖1中示出的聲波諧振器模塊在根據(jù)制造聲波諧振器模塊的方法的示例的各個(gè)制造階段中的截面圖。

在整個(gè)附圖和具體實(shí)施方式中，相同的標(biāo)號(hào)指示相同的元件。附圖可不按照比例繪制，為了清楚、說(shuō)明和便利起見(jiàn)，可能會(huì)夸大附圖中元件的相對(duì)尺寸、比例和描繪。

具體實(shí)施方式

提供以下的具體實(shí)施方式，以幫助讀者獲得對(duì)在此描述的方法、設(shè)備和/或系統(tǒng)的全面理解。然而，在此描述的方法、設(shè)備和/或系統(tǒng)的各種改變、修改以及等同物在理解了本申請(qǐng)的公開(kāi)內(nèi)容后將是顯而易見(jiàn)的。例如，在此描述的操作的順序僅僅是示例，而且不限于在此所闡述的示例，而是除了必須以特定順序進(jìn)行的操作之外，可做出在理解了本申請(qǐng)的公開(kāi)內(nèi)容后將是顯而易見(jiàn)的改變。此外，為了更加清楚和簡(jiǎn)潔，可省略對(duì)在本領(lǐng)域中公知的特征的描述。

在此描述的特征可按照不同的形式實(shí)施，并且不應(yīng)該被解釋為局限于在此描述的示例。更確切地說(shuō)，已經(jīng)提供在此描述的示例僅僅示出了在理解了本申請(qǐng)的公開(kāi)內(nèi)容后將是顯而易見(jiàn)的實(shí)現(xiàn)在此描述的方法、設(shè)備和/或系統(tǒng)的許多可能的方式中的一些。

在整個(gè)說(shuō)明書(shū)中，當(dāng)諸如層、區(qū)域或基板的元件被描述為“在”另一元件“上”、“連接到”另一元件或“結(jié)合到”另一元件時(shí)，其可直接“在”另一元件“上”、“連接到”另一元件或“結(jié)合到”另一元件，或者可存在介于他們之間的一個(gè)或更多個(gè)其他元件。相比之下，當(dāng)元件被描述為“直接在”另一元件“上”、“直接連接到”另一元件或“直接結(jié)合到”另一元件時(shí)，不存在介于他們之間的其他元件。

如在此使用的，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括任何兩個(gè)或更多個(gè)相關(guān)聯(lián)的所列項(xiàng)目中的任何一個(gè)以及任何組合。

雖然可在此使用諸如“第一”、“第二”和“第三”的術(shù)語(yǔ)描述各種構(gòu)件、組件、區(qū)域、層或部分，但是這些構(gòu)件、組件、區(qū)域、層或部分不應(yīng)被這些術(shù)語(yǔ)限制。更確切地說(shuō)，這些術(shù)語(yǔ)僅用于將一個(gè)構(gòu)件、組件、區(qū)域、層或部分與另一構(gòu)件、組件、區(qū)域、層或部分區(qū)分開(kāi)。因此，在不脫離示例的教導(dǎo)的情況下，在此描述的示例中的稱為第一構(gòu)件、組件、區(qū)域、層或部分也可稱作第二構(gòu)件、組件、區(qū)域、層或部分。

為了方便描述，可在此使用與空間相關(guān)的諸如“在…之上”、“上方”、“在…之下”和“下方”等術(shù)語(yǔ)，以描述如圖中示出的一個(gè)元件與另一元件的關(guān)系。這樣的空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)意在包括除了附圖中所描繪的方位之外裝置在使用或操作中的不同方位。例如，如果圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，則被描述為“在”另一元件“之上”或“上方”的元件將隨后被定位為“在”另一元件“之下”或“下方”。因此，術(shù)語(yǔ)“在…之上”可根據(jù)裝置的空間方位而包含“在…之上”和“在…之下”兩種方位。裝置還可被以其他的方式定位(例如，旋轉(zhuǎn)90度或處于其他方位)，并可對(duì)在此使用的空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)做出相應(yīng)地解釋。

在此使用的術(shù)語(yǔ)僅用于描述各種示例，并不用于限制本公開(kāi)。除非上下文另外清楚地指明，否則冠詞的單數(shù)形式也意于包括復(fù)數(shù)形式。術(shù)語(yǔ)“包含”、“包括”和“具有”列舉存在所陳述的特征、數(shù)目、操作、構(gòu)件、元件和/或他們的組合，而不排除存在或增加一個(gè)或更多個(gè)其它特征、數(shù)目、操作、構(gòu)件、元件和/或他們的組合。

由于制造技術(shù)和/或公差，可發(fā)生如附圖中所示的形狀的變化。因此，在此描述的示例不局限于附圖中所示出的特定形狀，而是包括在制造期間發(fā)生的形狀的改變。

在此描述的示例的特征可以以在理解了本申請(qǐng)的公開(kāi)內(nèi)容后將是顯而易見(jiàn)的各種方式進(jìn)行組合。此外，雖然在此描述的示例具有各種構(gòu)造，但是在理解了本申請(qǐng)的公開(kāi)內(nèi)容后將是顯而易見(jiàn)的其他構(gòu)造也是可能的。

下面描述的本公開(kāi)的內(nèi)容可具有多種構(gòu)造，并僅在此提出了所需的構(gòu)造，但不限于此。

圖1是示意性地示出聲波諧振器模塊的示例的平面圖，圖2是沿著圖1的線i-i’截取的截面圖。

參照?qǐng)D1和圖2，根據(jù)實(shí)施例的聲波諧振器模塊10包括基板110、設(shè)置在基板110上的諧振部120和電感器150。

諧振部120還包括第一諧振部120a和第二諧振部120b。電感器150設(shè)置在第一諧振部120a和第二諧振部120b之間。

氣隙(airgap)s1和氣隙s2形成在基板110和諧振部120之間。因此，諧振部120通過(guò)氣隙s1和s2形成為與基板110分開(kāi)。

例如，基板110可為諸如硅基板、絕緣體上硅(soi，silicononinsulator)型基板或適于半導(dǎo)體制造工藝的任何其他材料的基板的合適的半導(dǎo)體基板。

如在此使用的，術(shù)語(yǔ)“合適的”材料指的是具有部件或組件(所述材料將用于該部件或組件)所需的物理和化學(xué)性能的材料。此外，材料與將要制作或制造所述部件、組件或它們作為整體的裝置中所使用的制造方法是兼容的。雖然為可應(yīng)用的合適的材料提供了示例，但本申請(qǐng)的公開(kāi)內(nèi)容不限于示例材料，而是包含在理解了本申請(qǐng)的公開(kāi)內(nèi)容后將顯而易見(jiàn)的其他合適的材料。

諧振部120包括下電極121、壓電層123和上電極125。諧振部120可通過(guò)自下而上順序地堆疊下電極121、壓電層123和上電極125而形成。因此，壓電層123可設(shè)置在下電極121和上電極125之間。

諧振部120可響應(yīng)于施加到下電極121和上電極125的信號(hào)而使壓電層123諧振以產(chǎn)生諧振頻率和反諧振頻率。

根據(jù)實(shí)施例，下電極121可由鉬(mo)形成，上電極125可由釕(ru)形成。然而，下電極121和上電極125的材料不限于此。例如，下電極121和上電極125可由作為主要材料的諸如以金、鉬、釕、鋁、鉑、鈦、鎢、鈀、鉻、鎳或他們的任何組合為例的金屬中的任何一種形成。

諧振部120可使用壓電層123的聲波。例如，當(dāng)將信號(hào)施加到下電極121和上電極125時(shí)，可在壓電層123的厚度方向上發(fā)生機(jī)械振動(dòng)，從而產(chǎn)生聲波。

壓電層123可由包括氧化鋅(zno)、氮化鋁(aln)、石英、鋯鈦酸鉛(pzt)、鈦酸鋇(batio3)或他們的任何組合或任何變型的任何合適的壓電材料形成，但不限于此。

當(dāng)施加的穿過(guò)上電極125和下電極121的電信號(hào)的波長(zhǎng)為壓電層123的厚度的兩倍時(shí)，產(chǎn)生諧振。由于在產(chǎn)生諧振時(shí)電阻抗急劇地變化，因此聲波諧振器可用作能夠選擇特定頻率的濾波器。

在實(shí)施例中，諧振部120還可包括保護(hù)層127。保護(hù)層127可由合適的絕緣材料形成，并可形成在上電極125上以防止上電極125被暴露到外部環(huán)境。

諧振部120可通過(guò)氣隙s1和s2被設(shè)置為與基板110分開(kāi)以改善品質(zhì)因數(shù)。在第一諧振部120a下方形成第一氣隙s1，在第二諧振部120b下方形成第二氣隙s2。

通過(guò)在諧振部120和基板110之間形成氣隙s1和s2，從壓電層123產(chǎn)生的聲波可不受基板110的影響。

此外，可通過(guò)氣隙s1和s2來(lái)改善從諧振部120產(chǎn)生的聲波的反射特性。由于氣隙s1和s2(其為空的空間)具有接近于無(wú)窮大的阻抗，因此聲波可由于氣隙s1和s2而不發(fā)生損耗并可保留在諧振部120中。

氣隙s1和s2可在基板110中形成為腔110a(見(jiàn)圖4)。然而，氣隙s1和s2的形式不限于此。例如，只要諧振部120和基板110彼此分開(kāi)，氣隙s1和s2可形成為任何合適的形式。

參照附圖，第一氣隙s1形成在第一諧振部120a的下方，第二氣隙s2形成在第二諧振部120b的下方。在實(shí)施例中，第三氣隙s3可形成在電感器150的下方。

電感器150形成在基板110上，并可通過(guò)例如第三氣隙s3設(shè)置為與基板110的表面分開(kāi)。結(jié)果，電感器150可具有懸浮的線圈電感器的形式。

因此，在電感器150被設(shè)置為懸浮的情況下，由于電感器150設(shè)置在具有介電常數(shù)為1的空氣中，因此電感器150的q因數(shù)會(huì)顯著地增大，這可使電感器用作有效的諧振元件。

在一些實(shí)施例中，電感器150可呈螺旋形。例如，螺旋可包括用來(lái)優(yōu)化聲波諧振器模塊的電、聲和幾何(空間)效率的例如同心圓、正方形、橢圓、長(zhǎng)方形、三角形、凸的規(guī)則的或不規(guī)則的多邊形或任何其他合適的形狀。然而，根據(jù)本公開(kāi)的電感器的形狀不限于螺旋形。例如，電感器150可根據(jù)需要形成為諸如曲折狀或螺線管狀的各種形狀，以改善聲波諧振器模塊的電、聲和幾何效率。

電感器150的第一端連接到第一諧振部120a，電感器150的第二端連接到第二諧振部120b。在實(shí)施例中，電感器150呈螺旋狀，電感器150具有構(gòu)造為螺旋狀的螺旋部152和從螺旋部152的中心延伸并連接到第二諧振部120b的引線部154。此外，這樣的實(shí)施例中，螺旋部152可連接到第一諧振部120a的下電極121，并可由與下電極121的相同的材料形成。此外，引線部154可連接到第二諧振部120b的上電極125，并由與上電極125相同的材料形成。

因此，在實(shí)施例中，電感器150可具有由鉬(mo)形成的螺旋部152和由釕(ru)形成的引線部154。

使得電感器150和基板110彼此分開(kāi)的第三氣隙s3可在基板110中形成為腔110a(見(jiàn)圖4)。因此，第三氣隙s3可形成為具有比整個(gè)電感器150跨越的區(qū)域?qū)挼膮^(qū)域，并可形成為具有其中即使在電感器150振動(dòng)時(shí)電感器也不接觸底表面的深度。

根據(jù)實(shí)施例，電感器150可設(shè)置在第一諧振部120a和第二諧振部120b之間以與第一諧振部120a和第二諧振部120b串聯(lián)連接。然而，本公開(kāi)的構(gòu)造不限于此。

具有以上所述的構(gòu)造的聲波諧振器模塊10包括具有諧振部120a與諧振部120b之間提供的恒定電感的電感器150。因此可容易地調(diào)節(jié)諧振器的諧振頻率。結(jié)果，可改變機(jī)電耦合常數(shù)(kt²)。此外，由于電感器150周圍的介電常數(shù)為1，因此可顯著地增大電感器150的q因數(shù)。

此外，由于諧振部120和電感器150被制造為單個(gè)模塊，因此可容易地制造包括諧振部120和電感器150的電子裝置，并可增加其設(shè)計(jì)的自由度。

同時(shí)，根據(jù)本實(shí)施例的聲波諧振器模塊不限于上述實(shí)施例，并可進(jìn)行各種修改。

圖3是示意性地示出聲波諧振器模塊的另一示例的平面圖。

參照?qǐng)D3，根據(jù)實(shí)施例的聲波諧振器模塊10a具有彼此并聯(lián)連接的第二諧振部120b和電感器150。這樣，電感器150可根據(jù)需要設(shè)置在不同的位置處，并可以以各種方式連接到諧振部120。

此外，雖然以上描述的實(shí)施例描述了聲波諧振器模塊僅包括兩個(gè)諧振部120和一個(gè)電感器150的情況，但電感器150和諧振部120的數(shù)目還可根據(jù)需要增加。

接下來(lái)，將描述制造圖1中示出的聲波諧振器模塊的方法。

圖4至圖10是示出制造圖1中示出的聲波諧振器模塊的方法的截面圖。

首先，參照?qǐng)D4，被用作氣隙的腔110a可形成在基板110的上部。例如，腔110a可通過(guò)諸如干法蝕刻或濕法蝕刻、激光鉆孔或離子研磨的任何合適的工藝來(lái)形成。

接著，在腔110a中形成第一犧牲層131?？缮院髮⒌谝粻奚鼘?31去除以形成氣隙s1、s2和s3(圖1)。例如，第一犧牲層131可由諸如多晶硅、二氧化硅、氮化硅或光致抗蝕劑聚合物的材料形成。例如，可通過(guò)諸如cvd、氧化、噴霧熱解或旋涂的任何合適的工藝來(lái)形成第一犧牲層131。在一些實(shí)施例中，形成第一犧牲層131的過(guò)程可包括多于一個(gè)步驟的步驟。例如，在實(shí)施例中，可將負(fù)性光致抗蝕劑旋涂在基板110上以便填充腔110a，光致抗蝕劑的位于腔110a內(nèi)的部分通過(guò)暴露于uv光而被硬化，腔110a的外側(cè)的部分通過(guò)在合適的顯影劑中進(jìn)行溶解而被去除。在這樣的實(shí)施中，可稍后通過(guò)諸如暴露到氧等離子體的合適的工藝及時(shí)地去除第一犧牲層131。用于形成(以及最終的去除)第一犧牲層131的其他合適的工藝是預(yù)期的到的，并且這在理解了本申請(qǐng)的公開(kāi)內(nèi)容后將是顯而易見(jiàn)的。

參照?qǐng)D5，隨后形成諧振部的下電極121和電感器的螺旋部152。

通過(guò)在基板110的整個(gè)頂表面上和第一犧牲層131上沉積第一導(dǎo)電層并隨后去除(例如，圖案化)不必要的部分來(lái)形成下電極121和螺旋部152?？墒褂霉饪坦に噲?zhí)行下電極121和螺旋部152的形成，但不限于此。

在實(shí)施例中，第一導(dǎo)電層可由鉬(mo)形成。然而，第一導(dǎo)電層的材料不限于此，第一導(dǎo)電層可由諸如金、釕、鋁、鉑、鈦、鎢、鈀、鉻、鎳等各種金屬形成。可使用包括例如熱沉積、物理氣相沉積、脈沖激光沉積或rf濺射的任何合適的方法來(lái)形成第一導(dǎo)電層。工藝的選擇將取決于工藝與在形成聲波諧振器模塊的其他組件、部件或?qū)訒r(shí)使用的其他材料和工藝的兼容性，這在理解了本申請(qǐng)的公開(kāi)內(nèi)容后將顯而易見(jiàn)的。

接下來(lái)，如圖6中所示，在螺旋部152中和螺旋部152上形成第二犧牲層132。

第二犧牲層132可填埋在螺旋部152中并可形成在螺旋部152上。此外，可在第二犧牲層132中形成通孔133。如圖6的放大部分中進(jìn)一步所示，通孔133可將螺旋部152的設(shè)置在螺旋部152的中心處的一端暴露到外部。

第二犧牲層132可由與第一犧牲層131相同的材料形成。因此，在下面描述的去除犧牲層的操作中，第一犧牲層131和第二犧牲層132可被一起去除。雖然在一些實(shí)施例中，用于形成(以及去除)第一犧牲層131和第二犧牲層132的工藝可相同，但在另一些實(shí)施例中，工藝可根據(jù)工藝與用于聲波諧振器模塊的其他組件、層或部件的材料和方法的兼容性而不同?？捎糜谛纬傻谝粻奚鼘?31和第二犧牲層132的各種工藝將在理解了本申請(qǐng)的公開(kāi)內(nèi)容后將顯而易見(jiàn)。

接著，如圖7中所示，可通過(guò)在下電極121上沉積壓電材料并隨后使壓電材料圖案化而形成壓電層123。可根據(jù)所使用的材料選擇用于沉積壓電材料的任何合適的工藝。例如，可使用包括噴霧熱解、熱沉積、溶膠凝膠沉積、旋涂或rf濺射的工藝中的任何一種工藝沉積氧化鋅壓電層，但不限于此。

壓電層123可由氮化鋁(aln)形成。然而，壓電層123的材料不限于此，壓電層123可由諸如氧化鋅(zno)、石英、鋯鈦酸鉛(pzt)、鈦酸鋇(batio3)或他們的任何組合或任何變型的各種壓電材料形成。

接下來(lái)，如圖8中所示，用于形成上電極125(圖2)和電感器的引線部154(圖2)的第二導(dǎo)電層125a形成在壓電層123上。導(dǎo)電層125a可沉積在壓電層123和第二犧牲層132的整個(gè)頂表面上以及通孔133中。

在實(shí)施例中，第二導(dǎo)電層125a可由釕(ru)形成。然而，第二導(dǎo)電層125a的材料不限于此，例如，第二導(dǎo)電層125a可由諸如金、鉬、鋁、鉑、鈦、鎢、鈀、鉻、鎳或他們的任何組合的各種金屬形成。與第一導(dǎo)電層一樣，可使用包括例如熱沉積、物理氣相沉積、脈沖激光沉積或rf濺射的任何合適的方法來(lái)形成第二導(dǎo)電層125a。

接著，通過(guò)使第二導(dǎo)電層125a圖案化來(lái)形成如圖9中所示的上電極125和電感器150的引線部154?？墒褂霉饪坦に噥?lái)執(zhí)行形成上電極125和電感器150的引線部154的操作，但不限于此。

接下來(lái)，如圖10中所示，可在上電極125上形成保護(hù)層127。

保護(hù)層127可由絕緣材料形成。這里，絕緣材料可包括氧化硅基材料、氮化硅基材料以及氮化鋁基材料，但不限于此。

接著，可通過(guò)去除第一犧牲層131和第二犧牲層132來(lái)完成圖1和圖2中示出的根據(jù)本實(shí)施例的聲波諧振器模塊10?？赏ㄟ^(guò)蝕刻方法去除第一犧牲層131和第二犧牲層132。

在制造根據(jù)本實(shí)施例的具有如上所述的構(gòu)造的聲波諧振器模塊的方法中，由于可在制造諧振器的過(guò)程中一起制造電感器，因此可非常容易地制造聲波諧振器模塊。

雖然已經(jīng)在本公開(kāi)中使用了特定的術(shù)語(yǔ)，例如諧振部，但在理解了本申請(qǐng)的公開(kāi)內(nèi)容后將顯而易見(jiàn)的是，不同的術(shù)語(yǔ)可用來(lái)描述相同的特征，且這樣不同的術(shù)語(yǔ)可出現(xiàn)在其他的申請(qǐng)中。

如上所述，根據(jù)本公開(kāi)中的實(shí)施例，由于聲波諧振器模塊具有制造為單個(gè)模塊的諧振器和電感器，因此可容易地制造包括諧振器和電感器的電子裝置，并可增加其設(shè)計(jì)的自由度。

雖然本公開(kāi)包括具體實(shí)施例，但在理解了本申請(qǐng)的公開(kāi)內(nèi)容后將明顯的是，在不脫離權(quán)利要求以及其等同物的精神和范圍的情況下，可在形式和細(xì)節(jié)方面對(duì)這些示例做出各種改變。在此描述的示例僅被視為描述意義，而非出于限制的目的。在每個(gè)示例中的特征或方面的描述被視為適用于其他示例中的類似的特征或方面。如果按照不同的順序執(zhí)行描述的技術(shù)、和/或如果按照不同的方式來(lái)組合所描述的系統(tǒng)、架構(gòu)、裝置或電路、和/或由其它組件或其等同物來(lái)替換或增添所描述的系統(tǒng)、架構(gòu)、裝置或電路，則可獲得合理的結(jié)果。因此，本公開(kāi)的范圍不由具體實(shí)施方式限定，而是由權(quán)利要求及其等同物限定，并且權(quán)利要求及其等同物的范圍內(nèi)的全部變型將被理解為包括在本公開(kāi)中。