本申請要求于2016年2月18日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2016-0018983號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，所述韓國專利申請的全部公開內(nèi)容出于所有目的通過引用被包含于此。

下面的描述涉及一種聲波諧振器。下面的描述還涉及一種制造這樣的聲波諧振器的方法。

背景技術(shù)：

根據(jù)無線通信裝置的小型化的趨勢，射頻組件技術(shù)的小型化已變得十分地理想。射頻組件技術(shù)的小型化示例可包括使用制造半導(dǎo)體薄膜晶圓的技術(shù)的呈體聲波(baw)諧振器的形式的濾波器。

體聲波(baw)諧振器是這樣一種諧振器：具有薄膜的元件通過在硅晶圓(作為半導(dǎo)體基板)上沉積壓電介電材料并利用壓電介電材料的壓電特性產(chǎn)生諧振而被實(shí)現(xiàn)為濾波器。

體聲波(baw)諧振器的應(yīng)用包括小且輕量化的濾波器、振蕩器、諧振元件、聲波諧振質(zhì)量傳感器和在移動(dòng)通信裝置、化學(xué)和生物裝置以及其他適合的技術(shù)裝置中的其他應(yīng)用。

同時(shí)，已經(jīng)進(jìn)行了對用于改進(jìn)baw諧振器的特性和性能的各種結(jié)構(gòu)形狀和功能的研究。相應(yīng)地，也已經(jīng)開展對制造baw諧振器的方法和各種結(jié)構(gòu)的研究。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

提供該發(fā)明內(nèi)容以簡化形式來介紹選擇的構(gòu)思，以下在具體實(shí)施方式中進(jìn)一步描述該構(gòu)思。本發(fā)明內(nèi)容無意限定所要求保護(hù)的主題的主要特征或必要特征，也無意用于幫助確定所要求保護(hù)的主題的范圍。

在一個(gè)總的方面中，一種聲波諧振器包括：諧振部，包括設(shè)置在第一電極上的壓電層和設(shè)置在所述壓電層上的第二電極；框架，沿所述諧振部的邊緣設(shè)置在所述第二電極上，其中，所述框架包括內(nèi)表面和外表面，并且所述內(nèi)表面包括兩個(gè)斜面。

所述兩個(gè)斜面中的每個(gè)可包括不同的傾斜角。

所述框架的內(nèi)表面可包括從所述第二電極延伸的第一斜面和從所述第一斜面延伸的第二斜面。

所述第一斜面的傾斜角可小于所述第二斜面的傾斜角。

所述框架的外表面可以是豎直表面或傾斜表面。

所述框架還可包括使所述第二斜面與外表面彼此連接的頂表面。

所述框架還可包括具有第一斜面的第一框架和具有第二斜面并設(shè)置在所述第一框架上的第二框架。

所述框架可由與所述第二電極的材料相同的材料形成。

所述諧振部形成在膜層上并通過氣隙與基板分開。

所述框架可沿所述諧振部的邊緣形成為環(huán)狀。

在另一總的方面，一種制造聲波諧振器的方法包括：在基板上堆疊第一電極和壓電層；在壓電層上堆疊導(dǎo)電層；在導(dǎo)電層上形成包括兩個(gè)斜面的框架層；通過使框架層和導(dǎo)電層圖案化來完成第二電極和框架。

兩個(gè)斜面中的每個(gè)可包括不同的傾斜角。

框架層的形成可包括：在導(dǎo)電層上形成包括第一斜面的第一框架層；在第一框架層上形成包括第二斜面的第二框架層。

框架層的形成可包括通過利用剝離工藝或干蝕刻工藝來形成第一框架層和第二框架層。

第二電極和框架的完成可包括：除去導(dǎo)電層的一部分和框架層的一部分；減小位于諧振部的外部上的導(dǎo)電層的厚度和框架層的厚度。

所述方法還可包括：通過除去壓電層的一部分來暴露第一電極；在第一電極和第二電極中的每個(gè)上形成連接電極。

在另一總的方面中，一種制造聲波諧振器的方法包括：在基板上堆疊第一電極和壓電層；在壓電層上形成包括第一斜面的第一框架；在第一框架上形成包括第二斜面的第二框架；在壓電層、第一框架和第二框架上堆疊導(dǎo)電層；執(zhí)行導(dǎo)電層的圖案化來形成第二電極并進(jìn)一步形成第一框架和第二框架。

第一斜面和第二斜面中的每個(gè)可包括不同的傾斜角。

通過下面的具體實(shí)施方式、附圖和權(quán)利要求，其他特征和方面將是顯而易見的。

附圖說明

圖1是根據(jù)示例的聲波諧振器的截面圖。

圖2是圖1的示例的a部分的放大截面圖。

圖3至圖9是示出根據(jù)示例的制造聲波諧振器的方法的示圖。

圖10是示意性地示出根據(jù)另一示例的聲波諧振器的截面圖。

圖11至圖14是示出根據(jù)另一示例的制造聲波諧振器的方法的示圖。

圖15是示出根據(jù)示例的聲波諧振器的s參數(shù)性能的曲線圖。

在所有的附圖和具體實(shí)施方式中，相同的標(biāo)號指示相同的元件。附圖可不按比例繪制，并且為了清楚、說明及方便起見，附圖中元件的相對尺寸、比例和描繪可被放大。

具體實(shí)施方式

提供以下具體實(shí)施方式，以幫助讀者獲得在此描述的方法、設(shè)備和/或系統(tǒng)的全面理解。然而，在理解本申請的公開內(nèi)容之后,在此所描述的方法、設(shè)備和/或系統(tǒng)的各種改變、修改及其等同物將是顯而易見的。例如，在此描述的操作順序僅僅是示例，并且其并不局限于在此所闡述的順序，而是除了必須以特定順序發(fā)生的操作外，可做出在理解本申請的公開內(nèi)容之后將是顯而易見的改變。此外，為了更加清楚和簡潔，可省去本領(lǐng)域中公知的特征的描述。

在此描述的特征可按照不同的形式實(shí)施，并且將不被解釋為局限于在此描述的示例。更確切地說，已經(jīng)提供了在此描述的示例，僅用于說明實(shí)現(xiàn)在此描述的方法、設(shè)備和/或系統(tǒng)的在理解本申請的公開內(nèi)容之后將是顯而易見的諸多可能方式中的一些。

在整個(gè)說明書中，當(dāng)諸如層、區(qū)域或基板的元件被描述為“位于”另一元件“上”、“連接到”另一元件或“結(jié)合到”另一元件時(shí)，所述元件可以直接“位于”另一元件“上”、直接“連接到”另一元件或直接“結(jié)合到”另一元件，或者可存在介于他們之間的一個(gè)或更多個(gè)其他元件。相比之下，當(dāng)元件被描述為“直接位于”另一元件“上”、“直接連接到”另一元件或“直接結(jié)合到”另一元件時(shí)，可不存在介于他們之間的其他元件。

如在此使用的，術(shù)語“和/或”包括任何兩個(gè)或更多個(gè)相關(guān)聯(lián)的所列項(xiàng)目中的任何一個(gè)以及任何組合。

雖然可在此使用諸如“第一”、“第二”、“第三”的術(shù)語來描述各種構(gòu)件、組件、區(qū)域、層或部分，但是這些構(gòu)件、組件、區(qū)域、層或部分不受這些術(shù)語所限制。更確切地說，這些術(shù)語僅用于將一個(gè)構(gòu)件、組件、區(qū)域、層或部分與另一構(gòu)件、組件、區(qū)域、層或部分區(qū)分開。因此，在不脫離示例的教導(dǎo)的情況下，在此描述的示例中所稱的第一構(gòu)件、組件、區(qū)域、層或部分也可稱作第二構(gòu)件、組件、區(qū)域、層或部分。

為了便于描述，可在此使用空間關(guān)系術(shù)語(諸如“在……之上”、“上面”、“在……之下”和“下面”)以描述如圖中示出的一個(gè)元件相對于另一元件的關(guān)系。這樣的空間關(guān)系術(shù)語意圖除了包括圖中所示的方位之外，還包括裝置在使用或操作時(shí)的不同方位。例如，如果圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，則被描述為相對于另一元件位于“之上”或“上面”的元件將相對于另一元件位于“之下”或“下面”。因此，術(shù)語“在……之上”根據(jù)裝置的空間方位而包含“在……之上”和“在……之下”兩種方位。裝置也可以以其他方式定位(例如，旋轉(zhuǎn)90度或處于其他方位)，并可對在此使用的空間關(guān)系術(shù)語做出相應(yīng)解釋。

在此使用的術(shù)語僅用于描述各種示例，而不用于限制本公開。除非上下文中另外清楚地指明，否則單數(shù)冠詞也意于包括復(fù)數(shù)形式。術(shù)語“包含”、“包括”和“具有”列舉存在所述的特征、數(shù)量、操作、構(gòu)件、元件和/或他們的組合，而不排除存在或增加一個(gè)或更多個(gè)其他特征、數(shù)量、操作、構(gòu)件、元件和/或他們的組合。

由于制造技術(shù)和/或公差，可出現(xiàn)附圖中所示的形狀的變化。因此，在此描述的示例不限于附圖中所示的特定形狀，而是包括在制造期間出現(xiàn)的形狀上的改變。

在理解本申請的公開內(nèi)容之后將顯而易見的是，在此描述的示例的特征可以以各種方式結(jié)合。此外，盡管在此描述的示例具有各種構(gòu)造，但是在理解本申請的公開內(nèi)容之后將顯而易見的是，其他構(gòu)造是可能的。

在此使用的諸如“第一導(dǎo)電類型”和“第二導(dǎo)電類型”的表達(dá)可以指諸如n型導(dǎo)電和p型導(dǎo)電的相對的導(dǎo)電類型，在此使用這樣的表達(dá)所描述的示例也包括互補(bǔ)的示例。例如，第一導(dǎo)電類型為n而第二導(dǎo)電類型為p的示例包括第一導(dǎo)電類型為p而第二導(dǎo)電類型為n的示例。

本公開的一方面可提供一種具有改進(jìn)性能的聲波諧振器以及制造所述聲波諧振器的方法。

圖1是根據(jù)示例的聲波諧振器的截面圖。圖2是圖1的示例的a部分的放大截面圖。

參照圖1和圖2的示例，根據(jù)示例的聲波諧振器100包括基板110和諧振部120。

可在基板110和諧振部120之間形成氣隙130。此外，諧振部120可形成在膜層150上，以通過氣隙130與基板110分開。

基板110可形成為硅基板或絕緣體上硅(soi，silicononinsulator)型基板。

在圖1的示例中，諧振部120可包括第一電極121、壓電層123和第二電極125。諧振部120可通過彼此自下而上順序地堆疊第一電極121、壓電層123和第二電極125而形成。因此，壓電層123位于第一電極121和第二電極125之間。

因?yàn)橹C振部120形成在膜層150上，所以膜層150、第一電極121、壓電層123和第二電極125可順序地形成在基板110上。

例如，諧振部120可響應(yīng)于施加到第一電極121和第二電極125的信號使壓電層123諧振，以分別產(chǎn)生諧振頻率和反諧振頻率。

例如，第一電極121和第二電極125各自可由諸如金(au)、鉬(mo)、釕(ru)、鋁(al)、鉑(pt)、鈦(ti)、鎢(w)、鈀(pd)、鉻(cr)、鎳(ni)或其他適合的類似金屬形成。

諧振部120可利用壓電層123的聲波。例如，當(dāng)信號被施加到第一電極121和第二電極125時(shí)，可沿壓電層123的厚度方向產(chǎn)生機(jī)械振動(dòng)，以產(chǎn)生聲波。

這里，可使用諸如氧化鋅(zno)、氮化鋁(aln)、石英或類似的適合的材料作為壓電層123的材料。

當(dāng)所施加的信號的波長的一半與壓電層123的厚度一致時(shí)，可出現(xiàn)壓電層123的諧振現(xiàn)象。由于當(dāng)出現(xiàn)諧振現(xiàn)象時(shí)電阻抗顯著地改變，因此根據(jù)示例的聲波諧振器可用作能夠選擇頻率的濾波器。

例如，為了改善聲波諧振器的品質(zhì)因數(shù)，可使諧振部120位于通過氣隙130與基板110分開的位置。

例如，通過在諧振部120與基板110之間形成氣隙130，通過壓電層123產(chǎn)生的聲波可不受基板110的影響。

此外，由諧振部120產(chǎn)生的聲波的反射特性可通過氣隙130的存在而被改善。因?yàn)樽鳛榭盏目臻g的氣隙130具有近似于無窮大的阻抗值，所以聲波不會(huì)在氣隙130中損耗并可保留在諧振部120中。

例如，第一電極121和第二電極125可形成為延伸到諧振部120的外側(cè)，第一連接電極180和第二連接電極190可分別連接到第一電極121和第二電極125的延伸部分中的每個(gè)。

例如，第一連接電極180和第二連接電極190可設(shè)置為確認(rèn)諧振器和濾波器的特性，并且相應(yīng)地執(zhí)行需要的頻率微調(diào)(frequencytrimming)。然而，第一連接電極180和第二連接電極190的功能不限于這些示例，第一連接電極180和第二連接電極190還可提供其他適合的有益作用。

此外，在圖1的示例中，框架170可位于諧振部120上。

例如，框架170可沿諧振部120的邊緣形成為環(huán)狀。然而，框架170的形狀不限于如所描述的環(huán)狀，而是還可形成為多個(gè)不連續(xù)的弧形的形狀。

例如，聲波諧振器100可利用框架170將指向諧振部120的外部的水平彈性波反射到諧振部120的內(nèi)部，從而防止彈性波的能量損耗。相應(yīng)地，因?yàn)楸环瓷涞乃綇椥圆p小了將產(chǎn)生的能量損耗，所以根據(jù)圖1的示例的聲波諧振器100可確保高的q因數(shù)和kt²。例如，q因數(shù)可以指表示諧振器的相對于其中心頻率的帶寬的品質(zhì)因數(shù)，kt²可以指電磁耦合的系數(shù)。

因此，高q因數(shù)可改善在實(shí)現(xiàn)濾波器或雙工器中其他頻帶的阻止特性。此外，高kt²可確保使在發(fā)送和接收數(shù)據(jù)時(shí)數(shù)據(jù)的傳輸量和速率增大的帶寬。

在各個(gè)示例中，框架170可由壓電材料、介電材料或金屬形成。例如，框架170可由具有氮化鋁(aln)、鋯鈦酸鉛(pzt)、二氧化硅(sio2)、二氧化鈦(tio2)、釕(ru)、鉬(mo)、金(au)、鈦(ti)、銅(cu)、鎢(w)和鋁(al)中的一種或更多種作為主要成分的合成材料形成。然而，這些僅是示例材料，并且在其他示例中適當(dāng)?shù)厥褂闷渌牧稀?/p>

因此，根據(jù)本示例的框架170可通過利用濺射工藝或沉積工藝形成框架層、然后通過利用剝離工藝或干蝕刻工藝除去不需要的部分而形成。此外，框架170可由與第二電極125的材料相同的材料形成，并且可另外地形成為形成第二電極125的工藝的一部分。

此外，如圖2的示例中所示，根據(jù)本示例的框架170可包括內(nèi)表面s1和s2、外表面s4和頂表面s3。

在這樣的示例中，框架170的內(nèi)表面s1和s2可包括具有不同傾斜角θ1和θ2的至少兩個(gè)斜面s1和s2。在此示例中，當(dāng)基板110的頂表面設(shè)置為水平表面時(shí)，傾斜角θ1和θ2表示與水平表面形成的角。

因此，相應(yīng)地，框架170的內(nèi)表面可分為第一斜面s1和第二斜面s2。結(jié)果是，框架170可分為包括第一斜面s1的第一框架171和包括第二斜面s2的第二框架172。

因此，第一斜面s1可以是從第二電極125延伸的斜面，第二斜面s2可以從第一斜面s1延伸，并且可位于比第一斜面s1高的位置。

此外，根據(jù)本示例的框架170的第一斜面s1的傾斜角θ1可形成為小于第二斜面s2的傾斜角θ2。

在這樣的示例中，頂表面s3可位于第二斜面s2與外表面s4之間，并且可形成為水平表面。然而，頂表面s3不限于水平表面，其他構(gòu)造是可能的。

此外，框架170的外表面s4可使頂表面s3與第二電極125彼此連接，并且可形成為豎直表面的形式或傾斜表面的形式。

如此，由于框架170包括多個(gè)斜面s1和s2，因此結(jié)果是，根據(jù)本示例的聲波諧振器100可提供超過傳統(tǒng)聲波諧振器的改進(jìn)性能。

圖15是示出根據(jù)示例的聲波諧振器的s參數(shù)性能的曲線圖，并且示出全部的聲波諧振器(即，具有傳統(tǒng)框架的第一聲波諧振器和另一聲波諧振器(即，根據(jù)本示例的第二聲波諧振器))的s參數(shù)。

在這樣的示例中，傳統(tǒng)框架指的是內(nèi)表面形成為豎直表面的框架。

參照圖15的曲線圖，可見的是，與根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的第一聲波諧振器相比，根據(jù)本示例的第二聲波諧振器具有改善的衰減(約1.5db)。此外，在實(shí)驗(yàn)中測量到kt²提高了0.2％、q因數(shù)提高了400。因此，在使用根據(jù)本示例性實(shí)施例的框架170的示例中，可見的是，可確保較高的q因數(shù)和kt²，并且可為根據(jù)示例的聲波諧振器相應(yīng)地提供改善的性能。

接下來，將描述根據(jù)示例的制造聲波諧振器的方法。

圖3至圖9是示出根據(jù)示例的制造聲波諧振器的方法的示圖。

首先，參照圖3的示例，可在基板110上形成蝕刻阻止層140。

當(dāng)除去犧牲層131以形成如圖1的示例中所示的氣隙130時(shí)，蝕刻阻止層140可用于保護(hù)基板110。例如，蝕刻阻止層140可由二氧化硅膜、氮化硅膜等形成，但不限于此，并且蝕刻阻止層140可由另外的材料形成。

接下來，可在蝕刻阻止層140上形成犧牲層131。

這樣的犧牲層131可通過之后的蝕刻工藝除去，以形成如圖1中所示的氣隙130。犧牲層131可由諸如多晶硅、聚合物等的材料形成。

接下來，可在犧牲層131上形成膜層150。如圖1的示例中所示，膜層150可放置在氣隙130之上，以用于幫助保持氣隙130的形狀并幫助支撐諧振部120的結(jié)構(gòu)。

接下來，如圖4的示例中所示，可在膜層150上順序地形成第一電極121和壓電層123。

例如，第一電極121可通過在膜層150的整個(gè)頂表面上沉積導(dǎo)電層、然后例如通過圖案化而除去不需要的部分而形成。此外，壓電層123可通過在第一電極121上沉積壓電材料而形成。

根據(jù)本示例，第一電極121可由鉬(mo)形成。然而，第一電極121的材料不限于這樣的材料，第一電極121可適當(dāng)?shù)赜芍T如金、釕、鋁、鉑、鈦、鎢、鈀、鉻、鎳和其他金屬的各種金屬形成。

根據(jù)本示例，壓電層123可由氮化鋁(aln)形成。然而，壓電層123的材料不限于此特定材料，壓電層123還可由諸如氧化鋅(zno)、石英等的各種其他適合的壓電材料形成。

接下來，如圖4中所示，可在壓電層123上形成用于形成如圖1中所示的第二電極125的導(dǎo)電層125a。例如，導(dǎo)電層125a可沉積在壓電層123的整個(gè)頂表面上。

根據(jù)本示例，用于形成第二電極125的導(dǎo)電層125a可由釕(ru)形成。然而，導(dǎo)電層125a的材料不限于此特定材料，導(dǎo)電層125a還可由諸如金(au)、鉬(mo)、釕(ru)、鋁(al)、鉑(pt)、鈦(ti)、鎢(w)、鈀(pd)、鉻(cr)、鎳(ni)等的各種其他適合的金屬形成。

接下來，如圖5的示例中所示，為了形成框架170，可在導(dǎo)電層125a上形成第一框架層171a。

例如，第一框架層171a可通過剝離工藝形成。在這樣的示例中，圖5中所示的第一框架層171a可通過以下步驟實(shí)現(xiàn)：在諧振部120的某一區(qū)域中沉積光致抗蝕劑并使光致抗蝕劑圖案化以形成第一掩膜層，沉積導(dǎo)體層以覆蓋導(dǎo)電層125a和第一掩膜層，然后除去第一掩膜層。

同時(shí)，可選擇地，第一框架層171a還可通過干蝕刻工藝形成。例如，第一框架層171a可通過以下工藝形成：在諧振部120的整個(gè)區(qū)域上沉積導(dǎo)體層的工藝、在導(dǎo)體層上沉積光致抗蝕劑并使光致抗蝕劑圖案化以形成掩膜層(未示出)的工藝、利用掩膜層對導(dǎo)體層執(zhí)行干蝕刻以完成第一框架層的工藝以及除去掩膜層的工藝。

接下來，如圖6的示例中所示，可在第一框架層171a上形成第二框架層172a。

第二框架層172a還可通過剝離工藝形成。例如，圖6的示例中所示的第二框架層172a可通過以下步驟實(shí)現(xiàn)：在諧振部120的某一區(qū)域中沉積光致抗蝕劑并使光致抗蝕劑圖案化以形成第二掩膜層，沉積導(dǎo)體層以覆蓋第一框架層171a和第二掩膜層的全部，然后除去第二掩膜層。

同時(shí)，可選擇地，第二框架層172a還可通過干蝕刻工藝形成。例如，第二框架層172a可通過以下工藝形成：在諧振部120的整個(gè)區(qū)域上沉積導(dǎo)體層的工藝、在導(dǎo)體層上沉積光致抗蝕劑并使光致抗蝕劑圖案化以形成掩膜層的工藝、利用掩膜層對導(dǎo)體層執(zhí)行干蝕刻以完成第二框架層的工藝以及除去掩膜層的工藝。

在此示例中，第一框架層171a和第二框架層172a可通過調(diào)節(jié)第一掩膜層和第二掩膜層的尺寸和形狀而形成為具有不同的斜面s1和s2。

接下來，如圖7的示例中所示，可在第二框架層172a上沉積光致抗蝕劑，可通過光刻工藝執(zhí)行圖案化，然后在使用圖案化的光致抗蝕劑作為掩膜的同時(shí)，可除去第二框架層172a、第一框架層171a和導(dǎo)電層125a的不需要的部分。

第二框架層172a、第一框架層171a和導(dǎo)電層125a全部可由相同的材料形成。因此，在本操作中，第二框架層172a、第一框架層171a和導(dǎo)電層125a的不需要的部分可被共同地除去。然而，在第二框架層172a、第一框架層171a和導(dǎo)電層125a由不同材料形成的示例中，第二框架層172a、第一框架層171a和導(dǎo)電層125a也可按照需要被分別地除去。

接下來，如圖8的示例中所示，可通過顯著地減小設(shè)置在如圖1中所示的諧振部120的外部處的導(dǎo)電層125a的厚度來完成第二電極125的形成。

本操作可利用光刻工藝來執(zhí)行。例如，可不完全除去設(shè)置在諧振部120的外部處的導(dǎo)電層125a，并且通過調(diào)節(jié)蝕刻時(shí)間僅減小其厚度，從而可形成第二電極125并且可完成框架170。

同時(shí)，可適當(dāng)?shù)厥÷员静僮鳌?/p>

接下來，如圖9的示例中所示，在壓電層123被部分地除去之后，可形成連接電極180和190。

例如，可利用光刻工藝除去部分壓電層123。

在這樣的示例中，第一連接電極180可通過在第一電極121上沉積金(au)、銅(cu)或其他類似的材料(諸如適合的金屬)而形成。

類似地，第二連接電極190可通過在第二電極125上沉積金(au)、銅(cu)或其他類似的材料(諸如適合的金屬)而形成。

接著，在利用連接電極180和190確認(rèn)諧振部120和濾波器的特性以及執(zhí)行需要的頻率微調(diào)之后，然后可形成氣隙130。

氣隙130可通過除去圖9的示例中所示的犧牲層131而形成。因此，可完成圖1的示例中所示的聲波諧振器的形成。這里，犧牲層131可通過利用蝕刻法除去。

在根據(jù)具有如上所述的構(gòu)造的示例的制造聲波諧振器的方法中，順序地形成兩個(gè)框架層，使得可在框架的內(nèi)表面上形成兩個(gè)斜面。相應(yīng)地，框架的斜面中的每個(gè)可容易地形成為具有期望的傾斜角。

同時(shí)，根據(jù)本公開的聲波諧振器和制造聲波諧振器的方法不限于前面所提到的示例，而是可按照各種方式進(jìn)行修改，以提供其他示例。

圖10是示意性地示出根據(jù)另一示例的聲波諧振器的截面圖。

參照圖10的示例，根據(jù)本示例的聲波諧振器的框架170的第一斜面s1的傾斜角θ1可形成為大于第二斜面s2的傾斜角θ2。

此外，框架170的頂表面可能被省略，框架170的外表面s4可使第二斜面s2與第二電極125彼此連接，并且可形成為豎直表面的形式或傾斜表面的形式。

因此，根據(jù)本示例的聲波諧振器100的框架170可以以各種形式進(jìn)行修改，只要聲波諧振器100的內(nèi)表面形成為具有如上討論的多個(gè)斜面即可。

圖11至圖14是示意性地示出根據(jù)另一示例的制造聲波諧振器的方法的示圖。

參照圖11至圖14，在根據(jù)本示例的制造聲波諧振器的方法中，第一電極121和壓電層123可首先順序地形成在如圖3的示例中所示的膜層150上。

如圖11的示例中所示，可在壓電層123上形成第一框架171。例如，第一框架171可通過在壓電層上形成導(dǎo)體層、然后除去不需要的部分而形成。此外，與上面描述的示例類似，第一框架171可通過剝離工藝或干蝕刻工藝形成。因此，第一框架171可具有第一斜面s1。

如圖12中所示，可在第一框架171上形成第二框架172。與第一框架171的形成類似，第二框架172可通過剝離工藝或干蝕刻工藝形成。因此，第二框架172可具有第二斜面s2。

如圖13的示例中所示，然后可形成用于形成第二電極的導(dǎo)電層125a。導(dǎo)電層125a可通過在第一壓電層123和第一框架171以及第二框架172的所有頂表面的整體上沉積導(dǎo)體層而形成。在此示例中，導(dǎo)電層125a可由與第一框架171和第二框架172的材料相同的材料形成。

如圖14中所示，可通過除去導(dǎo)電層125a的不需要的部分來完成第二電極125。例如，可利用光刻工藝來執(zhí)行導(dǎo)電層125a的部分除去。

接下來，可利用圖9的示例中所示的工藝來完成圖1的示例中所示的聲波諧振器100的形成。

如上面所闡述的，根據(jù)示例，因?yàn)槁暡ㄖC振器和制造聲波諧振器的方法是針對具有比傳統(tǒng)聲波諧振器高的q因數(shù)和kt²的聲波諧振器，所以相應(yīng)地提供了改善的性能。

雖然本公開包括具體示例，但是在理解本申請的公開內(nèi)容之后將明顯的是，在不脫離權(quán)利要求以及其等同物的精神和范圍的情況下，可在形式和細(xì)節(jié)方面對這些示例做出各種改變。在此描述的示例僅被視為描述意義，而非出于限制的目的。在每個(gè)示例中的特征或方面的描述被視為適用于其他示例中的類似的特征或方面。如果按照不同的順序執(zhí)行描述的技術(shù)、和/或如果按照不同的方式來組合所描述的系統(tǒng)、結(jié)構(gòu)、裝置或電路、和/或由其他組件或其等同物來替換或增添所描述的系統(tǒng)、結(jié)構(gòu)、裝置或電路，則可實(shí)現(xiàn)合理的結(jié)果。因此，本公開的范圍不由具體實(shí)施方式限定，而是由權(quán)利要求及其等同物限定，并且權(quán)利要求及其等同物的范圍內(nèi)的全部改變將被理解為被包括在本公開中。