本申請(qǐng)是申請(qǐng)?zhí)枮?01210595725.0、申請(qǐng)日為2012年11月25日的同名稱發(fā)明的分案申請(qǐng)。

本發(fā)明的實(shí)施例涉及包括共模抑制電路的電路、用于操作所述電路的方法、包括共模抑制電路的振蕩設(shè)備、以及用于操作所述振蕩設(shè)備的方法。

背景技術(shù)：

共模抑制電路可用來達(dá)到抑制通過電路（例如通過移動(dòng)通信設(shè)備的射頻收發(fā)器的電路或通過振蕩器）的共模和所產(chǎn)生的共模電流的目的。這樣的共模是由振蕩器或由在一個(gè)頻率上操作的電路造成的干擾。例如，包括利用高信號(hào)擺幅驅(qū)動(dòng)的差分放大器的振蕩器遭受大信號(hào)的影響（例如共模）。共模出現(xiàn)在振蕩器的信號(hào)輸出上以及出現(xiàn)在接地和電源上。該共模信號(hào)或主振蕩信號(hào)可能導(dǎo)致在接地和電源之間的電壓擺幅的產(chǎn)生，或者甚至超出在兩倍的輸入頻率的振蕩器處的直流電源。

在沒有共模抑制或者具有有限的共模抑制的情況下，該電壓擺幅導(dǎo)致通過振蕩器的共模電流。共模電流在高振蕩頻率上可能負(fù)面地影響信號(hào)純度。此外，隨著共模信號(hào)的出現(xiàn)，附加噪聲轉(zhuǎn)換通常將閃爍噪聲上變頻至振蕩頻率。共模對(duì)于電流消耗具有進(jìn)一步的影響。如果考慮由存儲(chǔ)的能量與耗散的能量的比所定義的振蕩器或諧振器的品質(zhì)因數(shù)（q因數(shù)），則這是清楚的。二次諧波頻率的共模電流不對(duì)存儲(chǔ)的能量做出貢獻(xiàn)，但是對(duì)耗散的能量做出貢獻(xiàn)。因此，共模電流降低了振蕩器的品質(zhì)因數(shù)，并且因此可能增加沒有共模抑制電路或者具有有限的共模抑制電路的振蕩器的損耗。最后，這可能對(duì)于特定相位噪聲性能造成增加的功率消耗。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的實(shí)施例提供一種電路，所述電路包括：電路元件，其被配置成在可變頻率范圍內(nèi)的選定頻率上操作；以及共模抑制電路元件，其被配置成抑制通過所述電路元件的共模電流，其中所述共模抑制電路元件是可調(diào)的。

另一實(shí)施例提供一種電路，所述電路包括：電路元件，其被配置成在可變頻率范圍內(nèi)的選定頻率上操作；以及用于抑制通過所述電路元件的共模的裝置。

另外的實(shí)施例提供一種振蕩設(shè)備，所述振蕩設(shè)備包括：振蕩器，其被配置成提供可變振蕩頻率；以及共模抑制電路元件，其被串聯(lián)連接至所述振蕩器并且包括被配置成抑制通過所述振蕩器的共模電流的諧振電路，其中所述諧振電路的諧振頻率是可調(diào)的。

另外的實(shí)施例提供一種用于操作包括電路元件和共模抑制電路元件的電路的方法。所述方法包括在可變頻率范圍內(nèi)的選定頻率上操作所述電路元件的步驟、調(diào)節(jié)所述共模抑制電路元件的步驟、以及通過使用共模抑制電路元件來抑制通過所述電路元件的共模電流的步驟。

另一實(shí)施例提供一種用于操作包括振蕩器和共模抑制電路元件的振蕩設(shè)備的方法。所述方法包括通過使用所述振蕩器來輸出可變振蕩頻率的步驟、調(diào)節(jié)所述共模抑制電路元件的諧振電路的諧振頻率的步驟、以及通過使用共模抑制電路元件來抑制通過所述振蕩器的共模電流的步驟。

附圖說明

在下文中，本發(fā)明的實(shí)施例將參照附圖被描述。

圖1a示意性地示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的電路元件和共模抑制電路元件的框圖；

圖1b示意性地示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的振蕩器和共模抑制電路元件的框圖；

圖1c示意性地示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的具有多個(gè)可切換電容器的共模抑制電路元件的框圖；

圖1d示意性地示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的具有多個(gè)可切換電感器的共模抑制電路元件的框圖；

圖2示意性地示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的包括振蕩器和兩個(gè)共模抑制電路元件的振蕩設(shè)備的框圖；以及

圖3示意性地示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的振蕩器和共模抑制電路元件的框圖。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明的不同實(shí)施例隨后將參照附圖被討論。預(yù)先地，相同附圖標(biāo)記被提供給具有相同或類似功能的對(duì)象，使得在不同實(shí)施例內(nèi)由相同附圖標(biāo)記所引用的對(duì)象是可互換的，并且其描述是相互適用的。

在討論針對(duì)高頻率和低電壓余量（headroom）而優(yōu)化的共模抑制電路元件的常見設(shè)計(jì)之后，在下面將討論本發(fā)明的實(shí)施例。

圖3示出振蕩設(shè)備11，其包括振蕩器10和共模抑制電路元件12。振蕩器10和共模抑制電路元件12被串聯(lián)連接。因此，所述振蕩器被直接連接至電源15并且經(jīng)由共模抑制電路元件12被連接至接地16。共模抑制電路元件12包括諧振電路，所述諧振電路包括并聯(lián)連接的電感器13和電容器14。

振蕩器10包括差分放大器18和lc振蕩回路（tank）20。差分放大器18包括具有第一晶體管22和第二晶體管24（例如nmos晶體管）的差分晶體管對(duì)18。兩個(gè)晶體管22和24經(jīng)由其源極接點(diǎn)被耦合到公共源極節(jié)點(diǎn)26，經(jīng)由公共源極節(jié)點(diǎn)26，振蕩器10被連接至共模抑制電路元件12并且因此被連接到接地16。此外，晶體管22經(jīng)由第一互反饋環(huán)路22a與晶體管24相耦合，第一互反饋環(huán)路22a將晶體管22的柵極接點(diǎn)連接至晶體管24的漏極接點(diǎn)。反之亦然，晶體管24的柵極接點(diǎn)經(jīng)由第二互反饋環(huán)路24a與晶體管22的漏極接點(diǎn)相耦合。包括兩個(gè)電感器28a和28b以及可調(diào)電容器30的lc振蕩回路20形成諧振電路。兩個(gè)電感器28a和28b被串聯(lián)連接，其中可調(diào)電容器30與兩個(gè)電感器28a和28b的串聯(lián)電路并聯(lián)連接。lc振蕩回路20被連接在差分晶體管對(duì)18的兩個(gè)漏極接點(diǎn)之間，使得兩個(gè)電感器28a和28b的串聯(lián)電路和可調(diào)電容器30分別連接兩個(gè)漏極接點(diǎn)。兩個(gè)電感器28a和28b具有公共節(jié)點(diǎn)32，也被稱為中心抽頭，經(jīng)由公共節(jié)點(diǎn)32，振蕩器10被連接至電源15。

振蕩器10被配置成生成振蕩信號(hào)，如果直流電壓被施加在接地16和電源15之間，則所述振蕩信號(hào)可以經(jīng)由lc振蕩回路20的兩側(cè)被輸出。這里，lc振蕩回路20可以被差分放大器18激勵(lì)至振蕩。在lc振蕩回路20內(nèi)，電荷通過電感器28a和28b在可調(diào)電容器30的板之間來回流動(dòng)，使得電流在lc振蕩回路20的諧振頻率上振蕩。在常見振蕩器10中，振蕩信號(hào)是所謂的軌到軌信號(hào)。這意味著，最大電壓導(dǎo)致高轉(zhuǎn)換速率，所述高轉(zhuǎn)換速率導(dǎo)致低的功率消耗和良好的相位噪聲性能。差動(dòng)放大器18進(jìn)行操作以補(bǔ)償lc振蕩回路20的損耗。這里，相應(yīng)晶體管22和24經(jīng)由相應(yīng)反饋環(huán)路22a和24a被控制，使得流過晶體管22和24的電流與諧振lc振蕩回路20的諧振頻率同相振蕩，這取決于晶體管22和24的相應(yīng)狀態(tài)。由于兩個(gè)反饋環(huán)路22a和24a，所以如果電荷在lc振蕩回路20內(nèi)在第一方向上流動(dòng)（向前），則晶體管22被接通，以及如果電荷在第二方向上流動(dòng)（向后），則晶體管24被接通。

lc振蕩回路20充當(dāng)可以被控制以便確定振蕩頻率的諧振器。通過調(diào)節(jié)可調(diào)電容器30的（各種可控）電容，lc振蕩回路20的諧振頻率并且因此振蕩器10的想要的振蕩頻率可以被調(diào)諧。這使得能夠一次將振蕩器設(shè)置為想要的頻帶，并且把調(diào)制置于振蕩頻率。用于移動(dòng)通信系統(tǒng)的典型的（操作的）調(diào)諧范圍是在3.6ghz的標(biāo)稱振蕩頻率上的1ghz。這可能導(dǎo)致在7.2ghz的振蕩頻率上用于二次諧波頻率的2ghz的調(diào)諧范圍。例如，在處于二次諧波頻率的調(diào)諧范圍內(nèi)的頻率上可能引起共模電流。該共模電流被共模抑制電路元件12抑制，其中元件12的阻抗在共模頻率上被最大化。其背景是，電感器13的直流串聯(lián)電阻將其兩端的直流電壓降減少到可忽略的量。在諧振的情況下，相對(duì)于低的直流電壓降，共模抑制電路元件12的阻抗是高的。因此，為了實(shí)現(xiàn)最高的共模抑制，諧振電路12的諧振頻率被選擇成使得，諧振頻率基本上符合共模的頻率。諧振頻率對(duì)于共模的頻率的適配可以通過選擇電感器13的電感或電容器14的電容來完成。由于電感器13的固定電感和電容器14的固定電容，共模抑制電路元件12具有固定的諧振頻率，并且被優(yōu)化至特定振蕩頻率和/或另一性能參數(shù)（例如相位噪聲參數(shù)）。

然而，振蕩器10的振蕩頻率是可變的，如上相對(duì)于gsm或umts振蕩器的調(diào)諧范圍所示。因此，為了覆蓋整個(gè)頻率范圍，共模抑制電路元件12可以具有例如3db的寬帶頻率特性。然而，lc振蕩回路20的品質(zhì)因數(shù)通過增加帶寬而被減小。由于品質(zhì)因數(shù)的減小，共模抑制電路元件12的有效并聯(lián)電阻在諧振的情況下被減小，并且因此共模抑制變得更低。一般而言，共模抑制電路元件12的最優(yōu)操作頻率（其可以被用于振蕩器或具有大的調(diào)諧范圍的系統(tǒng)）在特定性能參數(shù)上被限制于整個(gè)調(diào)諧范圍的小部分，其中在除該小部分之外的頻率上共模抑制無效。因此，需要共模抑制電路元件的改進(jìn)的方法以便對(duì)于每個(gè)可調(diào)諧振蕩頻率確保高共模抑制。

在下面將討論共模抑制電路元件的改進(jìn)的方法。下列實(shí)施例基于使用共模抑制電路元件的原理，所述共模抑制電路元件作為電路元件的選定頻率的函數(shù)或者作為振蕩器的振蕩頻率的函數(shù)而是示例性可調(diào)的，其中將相對(duì)于圖1b討論作為另一性能參數(shù)的函數(shù)而可調(diào)的共模抑制電路元件的實(shí)施例。

圖1a示出包括電路元件36和共模抑制電路元件38的電路34。電路元件36和共模抑制電路元件38被串聯(lián)連接，其中電路元件36被直接連接至電源15并且經(jīng)由共模抑制電路元件38被連接至接地16。電路元件36可以是振蕩器、混頻器、緩沖器、運(yùn)算放大器或差分放大器，其被配置成在可變頻率范圍內(nèi)的選定頻率上操作。

類似于根據(jù)圖3的振蕩器10，由于在選定頻率上的操作，可能生成通過電路元件36的共模電流。該共模電流被共模抑制電路元件38抑制。為了提供共模抑制對(duì)于選定頻率的最優(yōu)適配，共模抑制電路元件38作為選定頻率的函數(shù)而是可調(diào)的。因此，共模抑制電路元件38可以從電路元件36接收關(guān)于選定頻率（f）的信息40，或者可以被外部控制器經(jīng)由控制信號(hào)來控制。這里，有利的是，可控的或可調(diào)的共模抑制電路元件38可以增加在取決于選定頻率的頻率上的阻抗。因此，與共模抑制電路元件12（參照?qǐng)D3）相比，共模抑制電路元件38的帶寬可以小得多。此外，在不減小品質(zhì)因數(shù)的情況下共模抑制將更高，也被稱為加載q。這導(dǎo)致能源消耗的改進(jìn)以及相位噪聲性能的改進(jìn)。由于更少的耗散能量，所以品質(zhì)因數(shù)增加，并且因此總相位噪聲被減少。因此，可適配或可調(diào)諧共模抑制可以對(duì)閃爍噪聲、白噪聲、推出（pushing）、交叉耦合、溫度范圍和/或調(diào)諧范圍具有積極的影響。

圖1b示出包括類似于圖3中所示的振蕩器的振蕩器和根據(jù)圖1a的共模抑制電路元件38的振蕩設(shè)備42。共模抑制電路元件38經(jīng)由源極公共節(jié)點(diǎn)26被串聯(lián)連接至振蕩器10，經(jīng)由源極公共節(jié)點(diǎn)26，差分放大器18的差分晶體管對(duì)18被耦合。共模抑制電路元件38被配置成接收關(guān)于振蕩器10的可變振蕩頻率（f）的信息40，振蕩器10可以通過改變可調(diào)電容器30的電容而被調(diào)諧。共模抑制電路元件38的功能對(duì)應(yīng)于如上討論的功能。在一個(gè)實(shí)施例中，振蕩器10可以被用作移動(dòng)通信設(shè)備的振蕩器。

根據(jù)另一實(shí)施例，共模抑制電路元件38作為另一性能參數(shù)的函數(shù)而是可調(diào)的。這樣的性能參數(shù)可以是相位噪聲參數(shù)、選定頻率居中參數(shù)或選定操作模式參數(shù)（例如傳送或接收通信信號(hào)或操作頻率信息，選擇通信頻帶或信道，選擇功率輸入或輸出??情況或測(cè)試）。因此，共模抑制電路元件38可以被移動(dòng)通信設(shè)備的控制器控制，所述控制器根據(jù)相應(yīng)性能參數(shù)來適配共模抑制電路元件38。自適應(yīng)共模抑制電路元件38的適配使振蕩設(shè)備42能夠適配至不同條件或不同場(chǎng)景。此外，可適配共模抑制電路元件38實(shí)現(xiàn)可編程頻率居中共模抑制，使得可以補(bǔ)償由于其他影響而引起的過程變化和偏移。另一優(yōu)點(diǎn)是，在接近載波噪聲和遠(yuǎn)離噪聲之間的相位噪聲折衷可以對(duì)于不同頻帶而被改變，并且在交叉耦合和相位噪聲性能之間或者在推出和相位噪聲性能之間或者在粗調(diào)諧范圍和相位噪聲性能之間的折衷可以被適配。

在下面可以詳細(xì)地討論包括諧振電路的可調(diào)共模抑制電路元件的兩個(gè)實(shí)施例。這些共模抑制電路元件可以被用作根據(jù)圖1a和1b的共模抑制電路元件38。對(duì)于圖1c的實(shí)施例，共模抑制電路元件及其諧振頻率分別通過調(diào)節(jié)其電容來適配。對(duì)于圖1d的實(shí)施例，共模抑制電路元件通過作為選定頻率的函數(shù)來調(diào)節(jié)其電感而被調(diào)節(jié)。這些共模抑制電路元件基于下述原理，即當(dāng)共模抑制電路元件的諧振電路在共模的頻率上具有高阻抗時(shí)，共模抑制電流可以被抑制，如上所述。

圖1c示出由諧振電路形成的共模抑制電路元件44。所述諧振電路包括電感器46和多個(gè)可切換電容器48，它們彼此之間被并聯(lián)連接。諧振電路44在第一側(cè)被連接至接地16，并且在第二側(cè)經(jīng)由振蕩器或分別操作在選定頻率和在振蕩頻率上的電路元件（未示出）被連接至電源。在該實(shí)施例中，所述多個(gè)可切換電容器48示例性地包括三個(gè)可切換電容器48a、48b和48c。更詳細(xì)地，每個(gè)可切換電容器48a、48b和48c包括開關(guān)，經(jīng)由所述開關(guān)，相應(yīng)電容器48a、48b和48c可以利用其第一電容器板被連接至接地16，其中每個(gè)電容器48a、48b和48c利用其第二電容器板被連接至振蕩器的電路元件。每個(gè)電容器48a、48b和48c是選擇性地可切換的，使得諧振電路44的電容可以根據(jù)切換狀態(tài)而被改變。切換狀態(tài)可以作為在振蕩器的振蕩頻率上電路元件的選定頻率的函數(shù)而經(jīng)由控制線50或可選控制器被控制。

通過改變諧振電路44的電容，諧振頻率和諧振電路44的阻抗可以被調(diào)節(jié)以用于適配共模抑制。例如，通過除了啟用的電容器（例如電容器48a和48b）之外還切換多個(gè)電容器48中的另一電容器（例如電容器48c），諧振電路44的電容被增加，所以諧振頻率被降低。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，所述電容可以被適配成使得，諧振頻率等于相對(duì)于選定頻率或振蕩頻率的二次諧波頻率以最大化共模抑制。

圖1d示出包括電容器54和多個(gè)可切換電感器56的共模抑制電路元件52。多個(gè)可切換電感器56被串聯(lián)連接，其中電容器54與多個(gè)可切換電感器56的串聯(lián)電路并聯(lián)連接。電容器54和多個(gè)電感器56在第一側(cè)經(jīng)由接地連接被連接至接地16，并且在第二側(cè)經(jīng)由公共節(jié)點(diǎn)被連接至電路元件或振蕩器（未示出），從而形成諧振電路52。多個(gè)電感器56示例性地包括四個(gè)電感器56a、56b、56c和56d。第一電感器56a被連接至公共節(jié)點(diǎn)，而最后一個(gè)電感器56d被連接至接地16。此外，三個(gè)電感器56a、56b和56c中的每個(gè)經(jīng)由其開關(guān)而是選擇性地可連接至接地16。換句話說，三個(gè)可切換電感器56a、56b和56c的每個(gè)開關(guān)將電感器56a、56b、56c和56d中的兩個(gè)之間的相應(yīng)中心抽頭連接至電容器54的接地連接。

通過作為振蕩器的可變振蕩頻率的函數(shù)或者作為電路元件的可變頻率范圍內(nèi)的選定頻率（參照?qǐng)D1a和1b）或其他性能參數(shù)的函數(shù)來使用控制信號(hào)或可選控制器，開關(guān)經(jīng)由控制線58而是可控的。通過切換電感器56a、56b和56c，諧振電路52的電感并且因此諧振頻率以及阻抗可以被調(diào)節(jié)以便調(diào)節(jié)共模抑制電路元件52。例如，通過將多個(gè)電感器56中的電感器（例如電感器56c）切換至接地，諧振電路52的電感被減小，因此諧振頻率被增加。

圖2示出包括振蕩器62和兩個(gè)共模抑制電路元件64和66的振蕩設(shè)備60。在該實(shí)施例中，振蕩器62經(jīng)由共模抑制電路元件64被連接至接地16以及經(jīng)由共模抑制電路元件66被連接至電源15。共模抑制電路元件64和66在一個(gè)實(shí)施例中對(duì)應(yīng)于圖1c中所示的共模抑制電路元件44。振蕩器62包括對(duì)應(yīng)于圖1b中所示的lc振蕩回路20的lc振蕩回路20以及兩個(gè)差分晶體管對(duì)18和68，也被稱為gm級(jí)，其作為推挽級(jí)被耦合。放大器的推挽級(jí)意味著，不同類型的兩個(gè)晶體管彼此耦合。因此，第一差分晶體管對(duì)18的晶體管的類型（例如nmos或n型晶體管）不同于第二差分晶體管對(duì)68的類型（例如pmos或p型晶體管）。第一差分晶體管對(duì)18對(duì)應(yīng)于根據(jù)圖1b的晶體管對(duì)18，其中每個(gè)晶體管22和24分別包括常見反饋環(huán)路22a和24a。第二差分晶體管對(duì)38的結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)于第一差分晶體管對(duì)18的結(jié)構(gòu)。第二差分晶體管對(duì)68包括兩個(gè)晶體管70和72，其中每個(gè)晶體管70和72分別包括常見互反饋環(huán)路70a和72a。每個(gè)互反饋環(huán)路70a和72a將相應(yīng)晶體管70或72的柵極接點(diǎn)耦合至另一晶體管72或70的漏極接點(diǎn)。兩個(gè)差分晶體管對(duì)18和68經(jīng)由相應(yīng)晶體管72、24、22和70的相應(yīng)漏極接點(diǎn)彼此耦合。這意味著，兩個(gè)晶體管22和70經(jīng)由第一公共漏極連接與其漏極接點(diǎn)耦合，而晶體管24和72經(jīng)由第二公共漏極連接與其漏極接點(diǎn)耦合。lc振蕩回路20被連接在這兩個(gè)漏極連接之間。在該實(shí)施例中，第一共模抑制電路元件64經(jīng)由兩個(gè)晶體管22和24的公共源極節(jié)點(diǎn)26被連接至振蕩器62，并且因此被連接至晶體管22和24的源極接點(diǎn)。第二共模抑制電路元件66經(jīng)由第二差分晶體管對(duì)68，或者更詳細(xì)地經(jīng)由兩個(gè)晶體管70和72的公共源極節(jié)點(diǎn)74，被連接至振蕩器62，其中兩個(gè)晶體管70和72的源極接點(diǎn)經(jīng)由該公共節(jié)點(diǎn)74而被耦合。因此，與圖1b的實(shí)施例形成對(duì)比，振蕩器62沒有經(jīng)由兩個(gè)電感器28a和28b的中心抽頭、而是經(jīng)由第二差分晶體管對(duì)68被連接至電源15。

在下面將描述振蕩設(shè)備60的功能。振蕩器62的基本功能對(duì)應(yīng)于根據(jù)圖1b的振蕩器10，其中作為推挽級(jí)而耦合的兩個(gè)差分晶體管對(duì)18和68具有補(bǔ)償振蕩器損耗的目的。共模抑制電路元件64和66的功能對(duì)應(yīng)于根據(jù)圖1b和1c的共模抑制電路元件44。在下面將討論背景以及第二共模抑制電路66的優(yōu)點(diǎn)。

每個(gè)差分放大器對(duì)18和68可以包括寄生電容26a和74a。第一寄生電容26a在公共源極節(jié)點(diǎn)26和接地16之間與共模抑制電路元件64并聯(lián)連接，而第二寄生電容74a在公共源極節(jié)點(diǎn)74和電源15之間與第二共模抑制電路元件66并聯(lián)連接。由于兩個(gè)差分晶體管對(duì)18和68不相同這一事實(shí)，寄生電容26a和74a通常是不同的。這些寄生電容26a和74a影響相應(yīng)差分晶體管對(duì)18和68的共模抑制。為了補(bǔ)償這些影響，兩個(gè)共模抑制電路元件64和66中的每個(gè)被配置以考慮相應(yīng)寄生電容26a和74a。例如，兩個(gè)共模抑制電路元件64和66可以被配置成在相對(duì)于基波振蕩頻率的二次諧波頻率上建立并聯(lián)振蕩。如上所述，兩個(gè)共模抑制電路元件64和66的電容作為可變振蕩頻率的函數(shù)而是可適配的，以便適配相應(yīng)共模抑制電路元件64和66的諧振頻率。兩個(gè)共模抑制電路元件64和66的諧振頻率被選擇成使得，到接地16的阻抗以及到電源15的阻抗在通過相應(yīng)差分晶體管對(duì)18和68的相應(yīng)共模電流的頻率上具有最大值。這使得能夠減少通過振蕩器62的共模電流，并且減小噪聲影響，例如閃爍噪聲或近同相（close-in-phase）噪聲。如上所述，這導(dǎo)致振蕩設(shè)備60的能量耗散的減少。

根據(jù)另一實(shí)施例，振蕩設(shè)備60可以包括阻塞（blocking）電容器76，其被連接在電源15和接地16之間。阻塞電容器76被配置成阻塞電源15和接地16之間的高頻。阻塞電容器76在一側(cè)分流由振蕩器62產(chǎn)生的諧波，并且在另一側(cè)防止振蕩器62遭受由外部塊造成的高頻失真。阻塞電容器76的電容被確定大小使得，其阻抗在共模抑制電路元件64和66的諧振頻率上是小的。這是有利的，因?yàn)樗沟媚軌蜻x擇相應(yīng)共模抑制電路元件64和66的電感和電容而不考慮阻塞電容器76的電容。

參考圖1b，應(yīng)當(dāng)注意，振蕩器10可以是不同的類型，例如邁斯納振蕩器。

雖然在用于抑制通過振蕩器的共模的共模抑制電路元件的上下文中已經(jīng)描述了一些方面，但是顯然，這些方面也將給出對(duì)用于抑制通過電路元件的共模的共模抑制電路元件的描述，所述電路元件例如是混頻器、緩沖器、運(yùn)算放大器或者包括放大器或差分放大器和/或在可變頻率范圍內(nèi)的選定頻率上操作的另一電路。

參考圖1c的實(shí)施例，應(yīng)當(dāng)注意，多個(gè)可切換電容器48通過三個(gè)電容器48a、48b和48c來示出，其中多個(gè)可切換電容器48還可以包括多于或少于三個(gè)可切換電容器?？商鎿Q地，諧振電路44可以包括連續(xù)可調(diào)的電容器，而不是多個(gè)可切換電容器48，以便調(diào)節(jié)諧振電路44的電容。

參考圖1d的實(shí)施例，應(yīng)當(dāng)注意，多個(gè)電感器56可以包括多于或少于四個(gè)電感器56a、56b、56c和56d。此外，共模抑制電路元件的諧振電路52可替換地可以包括連續(xù)可變電感器，而不是多個(gè)可切換電感器56，以便調(diào)節(jié)電感。

參考圖1c和1d的實(shí)施例，應(yīng)當(dāng)注意，共模抑制電路元件可以包括多個(gè)可切換電容器和多個(gè)可切換電感器。

根據(jù)另一實(shí)施例，共模抑制電路元件可以被配置成通過使用控制信號(hào)而被內(nèi)部或外部控制器控制?？刂破鞅慌渲贸山邮贞P(guān)于選定頻率或振蕩頻率或其他性能參數(shù)的信息，并且通過調(diào)節(jié)共模抑制電路元件的電容或電感來適配諧振頻率。

雖然在設(shè)備的上下文中已經(jīng)描述了一些方面，但是顯然，這些方面也將表示對(duì)用于操作包括電路元件和共模抑制電路元件的電路或用于操作包括振蕩器和共模抑制電路元件的振蕩設(shè)備的對(duì)應(yīng)方法的描述，其中塊或設(shè)備對(duì)應(yīng)于方法步驟或方法步驟的未來。類似地，在方法步驟的上下文中描述的方面也將表示對(duì)對(duì)應(yīng)塊、項(xiàng)目、或?qū)?yīng)設(shè)備的未來的描述。

上面描述的實(shí)施例僅僅用于說明本發(fā)明的主要內(nèi)容。不用說，在這里描述的布置和細(xì)節(jié)的修改和變化對(duì)于本領(lǐng)域其他技術(shù)人員來說將是顯而易見的。因此，意圖是只受限于即將出現(xiàn)的專利權(quán)利要求的范圍，而不受限于通過在此對(duì)實(shí)施例的描述和解釋的方式而給出的特定細(xì)節(jié)。