專利名稱：有機(jī)電致發(fā)光驅(qū)動電流和有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光(EL)驅(qū)動電路和使用該有機(jī)EL驅(qū)動電路的有機(jī)EL顯示設(shè)備，具體地J9，本發(fā)明涉及一種對有源矩陣型有機(jī)EL顯示板的像素電路的電容器進(jìn)行充電的有機(jī)EL驅(qū)動電路，其使用D/A轉(zhuǎn)換器電路，并能夠減少耐相對高的電壓，例如，10V或更高，的元件數(shù)量，從而限制電路尺寸的增加，并限制該顯示設(shè)備的顯示屏的亮度發(fā)生變化或單獨(dú)的顯示設(shè)備的亮度發(fā)生變化。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)有技術(shù)的液晶顯示設(shè)備中，已經(jīng)使用了具有D/A轉(zhuǎn)換器電路的驅(qū)動電路，其中D/A轉(zhuǎn)換器電路將數(shù)字信號轉(zhuǎn)換成模擬信號來驅(qū)動數(shù)據(jù)線。眾所周知，當(dāng)在有源矩陣型有機(jī)EL顯示板中設(shè)置這種驅(qū)動電路來驅(qū)動顯示板的像素電路時(shí)，存在著不能減小有機(jī)EL顯示設(shè)備的大小的問題(專利文獻(xiàn)1)。
專利文獻(xiàn)1JP2000-276108A發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明要解決的問題當(dāng)把用于驅(qū)動有源矩陣型有機(jī)EL顯示板的有機(jī)EL驅(qū)動電路設(shè)置為板的外部電路時(shí)，可以相應(yīng)地減小有機(jī)EL顯示板的尺寸。在這種情況下，通常用一般為0.1到10μA的電流對像素電路的電容器充電來執(zhí)行驅(qū)動電流值的寫入，其中電容器通常是數(shù)百皮法。但是，當(dāng)用色調(diào)控制有源矩陣型有機(jī)EL顯示板的顯示亮度時(shí)，要求高精度的驅(qū)動電流，其最小電流是1nA到30nA。有兩種方向的驅(qū)動電流，匯入型和源型。目前，無論何種類型的有機(jī)EL顯示板，電源電壓+Vcc在10V到20V的范圍內(nèi)。
在電流匯入型中，用于將像素電路的電容器復(fù)位的電壓是電源電壓+Vcc，或近似+Vcc。因此，必須用耐相對高的電壓的元件來構(gòu)造D/A轉(zhuǎn)換器電路，以致存在著這些元件所占的面積變大，以及增加了由與有機(jī)EL顯示板的端子插腳或列插腳相對應(yīng)地設(shè)置的多個(gè)D/A轉(zhuǎn)換器電路構(gòu)成的IC所占的面積。當(dāng)D/A轉(zhuǎn)換器電路使用電流鏡像電路時(shí)，由于元件的氧化膜厚度的變化，使元件的配對特性和元件之間的匹配精度劣化，以致不能保持較高的電流轉(zhuǎn)換精度。
由此，改變了D/A轉(zhuǎn)換特性。這種變化被反映到有機(jī)顯示板的端子插腳或列插腳之間的輸出電流的變化上，輸出電流的變化又反映到顯示設(shè)備的顯示屏或單獨(dú)的顯示設(shè)備的亮度變化。對于無源矩陣型有機(jī)EL顯示板來說，也是類似的。
本發(fā)明的目的是提供一種有機(jī)EL驅(qū)動電路和使用該有機(jī)EL驅(qū)動電路的有機(jī)EL顯示設(shè)備，其中有機(jī)EL驅(qū)動電路使用D/A轉(zhuǎn)換器電路，并且能夠減少耐相對高的電壓的元件的數(shù)量，限制電路大小的增加和顯示設(shè)備的顯示屏或單獨(dú)的顯示設(shè)備的亮度變化。
解決問題的手段根據(jù)本發(fā)明，有機(jī)EL驅(qū)動電路響應(yīng)輸入到由電流鏡像電路構(gòu)成的D/A轉(zhuǎn)換器電路的輸入端子的預(yù)定電流，通過由D/A轉(zhuǎn)換器電路將數(shù)字顯示數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為模擬信號，來產(chǎn)生要輸出到有機(jī)EL顯示板的端子插腳的驅(qū)動電流，或基于其來產(chǎn)生驅(qū)動電流的電流。該有機(jī)EL驅(qū)動電路包括第一晶體管，設(shè)置在電流鏡像電路的輸入側(cè)晶體管與輸入端子之間；第二晶體管，設(shè)置在電流鏡像電路的輸出側(cè)晶體管與輸出端子之間；以及第三晶體管，設(shè)置在輸出端子與電源線之間，其中輸入側(cè)晶體管、輸出側(cè)晶體管和第三晶體管的耐壓電壓比第一和第二晶體管的耐壓電壓低。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在本發(fā)明中，分別在D/A轉(zhuǎn)換器電路的輸入和輸出側(cè)設(shè)置晶體管，所述晶體管與D/A轉(zhuǎn)換器電路的其它晶體管相比，能夠耐相對高的電壓，例如，10V或更高。此外，作為復(fù)位開關(guān)的第三晶體管的耐壓電壓較低。因此，能夠耐相對高的電壓的晶體管的數(shù)量只是分別設(shè)置在D/A轉(zhuǎn)換器電路的輸入側(cè)和輸出側(cè)的2個(gè)晶體管。
通過使用大量構(gòu)成D/A轉(zhuǎn)換器電路的、具有低耐壓的晶體管，可以減小晶體管所占面積，從而減小包括多個(gè)D/A轉(zhuǎn)換器電路的IC所占的面積。此外，因?yàn)榭梢栽贗C中設(shè)置大量晶體管，所以可以改善元件的配對特性和元件之間的匹配精度。因此，可以改善D/A轉(zhuǎn)換的精確性，從而限制D/A轉(zhuǎn)換器電路的輸出電流發(fā)生變化。
由此，根據(jù)本發(fā)明，可以減少耐壓相對高的晶體管的數(shù)量。因此，可以限制使用D/A轉(zhuǎn)換器電路作為輸出級電流源的有機(jī)EL顯示電路的電路尺寸的增加。


具體實(shí)施例方式
圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有源矩陣型有機(jī)EL顯示板的有機(jī)EL驅(qū)動電路的電路方框圖，圖2示出了其單元電路之一的電路結(jié)構(gòu)。
在圖1中，參考數(shù)字10表示有機(jī)EL驅(qū)動電路的列驅(qū)動器(數(shù)據(jù)線驅(qū)動器)，11表示其D/A轉(zhuǎn)換器電路，12表示用于產(chǎn)生參考驅(qū)動電流Ir的恒定電流源，13和14分別表示恒定電壓偏置電路，15表示控制電路，16表示用于存儲顯示數(shù)據(jù)的寄存器，以及17表示MPU。
D/A轉(zhuǎn)換器電路11由電流鏡像電路構(gòu)成，電流鏡像電路具有輸入側(cè)晶體管單元電路TNa和輸出側(cè)晶體管單元電路TNb到TNn。
如圖2所示，晶體管單元電路TNb到TNn中的每一個(gè)由晶體管單元電路1構(gòu)成，晶體管單元電路1包括串聯(lián)在電源線與地線(參考電位線)之間的N溝道晶體管T1到T3。晶體管T1具有漏極端子D和柵極端子G1，晶體管T2具有柵極端子G2，晶體管T3具有輸入端子Din和源極端子S。晶體管T3構(gòu)成開關(guān)電路。
每一個(gè)單元電路1的源極端子接地。晶體管單元電路TNa的輸入端子Din與偏置線Va相連，正常為導(dǎo)通。來自顯示寄存器16的顯示數(shù)據(jù)D0到Dn-1分別輸入到晶體管單元電路TNb到TNn的輸入端子Din，這些輸入端子Din與圖2所示的晶體管T3的輸入端子相對應(yīng)。由顯示數(shù)據(jù)D0到Dn-1控制晶體管單元電路TNb到TNn的開關(guān)電路SW(晶體管T3)導(dǎo)通/截止。根據(jù)控制電路15的閂鎖脈沖LP，從MPU17將顯示數(shù)據(jù)D0到Dn-1設(shè)置在寄存器16中。
對晶體管單元電路TNa到TNn的柵極端子G1和G2進(jìn)行公共連接。此外，與晶體管單元電路TNa相對應(yīng)的單元電路1的柵極端子G2與D/A轉(zhuǎn)換器電路11的輸入端子11a相連。與晶體管單元電路TNa相對應(yīng)的單元電路1的漏極端子D通過具有高于10V的相對高耐壓電壓的N溝道晶體管Q1的源-漏極，與D/A轉(zhuǎn)換器電路11的輸入端子11a相連。因此，與晶體管單元電路TNa相對應(yīng)的單元電路1的晶體管T2為二極管連接，并成為電流鏡像電路的輸入側(cè)晶體管。由此，把來自恒定電流源12的驅(qū)動電流Ir提供給晶體管單元電路TNa。
恒定電流源12與偏置線Vb相連，并與參考電流分配電路的輸出電流源相對應(yīng)。將參考電流提供給構(gòu)成參考電流分配電路的電流鏡像電路的輸入側(cè)晶體管，參考電流分配電路從與列驅(qū)動器10的輸出端子插腳相對應(yīng)地并行設(shè)置的多個(gè)輸出側(cè)晶體管產(chǎn)生參考電流，作為鏡像電流，并將鏡像電流分配給有機(jī)EL顯示板的列插腳(輸出端子插腳)。
各個(gè)晶體管單元電路TNb到TNn的漏極D通過具有相對高耐壓電壓的N溝道晶體管Q2的源-漏極，與D/A轉(zhuǎn)換器電路11的輸出端子11b相連。輸出端子11b與輸出插腳10a相連，并在輸出插腳10a與電源線+Vcc之間設(shè)置復(fù)位開關(guān)電路2。復(fù)位開關(guān)電路2由P溝道晶體管TPa構(gòu)成，晶體管TPa的源極與電源線+Vcc相連，漏極與輸出插腳10a相連。電源線+Vcc的電壓在10V到20V的范圍內(nèi)。
把來自控制電路15的復(fù)位信號RS提供給晶體管TPa的柵極。晶體管單元電路TNa到TNn的公共連接的柵極端子G1與恒定電壓偏置電路13相連。在恒定電壓偏置電路13中設(shè)定的柵極電壓VGL將晶體管的晶體管單元電路1的上游側(cè)的晶體管T1設(shè)定為導(dǎo)通狀態(tài)，將晶體管T1的源極設(shè)定為比恒定電壓偏置電路13產(chǎn)生的恒定電壓低大約0.7V的電壓。
晶體管Q1和Q2的公共連接的柵極與恒定電壓偏置電路14相連。由恒定電壓偏置電路14設(shè)定的柵極電壓VGH將晶體管Q1和Q2設(shè)定為導(dǎo)通狀態(tài)，將晶體管Q1和Q2的源極設(shè)定為比恒定電壓偏置電路14產(chǎn)生的恒定電壓低大約0.7V的電壓。
通過以這種方式在電流鏡像電路的輸入側(cè)和輸出側(cè)排列晶體管Q1和Q2，來產(chǎn)生相對大的降壓(drop voltage)，可以降低晶體管TPa和晶體管單元電路TNa到TNn的工作電壓。
此外，因?yàn)榫w管Q1和Q2的柵極與恒定電壓偏置電路14相連，所以可以均衡晶體管單元電路TNa到TNn的漏極端子D的電壓。因此，可以減小列驅(qū)動器10中D/A轉(zhuǎn)換器電路所占的面積，并改善D/A轉(zhuǎn)換的精確性。
因此，減小了D/A轉(zhuǎn)換器電路的轉(zhuǎn)換特性的變化，從而可以限制有機(jī)EL顯示板的列插腳或端子插腳之間的輸出電流的變化，以及顯示設(shè)備的顯示屏的亮度變化或單獨(dú)的顯示設(shè)備的亮度變化。
在各個(gè)晶體管單元電路附近示出的符號×1，×2，×4，…表示并聯(lián)的單元電路1的數(shù)量。在×1的情況下，沒有并聯(lián)。根據(jù)單元電路的數(shù)字×n，分別對輸出側(cè)晶體管單元電路TNb到TNn的輸出加權(quán)。
如圖2所示，構(gòu)成D/A轉(zhuǎn)換器電路11的每個(gè)晶體管單元電路TNa到TNn的單元電路1由串聯(lián)的三個(gè)N溝道晶體管Tr1到Tr3構(gòu)成，其中三個(gè)晶體管的源極和漏極串聯(lián)在電源線和地線GND之間。晶體管Tr3構(gòu)成開關(guān)電路，并具有與源極端子S相連的源極。晶體管Tr1的漏極與漏極端子D相連。
晶體管Tr2的柵極與柵極端子G1相連，晶體管Tr3的柵極與柵極端子G2相連。
另外，晶體管Tr1到Tr3的背柵極共同連接到源極端子S。
返回圖1，為有機(jī)EL顯示板的每一個(gè)顯示像素，設(shè)置像素電路(顯示單元)3，并通過數(shù)據(jù)線X和連接端子3a將其與輸出插腳10a相連。為X和Y矩陣布線(數(shù)據(jù)線X和掃描線Y1，Y2，…)中的每一個(gè)交叉點(diǎn)設(shè)置像素電路3。像素電路3包括P溝道MOS晶體管TP1和TP2，晶體管TP1和TP2的柵極與掃描線Y相連，漏極與數(shù)據(jù)線X相連。設(shè)置在像素電路3中的P溝道MOS驅(qū)動晶體管TP3和TP4驅(qū)動OEL元件4。在晶體管TP3的源極與柵極之間設(shè)置電容器C。
晶體管TP1的源極與晶體管TP3的柵極相連，晶體管TP2的源極與晶體管TP3的漏極相連。因此，當(dāng)晶體管TP1和TP2導(dǎo)通時(shí)，晶體管TP3的柵極與漏極連接成二極管，使驅(qū)動電流流入晶體管TP3，從而以高精度在電容器C中存儲與驅(qū)動電流相對應(yīng)的電壓值。
晶體管TP3的源極與電源線+Vcc相連，其漏極通過晶體管TP4的源-漏極與OEL元件4的陽極相連。OEL元件4的陰極通過行側(cè)掃描電路7的開關(guān)電路7a接地。
晶體管TP1和TP2的柵極通過掃描線(寫線)Y1與寫控制電路5相連，并由寫控制電路5掃描。當(dāng)掃描線Y1變成低(“L”)電平時(shí)，晶體管TP1和TP2導(dǎo)通。在如下所述的復(fù)位信號RS結(jié)束復(fù)位之后，由D/A轉(zhuǎn)換器電路11匯入的預(yù)定驅(qū)動電流從電源線+Vcc流過晶體管TP3、電容器C、晶體管TP1和TP2、數(shù)據(jù)線X、端子3a和輸出插腳10a，從而在電容器C中寫入并存儲與驅(qū)動電流相對應(yīng)的電壓。掃描線Y1變成高(“H”)電平，從而使晶體管TP1和TP2截止。
晶體管TP4的柵極通過掃描線Y2與寫控制電路5相連。寫控制電路5掃描晶體管TP4，當(dāng)掃描線(驅(qū)動線)Y2變成“L”時(shí)，晶體管TP4導(dǎo)通。因此，保持晶體管TP3和TP4導(dǎo)通，從而向OEL元件4提供該驅(qū)動電流。另外，在這種情況下，因?yàn)閽呙杈€Y2處在“H”電平，所以晶體管TP1和TP2處于截止?fàn)顟B(tài)。
在晶體管TP3和TP4的驅(qū)動結(jié)束時(shí)，將行側(cè)移位到下一掃描線Y2，掃描線Y2變成“H”。因此，晶體管TP4截止。掃描線Y1變成“L”，并且由此時(shí)導(dǎo)通的晶體管TP1和TP2，以及由復(fù)位信號RS導(dǎo)通的晶體管TPa來使電容器C的電壓復(fù)位。
在復(fù)位操作結(jié)束之后，由D/A轉(zhuǎn)換器電路11匯入的預(yù)定驅(qū)動電流流入并寫入電容器C中。
另外，在與水平掃描的回掃周期相對應(yīng)的復(fù)位周期期間，執(zhí)行由復(fù)位信號RS進(jìn)行的復(fù)位操作，以及寫入電容器C的操作。
雖然圖中未示出，但是可以根據(jù)復(fù)位周期中的復(fù)位信號RS，通過使晶體管電路TNa的輸入端子Din變成“L”，來截止晶體管單元電路TNa的單元1的開關(guān)電路SW(晶體管Tr3)，其中，在復(fù)位周期之內(nèi)，將電容器C的電壓復(fù)位。通過使開關(guān)電路SW截止，來截止晶體管單元電路TNb到TNn。因此，當(dāng)復(fù)位信號RS使晶體管TPa截止時(shí)，可以阻塞D/A轉(zhuǎn)換器電路11的晶體管單元電路TNa到TNn的電流，從而減小功耗。
工業(yè)可應(yīng)用性雖然在所述實(shí)施例中，將D/A轉(zhuǎn)換器電路用作輸出級電流源，但是，通過進(jìn)一步設(shè)置由電流鏡像電路構(gòu)成的輸出級電流源，可以電流驅(qū)動輸出級電流源。在這種情況下，作為復(fù)位開關(guān)的晶體管TPa(第三晶體管)可以是構(gòu)成輸出級電流源的晶體管之一，或另一個(gè)晶體管。
另外，雖然描述了有源矩陣型有機(jī)EL顯示板，但是通過設(shè)置這種輸出級電流源，本發(fā)明的有機(jī)EL驅(qū)動電路可適用于無源矩陣型有機(jī)EL顯示板的驅(qū)動電路中。
此外，在本實(shí)施例中，雖然D/A轉(zhuǎn)換器主要由N溝道MOS晶體管構(gòu)成，但是，可以用P溝道MOS晶體管，或N溝道MOS晶體管與P溝道MOS晶體管的組合來構(gòu)造D/A轉(zhuǎn)換器。
在所述實(shí)施例中，雖然使用了MOS晶體管，但是，也可以用雙極性晶體管取代MOS晶體管。在這種情況下，MOS晶體管的柵極、源極和漏極分別與雙極性晶體管的基極、發(fā)射極和集電極相對應(yīng)。

圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，有源矩陣型有機(jī)EL顯示板的有機(jī)EL驅(qū)動電路的電路方框圖。
圖2是其單元電路的電路結(jié)構(gòu)。
參考數(shù)字和符號說明1晶體管單元電路2復(fù)位開關(guān)電路3像素電路(顯示單元)4有機(jī)EL元件(OEL元件)5寫控制電路7行側(cè)掃描電路7a開關(guān)電路10列驅(qū)動器10a輸出插腳11D/A轉(zhuǎn)換器12恒定電流源13，14恒定電壓偏置電路15控制電路16寄存器17MPUQ1到Q3 MOS晶體管Tr1到Tr7 MOS晶體管TNa到TNn MOS晶體管
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)電致發(fā)光驅(qū)動電路，響應(yīng)輸入到由電流鏡像電路構(gòu)成的D/A轉(zhuǎn)換器電路的輸入端子的預(yù)定電流，通過由D/A轉(zhuǎn)換器電路將數(shù)字顯示數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為模擬信號，來產(chǎn)生要輸出到有機(jī)電致發(fā)光顯示板的端子插腳的驅(qū)動電流，或基于其來產(chǎn)生驅(qū)動電流的電流，所述有機(jī)電致發(fā)光驅(qū)動電路包括第一晶體管，設(shè)置在電流鏡像電路的輸入側(cè)晶體管與輸入端子之間；第二晶體管，設(shè)置在電流鏡像電路的輸出側(cè)晶體管與輸出端子之間；以及第三晶體管，設(shè)置在輸出端子與電源線之間，其中所述輸入側(cè)晶體管、所述輸出側(cè)晶體管和所述第三晶體管的耐壓電壓比所述晶體管第一和所述第二晶體管的耐壓電壓低。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光驅(qū)動電路，其中將所述第一晶體管和所述第二晶體管偏置，使得所述輸入側(cè)晶體管與所述第一晶體管的連接點(diǎn)，和所述輸出側(cè)晶體管與所述第二晶體管的連接點(diǎn)的電位變?yōu)榇笾孪嗟取?br> 3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)電致發(fā)光驅(qū)動電路，其中通過將所述第一晶體管和所述第二晶體管的柵極或基極設(shè)定為預(yù)定恒定電壓，來使連接點(diǎn)變?yōu)榇笾孪嗟鹊碾娢弧?br> 4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)電致發(fā)光驅(qū)動電路，其中所述第一和所述第二晶體管耐與10V或更高的電源電壓相對應(yīng)的相對高的電壓。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)電致發(fā)光驅(qū)動電路，其中所述第三晶體管是復(fù)位開關(guān)。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)電致發(fā)光驅(qū)動電路，其中所述第三晶體管是構(gòu)成用于產(chǎn)生驅(qū)動電流的輸出級電流源的晶體管之一。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)電致發(fā)光驅(qū)動電路，其中輸出端子是D/A轉(zhuǎn)換器的輸出端子，輸入側(cè)晶體管和輸出晶體管中的每一個(gè)由串聯(lián)在電源線與參考電位線之間的多個(gè)晶體管構(gòu)成，與輸入側(cè)晶體管并行地設(shè)置多個(gè)輸出側(cè)晶體管，并分別與輸出端子相連。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)電致發(fā)光驅(qū)動電路，其中輸入側(cè)晶體管和輸出側(cè)晶體管中的每一個(gè)包括串聯(lián)的、構(gòu)成開關(guān)電路的晶體管，并形成為單元電路，將構(gòu)成輸入側(cè)晶體管的開關(guān)電路的晶體管設(shè)定為導(dǎo)通狀態(tài)，由顯示數(shù)據(jù)控制構(gòu)成每一個(gè)輸入側(cè)晶體管的開關(guān)電路的晶體管的導(dǎo)通/截止。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)電致發(fā)光驅(qū)動電路，其中有機(jī)電致發(fā)光顯示板包括多個(gè)端子插腳，并且與多個(gè)端子插腳相對應(yīng)地分別設(shè)置D/A轉(zhuǎn)換器電路。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機(jī)電致發(fā)光驅(qū)動電路，其中每一個(gè)D/A轉(zhuǎn)換器電路的電流鏡像電路的輸入側(cè)晶體管響應(yīng)分配給每一個(gè)端子插腳的參考電流，或根據(jù)參考電流產(chǎn)生的參考驅(qū)動電流。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的有機(jī)電致發(fā)光驅(qū)動電路，其中輸出端子與有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光顯示板的數(shù)據(jù)線相連。
12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光驅(qū)動電路，其中輸出端子是輸出級電流源的輸出端子，并與無源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光顯示板的列線相連。
13.一種有機(jī)電致發(fā)光顯示設(shè)備，包括根據(jù)權(quán)利要求1到12所述的有機(jī)電致發(fā)光驅(qū)動電路。
全文摘要
使用D/A的有機(jī)電致發(fā)光(EL)驅(qū)動電路和有機(jī)EL顯示設(shè)備，其中減少了使用相對高的擊穿電壓的元件的數(shù)量，抑制了電路尺寸的增加，并且進(jìn)一步抑制了顯示的畫面的亮度不均勻和發(fā)生變化。第一晶體管連接在構(gòu)成D/A的電流鏡像電路的輸入側(cè)晶體管與輸入端子之間。第二晶體管連接在電流鏡像電路的輸出側(cè)晶體管與輸出端子之間。第三晶體管連接在輸出端子與電源線之間。其中輸入側(cè)晶體管、輸出側(cè)晶體管和第三晶體管的擊穿電壓比第一和第二晶體管的擊穿電壓低。
文檔編號H03F3/345GK1938742SQ20058000977
公開日2007年3月28日 申請日期2005年3月28日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月29日
發(fā)明者阿部真一, 前出淳, 藤澤雅憲 申請人:羅姆股份有限公司