蒸鍍裝置、蒸鍍方法和有機(jī)電致發(fā)光元件的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供在整個(gè)蒸鍍區(qū)域中基板上的蒸鍍率的控制精度優(yōu)異的蒸鍍裝置、蒸鍍方法和有機(jī)電致發(fā)光元件的制造方法。本發(fā)明提供在基板上形成膜的蒸鍍裝置，上述蒸鍍裝置包括第一膜厚監(jiān)視部和包含蒸鍍?cè)吹恼翦儐卧?，并且，一邊基于上述第一膜厚監(jiān)視部的測(cè)定結(jié)果，控制從上述蒸鍍?cè)捶懦鰵饣蟮牟牧系牟糠峙c上述基板的被蒸鍍的表面之間的距離，一邊進(jìn)行蒸鍍。
【專利說(shuō)明】
蒸鍍裝置、蒸鍍方法和有機(jī)電致發(fā)光元件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明涉及蒸鍍裝置、蒸鍍方法和有機(jī)電致發(fā)光元件（以下稱為有機(jī)EL元件。）的 制造方法。更詳細(xì)地說(shuō)，涉及適于在大型基板上制造有機(jī)EL元件的蒸鍍裝置、蒸鍍方法和有 機(jī)EL元件的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 近年來(lái)，作為平面型的顯示裝置，關(guān)注以有機(jī)EL元件作為發(fā)光元件的有機(jī)電致發(fā) 光顯示裝置（以下稱為有機(jī)EL顯示器。）。該有機(jī)EL顯示器是不需要背光源的自發(fā)光型的平 板顯示器，具有自發(fā)光型所特有的能夠?qū)崿F(xiàn)廣視角的顯示器的優(yōu)點(diǎn)。此外，因?yàn)橹灰剐枰?的像素點(diǎn)亮，所以在電力消耗方面與液晶顯示器等的背光源型的顯示器相比也是有利的， 而且認(rèn)為其對(duì)于今后期待實(shí)用化的高精細(xì)度的高速的視頻信號(hào)具有充分的響應(yīng)性能。
[0003] 在這樣的有機(jī)EL顯示器中使用的有機(jī)EL元件，一般具有由電極（陽(yáng)極和陰極)從上 下將有機(jī)材料夾入的構(gòu)造。并且，對(duì)于包含有機(jī)材料的有機(jī)層，從陽(yáng)極注入空穴，從陰極注 入電子，在該有機(jī)層中，空穴與電子再結(jié)合而發(fā)光。此時(shí)，有機(jī)EL元件能夠以10V以下的驅(qū)動(dòng) 電壓得到數(shù)百~數(shù)萬(wàn)cd/m 2的亮度。此外，通過(guò)適當(dāng)選擇有機(jī)材料例如選擇焚光材料，能夠 得到所需的色彩的光?；诖耍袡C(jī)EL元件作為用于構(gòu)成多色彩或全色彩的顯示裝置的發(fā) 光元件被認(rèn)為是非常有前途的。
[0004] 但是，在有機(jī)EL元件中形成有機(jī)層的有機(jī)材料，一般耐水性低，不適合進(jìn)行濕處 理。因此，在形成有機(jī)層時(shí)，一般利用真空薄膜成膜技術(shù)進(jìn)行真空蒸鍍。由此，在包含形成有 機(jī)層的工序的有機(jī)EL元件的制造中，廣泛使用在真空腔室內(nèi)具有蒸鍍?cè)吹恼翦冄b置。
[0005] 例如，作為能夠以很好的響應(yīng)性使膜厚穩(wěn)定地進(jìn)行控制的有機(jī)EL顯示器的制造裝 置，公開(kāi)了下述成膜裝置:在蒸鍍?cè)词共牧舷蛴苫妮斔蜋C(jī)構(gòu)輸送來(lái)的基材飛散的狀態(tài)下， 基于由膜厚監(jiān)視部得到的膜厚來(lái)檢測(cè)蒸鍍速度，由此預(yù)測(cè)蒸鍍于基板的膜厚，控制機(jī)構(gòu)控 制限制機(jī)構(gòu)的位置從而控制材料的飛散范圍（例如參照專利文獻(xiàn)1。）。
[0006] 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0007] 專利文獻(xiàn)
[0008] 專利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2004-225058號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]發(fā)明要解決的技術(shù)課題
[0010]作為蒸鍍裝置，例如能夠舉出使用點(diǎn)蒸鍍?cè)匆贿吺够逍D(zhuǎn)一邊進(jìn)行蒸鍍的點(diǎn)蒸 鍍?cè)凑翦冄b置，和一邊使基板相對(duì)于蒸鍍?cè)丛谝粋€(gè)方向上相對(duì)移動(dòng)一邊進(jìn)行蒸鍍的掃描蒸 鍍裝置。
[0011]點(diǎn)蒸鍍?cè)凑翦冄b置能夠通過(guò)基于遮擋件的開(kāi)閉進(jìn)行的蒸鍍時(shí)間的調(diào)整來(lái)進(jìn)行蒸 鍍膜的膜厚的控制。與此不同，掃描蒸鍍裝置中，一邊以恒速搬送基板和/或蒸鍍?cè)匆贿呥M(jìn) 行蒸鍍，因此不能夠基于蒸鍍時(shí)間來(lái)控制蒸鍍膜的膜厚。于是，在掃描蒸鍍裝置中，一般代 替蒸鍍時(shí)間而利用蒸鍍率(蒸鍍速度)來(lái)進(jìn)行膜厚控制。
[0012] 圖23是表示比較方式1的掃描蒸鍍裝置的基本結(jié)構(gòu)的示意圖。如圖23所示，比較方 式1的掃描蒸鍍裝置的蒸鍍?cè)?010具有收納有機(jī)材料的坩堝1011、加熱坩堝1011的加熱器 1013、向加熱器1013供電的加熱電源1014。加熱器1013加熱坩堝1011而使有機(jī)材料氣化，由 此在作為成膜對(duì)象物的有機(jī)EL元件的基板1030上形成有機(jī)層。此外，在有機(jī)材料的蒸鍍時(shí)， 使用膜厚監(jiān)視部1001檢測(cè)蒸鍍率，基于該蒸鍍率(測(cè)定值)調(diào)整加熱溫度，由此控制蒸鍍率。
[0013] 但是，基于加熱溫度的蒸鍍率的控制，在響應(yīng)性的方面不能說(shuō)是容易控制，因此可 能會(huì)成為不穩(wěn)定的控制系統(tǒng)，而不容易進(jìn)行膜厚控制。一般來(lái)說(shuō)有機(jī)材料與其它材料相比 熱效率低，而且有機(jī)材料的蒸鍍溫度作為真空蒸鍍的溫度來(lái)說(shuō)是比較低的溫度。因此，從調(diào) 整加熱器1013的加熱溫度起，到其溫度變化傳遞到有機(jī)材料而使蒸鍍率變化的時(shí)間差較 大。此外，當(dāng)坩堝1011內(nèi)的有機(jī)材料的量隨時(shí)間變化時(shí)，由于其影響而導(dǎo)致控制系統(tǒng)的時(shí)間 常數(shù)發(fā)生變化，蒸鍍率也發(fā)生變化。于是，比較方式1的掃描蒸鍍裝置中，采用被稱為PID (Proportional Integral Derivative:比例積分微分)控制的控制方法，根據(jù)蒸鍍率的變 動(dòng)實(shí)時(shí)地預(yù)測(cè)之后的蒸鍍率的動(dòng)向，基于該預(yù)測(cè)控制加熱溫度。但是，即使進(jìn)行PID控制也 難以達(dá)到充分的蒸鍍率的控制精度。
[0014] 圖24是表示比較方式1的掃描蒸鍍裝置中的加熱器溫度與蒸鍍率的關(guān)系的圖表。 [0015]本發(fā)明的
【發(fā)明人】們進(jìn)行實(shí)際研究而發(fā)現(xiàn)，如圖24所示，比較方式1的掃描蒸鍍裝置 中，蒸鍍率的控制精度的極限是目標(biāo)率± 3 %左右。于是在比較方式1的掃描蒸鍍裝置中，蒸 鍍率的偏差明顯反映于膜厚的偏差。
[0016]圖25和26是表示專利文獻(xiàn)1中記載的成膜裝置的基本結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0017]如圖25和26所示，在專利文獻(xiàn)1中記載的成膜裝置中，通過(guò)使限制板1172上下移動(dòng) 而調(diào)整蒸鍍膜的膜厚。蒸鍍膜的膜厚由（蒸鍍率）X (蒸鍍時(shí)間）決定。此處，蒸鍍率意味著在 1秒的期間形成的蒸鍍膜的厚度，其單位以Α/s表示。在掃描蒸鍍裝置中，在產(chǎn)生蒸鍍流的 氣氛中輸送基板，因此蒸鍍時(shí)間由（飛散范圍）/(輸送速度)決定。此處，輸送速度保持一定 而不變化。飛散范圍表示的是在輸送方向上蒸鍍流飛散的范圍(距離），即被蒸鍍的區(qū)域(蒸 鍍區(qū)域)的寬度。飛散范圍在限制板1172下降時(shí)變大，在限制板1172上升時(shí)變小。即，通過(guò)控 制飛散范圍能夠調(diào)整蒸鍍時(shí)間，因此專利文獻(xiàn)1的技術(shù)思想是與蒸鍍率的變動(dòng)相應(yīng)地由飛 散范圍的控制進(jìn)行補(bǔ)充。
[0018] 但是，相對(duì)于蒸鍍率在整個(gè)蒸鍍區(qū)域中均勻變動(dòng)，即使使限制板1172上下移動(dòng)，也 只能夠使蒸鍍區(qū)域的兩端部1142的位置發(fā)生變動(dòng)。因此，例如仍然存在下述問(wèn)題。
[0019] 此處關(guān)注基板中央部的蒸鍍膜的膜厚。假設(shè)基板的中央部接近蒸鍍區(qū)域時(shí)，蒸鍍 率穩(wěn)定，與作為目標(biāo)的蒸鍍率相同。此時(shí)，不需要修正蒸鍍率，因此限制板1172配置在基準(zhǔn) 位置。然后，在基板的中央部進(jìn)入蒸鍍區(qū)域后，假設(shè)蒸鍍率突然開(kāi)始下降。這樣的話，為了進(jìn) 行蒸鍍率的修正，限制板1172的位置下降，飛散范圍變大。但是，基板的中央部已經(jīng)存在于 蒸鍍區(qū)域內(nèi)，因此通過(guò)蒸鍍率下降后的區(qū)域。之后，在基板的中央部通過(guò)了蒸鍍區(qū)域時(shí)，蒸 鍍率再次穩(wěn)定。這樣的話，限制板1172回到基準(zhǔn)位置。之后，基板的中央部通過(guò)蒸鍍區(qū)域而 成月旲完成。
[0020] 在上述情況下，即使蒸鍍率下降，基板的中央部的蒸鍍時(shí)間也是與以目標(biāo)的蒸鍍 率進(jìn)行理想蒸鍍時(shí)的蒸鍍時(shí)間相同的時(shí)間。因此，在基板的中央部，蒸鍍率的下降的量沒(méi)有 得到修正，蒸鍍膜的膜厚比目標(biāo)膜厚小。
[0021] 這樣的現(xiàn)象會(huì)在基板整體發(fā)生，因此通過(guò)專利文獻(xiàn)1中記載的飛散范圍的調(diào)整，不 能夠?qū)φ翦兟实淖儎?dòng)在基板面內(nèi)均勻地進(jìn)行修正。因此，存在在基板面內(nèi)發(fā)生蒸鍍膜的膜 厚不均的可能性。也就是說(shuō)，如果蒸鍍率不頻繁地發(fā)生變化則能夠防止出現(xiàn)上述問(wèn)題，但是 如果蒸鍍率頻繁變化則存在上述問(wèn)題。
[0022] 此外，如上所述，點(diǎn)蒸鍍?cè)凑翦冄b置能夠通過(guò)遮擋件的開(kāi)閉來(lái)調(diào)整蒸鍍時(shí)間，但是 蒸鍍率控制困難這一點(diǎn)對(duì)于點(diǎn)蒸鍍?cè)凑翦冄b置和掃描蒸鍍裝置來(lái)說(shuō)都是同樣的。因此，在 使用多個(gè)蒸鍍?cè)磳?duì)多個(gè)材料同時(shí)進(jìn)行蒸鍍時(shí)，即在進(jìn)行共同蒸鍍時(shí)，有時(shí)不能形成所需的 組成的蒸鍍膜。這是因?yàn)樵诠餐翦冎?，必須?duì)多個(gè)材料的蒸鍍率的比率進(jìn)行高精度的控 制。
[0023] 本發(fā)明鑒于上述情況而提出，其目的在于提供在整個(gè)蒸鍍區(qū)域中，基板上的蒸鍍 率的控制精度優(yōu)異的蒸鍍裝置、蒸鍍方法和有機(jī)電致發(fā)光元件的制造方法。
[0024] 用于解決技術(shù)課題的技術(shù)方案
[0025] 本發(fā)明的一個(gè)方面是在基板上形成膜的蒸鍍裝置，上述蒸鍍裝置包括第一膜厚監(jiān) 視部和包含蒸鍍?cè)吹恼翦儐卧?，并且，一邊基于上述第一膜厚監(jiān)視部的測(cè)定結(jié)果，控制從上 述蒸鍍?cè)捶懦鰵饣蟮牟牧系牟糠峙c上述基板的被蒸鍍的表面之間的距離，一邊進(jìn)行蒸 鍍。
[0026] 以下，將該蒸鍍裝置也稱為本發(fā)明的蒸鍍裝置。
[0027] 以下說(shuō)明本發(fā)明的蒸鍍裝置的優(yōu)選實(shí)施方式。另外，以下的優(yōu)選實(shí)施方式可以適 當(dāng)相互組合，將以下的2個(gè)以上的優(yōu)選實(shí)施方式相互組合而得的實(shí)施方式也是一種優(yōu)選實(shí) 施方式。
[0028] 本發(fā)明的蒸鍍裝置可以包括蒸鍍?cè)匆苿?dòng)機(jī)構(gòu)，其使上述蒸鍍?cè)匆苿?dòng)而使放出上述 氣化后的材料的上述部分的高度變化。
[0029] 本發(fā)明的蒸鍍裝置可以通過(guò)比例控制或PID ( Proport i ona 1 I ntegra 1 Derivative)控制來(lái)控制上述距離。
[0030] 可以構(gòu)成為：上述蒸鍍?cè)窗訜嵫b置，上述蒸鍍裝置包括第二膜厚監(jiān)視部，并 且，一邊基于上述第二膜厚監(jiān)視部的測(cè)定結(jié)果控制上述加熱裝置的輸出，一邊進(jìn)行蒸鍍。
[0031] 本發(fā)明的蒸鍍裝置可以包括蒸鍍?cè)匆苿?dòng)機(jī)構(gòu)，使上述蒸鍍?cè)匆苿?dòng)而使放出上述氣 化后的材料的上述部分的高度發(fā)生變化，上述第二膜厚監(jiān)視部固定于上述蒸鍍?cè)匆苿?dòng)機(jī) 構(gòu)，上述第一膜厚監(jiān)視部固定于上述蒸鍍單元。
[0032] 可以構(gòu)成為：上述蒸鍍?cè)窗訜嵫b置，上述蒸鍍裝置一邊基于上述第一膜厚監(jiān) 視部的測(cè)定結(jié)果控制上述距離和上述加熱裝置的輸出，一邊進(jìn)行蒸鍍。
[0033] 可以構(gòu)成為：上述蒸鍍?cè)窗訜嵫b置，上述蒸鍍裝置包括第二膜厚監(jiān)視部，并 且，一邊基于上述第一膜厚監(jiān)視部的測(cè)定結(jié)果控制上述距離和上述加熱裝置的輸出，并且 基于上述第二膜厚監(jiān)視部的測(cè)定結(jié)果控制上述距離的控制中的比例系數(shù)，一邊進(jìn)行蒸鍍。
[0034] 本發(fā)明的蒸鍍裝置可以通過(guò)PID控制來(lái)控制上述輸出。
[0035] 可以構(gòu)成為：上述蒸鍍?cè)窗ㄔO(shè)置有開(kāi)口部的坩堝，放出上述氣化后的材料的上 述部分是上述開(kāi)口部。
[0036] 本發(fā)明的蒸鍍裝置可以包括輸送機(jī)構(gòu)，其在與上述基板的法線方向正交的方向上 使上述基板和上述蒸鍍?cè)吹闹辽僖环较鄬?duì)于另一方相對(duì)移動(dòng)。
[0037] 可以構(gòu)成為：上述蒸鍍單元包含上述蒸鍍?cè)春脱谀＃鲜鲚斔蜋C(jī)構(gòu)使上述基板和 上述蒸鍍單元的至少一方相對(duì)于另一方相對(duì)移動(dòng)。
[0038] 本發(fā)明的蒸鍍裝置可以包括掩模，上述輸送機(jī)構(gòu)使上述蒸鍍?cè)春唾N合了上述掩模 的上述基板的至少一方相對(duì)于另一方相對(duì)移動(dòng)。
[0039] 本發(fā)明的蒸鍍裝置可以包括:掩模;和具有使貼合了上述掩模的上述基板旋轉(zhuǎn)的 旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)的基板保持件。
[0040] 本發(fā)明的另一方面是包括在基板上形成膜的蒸鍍工序的蒸鍍方法，上述蒸鍍工序 可以使用本發(fā)明的蒸鍍裝置進(jìn)行。
[0041] 本發(fā)明的另一方面是包括使用本發(fā)明的蒸鍍裝置形成膜的蒸鍍工序的有機(jī)電致 發(fā)光元件的制造方法。
[0042]發(fā)明的效果
[0043]根據(jù)本發(fā)明，能夠在整個(gè)蒸鍍區(qū)域中實(shí)現(xiàn)基板上的蒸鍍率的控制精度優(yōu)異的蒸鍍 裝置、蒸鍍方法和有機(jī)電致發(fā)光元件的制造方法。
【附圖說(shuō)明】
[0044]圖1是具有由實(shí)施方式1的有機(jī)EL元件的制造方法制作出的有機(jī)EL元件的有機(jī)EL 顯示器的截面示意圖。
[0045]圖2是表示圖1所示的有機(jī)EL顯示器的顯示區(qū)域內(nèi)的結(jié)構(gòu)的平面示意圖。
[0046]圖3是表示圖1所示的有機(jī)EL顯示器的TFT基板的結(jié)構(gòu)的截面示意圖，相當(dāng)于圖2中 的A-B截面。
[0047]圖4是用于說(shuō)明實(shí)施方式1的有機(jī)EL顯示器的制造工序的流程圖。
[0048]圖5是表示實(shí)施方式1的蒸鍍裝置的基本結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0049]圖6是用于說(shuō)明實(shí)施方式1的蒸鍍裝置的控制系統(tǒng)的示意圖。
[0050]圖7是示意性地表示實(shí)施方式1的第一蒸鍍率的經(jīng)時(shí)變化的一例的圖。
[0051]圖8是用于說(shuō)明實(shí)施方式4的蒸鍍裝置的控制系統(tǒng)的示意圖。
[0052]圖9是示意性地表示實(shí)施方式4的蒸鍍率和基板蒸鍍?cè)撮g距離的經(jīng)時(shí)變化的一例 的圖。
[0053]圖10是示意性地表示實(shí)施方式4的基板蒸鍍?cè)撮g距離的輸出值與膜厚監(jiān)視部的測(cè) 定結(jié)果的關(guān)系的圖。
[0054]圖11是表示實(shí)施例1的蒸鍍裝置的基本結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0055] 圖12是實(shí)施例1的蒸鍍裝置的平面示意圖。
[0056] 圖13是實(shí)施例1的蒸鍍裝置的變形例的平面示意圖。
[0057] 圖14是用于說(shuō)明在實(shí)施例1中Ts變化時(shí)的圖案的變化的示意圖。
[0058] 圖15是用于說(shuō)明在實(shí)施例1中Ts變化時(shí)對(duì)蒸鍍區(qū)域的影響的示意圖。
[0059] 圖16是表示實(shí)施例1中Ts與蒸鍍膜的膜厚分布的關(guān)系的圖表。
[0060] 圖17是表示實(shí)施例1中相對(duì)于Ts基準(zhǔn)時(shí)的Ts調(diào)整時(shí)的膜厚的變動(dòng)比率的圖表。
[0061 ]圖18是表示實(shí)施例2的蒸鍍裝置的基本結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0062]圖19是表示實(shí)施例3的蒸鍍裝置的基本結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0063]圖20是表示實(shí)施例3的蒸鍍裝置所具有的蒸鍍?cè)吹钠矫媸疽鈭D。
[0064]圖21是表示實(shí)施例3中Ts與蒸鍍膜的膜厚分布的關(guān)系的圖表。
[0065] 圖22是表示實(shí)施例3中相對(duì)于Ts基準(zhǔn)時(shí)的Ts調(diào)整時(shí)的膜厚的變動(dòng)比率的圖表。
[0066] 圖23是表示比較方式1的掃描蒸鍍裝置的基本結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0067] 圖24是表示比較方式1的掃描蒸鍍裝置的加熱器溫度與蒸鍍率的關(guān)系的圖表。
[0068] 圖25是表示專利文獻(xiàn)1中記載的成膜裝置的基本結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0069] 圖26是表示專利文獻(xiàn)1中記載的成膜裝置的基本結(jié)構(gòu)的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0070] 以下舉出實(shí)施方式，參照附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更詳細(xì)的說(shuō)明，但本發(fā)明并不限定于 這些實(shí)施方式。
[0071] (實(shí)施方式1)
[0072]本實(shí)施方式中，主要說(shuō)明從TFT基板側(cè)取出光的底部發(fā)射型且進(jìn)行RGB全色彩顯示 的有機(jī)EL元件的制造方法和具有由該制造方法制作出的有機(jī)EL元件的有機(jī)EL顯示器，但本 實(shí)施方式也適用于其它類型的有機(jī)EL元件的制造方法。
[0073]首先說(shuō)明本實(shí)施方式的有機(jī)EL顯示器的整體結(jié)構(gòu)。
[0074]圖1是具有由實(shí)施方式1的有機(jī)EL元件的制造方法制作出的有機(jī)EL元件的有機(jī)EL 顯示器的截面示意圖。圖2是表示圖1所示的有機(jī)EL顯示器的顯示區(qū)域內(nèi)的結(jié)構(gòu)的平面示意 圖。圖3是表示圖1所示的有機(jī)EL顯示器的TFT基板的結(jié)構(gòu)的截面示意圖，相當(dāng)于圖2中的A-B 截面。
[0075] 如圖1所示，本實(shí)施方式的有機(jī)EL顯示器1包括:設(shè)置有TFT12(參照?qǐng)D3)的TFT基板 10;設(shè)置在TFT基板10上、與TFT12連接的有機(jī)EL元件20;覆蓋有機(jī)EL元件20的粘接層30;配 置在粘接層30上的密封基板40。
[0076]使用粘接層30將密封基板40與層疊有有機(jī)EL元件20的TFT基板10貼合，在該一對(duì) 基板10與40之間密封有機(jī)EL元件20。由此，能夠防止氧和水分從外部侵入有機(jī)EL元件20。
[0077]如圖3所示，TFT基板10作為支承基板具有例如玻璃基板等透明的絕緣基板11。如 圖2所示，在絕緣基板11上形成有多個(gè)配線14,多個(gè)配線14包括在水平方向設(shè)置的多個(gè)柵極 線和設(shè)置在垂直方向且與柵極線交叉的多個(gè)信號(hào)線。在柵極線連接有驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O線的柵極線 驅(qū)動(dòng)電路(未圖示），在信號(hào)線連接有驅(qū)動(dòng)信號(hào)線的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路(未圖示）。
[0078] 有機(jī)EL顯示器1是RGB全色彩顯示的有源矩陣型的顯示裝置，在由配線14劃分出的 各區(qū)域中配置有紅(R)、綠(G)或藍(lán)⑶的子像素（點(diǎn)）2R、2G或2B。子像素2R、2G和2B排列成矩 陣狀。在各色的子像素2R、2G、2B形成有對(duì)應(yīng)的顏色的有機(jī)EL元件20和發(fā)光區(qū)域。
[0079]紅、綠和藍(lán)的子像素2R、2G和2B分別發(fā)出紅色的光、綠色的光和藍(lán)色的光，由3個(gè)子 像素2R、2G和2B構(gòu)成1個(gè)像素2。
[0080] 在子像素2R、2G和2B分別設(shè)置有開(kāi)口部15R、15G和15B，開(kāi)口部15R、15G和15B分別 被紅、綠和藍(lán)的發(fā)光層23R、23G和23B覆蓋。發(fā)光層23R、23G和23B在垂直方向形成為條紋狀。 發(fā)光層23R、23G和23B的圖案按各個(gè)顏色通過(guò)蒸鍍形成。另外，在后面敘述開(kāi)口部15R、15G和 15B〇
[0081 ]在各子像素2R、2G、2B設(shè)置有與有機(jī)EL元件20的第一電極21連接的TFT12。各子像 素2R、2G、2B的發(fā)光強(qiáng)度由利用配線14和TFT12進(jìn)行的掃描和選擇來(lái)決定。像這樣，有機(jī)EL顯 示器1使用TFT12有選擇地使各色的有機(jī)EL元件20以所需的亮度發(fā)光從而實(shí)現(xiàn)圖像顯示。 [0082]接著，詳細(xì)敘述TFT基板10和有機(jī)EL元件20的結(jié)構(gòu)。首先說(shuō)明TFT基板10。
[0083] 如圖3所示，TFT基板10包括:在絕緣基板11上形成的TFT12(開(kāi)關(guān)元件）和配線14; 將它們覆蓋的層間膜(層間絕緣膜、平坦化膜）13;和作為在層間膜13上形成的絕緣層的邊 緣罩15。
[0084] TFT12與各子像素2R、2G、2B對(duì)應(yīng)地設(shè)置。另外，TFT12的結(jié)構(gòu)可以是一般的結(jié)構(gòu)，因 此省略TFT 12的各層的圖示和說(shuō)明。
[0085]層間膜13在絕緣基板11上遍及絕緣基板11的整個(gè)區(qū)域而形成。在層間膜13上形成 有有機(jī)EL元件20的第一電極21。此外，在層間膜13設(shè)置有用于將第一電極21與TFT12電連接 的接觸孔13a。由此，TFT 12經(jīng)由接觸孔13a與有機(jī)EL元件20電連接。
[0086]為了防止在第一電極21的端部有機(jī)EL層變薄或發(fā)生電場(chǎng)集中而導(dǎo)致有機(jī)EL元件 20的第一電極21與第二電極26短路，而形成邊緣罩15。因此，邊緣罩15以部分覆蓋第一電極 21的端部的方式形成。
[0087] 在邊緣罩15設(shè)置有上述開(kāi)口部15R、15G和15B。該邊緣罩15的各開(kāi)口部15R、15G、 15B成為子像素2R、2G、2B的發(fā)光區(qū)域。換言之，子像素2R、2G和2B由具有絕緣性的邊緣罩15 分隔。邊緣罩15也作為元件分離膜起作用。
[0088] 接著說(shuō)明有機(jī)EL元件20。
[0089]有機(jī)EL元件20是由低電壓直流驅(qū)動(dòng)能夠高亮度發(fā)光的發(fā)光元件，包括第一電極 21、有機(jī)EL層和第二電極26，它們按照該順序?qū)盈B。
[0090] 第一電極21是具有向有機(jī)EL層注入(供給)空穴的功能的層。第一電極21如上所述 經(jīng)由接觸孔13a與TFT 12連接。
[0091] 如圖3所示，在第一電極21與第二電極26之間，作為有機(jī)EL層，從第一電極21側(cè)起， 空穴注入層兼空穴輸送層22、發(fā)光層23R、23G或23B、電子輸送層24和電子注入層25按照該 順序?qū)盈B。
[0092] 另外，上述層疊順序是以第一電極21作為陽(yáng)極、以第二電極26作為陰極時(shí)的順序， 在以第一電極21作為陰極、以第二電極26作為陽(yáng)極時(shí)，有機(jī)EL層的層疊順序反轉(zhuǎn)。
[0093]空穴注入層是具有提高向各發(fā)光層23R、23G、23B的空穴注入效率的功能的層。此 外，空穴輸送層是具有提高向各發(fā)光層23R、23G、23B的空穴輸送效率的功能的層?？昭ㄗ⑷?層兼空穴輸送層22以覆蓋第一電極21和邊緣罩15的方式在TFT基板10的顯示區(qū)域整面一致 地形成。
[0094]另外，在本實(shí)施方式中，如上所述，舉出作為空穴注入層和空穴輸送層，設(shè)置有空 穴注入層和空穴輸送層一體化的空穴注入層兼空穴輸送層22的情況為例進(jìn)行說(shuō)明。但是， 本實(shí)施方式并不特別限定于此?？昭ㄗ⑷雽雍涂昭ㄝ斔蛯右部梢孕纬蔀楸舜霜?dú)立的層。
[0095] 在空穴注入層兼空穴輸送層22上，以分別覆蓋邊緣罩15的開(kāi)口部15R、15G和15B的 方式與子像素2R、2G和2B對(duì)應(yīng)地形成發(fā)光層23R、23G和23B。
[0096] 各發(fā)光層23R、23G、23B是具有使從第一電極21側(cè)注入的空穴(hole)和從第二電極 26側(cè)注入的電子再結(jié)合而射出光的功能的層。各發(fā)光層23R、23G、23B由低分子焚光色素、金 屬絡(luò)合物等發(fā)光效率高的材料形成。
[0097]電子輸送層24是具有提高從第二電極26向各發(fā)光層23R、23G、23B的電子輸送效率 的功能的層。此外，電子注入層25是具有提高從第二電極26向各發(fā)光層23R、23G、23B的電子 注入效率的功能的層。
[0098]電子輸送層24以覆蓋發(fā)光層23R、23G和23B以及空穴注入層兼空穴輸送層22的方 式在TFT基板10的顯示區(qū)域整面一致地形成。此外，電子注入層25以覆蓋電子輸送層24的方 式在TFT基板10的顯示區(qū)域整面一致地形成。
[0099]另外，電子輸送層24和電子注入層25可以如上所述形成為彼此獨(dú)立的層，也可以 彼此一體化地設(shè)置。即，有機(jī)EL顯示器1也可以代替電子輸送層24和電子注入層25而設(shè)置有 電子輸送層兼電子注入層。
[0100]第二電極26是具有向有機(jī)EL層注入電子的功能的層。第二電極26以覆蓋電子注入 層25的方式在TFT基板10的顯示區(qū)域整面一致地形成。
[0101] 另外，發(fā)光層23R、23G和23B以外的有機(jī)層并不是作為有機(jī)EL層所必需的層，而能 夠根據(jù)要求的有機(jī)EL元件20的特性而適當(dāng)?shù)匦纬?。此外，在有機(jī)EL層也能夠根據(jù)需要添加 載流子阻擋層。例如，可以在發(fā)光層23R、23G和23B與電子輸送層24之間作為載流子阻擋層 添加空穴阻擋層，由此能夠抑制空穴到達(dá)電子輸送層24,提高發(fā)光效率。
[0102] 作為有機(jī)EL元件20的結(jié)構(gòu)，例如能夠采用下述(1)~(8)所示的層結(jié)構(gòu)。
[0103] (1)第一電極/發(fā)光層/第二電極
[0104] (2)第一電極/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/第二電極
[0105] (3)第一電極/空穴輸送層/發(fā)光層/空穴阻擋層/電子輸送層/第二電極
[0106] (4)第一電極/空穴輸送層/發(fā)光層/空穴阻擋層/電子輸送層/電子注入層/第二電 極
[0107] (5)第一電極/空穴注入層/空穴輸送層/發(fā)光層/電子輸送層/電子注入層/第二電 極
[0108] (6)第一電極/空穴注入層/空穴輸送層/發(fā)光層/空穴阻擋層/電子輸送層/第二電 極
[0109] (7)第一電極/空穴注入層/空穴輸送層/發(fā)光層/空穴阻擋層/電子輸送層/電子注 入層/第二電極
[0110] (8)第一電極/空穴注入層/空穴輸送層/電子阻擋層(載流子阻擋層)/發(fā)光層/空 穴阻擋層/電子輸送層/電子注入層/第二電極
[0111] 另外，如上所述，空穴注入層和空穴輸送層可以一體化。此外，電子輸送層和電子 注入層也可以不一體化。
[0112]此外，有機(jī)EL元件20的結(jié)構(gòu)并不特別限定于上述（1)~（8)的層結(jié)構(gòu)，能夠根據(jù)要 求的有機(jī)EL元件20的特性采用所需的層結(jié)構(gòu)。
[0113] 接著說(shuō)明有機(jī)EL顯示器1的制造方法。
[0114] 圖4是用于說(shuō)明實(shí)施方式1的有機(jī)EL顯示器的制造工序的流程圖。
[0115] 如圖4所示，本實(shí)施方式的有機(jī)EL顯示器的制造方法例如包括TFT基板和第一電極 的作制工序S1、空穴注入層和空穴輸送層蒸鍍工序S2、發(fā)光層蒸鍍工序S3、電子輸送層蒸鍍 工序S4、電子注入層蒸鍍工序S5、第二電極蒸鍍工序S6和密封工序S7。
[0116] 以下依據(jù)圖4所示的流程圖，說(shuō)明參照?qǐng)D1~圖3說(shuō)明了的各構(gòu)成部件的制造工序。 但是，本實(shí)施方式記載的各構(gòu)成部件的尺寸、材質(zhì)、形狀等僅是一個(gè)例子，本發(fā)明的范圍并 不被其限定。
[0117] 此外，如上所述，本實(shí)施方式中記載的層疊順序是以第一電極21為陽(yáng)極、以第二電 極26為陰極時(shí)的順序，相反地以第一電極21為陰極、以第二電極26為陽(yáng)極時(shí)，有機(jī)EL層的層 疊順序反轉(zhuǎn)。同樣，構(gòu)成第一電極21和第二電極26的材料也反轉(zhuǎn)。
[0118] 首先，如圖3所示，通過(guò)一般方法在形成有TFT12、配線14等的絕緣基板11上涂敷感 光性樹(shù)脂，通過(guò)光刻技術(shù)進(jìn)行圖案化，由此在絕緣基板11上形成層間膜13。
[0119] 作為絕緣基板11，例如能夠舉出厚度為0.7~l.lmm，Y軸方向的長(zhǎng)度(縱向長(zhǎng)度)為 400~500mm，X軸方向的長(zhǎng)度(橫向長(zhǎng)度)為300~400mm的玻璃基板或塑料基板。
[0120] 作為層間膜13的材料，例如能夠使用丙烯酸樹(shù)脂、聚酰亞胺樹(shù)脂等樹(shù)脂。作為丙烯 酸樹(shù)脂，例如能夠舉出JSR株式會(huì)社制造的0PTMER系列。此外，作為聚酰亞胺樹(shù)脂，例如能夠 舉出T0RAY株式會(huì)社制造的Photoneece。但是，聚酰亞胺樹(shù)脂一般不是透明而是有色的。因 此，在如圖3所示作為有機(jī)EL顯示器1制造底部出射型的有機(jī)EL顯示器時(shí)，作為層間膜13更 優(yōu)選使用丙烯酸樹(shù)脂等的透明性樹(shù)脂。
[0121] 層間膜13的膜厚只要是能夠補(bǔ)償由TFT12引起的臺(tái)階差的程度則沒(méi)有特別限定。 例如可以為大致2μηι。
[0122] 接著，在層間膜13形成用于將第一電極21與TFT 12電連接的接觸孔13a。
[0123] 接著，作為導(dǎo)電膜（電極膜），通過(guò)濺射法等例如將IT0(Indium Tin Oxide:銦錫氧 化物)膜形成為l〇〇nm的厚度。
[0124] 接著，在ΙΤ0膜上涂敷光致抗蝕劑，使用光刻技術(shù)進(jìn)行圖案化后，將氯化鐵作為蝕 刻液來(lái)蝕刻ΙΤ0膜。之后，使用抗蝕劑剝離液將光致抗蝕劑剝離，進(jìn)而進(jìn)行基板清洗。由此在 層間膜13上將第一電極21形成為矩陣狀。
[0125] 另外，作為在第一電極21使用的導(dǎo)電膜材料，例如能夠使用IT0、IZ0(Indium Zinc Oxide:銦鋅氧化物）、添加鎵的氧化鋅(GZ0)等的透明導(dǎo)電材料、金(Au)、鎳(Ni)、鉬(Pt)等 金屬材料。
[0126] 此外，作為導(dǎo)電膜的層疊方法，除了濺射法以外，能夠使用真空蒸鍍法、CVD (Chemical Vapor Deposition:化學(xué)蒸鍍)法、等離子體CVD法、印刷法等。
[0127] 第一電極21的厚度沒(méi)有特別限定，但如上所述例如能夠?yàn)?00nm。
[0128] 接著，利用與層間膜13同樣的方法，將邊緣罩15形成為例如大致Ιμπι的膜厚。作為 邊緣罩15的材料，能夠使用與層間膜13同樣的絕緣材料。
[0129] 通過(guò)以上的工序制造出TFT基板10和第一電極21 (S1)。
[0130] 接著，對(duì)于經(jīng)過(guò)上述工序的TFT基板10,實(shí)施用于脫水的減壓烘焙和用于清洗第一 電極21的表面的氧等離子體處理。
[0131]接著，使用后述的蒸鍍裝置，在TFT基板10上，將空穴注入層和空穴輸送層(本實(shí)施 方式中是空穴注入層兼空穴輸送層22)蒸鍍于TFT基板10的顯示區(qū)域整面(S2)。
[0132] 具體地說(shuō)，將與顯示區(qū)域整面對(duì)應(yīng)地開(kāi)口的開(kāi)口掩模，與TFT基板10在進(jìn)行了對(duì)準(zhǔn) 調(diào)整后緊密貼合。然后，使TFT基板10和開(kāi)口掩模一起旋轉(zhuǎn)，使從蒸鍍?cè)达w散的材料通過(guò)開(kāi) 口掩模的開(kāi)口部在顯示區(qū)域整面均勻地蒸鍍。
[0133] 另外，向顯示區(qū)域整面的蒸鍍意味著在相鄰的不同顏色的子像素間不中斷地進(jìn)行 蒸鍍。
[0134] 作為空穴注入層和空穴輸送層的材料，例如能夠舉出：揮發(fā)油、苯乙烯胺、三苯胺、 卟啉、三唑、咪唑、噁二唑、聚芳基鏈烷、苯二胺、芳基胺、噁唑、蒽、芴酮、腙、芪、三亞苯、氮雜 三亞苯和它們的派生物;聚硅烷類化合物；乙烯基咔唑類化合物;硫茂類化合物、苯胺類化 合物等的雜環(huán)共輒類的單體、低聚物或聚合物等。
[0135] 空穴注入層和空穴輸送層可以如上所述一體化，也可以形成為獨(dú)立的層。各自的 膜厚例如為10~l〇〇nm〇
[0136] 作為空穴注入層和空穴輸送層形成空穴注入層兼空穴輸送層22時(shí)，作為空穴注入 層兼空穴輸送層22的材料，例如能夠使用4,4'_二[N-(l-萘基)-N-苯胺]聯(lián)苯(α-NPD)。此 外，空穴注入層兼空穴輸送層22的膜厚例如能夠?yàn)?0nm。
[0137] 接著，在空穴注入層兼空穴輸送層22上，以覆蓋邊緣罩15的開(kāi)口部15R、15G和15B 的方式，與子像素2R、2G和2B對(duì)應(yīng)地分別各自形成發(fā)光層23R、23G和23B(圖案形成）（S3)。
[0138] 如上所述，在各發(fā)光層23R、23G、23B使用低分子熒光色素、金屬絡(luò)合物等發(fā)光效率 尚的材料。
[0139] 作為發(fā)光層23R、23G和23B的材料，例如能夠舉出：蒽、萘、茚、菲、芘、丁省、三亞苯、 蒽、茈、茜、熒蒽、醋菲烯、戊芬、并五苯、暈苯、丁二烯、香豆素、吖啶、芪和它們的派生物;三 (8-喹啉)錯(cuò)絡(luò)合物;二(喹啉)鈹絡(luò)合物;三(二苯甲酰甲基)菲咯啉銪絡(luò)合物;二甲苯基乙烯 基耳關(guān)苯等。
[0140] 各發(fā)光層23R、23G、23B的膜厚例如為10~100nm。
[0141] 接著，通過(guò)與上述空穴注入層和空穴輸送層蒸鍍工序S2同樣的方法，以覆蓋空穴 注入層兼空穴輸送層22以及發(fā)光層23R、23G和23B的方式在TFT基板10的顯示區(qū)域整面蒸鍍 電子輸送層24(S4)。
[0142] 接著，通過(guò)與上述空穴注入層和空穴輸送層蒸鍍工序S2同樣的方法，以覆蓋電子 輸送層24的方式在TFT基板10的顯示區(qū)域整面蒸鍍電子注入層25(S5)。
[0143] 作為電子輸送層24和電子注入層25的材料，例如能夠舉出喹啉、茈、菲咯啉、聯(lián)苯 乙烯、吡嗪、三唑、噁唑、噁二唑、芴酮和它們的派生物、金屬絡(luò)合物;LiF(氟化鋰)等。
[0144] 更具體地說(shuō)，能夠舉出Alq3(三(8-羥基喹啉)鋁）、蒽、萘、菲、芘、蒽、茈、丁二烯、香 豆素、吖啶、芪、1，10-菲咯啉和它們的派生物、金屬絡(luò)合物;LiF等。
[0145] 如上所述，電子輸送層24和電子注入層25可以一體化也可以形成為獨(dú)立的層。各 自的膜厚例如為1~l〇〇nm，優(yōu)選為10~lOOnm。此外，電子輸送層24和電子注入層25的合計(jì) 的膜厚例如為20~200nm〇
[0146] 代表性的是，在電子輸送層24的材料中使用Alq3,作為電子注入層25的材料使用 LiF。此外，例如電子輸送層24的膜厚為30nm，電子注入層25的膜厚為lnm〇
[0147] 接著，通過(guò)與上述空穴注入層和空穴輸送層蒸鍍工序S2同樣的方法，以覆蓋電子 注入層25的方式在TFT基板10的顯示區(qū)域整面蒸鍍第二電極26(S6)。結(jié)果，在TFT基板10上 形成包括有機(jī)EL層、第一電極21和第二電極26的有機(jī)EL元件20。
[0148] 作為第二電極26的材料（電極材料），優(yōu)選使用功函數(shù)小的金屬等。作為這樣的電 極材料，例如能夠舉出鎂合金(MgAg等）、鋁合金(AlLi、AlCa、AlMg等）、金屬鈣等。第二電極 26的厚度例如為50~100nm 〇
[0149]代表性的是，第二電極26由厚度50nm的鋁薄膜形成。
[0150]接著，如圖1所示，使用粘接層30將形成了有機(jī)EL元件20的TFT基板10與密封基板 40粘接，進(jìn)行有機(jī)EL元件20的封入。
[0151 ]作為密封基板40,例如能夠使用厚度為0.4~1. 1mm的玻璃基板或塑料基板等絕緣 基板。
[0152]另外，密封基板40的縱長(zhǎng)和橫長(zhǎng)可以根據(jù)作為目標(biāo)的有機(jī)EL顯示器1的尺寸進(jìn)行 適當(dāng)調(diào)整，也可以使用與TFT基板10的絕緣基板11為大致相同尺寸的絕緣基板，在密封有機(jī) EL元件20后，依據(jù)作為目標(biāo)的有機(jī)EL顯示器1的尺寸進(jìn)行切斷。
[0153]此外，有機(jī)EL元件20的密封方法并不限定于上述方法，也能夠采用其它各種密封 方法。作為其它密封方式，例如能夠舉出使用挖深玻璃作為密封基板40,利用密封樹(shù)脂或玻 璃料等密封成框狀的方法，或在TFT基板10與密封基板40之間填充樹(shù)脂的方法等。
[0154]此外，可以在第二電極26上，以覆蓋第二電極26的方式，設(shè)置用于防止氧或水分從 外部侵入有機(jī)EL元件20內(nèi)的保護(hù)膜(未圖示）。
[0155] 保護(hù)膜能夠由絕緣性或?qū)щ娦缘牟牧闲纬伞Ｗ鳛檫@樣的材料，例如能夠舉出氮化 硅、氧化硅等。保護(hù)膜的厚度例如為100~l〇〇〇nm。
[0156] 上述工序的結(jié)果是完成有機(jī)EL顯示器1。
[0157] 在該有機(jī)EL顯示器1中，當(dāng)根據(jù)來(lái)自配線14的信號(hào)輸入而使TFT12導(dǎo)通(ON)時(shí)，從 第一電極21向有機(jī)EL層注入空穴(hole)。另一方面，從第二電極26向有機(jī)EL層注入電子，空 穴和電子在各發(fā)光層23R、23G、23B內(nèi)再結(jié)合。由于空穴和電子的再結(jié)合產(chǎn)生的能量而激勵(lì) 發(fā)光材料，該激勵(lì)狀態(tài)回到基礎(chǔ)狀態(tài)時(shí)射出光。通過(guò)控制各子像素2R、2G、2B的發(fā)光亮度，能 夠顯示規(guī)定的圖像。
[0158] 接著，說(shuō)明在本實(shí)施方式的有機(jī)EL元件的制造方法中的蒸鍍工序S2~S6中適用的 實(shí)施方式1的蒸鍍裝置。
[0159] 圖5是表示實(shí)施方式1的蒸鍍裝置的基本結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0160] 如圖5所示，本實(shí)施方式的蒸鍍裝置100包括真空腔室(未圖示）、包含蒸鍍?cè)?蒸鍍 源）11〇的蒸鍍單元170、膜厚監(jiān)視部(蒸鍍率監(jiān)視部）101和102、控制裝置103、蒸鍍?cè)匆苿?dòng)機(jī) 構(gòu)120、基板保持件104。此外，蒸鍍裝置100作為蒸鍍?cè)匆苿?dòng)機(jī)構(gòu)120具有電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置 121和蒸鍍?cè)瓷禉C(jī)構(gòu)122。
[0161] 在本實(shí)施方式中，膜厚監(jiān)視部101與本發(fā)明的蒸鍍裝置的上述第二膜厚監(jiān)視部對(duì) 應(yīng)，膜厚監(jiān)視部102與本發(fā)明的蒸鍍裝置的上述第一膜厚監(jiān)視部對(duì)應(yīng)。
[0162] 真空腔室是提供內(nèi)部保持為能夠進(jìn)行真空蒸鍍的程度的真空度的基板處理環(huán)境 的容器，蒸鍍?cè)?10、膜厚監(jiān)視部101和102、蒸鍍?cè)瓷禉C(jī)構(gòu)122、基板保持件104設(shè)置在真空 腔室的內(nèi)部。
[0163] 基板保持件104是保持由蒸鍍裝置100形成膜的基板(被成膜基板）130的部件，設(shè) 置在真空腔室內(nèi)的上部。
[0164] 蒸鍍?cè)?10是對(duì)用于蒸鍍的材料(優(yōu)選有機(jī)材料)進(jìn)行加熱使其氣化，也就是使其 蒸發(fā)或升華，之后將氣化后的材料放出到真空腔室內(nèi)的部件。更具體地說(shuō)，蒸鍍?cè)?10包括 收納材料的耐熱性的容器例如坩堝111、加熱材料的加熱裝置112例如加熱器113和加熱電 源114,在坩堝111的上部設(shè)置有開(kāi)口部115。蒸鍍?cè)?10將容器例如坩堝111內(nèi)的材料用加熱 裝置112加熱而使其氣化，將成為氣體的材料（以下也稱為蒸鍍顆粒。）從開(kāi)口部115向上方 放出。其結(jié)果，從開(kāi)口部115產(chǎn)生蒸鍍顆粒流即蒸鍍流140，蒸鍍流140從開(kāi)口部115各向同性 地?cái)U(kuò)散。蒸鍍?cè)?10設(shè)置在真空腔室內(nèi)的下部。
[0165] 另外，蒸鍍?cè)?10的種類沒(méi)有特別限定，例如可以為點(diǎn)蒸鍍?cè)?point source)也可 以為線蒸鍍?cè)矗╨ine source)也可以為面蒸鍍?cè)?。此外，蒸鍍?cè)?10的加熱方法沒(méi)有特別限 定，例如能夠舉出電阻加熱法、電子束法、激光蒸鍍法、高頻感應(yīng)加熱法、電弧法等。此外，蒸 鍍流140的密度分布例如蒸鍍?cè)?10的N值沒(méi)有特別限定，能夠適當(dāng)設(shè)定。進(jìn)而，對(duì)于蒸鍍流 140的分布中實(shí)際用于蒸鍍的范圍也沒(méi)有特別限定，能夠適當(dāng)設(shè)定。
[0166] 此外，蒸鍍單元170也可以包括按所需的圖案形成有多個(gè)開(kāi)口且配置在基板130與 蒸鍍?cè)?10之間的掩模。
[0167] 膜厚監(jiān)視部101和102分別是測(cè)定蒸鍍率的設(shè)備，各膜厚監(jiān)視部101、102的至少一 部分例如傳感器部配置在從蒸鍍?cè)?10放出的蒸鍍顆粒會(huì)直接飛散到的部位，例如配置在 基板130與蒸鍍?cè)?10之間。各膜厚監(jiān)視部101、102的種類和構(gòu)造沒(méi)有特別限定，但優(yōu)選各膜 厚監(jiān)視部101、102包括使用石英振子的傳感器部。由此，石英振子的振蕩頻率與在石英振子 上形成的膜的膜厚存在相關(guān)性，利用該現(xiàn)象能夠基于振蕩頻率的變化量高精度地計(jì)測(cè)蒸鍍 率。
[0168] 對(duì)控制裝置103輸入膜厚監(jiān)視部102的檢測(cè)結(jié)果，具體的說(shuō)是由膜厚監(jiān)視部102計(jì) 測(cè)出的蒸鍍率的測(cè)定值?？刂蒲b置103基于該檢測(cè)結(jié)果，計(jì)算從蒸鍍?cè)?10放出氣化后的材 料的部分（以下也稱為放出部。H41與基板130的被蒸鍍的表面（以下也稱為被蒸鍍面。）131 之間所需的距離。然后，將該計(jì)算結(jié)果作為高度控制信號(hào)向蒸鍍?cè)匆苿?dòng)機(jī)構(gòu)120輸出。另外， 放出部141可以是坩堝111的開(kāi)口部115。
[0169] 蒸鍍?cè)匆苿?dòng)機(jī)構(gòu)120是使蒸鍍?cè)?10移動(dòng)而使放出部141的高度變化的機(jī)構(gòu)。蒸鍍 源移動(dòng)機(jī)構(gòu)120基于從控制裝置103輸入的高度控制信號(hào)，使蒸鍍?cè)?10移動(dòng)所需的距離而 將放出部141調(diào)整至所需的高度。另外，蒸鍍?cè)匆苿?dòng)機(jī)構(gòu)120的具體構(gòu)成部件沒(méi)有特別限定， 作為蒸鍍?cè)匆苿?dòng)機(jī)構(gòu)120,能夠采用可基于控制信號(hào)控制物體的高度的一般的機(jī)構(gòu)。此外， 蒸鍍?cè)匆苿?dòng)機(jī)構(gòu)120可以使蒸鍍?cè)?10的全部移動(dòng)也可以僅使其一部分移動(dòng)。例如，可以不 使加熱電源114移動(dòng)而使坩堝111和加熱器113-體移動(dòng)。
[0170] 電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置121將從控制裝置103輸入的高度控制信號(hào)轉(zhuǎn)換為作為驅(qū)動(dòng)對(duì)象 的蒸鍍?cè)瓷禉C(jī)構(gòu)122的驅(qū)動(dòng)電流，將該驅(qū)動(dòng)電流供給至蒸鍍?cè)瓷禉C(jī)構(gòu)122。例如，電動(dòng)機(jī) 驅(qū)動(dòng)裝置121是利用脈沖輸入進(jìn)行位置控制的伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。
[0171]蒸鍍?cè)瓷禉C(jī)構(gòu)122是將從電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置121供給的驅(qū)動(dòng)電流轉(zhuǎn)換為機(jī)械功(力 學(xué)的能量)的機(jī)構(gòu)，與蒸鍍?cè)?10連接，使蒸鍍?cè)?10上下移動(dòng)，也就是使其升降，從而使放出 部141的高度變化。蒸鍍?cè)瓷禉C(jī)構(gòu)122的具體機(jī)構(gòu)沒(méi)有特別限定，例如能夠舉出包括伺服 電機(jī)、步進(jìn)電機(jī)等電機(jī)、滾珠絲杠、線性引導(dǎo)件的機(jī)構(gòu)。此外，蒸鍍?cè)瓷禉C(jī)構(gòu)122也可以包 括壓電元件。
[0172]此外，對(duì)控制裝置103輸入膜厚監(jiān)視部101的檢測(cè)結(jié)果，具體地說(shuō)是由膜厚監(jiān)視部 101計(jì)測(cè)出的蒸鍍率的測(cè)定值?？刂蒲b置103基于該檢測(cè)結(jié)果，計(jì)算加熱裝置112的輸出（功 率），例如需供給至加熱器113的電力值。然后，將該計(jì)算結(jié)果作為溫度控制信號(hào)輸出至加熱 裝置112。
[0173]本實(shí)施方式的蒸鍍裝置100,可以是作為蒸鍍?cè)?10使用點(diǎn)蒸鍍?cè)辞以谑够?30 旋轉(zhuǎn)的同時(shí)進(jìn)行蒸鍍的點(diǎn)蒸鍍?cè)凑翦冄b置，也可以是一邊使基板130相對(duì)于蒸鍍?cè)?10在一 個(gè)方向上相對(duì)移動(dòng)一邊進(jìn)行蒸鍍的掃描蒸鍍裝置。在為前者的情況下，本實(shí)施方式的蒸鍍 裝置1〇〇可以包括掩模(未圖示)和具有使貼合了掩模的基板130旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)的基板保 持件(未圖示）。在為后者的情況下，本實(shí)施方式的蒸鍍裝置100可以包括在與基板130的法 線方向正交的方向（輸送方向）上，使基板130和蒸鍍?cè)?10的至少一方相對(duì)于另一方相對(duì)移 動(dòng)的輸送機(jī)構(gòu)(未圖不）。
[0174]接著說(shuō)明蒸鍍裝置100的動(dòng)作。
[0175]首先，基板130由基板保持件104保持?；?30以被蒸鍍面131朝向蒸鍍?cè)?10的方 向的方式被保持。此外，在蒸鍍?cè)?1 〇收納用于蒸鍍的材料。然后，通過(guò)使蒸鍍?cè)?10的加熱 裝置112發(fā)熱而使材料氣化(蒸發(fā)或升華），氣化后的材料從蒸鍍?cè)?10被放出，蒸鍍顆粒在 真空腔室內(nèi)飛散。蒸鍍顆粒到達(dá)基板130,在基板130的被蒸鍍面131上堆積。像這樣，所需的 材料被蒸鍍至基板130的被蒸鍍面131。
[0176]圖6是用于說(shuō)明實(shí)施方式1的蒸鍍裝置的控制系統(tǒng)的示意圖。在進(jìn)行蒸鍍的期間， 從蒸鍍?cè)?10放出的蒸鍍顆粒的一部分到達(dá)膜厚監(jiān)視部101或102。然后，如圖6示，利用包含 膜厚監(jiān)視部101的第一控制系統(tǒng)和包含膜厚監(jiān)視部102的第二控制系統(tǒng)，分別進(jìn)行反饋控 制，使各膜厚監(jiān)視部101、102測(cè)定的蒸鍍率得到控制。在第一控制系統(tǒng)中，從放出部141飛散 的蒸鍍流140的蒸鍍率即從放出部141放出的蒸鍍顆粒的蒸鍍率（以下也稱為第一蒸鍍率。） 得到控制，在第二控制系統(tǒng)中，到達(dá)基板130的蒸鍍流140(蒸鍍顆粒）的實(shí)質(zhì)的蒸鍍率即基 板130上的蒸鍍率（以下也稱為第二蒸鍍率。）得到控制。像這樣，第一蒸鍍率是表示從蒸鍍 源110以何種程度的速度放出蒸鍍顆粒的指標(biāo)，第二蒸鍍率是表示蒸鍍顆粒實(shí)際以何種程 度的速度到達(dá)(堆積在)基板130上的指標(biāo)。在第一控制系統(tǒng)中，第一蒸鍍率由膜厚監(jiān)視部 101測(cè)定，其測(cè)定結(jié)果逐次輸出至控制裝置103。在第二控制系統(tǒng)中，第二蒸鍍率由膜厚監(jiān)視 部102測(cè)定，其測(cè)定結(jié)果逐次輸出至控制裝置103。
[0177] 在第一控制系統(tǒng)中，基于膜厚監(jiān)視部101的測(cè)定結(jié)果，調(diào)整材料的加熱溫度即加熱 裝置112的輸出，由此控制從蒸鍍?cè)?10放出的蒸鍍顆粒的量。在第二控制系統(tǒng)中，基于膜厚 監(jiān)視部102的測(cè)定結(jié)果，使放出部141的高度變化，調(diào)整放出部141與基板130的被蒸鍍面131 之間的距離（以下也稱為基板蒸鍍?cè)撮g距離。）Ts，由此控制到達(dá)基板130的蒸鍍顆粒的量。 在各控制系統(tǒng)中，在進(jìn)行蒸鍍的期間反復(fù)進(jìn)行這樣的控制。
[0178] 第一控制系統(tǒng)為了調(diào)整材料的加熱溫度而進(jìn)行加熱裝置112的輸出的控制。此處， 收納材料的容器例如坩堝111的溫度的狀況依賴于直至該時(shí)刻的控制值、材料的物性等各 種條件而決定。即，第一控制系統(tǒng)是從控制操作到第一蒸鍍率的狀況發(fā)生變化的時(shí)間延遲 較大的動(dòng)態(tài)控制系統(tǒng)。由此，在第一控制系統(tǒng)，優(yōu)選進(jìn)行PID(Proportional Integral Derivative :比例積分微分)控制。
[0179] 與此不同，第二控制系統(tǒng)為了調(diào)整基板蒸鍍?cè)撮g距離Ts而控制放出部141的高度。 放出部141的高度由高度控制信號(hào)決定。當(dāng)向蒸鍍?cè)匆苿?dòng)機(jī)構(gòu)120輸入高度控制信號(hào)時(shí)，放 出部141的高度瞬時(shí)變化。當(dāng)放出部141的高度變化時(shí)，由膜厚監(jiān)視部102測(cè)定的第二蒸鍍率 的值也立即變化為與放出部141的高度對(duì)應(yīng)的值。即，第二控制系統(tǒng)是不依賴于過(guò)去的控制 歷史，第二蒸鍍率僅依賴于各時(shí)刻的控制值的靜態(tài)控制系統(tǒng)。由此，在第二控制系統(tǒng)中，優(yōu) 選進(jìn)行對(duì)測(cè)定值與目標(biāo)值之差進(jìn)行逐一修正那樣的控制，例如比例控制(P控制）。此時(shí)，反 饋的1周期的時(shí)間越短，越能夠期待高精度的控制，但由于操作量即基板蒸鍍?cè)撮g距離Ts的 運(yùn)算或其它理由而使反饋所需的時(shí)間較長(zhǎng)時(shí)，存在控制精度下降的可能性。在這樣的情況 下，在第二控制系統(tǒng)中優(yōu)選進(jìn)行PID控制。
[0180]現(xiàn)有技術(shù)中，僅由時(shí)間延遲大的動(dòng)態(tài)控制系統(tǒng)控制蒸鍍率，因此難以高精度地穩(wěn) 定控制蒸鍍率。與此不同，在本實(shí)施方式中，通過(guò)在時(shí)間延遲大的動(dòng)態(tài)控制系統(tǒng)上組合時(shí)間 延遲極小的靜態(tài)控制系統(tǒng)，能夠非常高精度地控制各蒸鍍率，特別是第二蒸鍍率即基板130 上的蒸鍍率。
[0181]以下進(jìn)一步說(shuō)明各控制系統(tǒng)中的各蒸鍍率的控制方法。說(shuō)明在第一控制系統(tǒng)進(jìn)行 PID控制的情況和在第二控制系統(tǒng)進(jìn)行比例控制的情況。
[0182] 在第一控制系統(tǒng)中，在控制裝置103基于從膜厚監(jiān)視部101輸入的第一蒸鍍率(測(cè) 定率），預(yù)測(cè)將來(lái)的第一蒸鍍率(預(yù)測(cè)率），與作為預(yù)先設(shè)定的目標(biāo)的第一蒸鍍率（目標(biāo)率)進(jìn) 行比較。如果預(yù)測(cè)率比目標(biāo)率大，則基于其差異將加熱裝置112的輸出（例如供給至加熱器 113的電力)減少需要的量。通過(guò)減小加熱裝置112的輸出，材料的加熱溫度下降，氣化的材 料的量減少。其結(jié)果，第一蒸鍍率減少。相反地，如果預(yù)測(cè)率比目標(biāo)率小，則基于其差異，將 加熱裝置112的輸出（例如供給至加熱器113的電力）增加需要的量。通過(guò)增加加熱裝置112 的輸出，材料的加熱溫度上升，氣化的材料的量增加。其結(jié)果，第一蒸鍍率增加。
[0183] -般來(lái)說(shuō)，材料的加熱溫度與蒸鍍率的關(guān)系不是比例關(guān)系，因此如上所述，優(yōu)選在 第一控制系統(tǒng)進(jìn)行PID控制，一邊預(yù)測(cè)將來(lái)的第一蒸鍍率一邊決定材料的加熱溫度即加熱 裝置112的輸出。
[0184] 圖7是示意性地表示實(shí)施方式1的第一蒸鍍率的經(jīng)時(shí)變化的一例的圖。
[0185] 如圖7所示，例如，當(dāng)由于第一蒸鍍率低于目標(biāo)率而增加加熱裝置112的輸出時(shí)（圖 7中（1)的時(shí)刻），第一蒸鍍率逐漸增加。之后，如果就這樣維持相同條件則預(yù)想到第一蒸鍍 率會(huì)成為目標(biāo)率以上，優(yōu)選在上升至目標(biāo)率之前減小加熱裝置112的輸出（圖7中（2)的時(shí) 刻）。此外，在因?yàn)榈谝徽翦兟食蔀槟繕?biāo)率以上而減小加熱裝置112的輸出時(shí)，第一蒸鍍率逐 漸減少。之后，如果就這樣維持相同條件則預(yù)想到第一蒸鍍率會(huì)低于目標(biāo)率，優(yōu)選在下降至 目標(biāo)率之前增加加熱裝置112的輸出（圖7中（3)的時(shí)刻）。
[0186] 在第二控制系統(tǒng)中，在控制裝置103對(duì)從膜厚監(jiān)視部102輸入的第二蒸鍍率(測(cè)定 率)與作為預(yù)先設(shè)定的目標(biāo)的第二蒸鍍率（目標(biāo)率)進(jìn)行比較。如果測(cè)定率大于目標(biāo)率，則基 于其差異，使放出部141的高度降低需要的量。一般來(lái)說(shuō)，蒸鍍顆粒的密度在使用點(diǎn)蒸鍍?cè)础?線蒸鍍?cè)春兔嬲翦冊(cè)粗械娜我徽叩那闆r下，均與從蒸鍍?cè)雌鸬木嚯x的平方成反比例，因此 通過(guò)使放出部141的高度降低，基板蒸鍍?cè)撮g距離Ts變大，被蒸鍍面131上的蒸鍍顆粒的密 度減少。其結(jié)果，第二蒸鍍率減少。相反地，如果測(cè)定率小于目標(biāo)率，則基于其差異使放出部 141的高度升高需要的量。當(dāng)放出部141的高度變高時(shí)，基板蒸鍍?cè)撮g距離Ts變小，被蒸鍍面 131上的蒸鍍顆粒的密度增加。其結(jié)果，第二蒸鍍率增加。
[0187] 第二控制系統(tǒng)進(jìn)行的第二蒸鍍率的控制不伴隨熱交換等現(xiàn)象，因此具有時(shí)間常數(shù) 小、響應(yīng)性非常高的特征。由此，通過(guò)基于由膜厚監(jiān)視部101和102檢測(cè)出的各蒸鍍率進(jìn)行加 熱裝置112的輸出和基板蒸鍍?cè)撮g距離Ts的實(shí)時(shí)控制，能夠高精度地控制各蒸鍍率，特別是 基板130上的蒸鍍率(第二蒸鍍率），能夠很好地在基板130上形成所需的膜厚的蒸鍍膜，優(yōu) 選形成有機(jī)膜。
[0188] 此外，第二控制系統(tǒng)進(jìn)行的第二蒸鍍率的控制顯示非常高的響應(yīng)性，因此對(duì)于由 第一控制系統(tǒng)來(lái)不及響應(yīng)的第一蒸鍍率的變動(dòng)能夠由第二控制系統(tǒng)進(jìn)行補(bǔ)充控制。例如， 可以與現(xiàn)有技術(shù)的情況同樣地由第一控制系統(tǒng)進(jìn)行第一蒸鍍率的控制，對(duì)于由第一控制系 統(tǒng)不能夠調(diào)整的第一蒸鍍率的控制范圍，利用第二控制系統(tǒng)來(lái)進(jìn)行微調(diào)整(修正）。更具體 地說(shuō)，控制加熱裝置112的輸出的第一控制系統(tǒng)單獨(dú)能夠?qū)⒌谝徽翦兟士刂频侥繕?biāo)率±3% 程度，因此，能夠?qū)⒖刂苹逭翦冊(cè)撮g距離Ts的第二控制系統(tǒng)可控制的第二蒸鍍率的范圍 設(shè)定于目標(biāo)率±3%程度的范圍。雖然根據(jù)蒸鍍裝置100的具體機(jī)構(gòu)而存在不同，但該程度 的控制范圍相當(dāng)于使放出部141上下移動(dòng)數(shù)mm。像這樣上下的移動(dòng)量較小，因此基本上能夠 忽略對(duì)于在基板130上形成的蒸鍍膜的膜厚分布造成的影響。
[0189] 此外，當(dāng)基板蒸鍍?cè)撮g距離Ts變化時(shí)，在被蒸鍍的區(qū)域(蒸鍍區(qū)域)整體中，能夠使 基板130上的蒸鍍率均勻變動(dòng)。因此，與專利文獻(xiàn)1記載的成膜裝置不同，即使例如將本實(shí)施 方式應(yīng)用于掃描蒸鍍裝置時(shí)，也能夠抑制在基板面內(nèi)發(fā)生蒸鍍膜的膜厚不均。此外，在將本 實(shí)施方式應(yīng)用于點(diǎn)蒸鍍?cè)凑翦冄b置而進(jìn)行共同蒸鍍時(shí)，也能夠高精度地控制多個(gè)材料在基 板130上的蒸鍍率的比率。
[0190] 膜厚監(jiān)視部101的目的是測(cè)定第一蒸鍍率即從放出部141放出的蒸鍍顆粒的蒸鍍 率。在蒸鍍中，假設(shè)膜厚監(jiān)視部101與放出部141間的距離發(fā)生變化時(shí)，膜厚監(jiān)視部101的測(cè) 定率受到該變動(dòng)的影響。由此，為了高精度地控制第一蒸鍍率，在蒸鍍中，蒸鍍?cè)?10和膜厚 監(jiān)視部101的位置關(guān)系（點(diǎn)劃線內(nèi)）優(yōu)選總是保持一定而不變化?；谠撚^點(diǎn)，膜厚監(jiān)視部 101優(yōu)選固定于蒸鍍?cè)瓷禉C(jī)構(gòu)12 2。
[0191] 膜厚監(jiān)視部102的目的是測(cè)定第二蒸鍍率即基板130上的蒸鍍率。在蒸鍍中，假設(shè) 膜厚監(jiān)視部102與基板130間的距離發(fā)生變化時(shí)，基板蒸鍍?cè)撮g距離Ts的變動(dòng)的影響不能夠 正確地反映于膜厚監(jiān)視部102測(cè)定出的測(cè)定率。由此，為了高精度地控制第二蒸鍍率，在蒸 鍍中，基板130和膜厚監(jiān)視部102的位置關(guān)系(虛線內(nèi)）優(yōu)選總是保持一定而不變化?；谠?觀點(diǎn)，膜厚監(jiān)視部102優(yōu)選固定于蒸鍍單元170。
[0192] 另外，基板蒸鍍?cè)撮g距離Ts可以是放出部141與基板130的被蒸鍍面131之間的最 短距離。換言之，基板蒸鍍?cè)撮g距離Ts可以是放出部141與從放出部141引到被蒸鍍面131的 垂線的垂足之間的距離。
[0193] 如以上說(shuō)明的，本實(shí)施方式的蒸鍍裝置100是在基板130上形成膜的蒸鍍裝置，包 括膜厚監(jiān)視部102和包含蒸鍍?cè)?10的蒸鍍單元170,并且，一邊基于膜厚監(jiān)視部102的測(cè)定 結(jié)果，控制從蒸鍍?cè)?10放出氣化后的材料的部分(放出部）141與基板130的被蒸鍍的表面 (被蒸鍍面H31之間的距離(基板蒸鍍?cè)撮g距離)Ts，一邊進(jìn)行蒸鍍。通過(guò)控制基板蒸鍍?cè)撮g 距離Ts，能夠控制被蒸鍍面131上的蒸鍍顆粒的密度。由此，通過(guò)一邊基于膜厚監(jiān)視部102的 檢測(cè)結(jié)果來(lái)控制基板蒸鍍?cè)撮g距離Ts-邊進(jìn)行蒸鍍，能夠?qū)崿F(xiàn)時(shí)間常數(shù)小、響應(yīng)性非常高 的反饋控制，因此能夠高精度地控制基板130上的蒸鍍率(第二蒸鍍率）。此外，因?yàn)橐贿吙?制基板蒸鍍?cè)撮g距離Ts-邊進(jìn)行蒸鍍，所以能夠在整個(gè)蒸鍍區(qū)域中使基板130上的蒸鍍率 發(fā)生變動(dòng)。
[0194] 基板蒸鍍?cè)撮g距離Ts的變動(dòng)范圍沒(méi)有特別限定，能夠根據(jù)允許的蒸鍍膜的特性等 的限制而適當(dāng)設(shè)定。另外，當(dāng)使Ts變化時(shí)，無(wú)法避免基板130上的蒸鍍顆粒的密度分布的變 化。但是，該密度分布的變化不是局部發(fā)生的而是在整個(gè)蒸鍍區(qū)域發(fā)生的。此外，在本實(shí)施 方式中，如上所述，在整個(gè)蒸鍍區(qū)域能夠高精度地控制基板130上的蒸鍍率。由此，與調(diào)整飛 散范圍的專利文獻(xiàn)1記載的成膜裝置相比，控制Ts的本實(shí)施方式的蒸鍍裝置100能夠使蒸鍍 膜的膜厚分布的變動(dòng)較小。
[0195] 此外，本實(shí)施方式的蒸鍍裝置100具有使蒸鍍?cè)?10移動(dòng)而使放出氣化后的材料的 部分(放出部）141的高度變化的蒸鍍?cè)匆苿?dòng)機(jī)構(gòu)120。該構(gòu)造在將本實(shí)施方式應(yīng)用于串列型 蒸鍍裝置時(shí)，特別是應(yīng)用于具有多個(gè)蒸鍍?cè)春团渲迷谌康脑撜翦冊(cè)吹纳戏降妮斔蜋C(jī)構(gòu)的 串列型蒸鍍裝置時(shí)是優(yōu)選的。此時(shí)，在基板130的輸送路的一部分中不易使基板130升降，使 與該部分對(duì)應(yīng)的蒸鍍?cè)瓷蹈鼮楹?jiǎn)便。
[0196] 本實(shí)施方式也可以適用于具有不是使基板130而是使蒸鍍?cè)?10在輸送方向上移 動(dòng)的輸送機(jī)構(gòu)的群集型蒸鍍裝置，此時(shí)，蒸鍍裝置100優(yōu)選具有使基板130的高度變化的基 板移動(dòng)機(jī)構(gòu)。這是因?yàn)?，在這樣的群集型蒸鍍裝置中，如果將使蒸鍍?cè)?10移動(dòng)的輸送機(jī)構(gòu) 和蒸鍍?cè)匆苿?dòng)機(jī)構(gòu)設(shè)置在蒸鍍?cè)?10附近，則設(shè)計(jì)復(fù)雜，必須在蒸鍍?cè)?10的周圍設(shè)計(jì)很大 的空間，且蒸鍍?cè)?10輸送時(shí)的振動(dòng)成為問(wèn)題。
[0197] 此外，在蒸鍍裝置100具有基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)時(shí)，膜厚監(jiān)視部101優(yōu)選固定于蒸鍍單元 170,基板移動(dòng)機(jī)構(gòu)優(yōu)選包括電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置和基板升降機(jī)構(gòu)，膜厚監(jiān)視部102優(yōu)選固定于 基板升降機(jī)構(gòu)。此處，電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置將從控制裝置103輸入的高度控制信號(hào)轉(zhuǎn)換為作為驅(qū) 動(dòng)對(duì)象的基板升降機(jī)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)電流，將該驅(qū)動(dòng)電流供給至基板升降機(jī)構(gòu)?；迳禉C(jī)構(gòu)是 將從電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置供給的驅(qū)動(dòng)電流轉(zhuǎn)換為機(jī)械功（力學(xué)的能量）的機(jī)構(gòu)，與基板保持件 104連接，能夠使基板保持件104上下移動(dòng)，也就是使其升降，使基板130的高度變化。
[0198] 此外，蒸鍍?cè)?10具有加熱裝置112,本實(shí)施方式的蒸鍍裝置100具有膜厚監(jiān)視部 101，并且，一邊基于膜厚監(jiān)視部101的檢測(cè)結(jié)果控制加熱裝置112的輸出，一邊進(jìn)行蒸鍍。由 此，能夠通過(guò)不僅調(diào)整基板蒸鍍?cè)撮g距離Ts而且調(diào)整加熱裝置112的輸出來(lái)控制基板130上 的蒸鍍率，因此能夠使基板蒸鍍?cè)撮g距離Ts的變動(dòng)量較小。由此，能夠使基板蒸鍍?cè)撮g距離 Ts的變化對(duì)蒸鍍膜的膜厚分布的影響非常小。
[0199] 基板蒸鍍?cè)撮g距離Ts可以通過(guò)比例控制或PID控制來(lái)控制。由此，能夠更高精度地 進(jìn)行第二蒸鍍率的控制。
[0200] 此外，加熱裝置112的輸出可以通過(guò)PID控制來(lái)控制。由此，能夠更高精度地進(jìn)行第 一蒸鍍率的控制。
[0201] 進(jìn)而，蒸鍍?cè)?10可以包括設(shè)置有開(kāi)口部115的坩堝111，放出氣化后的材料的部分 (放出部H41可以是開(kāi)口部115。由此，在作為蒸鍍?cè)词褂蜜釄宓恼翦冄b置中，能夠在整個(gè)蒸 鍍區(qū)域高精度地控制基板130上的蒸鍍率。
[0202](實(shí)施方式2)
[0203] 本實(shí)施方式除了省略第一控制系統(tǒng)進(jìn)行的反饋控制之外與實(shí)施方式1實(shí)質(zhì)上相 同。由此，本實(shí)施方式中，主要說(shuō)明本實(shí)施方式中特有的特征，省略對(duì)與實(shí)施方式1重復(fù)的內(nèi) 容的說(shuō)明。此外，在本實(shí)施方式和實(shí)施方式1中，對(duì)相同或具有同樣的功能的部件標(biāo)注相同 的附圖標(biāo)記。
[0204] 本實(shí)施方式中，從大幅抑制成本的觀點(diǎn)出發(fā)，省略第一控制系統(tǒng)進(jìn)行的反饋控制， 加熱裝置120的輸出固定為規(guī)定的值。此時(shí)，與實(shí)施方式1同樣，能夠利用第二控制系統(tǒng)在整 個(gè)蒸鍍區(qū)域中高精度地控制基板130上的蒸鍍率。但是，如果在大幅超過(guò)目標(biāo)率± 3 %的范 圍中僅由第二控制系統(tǒng)進(jìn)行第二蒸鍍率的修正，則存在蒸鍍膜的膜厚分布的變動(dòng)變大的可 能性。由此，從有效地抑制蒸鍍膜的膜厚分布的變動(dòng)的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選像實(shí)施方式1那樣一 同使用第一和第二控制系統(tǒng)。
[0205](實(shí)施方式3)
[0206] 本實(shí)施方式除了省略膜厚監(jiān)視部101和102的一方之外與實(shí)施方式1實(shí)質(zhì)上相同。 因此，在本實(shí)施方式中，主要說(shuō)明本實(shí)施方式特有的特征，對(duì)與實(shí)施方式1重復(fù)的內(nèi)容省略 說(shuō)明。此外，在本實(shí)施方式和實(shí)施方式1中，對(duì)于相同或具有同樣的功能的部件標(biāo)注相同的 附圖標(biāo)記。
[0207] 本實(shí)施方式中，控制精度下降，但從抑制成本的觀點(diǎn)出發(fā)，一邊基于膜厚監(jiān)視部 101或102的測(cè)定結(jié)果來(lái)控制基板蒸鍍?cè)撮g距離Ts和加熱裝置112的輸出，一邊進(jìn)行蒸鍍。
[0208] 例如，可以省略膜厚監(jiān)視部101而僅使用膜厚監(jiān)視部102。此時(shí)，膜厚監(jiān)視部102與 本發(fā)明的蒸鍍裝置的上述第一膜厚監(jiān)視部對(duì)應(yīng)。能夠省略膜厚監(jiān)視部101而僅使用膜厚監(jiān) 視部102的理由是，放出部141與膜厚監(jiān)視部102間的距離變動(dòng)時(shí)的第一蒸鍍率的變動(dòng)能夠 在計(jì)算的基礎(chǔ)上進(jìn)行一定程度的推測(cè)，而且該距離信息作為控制參數(shù)已知。由此，即使省略 膜厚監(jiān)視部101，也能夠根據(jù)由膜厚監(jiān)視部102測(cè)定出的第二蒸鍍率分離(推測(cè)）出第一蒸鍍 率，基于該分離(推測(cè)）出的第一蒸鍍率，能夠控制加熱裝置112的輸出。作為更可靠地推測(cè) 第一蒸鍍率的方法，可以實(shí)測(cè)放出部141與膜厚監(jiān)視部102間的距離變動(dòng)時(shí)的第一蒸鍍率和 第二蒸鍍率，根據(jù)該結(jié)果預(yù)先制作標(biāo)準(zhǔn)曲線，基于該標(biāo)準(zhǔn)曲線計(jì)算第一蒸鍍率。
[0209] 相反地，也可以省略膜厚監(jiān)視部102而僅使用膜厚監(jiān)視部101。此時(shí)，膜厚監(jiān)視部 101與本發(fā)明的蒸鍍裝置的上述第一膜厚監(jiān)視部對(duì)應(yīng)。能夠省略膜厚監(jiān)視部101而僅使用膜 厚監(jiān)視部102的理由是，基板蒸鍍?cè)撮g距離Ts變動(dòng)時(shí)的第二蒸鍍率的變動(dòng)能夠計(jì)算得到，而 且基板蒸鍍?cè)撮g距離Ts的信息作為控制參數(shù)已知。由此，即使省略膜厚監(jiān)視部102,也能夠 根據(jù)由膜厚監(jiān)視部101測(cè)定出的第一蒸鍍率分離(計(jì)算）出第二蒸鍍率，基于該分離(計(jì)算） 出的第二蒸鍍率，能夠控制基板蒸鍍?cè)撮g距離Ts。作為更可靠地推測(cè)第二蒸鍍率的方法，可 以實(shí)測(cè)基板蒸鍍?cè)撮g距離Ts變動(dòng)時(shí)的第二蒸鍍率的變化的狀況，根據(jù)該結(jié)果制作標(biāo)準(zhǔn)曲 線，基于該標(biāo)準(zhǔn)曲線計(jì)算第二蒸鍍率。
[0210](實(shí)施方式4)
[0211] 本實(shí)施方式除了控制系統(tǒng)不同之外與實(shí)施方式1實(shí)質(zhì)上相同。由此，本實(shí)施方式 中，主要說(shuō)明本實(shí)施方式特有的特征，對(duì)與實(shí)施方式1重復(fù)的內(nèi)容省略說(shuō)明。此外，在本實(shí)施 方式和實(shí)施方式1中，對(duì)相同或具有同樣的功能的部件標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記。但是，本實(shí)施 方式中，膜厚監(jiān)視部101與本發(fā)明的蒸鍍裝置的上述第一膜厚監(jiān)視部對(duì)應(yīng)，膜厚監(jiān)視部102 與本發(fā)明的蒸鍍裝置的上述第二膜厚監(jiān)視部對(duì)應(yīng)。此外，本實(shí)施方式中，與上述第一膜厚監(jiān) 視部對(duì)應(yīng)的膜厚監(jiān)視部101優(yōu)選固定于蒸鍍?cè)匆苿?dòng)機(jī)構(gòu)120,與上述第二膜厚監(jiān)視部對(duì)應(yīng)的 膜厚監(jiān)視部102優(yōu)選固定于蒸鍍單元170。
[0212] 圖8是用于說(shuō)明實(shí)施方式4的蒸鍍裝置的控制系統(tǒng)的示意圖。圖9是示意性地表示 實(shí)施方式4的蒸鍍率和基板蒸鍍?cè)撮g距離Ts的經(jīng)時(shí)變化的一例的圖。
[0213] 本實(shí)施方式的蒸鍍裝置具有圖8所示的控制系統(tǒng)。即，基于膜厚監(jiān)視部101的測(cè)定 結(jié)果控制基板蒸鍍?cè)撮g距離Ts和加熱裝置112的輸出，基于膜厚監(jiān)視部102的測(cè)定結(jié)果控制 基板蒸鍍?cè)撮g距離Ts的控制中的比例系數(shù)。如果包含膜厚監(jiān)視部101的控制系統(tǒng)進(jìn)行的控 制正確，則由膜厚監(jiān)視部102測(cè)定的蒸鍍率成為所需的一定的值。另一方面，在基板蒸鍍?cè)?間距離Ts與由膜厚監(jiān)視部102測(cè)定出的蒸鍍率之間的相關(guān)不一致時(shí)，如圖9所示，當(dāng)基板蒸 鍍?cè)撮g距離Ts變化時(shí)，由膜厚監(jiān)視部102測(cè)定的蒸鍍率隨之變化。即，在使目標(biāo)率為R0、使膜 厚監(jiān)視部102進(jìn)行蒸鍍率的測(cè)定時(shí)的基板蒸鍍?cè)撮g距離為T(mén)sl、此時(shí)由膜厚監(jiān)視部102測(cè)定 的蒸鍍率為R1時(shí)，操作量即基板蒸鍍?cè)撮g距離的輸出值(令為T(mén)s2)成為：
[0214] Ts2=K0X V (R1/R0) XTsl+Kl
[0215] 通常 K0 = 1、K1=0。
[0216] 圖10是示意性地表示實(shí)施方式4的基板蒸鍍?cè)撮g距離的輸出值與膜厚監(jiān)視部的測(cè) 定結(jié)果的相關(guān)關(guān)系的圖。
[0217] 如圖10所示，在某一定時(shí)間中，取Ts2和1/V (膜厚監(jiān)視部102的測(cè)定結(jié)果)的繪點(diǎn)， 如果第一和第二控制率的控制正確，則膜厚監(jiān)視部102測(cè)定出的蒸鍍率不依賴于Ts2地繪出 (圖10的虛線）。但是，實(shí)際的測(cè)定值如圖10所示依賴于Ts2而變化時(shí)，擬合測(cè)定值和上述式 而求取K0和K1，能夠基于該K0和K1修正基板蒸鍍間距離Ts。
[0218] 根據(jù)本實(shí)施方式，與實(shí)施方式1相比，能夠簡(jiǎn)化蒸鍍裝置。作為膜厚監(jiān)視部101和 102,優(yōu)選使用具有石英振子的膜厚監(jiān)視部，但如果在石英振子附著一定量以上的蒸鍍顆粒 則會(huì)產(chǎn)生測(cè)定誤差，因此使用石英振子的膜厚監(jiān)視部需要適當(dāng)進(jìn)行更換。由此，在實(shí)施方式 1的蒸鍍裝置中，為了能夠根據(jù)需要更換石英振子，優(yōu)選使用安裝有多個(gè)石英振子的多連式 的膜厚監(jiān)視部作為膜厚監(jiān)視部101和102。而在本實(shí)施方式中，膜厚監(jiān)視部102不需要總是測(cè) 定蒸鍍率，能夠在任意的期間以能夠定期地確認(rèn)比例系數(shù)的程度測(cè)定蒸鍍率。因此，本實(shí)施 方式中作為膜厚監(jiān)視部102能夠使用簡(jiǎn)便的膜厚監(jiān)視部。
[0219] 另外，各實(shí)施方式的蒸鍍裝置的構(gòu)成部件的朝向沒(méi)有特別限定。例如，可以將上述 構(gòu)成部件全部上下反轉(zhuǎn)地配置，也可以在使基板130縱立的狀態(tài)下，將蒸鍍流140從橫向（側(cè) 方)吹附于基板130。
[0220]使用各實(shí)施方式的蒸鍍裝置制造的有機(jī)EL顯示裝置，可以是進(jìn)行黑白顯示的顯示 裝置，也可以各像素沒(méi)有分割為多個(gè)子像素。此時(shí)，在發(fā)光層蒸鍍工序中，可以僅進(jìn)行1色的 發(fā)光材料的蒸鍍，僅形成1色的發(fā)光層。
[0221]此外，在發(fā)光層蒸鍍工序以外的蒸鍍工序中，可以與發(fā)光層蒸鍍工序同樣地形成 薄膜的圖案。例如，可以對(duì)各色的每個(gè)子像素形成電子輸送層。
[0222]進(jìn)而，在各實(shí)施方式中，以形成有機(jī)EL元件的有機(jī)層的情況為例進(jìn)行了說(shuō)明，但本 發(fā)明的蒸鍍裝置的用途并不特別限定于有機(jī)EL元件的制造，能夠應(yīng)用于各種薄膜的圖案的 形成。
[0223] 以下說(shuō)明實(shí)施方式1的實(shí)施例1~3。
[0224] 另外，實(shí)施例1~3中，如圖6所示，由第一和第二控制系統(tǒng)分別進(jìn)行反饋控制。
[0225] (實(shí)施例1)
[0226] 本實(shí)施例中，使用掃描蒸鍍裝置，一邊對(duì)固定了的分涂用掩模掃描(輸送)基板(被 成膜基板），一邊進(jìn)行蒸鍍。
[0227] 圖11是表示實(shí)施例1的蒸鍍裝置的基本結(jié)構(gòu)的示意圖。圖12是實(shí)施例1的蒸鍍裝置 的平面示意圖。
[0228] 如圖11和12所示，本實(shí)施例的蒸鍍裝置具有蒸鍍單元270,蒸鍍單元270包括:2個(gè) 掩模250;分別包括坩堝211、加熱器(未圖示)和加熱電源214的多個(gè)蒸鍍?cè)?10;支承多個(gè)坩 堝211的坩堝支承體271;和限制部件272。蒸鍍?cè)?10呈交錯(cuò)狀地配置。
[0229] 限制部件272是與坩堝211的開(kāi)口部215對(duì)應(yīng)地呈交錯(cuò)狀地設(shè)置有多個(gè)開(kāi)口部273 的板狀部件，將從坩堝211的開(kāi)口部215放出的蒸鍍顆粒中不要的成分排除。蒸鍍流240從下 方的對(duì)應(yīng)的開(kāi)口部215上升到各開(kāi)口部273。包含于蒸鍍流240的蒸鍍顆粒中的一部分能夠 通過(guò)開(kāi)口部273,能夠到達(dá)掩模250。另一方面，剩余的蒸鍍顆粒附著于限制部件272,因此不 能夠通過(guò)開(kāi)口部273，不能夠到達(dá)掩模250。這樣，從各開(kāi)口部215噴出之后立即各向同性地 擴(kuò)散的蒸鍍流240被限制部件272控制，去除指向性差的成分而生成指向性高的成分。此外， 限制部件272防止各蒸鍍流240通過(guò)其正上方的開(kāi)口部273以外的開(kāi)口部273。
[0230]此外，在各掩模250，與蒸鍍流240對(duì)應(yīng)地設(shè)置有多個(gè)掩模開(kāi)口區(qū)域252，多個(gè)掩模 開(kāi)口區(qū)域252與多個(gè)蒸鍍?cè)?10(坩堝211的開(kāi)口部215)和多個(gè)開(kāi)口部273對(duì)應(yīng)地配置成交錯(cuò) 狀。各掩模250的掩模開(kāi)口區(qū)域252與對(duì)應(yīng)的多個(gè)坩堝211和多個(gè)開(kāi)口部273以相同的間距配 置。此外，在各掩模開(kāi)口區(qū)域252形成有多個(gè)開(kāi)口 251。結(jié)果到達(dá)掩模250的蒸鍍顆粒的一部 分能夠通過(guò)開(kāi)口 251，能夠以與開(kāi)口 251對(duì)應(yīng)的圖案在基板230上堆積蒸鍍顆粒。開(kāi)口 251全 部形成為相同長(zhǎng)度的矩形形狀。
[0231]圖13是實(shí)施例1的蒸鍍裝置的變形例的平面示意圖。
[0232]如圖13所示，在各掩模開(kāi)口區(qū)域252中，可以是從下方的蒸鍍?cè)?10起距離較遠(yuǎn)的 開(kāi)口 251的長(zhǎng)度較長(zhǎng)。
[0233] 本實(shí)施例的蒸鍍裝置還包括基板保持件204和輸送機(jī)構(gòu)205。
[0234] 基板保持件204是保持基板230的部件，將基板230以其被蒸鍍面231與掩模250相 對(duì)的方式保持。作為基板保持件204適用靜電卡盤(pán)。
[0235] 輸送機(jī)構(gòu)205與基板保持件204連接，能夠在與基板230的法線方向正交的輸送方 向（圖11所示的紙面的跟前側(cè)向進(jìn)深側(cè)去的方向）上，使保持于基板保持件204的基板230以 恒速移動(dòng)。在本實(shí)施例的蒸鍍裝置中，一邊掃描基板230-邊進(jìn)行蒸鍍。
[0236] 輸送機(jī)構(gòu)205例如包括線性引導(dǎo)件、滾珠絲杠、與滾珠絲杠連接的電機(jī)、與電機(jī)連 接的電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制部，通過(guò)由電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制部驅(qū)動(dòng)電機(jī)，使基板保持件204和基板230-體 移動(dòng)。
[0237] 另外，輸送機(jī)構(gòu)205只要能夠使基板230和蒸鍍單元270的至少一方相對(duì)于另一方 相對(duì)移動(dòng)即可。因此，可以固定基板230,利用輸送機(jī)構(gòu)205使蒸鍍單元270移動(dòng)，也可以利用 輸送機(jī)構(gòu)205來(lái)使基板230和蒸鍍單元270雙方移動(dòng)。
[0238]本實(shí)施例的蒸鍍裝置還包括膜厚監(jiān)視部201和202、控制裝置(未圖示）、電動(dòng)機(jī)驅(qū) 動(dòng)裝置(未圖示）、與坩堝支承體271連接的驅(qū)動(dòng)電機(jī)222。
[0239]在本實(shí)施例中，膜厚監(jiān)視部201與本發(fā)明的蒸鍍裝置的上述第二膜厚監(jiān)視部對(duì)應(yīng)， 膜厚監(jiān)視部202與本發(fā)明的蒸鍍裝置的上述第一膜厚監(jiān)視部對(duì)應(yīng)。
[0240]各膜厚監(jiān)視部201、202的傳感器部在限制部件272與掩模250之間，配置在能夠與 一個(gè)蒸鍍流240接觸的區(qū)域。由膜厚監(jiān)視部201、控制裝置、加熱器和加熱電源214構(gòu)成第一 控制系統(tǒng)，由膜厚監(jiān)視部202、控制裝置、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置和驅(qū)動(dòng)電機(jī)222構(gòu)成第二控制系 統(tǒng)。
[0241] 本實(shí)施例中，由膜厚監(jiān)視部201和202分別測(cè)定第一和第二蒸鍍率，一邊對(duì)第一和 第二蒸鍍率分別由第一和第二控制系統(tǒng)進(jìn)行反饋控制，一邊進(jìn)行蒸鍍。
[0242] 另外，通過(guò)使坩堝支承體271上下移動(dòng)而使各坩堝211的開(kāi)口部215的高度一致地 變化，從而進(jìn)行放出氣化后的材料的放出部241的高度的調(diào)節(jié)。
[0243]放出部241與基板230的被蒸鍍面231之間的距離即基板蒸鍍?cè)撮g距離(Ts)的基準(zhǔn) 距離(Ts基準(zhǔn)）設(shè)定為300mm?；逭翦?cè)撮g距離Ts的變動(dòng)量是Ts基準(zhǔn)± 5mm?；逭翦?cè)撮g 距離Ts的變化的間距是0.1mm。一個(gè)蒸鍍?cè)?10承擔(dān)的基板230上的蒸鍍區(qū)域243的寬度為 50mm。相鄰的蒸鍍區(qū)域243間的間隔也為50mm?；?30與掩模250間的間隔(Gap)為1mm。與 各蒸鍍區(qū)域243對(duì)應(yīng)地設(shè)置有掩模開(kāi)口區(qū)域252。各掩模開(kāi)口區(qū)域252的寬度根據(jù)下式設(shè)定 為49 · 83333mm。掩模開(kāi)口區(qū)域的寬度=((L基準(zhǔn)/Ts基準(zhǔn)）X (Ts基準(zhǔn)一Gap)) X 2關(guān)于式中的 L基準(zhǔn)，以后參照?qǐng)D14進(jìn)行敘述。
[0244]另外，基板蒸鍍?cè)撮g距離Ts的變化的間距沒(méi)有特別限定，能夠適當(dāng)設(shè)定。此外，基 板蒸鍍?cè)撮g距離Ts可以不像上述那樣臺(tái)階狀變化，而線性(連續(xù)性)變化。
[0245] (Ts變化對(duì)蒸鍍率的影響）
[0246] Ts變化時(shí)的蒸鍍顆粒的密度與Ts的平方成反比例，因此使Ts = 305mm時(shí)的基板蒸 鍍?cè)撮g距離為T(mén)sl、使Ts = 295mm時(shí)的基板蒸鍍?cè)撮g距離為T(mén)s2時(shí)，Tsl或Ts2時(shí)的蒸鍍率(R1 或R2)相對(duì)于Ts基準(zhǔn)時(shí)的蒸鍍率(R基準(zhǔn))的比率由下式求取。
[0247] R1/R 基準(zhǔn)=3002/3052 = 0.967
[0248] R2/R 基準(zhǔn)=3002/2952 = 1.034
[0249] 由此，本實(shí)施例中，通過(guò)在Ts基準(zhǔn)± 5mm的范圍內(nèi)使Ts變化，能夠使蒸鍍率在大約 目標(biāo)率±3%的范圍內(nèi)變動(dòng)。
[0250] (Ts變化對(duì)圖案的位置偏移的影響）
[0251 ]圖14是用于說(shuō)明實(shí)施例1中Ts變化時(shí)的圖案的變化的示意圖。
[0252] 以在基板230上的所需的位置成膜的方式設(shè)計(jì)掩模250的開(kāi)口 251，但當(dāng)坩堝211升 降時(shí)，如圖14所示，Ts變化，對(duì)掩模250入射的蒸鍍顆粒的角度也改變，結(jié)果形成的圖案的位 置發(fā)生偏移。特別是，由位于蒸鍍區(qū)域243的端部、位于掩模開(kāi)口區(qū)域252的端部的開(kāi)口 251 形成的圖案部分的位置變化最大。以下表示計(jì)算該部分的位置偏移的大小而得的結(jié)果。位 于掩模開(kāi)口區(qū)域25 2的端部的開(kāi)口 251位于從通過(guò)坩堝211的開(kāi)口部215的中心的中心線CL 偏移24.91667mm的部位，因此使Ts基準(zhǔn)和Tsl時(shí)在蒸鍍區(qū)域243的端部形成的圖案部分的位 置(從中心線CL到該圖案部分的距離)分別為L(zhǎng)基準(zhǔn)和L1時(shí)，Ts基準(zhǔn)時(shí)和Tsl時(shí)之間的該圖案 部分的位置偏移量(L1 一L基準(zhǔn)）由下式求取。
[0253] Ll-L= ((24.91667/(305-1)) X 305)-( (24.91667/(300-1)) X300) = -0.00137mm
[0254] 由此，在本實(shí)施例中，在Ts存在相對(duì)于Ts基準(zhǔn)± 5mm的變動(dòng)時(shí)，圖案的位置偏移量 的最大值僅為1.4μπι程度，該程度的偏移量并不會(huì)造成問(wèn)題。
[0255] 另外，在該程度的偏移量也成為問(wèn)題的情況下，可以在坩堝211的升降的同時(shí)使掩 模250升降，由此能夠修正圖案的位置偏移。例如，使Ts = Ts 1 ( = 305mm)時(shí)的修正后的間隔 (Gap)為Gap 1時(shí)，Gap 1能夠由下式求取。
[0256] Gapl = 305 -(305/25) XL1
[0257] (Ts變化對(duì)蒸鍍區(qū)域的影響）
[0258] 圖15是用于說(shuō)明實(shí)施例1中Ts變化時(shí)對(duì)蒸鍍區(qū)域的影響的示意圖。
[0259] 如圖15所示，在實(shí)施例1中，放出部241與限制部件272的上表面(基板230側(cè)的表 面)之間的距離為30mm，限制部件272的開(kāi)口部273的寬度設(shè)定為6mm Js的變動(dòng)量為T(mén)s基準(zhǔn) ± 5mm，因此當(dāng)Ts變化時(shí)，掩模250的下表面(限制部件272側(cè)的表面）的蒸鍍流240的寬度在 52. 11429mm~70.56mm的范圍變化。但是，因?yàn)橄鄬?duì)于掩模開(kāi)口區(qū)域252的寬度（= 49.83333mm)能夠確保充分的余量，所以即使Ts變化，蒸鍍區(qū)域也不會(huì)受到影響。
[0260] 另外，限制部件272的開(kāi)口部273的寬度能夠適當(dāng)設(shè)定，但當(dāng)過(guò)大時(shí)，由于蒸鍍顆粒 的散射等的現(xiàn)象，從與掩模開(kāi)口區(qū)域252相鄰的開(kāi)口部273可能會(huì)飛來(lái)不需要的蒸鍍顆粒。 即，存在發(fā)生蒸鍍顆粒的回繞的可能性。因此，從抑制蒸鍍顆粒的回繞的發(fā)生的觀點(diǎn)出發(fā)， 限制部件272的開(kāi)口部273的寬度優(yōu)選處于以內(nèi)。
[0261] 此外，在本實(shí)施例中，固定限制部件272,僅使坩堝支承體271上下移動(dòng)，但也可以 配合坩堝支承體271的上下移動(dòng)而使限制部件272上下移動(dòng)。由此，能夠使得通過(guò)限制部件 272的蒸鍍流240的擴(kuò)散范圍（角度)不變化，此外，能夠使限制部件272的開(kāi)口部273較小。特 別是，優(yōu)選使限制部件272上下移動(dòng)，使得掩模250的下表面(限制部件272側(cè)的表面)的蒸鍍 流240的寬度不變。由此，能夠使開(kāi)口部273盡可能小，因此能夠使發(fā)生蒸鍍顆粒的回繞的可 能性最小。
[0262] (Ts變化對(duì)面內(nèi)膜厚分布的影響）
[0263] 圖16是表示實(shí)施例1中Ts與蒸鍍膜的膜厚分布的關(guān)系的圖表。另外，圖16表示以N 值=2.3進(jìn)行計(jì)算而得的結(jié)果。
[0264] 在掃描蒸鍍裝置中，為了減少蒸鍍?cè)撮g的干涉，掃描蒸鍍裝置的蒸鍍?cè)搓P(guān)于膜厚 的分布具有與點(diǎn)蒸鍍?cè)赐瑯拥奶匦?。但是，相?duì)于Ts基準(zhǔn)的300mm，蒸鍍區(qū)域的寬度為50_ 較短，因此如圖16所示，Ts的變動(dòng)對(duì)膜厚分布的影響較小。
[0265] 圖17是表示實(shí)施例1中相對(duì)于Ts基準(zhǔn)時(shí)的Ts調(diào)整時(shí)的膜厚的變動(dòng)比率的圖表。另 外，圖17根據(jù)圖16的結(jié)果計(jì)算得出。
[0266] 如圖17所示，以Ts以外相同的條件僅使Ts變化，Ts調(diào)整時(shí)相對(duì)于Ts基準(zhǔn)時(shí)的膜厚 分布的變化低于±0.02%，非常小。由此，調(diào)整Ts對(duì)膜厚分布的影響在數(shù)值上完全不會(huì)成為 問(wèn)題，可以說(shuō)實(shí)質(zhì)上沒(méi)有影響。
[0267] (基于Ts變化的蒸鍍率的控制）
[0268] 本實(shí)施例中，能夠在相對(duì)于Ts基準(zhǔn)的基板230上的蒸鍍率為大約± 3 %的范圍內(nèi)， 以0.07 %的間距控制基板230上的蒸鍍率。像這樣，本實(shí)施例中，通過(guò)組合放出部241的高度 的調(diào)整和材料的加熱溫度的調(diào)整，能夠得到±0.07%以下的基板230上的蒸鍍率的精度。
[0269] 此外，本實(shí)施例的蒸鍍裝置具有在與基板230的法線方向正交的方向上，使基板 230和蒸鍍?cè)?10的至少一方相對(duì)于另一方相對(duì)移動(dòng)的輸送機(jī)構(gòu)205。由此，根據(jù)本實(shí)施例， 在掃描蒸鍍裝置中，能夠高精度地控制基板230上的蒸鍍率，此外，能夠抑制蒸鍍膜的膜厚 分布的不均的發(fā)生。特別是在掃描蒸鍍裝置中，基板230上的蒸鍍率的偏差會(huì)明顯反映于膜 厚的偏差，根據(jù)本實(shí)施例，能夠有效地抑制蒸鍍膜的膜厚分布的不均的發(fā)生。
[0270] 進(jìn)而，本實(shí)施例的蒸鍍裝置具有包括蒸鍍?cè)?10和掩模250的蒸鍍單元270,輸送機(jī) 構(gòu)205使基板230和蒸鍍單元270的至少一方相對(duì)于另一方相對(duì)移動(dòng)。由此，根據(jù)本實(shí)施例， 能夠使掩模250比基板230小，因此能夠容易地制造掩模250，此外，能夠抑制掩模250自身的 自重導(dǎo)致發(fā)生變形。
[0271] (實(shí)施例2)
[0272] 本實(shí)施例中，一邊利用帶旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)的基板保持件使貼合了掩模的基板(被成膜基 板)旋轉(zhuǎn)，一邊進(jìn)行蒸鍍。
[0273] 圖18是表示實(shí)施例2的蒸鍍裝置的基本結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0274] 如圖18所示，本實(shí)施例的蒸鍍裝置包括:掩模350;包含坩堝311、加熱器(未圖示） 和加熱電源314的蒸鍍?cè)?10 ;支承坩堝311的坩堝支承體371;帶旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)的基板保持件 304〇
[0275] 基板保持件304是保持基板330的部件，將基板330以其被蒸鍍面331與掩模350相 對(duì)的方式保持。作為基板保持件304適用靜電卡盤(pán)?；?30和掩模350以彼此接觸的狀態(tài)被 基板保持件304保持。
[0276] 基板保持件304具有能夠使基板330和掩模350-體地以恒速旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)（未 圖示），在本實(shí)施例的蒸鍍裝置中，一邊使基板330和掩模350旋轉(zhuǎn)一邊進(jìn)行蒸鍍。
[0277]旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)與基板保持件304連接，例如包括與基板保持件304連接的電機(jī)(未圖示） 和與電機(jī)連接的電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制部(未圖示），通過(guò)由電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制部驅(qū)動(dòng)電機(jī)，使基板保持 件304、基板330和掩模350-體旋轉(zhuǎn)。
[0278] 在掩模350形成有多個(gè)開(kāi)口351，因此從坩堝311的開(kāi)口部315上升而到達(dá)掩模350 的蒸鍍顆粒的一部分能夠通過(guò)開(kāi)口 351，能夠以與開(kāi)口 351對(duì)應(yīng)的圖案在基板330上堆積蒸 鍍顆粒。
[0279]本實(shí)施例的蒸鍍裝置包括膜厚監(jiān)視部301和302、控制裝置(未圖示）、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng) 裝置(未圖示）、與坩堝支承體371連接的驅(qū)動(dòng)電機(jī)322。
[0280]在本實(shí)施例中，膜厚監(jiān)視部301與本發(fā)明的蒸鍍裝置的上述第二膜厚監(jiān)視部對(duì)應(yīng)， 膜厚監(jiān)視部302與本發(fā)明的蒸鍍裝置的上述第一膜厚監(jiān)視部對(duì)應(yīng)。
[0281]各膜厚監(jiān)視部301、302的傳感器部配置能夠與蒸鍍流340接觸的區(qū)域。由膜厚監(jiān)視 部301、控制裝置、加熱器和加熱電源314構(gòu)成第一控制系統(tǒng)，由膜厚監(jiān)視部302、控制裝置、 電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置和驅(qū)動(dòng)電機(jī)322構(gòu)成第二控制系統(tǒng)。
[0282]在本實(shí)施例中，利用膜厚監(jiān)視部301和302分別測(cè)定第一和第二蒸鍍率，一邊對(duì)于 第一和第二蒸鍍率分別由第一和第二控制系統(tǒng)進(jìn)行反饋控制，一邊進(jìn)行蒸鍍。
[0283]另外，通過(guò)使坩堝支承體371上下移動(dòng)而使坩堝311的開(kāi)口部315的高度變化，由此 進(jìn)行放出氣化后的材料的放出部341的高度的調(diào)節(jié)。
[0284]基板蒸鍍?cè)撮g距離（Ts)的基準(zhǔn)距離(Ts基準(zhǔn)）設(shè)定為400mm?；逭翦?cè)撮g距離Ts 的變動(dòng)量為T(mén)s基準(zhǔn)± 6mm。基板蒸鍍?cè)撮g距離Ts的變化的間距是0.1mm。一個(gè)蒸鍍?cè)?10承擔(dān) 的基板330上的蒸鍍區(qū)域343的寬度為350mm?；?30和掩模350彼此緊貼而一起旋轉(zhuǎn)。
[0285]另外，基板蒸鍍?cè)撮g距離Ts的變化的間距沒(méi)有特別限定，能夠適當(dāng)設(shè)定。此外，基 板蒸鍍?cè)撮g距離Ts可以不像上述那樣臺(tái)階狀變化，而線性(連續(xù)性)變化。
[0286] (Ts變化對(duì)蒸鍍率的影響）
[0287] Ts變化時(shí)的蒸鍍顆粒的密度與Ts的平方成反比例，因此使Ts = 406mm時(shí)的基板蒸 鍍?cè)撮g距離為T(mén)sl、使Ts = 394mm時(shí)的基板蒸鍍?cè)撮g距離為T(mén)s2時(shí)，Tsl或Ts2時(shí)的蒸鍍率(R1 或R2)相對(duì)于Ts基準(zhǔn)時(shí)的蒸鍍率(R基準(zhǔn))的比率由下式求取。
[0288] R1/R 基準(zhǔn)=4002/4062 = 0.971
[0289] R2/R 基準(zhǔn)=4002/3942 = 1.031
[0290] 由此，本實(shí)施例中，通過(guò)在Ts基準(zhǔn)± 6mm的范圍內(nèi)使Ts變化，能夠使蒸鍍率在大約 目標(biāo)率±3%的范圍內(nèi)變動(dòng)。
[0291] (Ts變化對(duì)圖案的位置偏移的影響）
[0292]本實(shí)施例中，掩模350與基板330緊貼，因此即使Ts變化，形成的圖案的位置也不會(huì) 偏移。
[0293](基于Ts變化的蒸鍍率的控制）
[0294] 本實(shí)施例中，能夠在相對(duì)于Ts基準(zhǔn)的基板330上的蒸鍍率為大約± 3 %的范圍內(nèi)， 以0.05 %的間距控制基板330上的蒸鍍率。像這樣，本實(shí)施例中，通過(guò)組合放出部341的高度 的調(diào)整和材料的加熱溫度的調(diào)整，能夠得到±0.05%以下的基板330上的蒸鍍率的精度。
[0295] 此外，本實(shí)施例的蒸鍍裝置包括掩模350和帶有使貼合了掩模350的基板330旋轉(zhuǎn) 的旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)的基板保持件304。由此，根據(jù)本實(shí)施例，即使Ts變化，也能夠防止形成的圖案的 位置發(fā)生偏移。
[0296] 進(jìn)而，在進(jìn)行共同蒸鍍時(shí)，能夠高精度地控制多個(gè)材料的基板330上的蒸鍍率的比 率。
[0297] (實(shí)施例3)
[0298] 本實(shí)施例中，使用串列蒸鍍裝置，一邊掃描（輸送)貼合有掩模的基板(被成膜基 板)一邊進(jìn)行蒸鍍。
[0299] 圖19是表示實(shí)施例3的蒸鍍裝置的基本結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0300] 如圖19所示，本實(shí)施例的蒸鍍裝置包括:掩模450;包含坩堝411、加熱器(未圖示） 和加熱電源414的蒸鍍?cè)?10;支承坩堝411的坩堝支承體471;基板保持件404;輸送機(jī)構(gòu) 405 〇
[0301 ]圖20是實(shí)施例3的蒸鍍裝置所具有的蒸鍍?cè)吹钠矫媸疽鈭D。
[0302]蒸鍍?cè)?10是所謂的被稱為線性蒸鍍?cè)吹膶挾却蟮恼翦冊(cè)?，坩?11包括收納材料 的容器部411a和覆蓋容器部411a的蓋部411b。如圖20所示，蓋部411b具有在蓋部411b整體 分散配置的多個(gè)噴嘴，從各噴嘴的開(kāi)口部415放出氣化后的蒸鍍材料，多個(gè)蒸鍍流合在一起 成為一個(gè)大的蒸鍍流440。
[0303]基板保持件404是保持基板430的部件，將基板430以其被蒸鍍面431與掩模450相 對(duì)的方式保持。作為基板保持件404,適于使用靜電卡盤(pán)?；?30和掩模450以彼此接觸的 狀態(tài)保持于基板保持件404。
[0304]輸送機(jī)構(gòu)405與基板保持件404連接，能夠在與基板430的法線方向正交的輸送方 向（圖19所示的從紙面的跟前側(cè)向進(jìn)深側(cè)去的方向）上，使保持于基板保持件404的基板430 移動(dòng)。于是，本實(shí)施例的蒸鍍裝置一邊掃描基板430-邊進(jìn)行蒸鍍。
[0305]輸送機(jī)構(gòu)405例如包括線性引導(dǎo)件、滾珠絲杠、與滾珠絲杠連接的電機(jī)、與電機(jī)連 接的電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制部，通過(guò)由電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制部驅(qū)動(dòng)電機(jī)，使基板保持件404和基板430-體 移動(dòng)。
[0306]另外，輸送機(jī)構(gòu)405只要能夠使基板430和包含坩堝411、加熱器和坩堝支承體471 的蒸鍍單元470的至少一方相對(duì)于另一方相對(duì)移動(dòng)即可。由此，可以固定基板430,利用輸送 機(jī)構(gòu)405使蒸鍍單元470移動(dòng)，也可以利用輸送機(jī)構(gòu)405使基板430和蒸鍍單元470雙方移動(dòng)。 [0307] 在掩模450形成有一個(gè)大的開(kāi)口451，因此從坩堝411的開(kāi)口部415上升而到達(dá)掩模 450的蒸鍍顆粒的一部分能夠通過(guò)開(kāi)口 451，能夠以與開(kāi)口 451對(duì)應(yīng)的圖案在基板430上堆積 蒸鍍顆粒。
[0308]本實(shí)施例的蒸鍍裝置還包括膜厚監(jiān)視部401和402、控制裝置(未圖示）、電動(dòng)機(jī)驅(qū) 動(dòng)裝置(未圖示）、與坩堝支承體471連接的驅(qū)動(dòng)電機(jī)422。
[0309]本實(shí)施例中，膜厚監(jiān)視部401與本發(fā)明的蒸鍍裝置的上述第二膜厚監(jiān)視部對(duì)應(yīng)，膜 厚監(jiān)視部402與本發(fā)明的蒸鍍裝置的上述第一膜厚監(jiān)視部對(duì)應(yīng)。
[0310]各膜厚監(jiān)視部401、402的傳感器部配置在能夠與蒸鍍流440接觸的區(qū)域。由膜厚監(jiān) 視部401、控制裝置、加熱器和加熱電源414構(gòu)成第一控制系統(tǒng)，由膜厚監(jiān)視部402、控制裝 置、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置和驅(qū)動(dòng)電機(jī)422構(gòu)成第二控制系統(tǒng)。
[0311]于是，本實(shí)施例中，由膜厚監(jiān)視部401和402分別測(cè)定第一和第二蒸鍍率，一邊對(duì)于 第一和第二蒸鍍率分別由第一和第二控制系統(tǒng)進(jìn)行反饋控制，一邊進(jìn)行蒸鍍。
[0312 ]另外，通過(guò)使坩堝支承體471上下移動(dòng)而使各坩堝411的開(kāi)口部415的高度變化，從 而進(jìn)行放出氣化后的材料的放出部441的高度的調(diào)節(jié)。
[0313]基板蒸鍍?cè)撮g距離（Ts)的基準(zhǔn)距離(Ts基準(zhǔn)）設(shè)定為150mm?；逭翦?cè)撮g距離Ts 的變動(dòng)量為T(mén)s基準(zhǔn)±3mm?；逭翦?cè)撮g距離Ts的變化的間距是0.1mm。一個(gè)蒸鍍?cè)?10承擔(dān) 的基板430上的蒸鍍區(qū)域443的寬度為920mm?；?30和掩模450彼此緊貼而一起旋轉(zhuǎn)。 [0314]另外，基板蒸鍍?cè)撮g距離Ts的變化的間距沒(méi)有特別限定，能夠適當(dāng)設(shè)定。此外，基 板蒸鍍?cè)撮g距離Ts可以不像上述那樣臺(tái)階狀變化，而線性(連續(xù)性)變化。
[0315] (Ts變化對(duì)蒸鍍率的影響）
[0316] Ts變化時(shí)的蒸鍍顆粒的密度與Ts的平方成反比例，因此使Ts = 153mm時(shí)的基板蒸 鍍?cè)撮g距離為T(mén)sl、使Ts=147mm時(shí)的基板蒸鍍?cè)撮g距離為T(mén)s2時(shí)，Tsl或Ts2時(shí)的蒸鍍率(R1 或R2)相對(duì)于Ts基準(zhǔn)時(shí)的蒸鍍率(R基準(zhǔn))的比率由下式求取。
[0317] R1/R 基準(zhǔn)=1502/1532 = 0.961
[0318] R2/R 基準(zhǔn)=1502/1472 = 1.041
[0319]由此，本實(shí)施例中，通過(guò)在Ts基準(zhǔn)±3mm的范圍內(nèi)使Ts變化，能夠使基板430上的蒸 鍍率在大約目標(biāo)率± 4 %的范圍內(nèi)變動(dòng)。
[0320] (Ts變化對(duì)圖案的位置偏移的影響）
[0321]本實(shí)施例中，掩模450與基板430緊貼，因此即使Ts變化，形成的圖案的位置也不會(huì) 偏移。
[0322] (Ts變化對(duì)面內(nèi)膜厚分布的影響）
[0323]本實(shí)施例中，使用所謂的線性蒸鍍?cè)?，因此即使Ts變化，到達(dá)基板的蒸鍍流440的 范圍也基本不會(huì)變化。
[0324] 圖21是表示實(shí)施例3中Ts與蒸鍍膜的膜厚分布的關(guān)系的圖表。
[0325] 另外，圖21表示以各噴嘴的N值=8計(jì)算而得的結(jié)果。在N值=8時(shí)，能夠得到與實(shí)際 上使用線性蒸鍍?cè)催M(jìn)行蒸鍍時(shí)得到的膜厚分布近似的膜厚分布的圖。能夠推測(cè)這是因?yàn)椋?線性蒸鍍?cè)粗?，從相鄰的噴嘴放出的蒸鍍流彼此相互干涉，蒸鍍顆粒的飛散方向接近坩堝 411的正上方的方向，因此各噴嘴的N值如上所述為較大的值。但是，在蓋部411b整體一致地 分布著噴嘴，因此如圖21所示，Ts的變動(dòng)對(duì)膜厚分布的影響小。
[0326] 圖22是表示實(shí)施例3中相對(duì)于Ts基準(zhǔn)時(shí)的Ts調(diào)整時(shí)的膜厚的變動(dòng)比率的圖表。另 外，圖22根據(jù)圖21的結(jié)果而計(jì)算得出。
[0327] 如圖22所示，以Ts以外相同的條件僅使Ts變化，Ts調(diào)整時(shí)相對(duì)于Ts基準(zhǔn)時(shí)的膜厚 分布的變化低于±〇. 01 %，非常小。由此，調(diào)整Ts對(duì)膜厚分布的影響在數(shù)值上完全不會(huì)成為 問(wèn)題，可以說(shuō)實(shí)質(zhì)上沒(méi)有影響。
[0328](基于Ts變化的蒸鍍率的控制）
[0329]本實(shí)施例中，能夠在相對(duì)于Ts基準(zhǔn)的基板430上的蒸鍍率為大約±4%的范圍內(nèi)， 以0.13 %的間距控制基板430上的蒸鍍率。像這樣，本實(shí)施例中，通過(guò)組合放出部441的高度 的調(diào)整和材料的加熱溫度的調(diào)整，能夠得到±0.13%以下的基板430上的蒸鍍率的精度。 [0330]此外，本實(shí)施例的蒸鍍裝置具有在與基板430的法線方向正交的方向上，使基板 430和蒸鍍?cè)?10的至少一方相對(duì)于另一方相對(duì)移動(dòng)的輸送機(jī)構(gòu)405。由此，根據(jù)本實(shí)施例， 在掃描蒸鍍裝置中，能夠高精度地控制基板430上的蒸鍍率，此外，能夠抑制發(fā)生蒸鍍膜的 膜厚分布的不均。特別是在掃描蒸鍍裝置中，基板430上的蒸鍍率的偏差會(huì)明顯反映于膜厚 的偏差，根據(jù)本實(shí)施例，能夠有效地抑制蒸鍍膜的膜厚分布的不均的發(fā)生。
[0331]進(jìn)而，本實(shí)施例的蒸鍍裝置具有掩模450,輸送機(jī)構(gòu)405使蒸鍍?cè)?10和貼合了掩模 450的基板430的至少一方相對(duì)于另一方相對(duì)移動(dòng)。由此，根據(jù)本實(shí)施例，即使Ts變化，也能 夠防止形成的圖案的位置偏移。
[0332] 上述的實(shí)施方式可以在不脫離本發(fā)明的主旨的范圍中適當(dāng)組合。此，各實(shí)施方式 的變形例也可以與其它實(shí)施方式組合。
[0333] 附圖標(biāo)記的說(shuō)明
[0334] 1:有機(jī)EL顯示器
[0335] 2:像素
[0336] 2R、2G、2B:子像素
[0337] 10: TFT 基板
[0338] 11:絕緣基板
[0339] 12：TFT
[0340] 13:層間膜
[0341] 13a:接觸孔
[0342] 14:配線
[0343] 15:邊緣罩
[0344] 15R、15G、15B:開(kāi)口部
[0345] 20:有機(jī)EL元件
[0346] 21:第一電極
[0347] 22:空穴注入層兼空穴輸送層(有機(jī)層）
[0348] 23R、23G、23B:發(fā)光層(有機(jī)層）
[0349] 24:電子輸送層(有機(jī)層）
[0350] 25:電子注入層(有機(jī)層）
[0351] 26:第二電極
[0352] 30:粘接層
[0353] 40:密封基板
[0354] 100:蒸鍍裝置
[0355] 101、102、201、202、301、302、401、402:膜厚監(jiān)視部
[0356] 103:控制裝置
[0357] 104、204、304、404:基板保持件
[0358] 110、210、310、410:蒸鍍?cè)矗ㄕ翦冊(cè)矗?br>[0359] 111、211、311、411:坩堝
[0360] 112 :加熱裝置
[0361] 113 :加熱器
[0362] 114、214、314、414:加熱電源
[0363] 115、215、315、415:開(kāi)口部
[0364] 120:蒸鍍?cè)匆苿?dòng)機(jī)構(gòu)
[0365] 121:電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置
[0366] 122:蒸鍍?cè)瓷禉C(jī)構(gòu)
[0367] 130、230、330、430:基板
[0368] 131、231、331、431:被蒸鍍面
[0369] 140、240、340、340:蒸鍍流
[0370] 141、241、341、441:放出部
[0371] 170、270、470:蒸鍍單元
[0372] 205、405:輸送機(jī)構(gòu)
[0373] 222、322、422:驅(qū)動(dòng)電機(jī)
[0374] 243、343、443:蒸鍍區(qū)域
[0375] 250、350、450:掩模
[0376] 251、351、451:開(kāi)口
[0377] 252:掩模開(kāi)口區(qū)域
[0378] 271、371、471:坩堝支承體
[0379] 272:限制部件
[0380] 273:開(kāi)口部
[0381] 41 la:容器部
[0382] 411b:蓋部
[0383] CL:中心線。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種在基板上形成膜的蒸鍍裝置，其特征在于： 所述蒸鍍裝置包括第一膜厚監(jiān)視部和包含蒸鍍?cè)吹恼翦儐卧?，并且，一邊基于所述?一膜厚監(jiān)視部的測(cè)定結(jié)果，控制從所述蒸鍍?cè)捶懦鰵饣蟮牟牧系牟糠峙c所述基板的被蒸 鍍的表面之間的距離，一邊進(jìn)行蒸鍍。2. 如權(quán)利要求1所述的蒸鍍裝置，其特征在于： 包括蒸鍍?cè)匆苿?dòng)機(jī)構(gòu)，其使所述蒸鍍?cè)匆苿?dòng)而使放出所述氣化后的材料的所述部分的 高度變化。3. 如權(quán)利要求1或2所述的蒸鍍裝置，其特征在于： 通過(guò)比例控制或PID控制來(lái)控制所述距離。4. 如權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的蒸鍍裝置，其特征在于： 所述蒸鍍?cè)窗訜嵫b置， 所述蒸鍍裝置包括第二膜厚監(jiān)視部，并且， 一邊基于所述第二膜厚監(jiān)視部的測(cè)定結(jié)果控制所述加熱裝置的輸出，一邊進(jìn)行蒸鍍。5. 如權(quán)利要求4所述的蒸鍍裝置，其特征在于： 所述蒸鍍裝置包括蒸鍍?cè)匆苿?dòng)機(jī)構(gòu)，該蒸鍍?cè)匆苿?dòng)機(jī)構(gòu)使所述蒸鍍?cè)匆苿?dòng)而使放出所 述氣化后的材料的所述部分的高度發(fā)生變化， 所述第二膜厚監(jiān)視部固定于所述蒸鍍?cè)匆苿?dòng)機(jī)構(gòu)， 所述第一膜厚監(jiān)視部固定于所述蒸鍍單元。6. 如權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的蒸鍍裝置，其特征在于： 所述蒸鍍?cè)窗訜嵫b置， 所述蒸鍍裝置一邊基于所述第一膜厚監(jiān)視部的測(cè)定結(jié)果控制所述距離和所述加熱裝 置的輸出，一邊進(jìn)行蒸鍍。7. 如權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的蒸鍍裝置，其特征在于： 所述蒸鍍?cè)窗訜嵫b置， 所述蒸鍍裝置包括第二膜厚監(jiān)視部，并且， 一邊基于所述第一膜厚監(jiān)視部的測(cè)定結(jié)果控制所述距離和所述加熱裝置的輸出，并且 基于所述第二膜厚監(jiān)視部的測(cè)定結(jié)果控制所述距離的控制中的比例系數(shù)，一邊進(jìn)行蒸鍍。8. 如權(quán)利要求4~7中任一項(xiàng)所述的蒸鍍裝置，其特征在于： 通過(guò)PID控制來(lái)控制所述輸出。9. 如權(quán)利要求1~8中任一項(xiàng)所述的蒸鍍裝置，其特征在于： 所述蒸鍍?cè)窗ㄔO(shè)置有開(kāi)口部的坩堝， 放出所述氣化后的材料的所述部分是所述開(kāi)口部。10. 如權(quán)利要求1~9中任一項(xiàng)所述的蒸鍍裝置，其特征在于： 包括輸送機(jī)構(gòu)，其在與所述基板的法線方向正交的方向上使所述基板和所述蒸鍍?cè)吹?至少一方相對(duì)于另一方相對(duì)移動(dòng)。11. 如權(quán)利要求10所述的蒸鍍裝置，其特征在于： 所述蒸鍍單元包含所述蒸鍍?cè)春脱谀＃? 所述輸送機(jī)構(gòu)使所述基板和所述蒸鍍單元的至少一方相對(duì)于另一方相對(duì)移動(dòng)。12. 如權(quán)利要求10所述的蒸鍍裝置，其特征在于： 所述蒸鍍裝置包括掩模， 所述輸送機(jī)構(gòu)使所述蒸鍍?cè)春唾N合了所述掩模的所述基板的至少一方相對(duì)于另一方 相對(duì)移動(dòng)。13. 如權(quán)利要求1~9中任一項(xiàng)所述的蒸鍍裝置，其特征在于： 所述蒸鍍裝置包括:掩模;和具有使貼合了所述掩模的所述基板旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)的基 板保持件。14. 一種包含在基板上形成膜的蒸鍍工序的蒸鍍方法，其特征在于： 所述蒸鍍工序使用權(quán)利要求1~13中任一項(xiàng)所述的蒸鍍裝置進(jìn)行。15. -種有機(jī)電致發(fā)光元件的制造方法，其特征在于： 包含使用權(quán)利要求1~13中任一項(xiàng)所述的蒸鍍裝置來(lái)形成膜的蒸鍍工序。
【文檔編號(hào)】C23C14/24GK105940140SQ201480074226
【公開(kāi)日】2016年9月14日
【申請(qǐng)日】2014年11月28日
【發(fā)明人】越智貴志, 井上智, 小林勇毅, 松永和樹(shù), 川戶伸, 川戶伸一, 菊池克浩, 市原正浩, 松本榮, 松本榮一
【申請(qǐng)人】夏普株式會(huì)社