1.一種聲波元件保護(hù)結(jié)構(gòu)，用以于封裝過(guò)程中保護(hù)具有一共振區(qū)的一聲波元件，以避免封裝模料在芯片封裝過(guò)程中流進(jìn)該聲波元件的共振區(qū)；其特征在于，該聲波元件保護(hù)結(jié)構(gòu)包括：
一金屬覆蓋層，其具有一內(nèi)凹表面和一底緣，該底緣與該聲波元件接合，且該底緣與該聲波元件之間形成至少一個(gè)開(kāi)口，該內(nèi)凹表面覆蓋于該共振區(qū)上方，使得該內(nèi)凹表面與該共振區(qū)之間形成一空腔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聲波元件保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括一保護(hù)層，其形成于該金屬覆蓋層上并覆蓋該底緣與該聲波元件之間的開(kāi)口。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的聲波元件保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，該保護(hù)層由高分子材料制成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的聲波元件保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，該金屬覆蓋層由含銅、鎢、鋁或金的金屬材料制成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的聲波元件保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，該聲波元件為體聲波元件或表面聲波元件。
6.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的聲波元件保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，該金屬覆蓋層的底緣為多邊形，且該底緣的至少兩個(gè)側(cè)邊與該聲波元件之間形成開(kāi)口。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的聲波元件保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，該金屬覆蓋層的底緣具有至少一組相對(duì)的側(cè)邊，且該至少一組相對(duì)的側(cè)邊與該聲波元件之間形成開(kāi)口。
8.一種制造聲波元件保護(hù)結(jié)構(gòu)的方法，用以于封裝過(guò)程中保護(hù)具有一共振區(qū)的一聲波元件，以避免封裝模料在芯片封裝過(guò)程中流進(jìn)該聲波元件的共振區(qū)；其特征在于，該方法包含以下步驟：
在該聲波元件上定義出一犧牲層區(qū)域；
在該犧牲層區(qū)域上形成一犧牲層；
以電鍍的方式將一金屬覆蓋層覆蓋在該犧牲層上方，使該金屬覆蓋層的底緣與該聲波元件接合，并與該聲波元件之間形成至少一個(gè)開(kāi)口；
使用化學(xué)溶液移除該犧牲層，以在該金屬覆蓋層與該共振區(qū)之間形成一空腔，其中該化學(xué)溶液通過(guò)該金屬覆蓋層與該聲波元件之間的開(kāi)口進(jìn)入。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造聲波元件保護(hù)結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，還包含于該金屬覆蓋層上形成一保護(hù)層的步驟，以使該保護(hù)層覆蓋該底緣與該聲波元件之間的開(kāi)口。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造聲波元件保護(hù)結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，該保護(hù)層由高分子材料制成。
11.根據(jù)權(quán)利要求8、9或10所述的制造聲波元件保護(hù)結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，該金屬覆蓋層由含銅、鎢、鋁或金的金屬材料制成。
12.根據(jù)權(quán)利要求8、9或10所述的制造聲波元件保護(hù)結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，該聲波元件為體聲波元件或表面聲波元件。
13.根據(jù)權(quán)利要求8、9或10所述的制造聲波元件保護(hù)結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，該犧牲層的材質(zhì)為高分子材料、陶瓷材料或金屬材料。
14.根據(jù)權(quán)利要求8、9或10所述的制造聲波元件保護(hù)結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，該金屬覆蓋層的底緣為多邊形，且該底緣的至少兩個(gè)側(cè)邊與該聲波元件之間形成開(kāi)口。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的制造聲波元件保護(hù)結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于，該金屬覆蓋層的底緣具有至少一組相對(duì)的側(cè)邊，且該至少一組相對(duì)的側(cè)邊與該聲波元件之間形成開(kāi)口。