本發(fā)明涉及顯示器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種oled顯示裝置。

背景技術(shù)：

近年來(lái)，屬于自發(fā)光裝置的有機(jī)發(fā)光二極管(organiclightemittingdiode，oled)器件作為平板顯示器件因?yàn)榫哂行阅軆?yōu)異而得以廣泛應(yīng)用。由于oled器件的材料性質(zhì)，受到水分和氧氣侵襲后極易變質(zhì)，容易引起其特性的退化或失效，因此要嚴(yán)格杜絕來(lái)自周?chē)h(huán)境的氧氣和潮氣進(jìn)入器件內(nèi)部接觸到敏感的有機(jī)物質(zhì)和電極。

雖然目前制備oled都是在高真空下制備，但出于原子態(tài)的金屬蒸汽在蒸鍍過(guò)程中還是容易被微弱的o2氧化。在oled工作過(guò)程中金屬/有機(jī)界面極易受氧氣的影響，影響注入能力，這是本領(lǐng)域技術(shù)人員所不愿看到的。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)上述存在的問(wèn)題，本發(fā)明公開(kāi)一種oled顯示裝置，包括：

襯底；

電子傳輸層，設(shè)置在所述襯底之上；

陰極層，設(shè)置在所述電子傳輸層之上；以及

陰極活化層，設(shè)置在所述電子傳輸層與所述陰極層之間，且與 所述陰極層至少部分接觸，以將所述陰極層中的金屬氧化物還原為金屬。

優(yōu)選的，所述陰極活化層的材質(zhì)為具有陰極活化層效應(yīng)的材料，以對(duì)所述金屬氧化物進(jìn)行還原的同時(shí)，吸收并存儲(chǔ)氧氣。

優(yōu)選的，所述具有陰極活化層效應(yīng)的材料為c60或ceo2。

優(yōu)選的，所述陰極活化層的厚度為1nm～5nm。

優(yōu)選的，所述陰極層的材料為mg、ag、al或鐿(yb)。

優(yōu)選的，所述oled顯示裝置還包括：陽(yáng)極層，設(shè)置在所述襯底與所述電子傳輸層之間；

空穴傳輸層，設(shè)置在所述陽(yáng)極層與所述電子傳輸層之間；

發(fā)光層，所述發(fā)光層設(shè)置在所述電子傳輸層與所述空穴傳輸層之間；

封裝層，設(shè)置在所述陰極層之上。

優(yōu)選的，所述oled顯示裝置還包括：

空穴注入層，設(shè)置在所述陽(yáng)極層與所述空穴傳輸層之間；

電子注入層，設(shè)置在所述電子傳輸層與所述陰極活化層之間。

優(yōu)選的，所述陽(yáng)極層為復(fù)合膜。

優(yōu)選的，所述復(fù)合膜包括依次層疊的氧化銦錫/ag/氧化銦錫。

優(yōu)選的，所述電子傳輸層的材料為1，3，5-三(1-苯基-1h-苯并咪唑-2-基)苯(tpbi)。

上述發(fā)明具有如下優(yōu)點(diǎn)或者有益效果：

本發(fā)明公開(kāi)了一種oled顯示裝置，通過(guò)在陰極(cathode)層 和電子傳輸層之間增加一層陰極活化層(metalactiveenhancelayer，簡(jiǎn)稱(chēng)mael)，將蒸鍍過(guò)程中氧化的金屬還原，以在oled使用過(guò)程中將陰極層界面的氧氣吸附儲(chǔ)存起來(lái)，極大地增強(qiáng)陰極層活性，增加載流子注入能力，改善陰極層界面(cathodeinterface)，從而極大提升oled顯示裝置性能。

附圖說(shuō)明

通過(guò)閱讀參照以下附圖對(duì)非限制性實(shí)施例所作的詳細(xì)描述，本發(fā)明及其特征、外形和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更加明顯。在全部附圖中相同的標(biāo)記指示相同的部分。并未可以按照比例繪制附圖，重點(diǎn)在于示出本發(fā)明的主旨。

圖1是本發(fā)明實(shí)施例中oled顯示器件的示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和具體的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的說(shuō)明，但是不作為本發(fā)明的限定。

本發(fā)明公開(kāi)一種oled顯示裝置，包括：襯底、設(shè)置在襯底之上的電子傳輸層、設(shè)置在電子傳輸層之上的陰極層以及設(shè)置在電子傳輸層與陰極層之間的陰極活化層，且該陰極活化層與陰極層的表面至少部分接觸，以將該陰極中的金屬氧化物還原為金屬。

在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，上述陰極活化層的材質(zhì)為具有osc效應(yīng)的材料，以對(duì)所述金屬氧化物進(jìn)行還原的同時(shí)，吸收并 存儲(chǔ)氧氣；由于具有osc效應(yīng)的材料可以將蒸鍍過(guò)程中氧化的陰極層金屬還原，并在oled使用過(guò)程中將陰極層界面的氧氣吸附儲(chǔ)存起來(lái)，從而極大的增強(qiáng)陰極層活性，增加載流子注入能力，改善陰極層界面。

在本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，上述具有osc效應(yīng)的材料為c60或ceo2。

在本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，上述陰極活化層的厚度為1～5nm(例如1nm、2nm、3nm或者5nm等)。

在本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，上述陰極層的材料為mg、ag、al或yb。

在本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，該oled顯示器件還包括：陽(yáng)極層，設(shè)置在襯底與電子傳輸層之間；空穴傳輸層，設(shè)置在陽(yáng)極層與電子傳輸層之間；發(fā)光層，設(shè)置在電子傳輸層與空穴傳輸層之間；封裝層，設(shè)置在陰極層之上。

在此基礎(chǔ)上，進(jìn)一步的，上述陽(yáng)極層為復(fù)合膜。

在此基礎(chǔ)上，進(jìn)一步的，上述復(fù)合膜包括依次層疊的ito(indiumtinoxide，氧化銦錫)/ag/ito。

在本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，上述oled顯示器件還包括：設(shè)置在所述陽(yáng)極層與所述空穴傳輸層之間的空穴注入層和設(shè)置在所述電子傳輸層與所述陰極活化層之間的電子注入層。

在本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，上述電子傳輸層的材料為tpbi。

在本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，在壓強(qiáng)為10^-5pa的高真空下制 備該oled顯示器件。

下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的闡述：

如圖1所示，本實(shí)施例涉及一種oled顯示器件，具體的該oled顯示器件包括按照從下至上的順序依次設(shè)置的襯底1、陽(yáng)極層2、空穴注入層3、空穴傳輸層4、發(fā)光層5、電子傳輸層6、電子注入層7、陰極活化層8、陰極層9以及封裝層(并未于圖中示出)，其中，該陰極活化層8的材料為具有osc效應(yīng)的材料以將該陰極層9中的金屬氧化物還原為金屬，并對(duì)金屬氧化物進(jìn)行還原的同時(shí)，吸收并存儲(chǔ)氧氣；優(yōu)選的，該具有osc效應(yīng)的材料(即陰極活化層的材料)可為足球烯(c60)或二氧化鈰(ceo2)等。

具體的，當(dāng)陰極活化層8的材料為ceo2時(shí)，其工作原理如下：

ceo2(1-x)+o2→ceo2(吸氧、儲(chǔ)氧能力)

ceo2+mgo→mg+ceo2(1-x)+xo2(析氧能力)

在本實(shí)施例中，該陰極活化層的厚度的取值范圍為1nm～5nm(例如1nm、2nm、3nm或者5nm等)；陰極層9的材料為mg、ag、al或yb等，陽(yáng)極層2可以采用由ito/ag/ito構(gòu)成的復(fù)合膜，電子傳輸層的材料可為tpbi。

本實(shí)施例中，由于陰極層9的材料通常為易氧化的材質(zhì)，雖然制備oled通常是在10^-5pa的高真空下制備，但出于原子態(tài)的金屬蒸汽在蒸鍍過(guò)程中還是容易被微弱的氧氣(o2)氧化。在oled工作過(guò)程中金屬/有機(jī)界面極易受氧氣的影響，進(jìn)而影響注入能力。而在有機(jī)/金屬界面增加一層陰極活化層后，由于陰極活化層具有出色 的儲(chǔ)氧能力和析氧能力，即對(duì)金屬電極制備過(guò)程中產(chǎn)生的金屬氧化物進(jìn)行還原的同時(shí)，并能對(duì)還原而析出的氧氣進(jìn)行吸收存儲(chǔ)，相應(yīng)的在器件制備完成之后，還能對(duì)周?chē)h(huán)境(即有機(jī)/金屬界面所處空間區(qū)域)中的氧氣進(jìn)行吸收存儲(chǔ)，以進(jìn)一步的提高金屬電極的抗氧化能力，進(jìn)而有效改善有機(jī)/金屬界面，從而極大提升oled性能。

綜上，本發(fā)明公開(kāi)了一種oled顯示裝置，通過(guò)在陰極層和電子傳輸層之間增加一層陰極活化層，將蒸鍍過(guò)程中氧化的金屬還原，以在oled使用過(guò)程中將陰極層界面的氧氣吸附儲(chǔ)存起來(lái)，極大地增強(qiáng)陰極層活性，增加載流子注入能力，改善陰極層界面，從而極大提升oled顯示裝置性能。

本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員在結(jié)合現(xiàn)有技術(shù)以及上述實(shí)施例可以實(shí)現(xiàn)變化例，在此不做贅述。這樣的變化例并不影響本發(fā)明的實(shí)質(zhì)內(nèi)容，在此不予贅述。

以上對(duì)本發(fā)明的較佳實(shí)施例進(jìn)行了描述。需要理解的是，本發(fā)明并不局限于上述特定實(shí)施方式，其中未盡詳細(xì)描述的設(shè)備和結(jié)構(gòu)應(yīng)該理解為用本領(lǐng)域中的普通方式予以實(shí)施；任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動(dòng)和修飾，或修改為等同變化的等效實(shí)施例，這并不影響本發(fā)明的實(shí)質(zhì)內(nèi)容。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。