本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤指一種陣列基板及其制作方法以及顯示裝置。

背景技術(shù)：

目前，陣列基板的結(jié)構(gòu)包括：基板、以及依次形成在基板上的遮光層、緩沖層和陣列結(jié)構(gòu)層，其中，陣列結(jié)構(gòu)層中包括有源層、柵絕緣層、柵線、公共電極線和柵極的圖形等結(jié)構(gòu)。

在形成陣列基板的過(guò)程中，首先在基板上沉積金屬薄膜，通過(guò)一次掩模工藝形成遮光層圖案，在遮光層圖案上形成緩沖層，在緩沖層上再通過(guò)一次掩模工藝形成有源層，在有源層上還需要多次掩模工藝，因此，現(xiàn)有的形成陣列基板的過(guò)程中使用多次的掩模工藝，由于掩模工藝較復(fù)雜，成本較高，因此造成了陣列基板工藝較復(fù)雜、成本較高，從而限制了陣列基板工藝的廣泛應(yīng)用。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板及其制作方法以及顯示裝置，能夠簡(jiǎn)化陣列基板工藝，降低成本，實(shí)現(xiàn)陣列基板工藝的廣泛使用。

為了達(dá)到本發(fā)明目的，本發(fā)明提供了一種陣列基板，包括：基板、依次設(shè)置在所述基板上的組合層和陣列結(jié)構(gòu)層；其中，所述組合層包括作為遮光層的第一膜層、第二膜層和第三膜層。

進(jìn)一步地，所述第一膜層設(shè)置在所述基板上并覆蓋整個(gè)基板，所述第二膜層設(shè)置在所述第一膜層上，所述第三膜層設(shè)置在所述第二膜層上，所述第二膜層和第三膜層形成遮光圖案，所述遮光圖案在基板上的投影大于或等于所述陣列結(jié)構(gòu)層的溝道區(qū)域。

進(jìn)一步地，所述第一膜層的厚度為500-1500埃，所述第二膜層的厚度500-1500埃，所述第三膜層的厚度為1000-3000埃。

進(jìn)一步地，所述第一膜層、第三膜層的材料為氮化硅、氧化硅或氮化硅和氧化硅的復(fù)合薄膜，所述第二膜層的材料為非晶硅。

進(jìn)一步地，所述第一膜層的材料為氮化硅或氧化硅，所述第三膜層的材料為氮化硅或氧化硅，所述第二膜層為非晶硅層。

另外，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種陣列基板的制作方法，包括：

在基板上形成組合層，其中，所述組合層包括作為遮光層的第一膜層、第二膜層和第三膜層；

在形成有組合層的基板上形成陣列結(jié)構(gòu)層。

進(jìn)一步地，所述在基板上形成組合層，包括：

在基板上依次沉積第一薄膜、第二薄膜和第三薄膜；

通過(guò)構(gòu)圖工藝使所述第二薄膜和第三薄膜形成遮光圖案。

進(jìn)一步地，所述遮光圖案在基板上的投影大于或等于所述陣列結(jié)構(gòu)層的溝道區(qū)域。

所述第一膜層的厚度為500-1500埃，所述第二膜層的厚度500-1500埃，所述第三膜層的厚度為1000-3000埃。

進(jìn)一步地，所述第一膜層、第三膜層的材料為氮化硅、氧化硅或氮化硅和氧化硅的復(fù)合薄膜，所述第二膜層的材料為非晶硅。

另外，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示裝置，包括：陣列基板。

本發(fā)明提供了一種陣列基板及其制作方法以及顯示裝置，其中，陣列基板包括：基板、依次設(shè)置在所述基板上的組合層和陣列結(jié)構(gòu)層；其中，所述組合層包括作為遮光層的第一膜層、第二膜層和第三膜層，本發(fā)明的技術(shù)方案不僅提供了一種由三個(gè)膜層組合形成的新的遮光層，而且與現(xiàn)有技術(shù)相比，還減少了對(duì)遮光層的一次掩模工藝，減少了陣列基板制作過(guò)程中的掩模工藝的次數(shù)，簡(jiǎn)化了陣列基板工藝，降低了成本，能夠?qū)崿F(xiàn)陣列基板工藝的廣泛使用。

附圖說(shuō)明

附圖用來(lái)提供對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說(shuō)明書(shū)的一部分，與本申請(qǐng)的實(shí)施例一起用于解釋本發(fā)明的技術(shù)方案，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案的限制。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的一個(gè)結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的另一結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法的流程圖；

圖4(a)為本發(fā)明實(shí)施例二中所述陣列基板的制作方法示意圖一；

圖4(b)為本發(fā)明實(shí)施例二中所述陣列基板的制作方法示意圖二；

圖4(c)為本發(fā)明實(shí)施例二中所述陣列基板的制作方法示意圖三；

圖4(d)為本發(fā)明實(shí)施例二中所述陣列基板的制作方法示意圖四；

圖4(e)為本發(fā)明實(shí)施例二中所述陣列基板的制作方法示意圖五；

圖4(f)為本發(fā)明實(shí)施例二中所述陣列基板的制作方法示意圖六；

圖4(g)為本發(fā)明實(shí)施例二中所述陣列基板的制作方法示意圖七；

圖4(h)為本發(fā)明實(shí)施例二中所述陣列基板的制作方法示意圖八；

圖4(i)為本發(fā)明實(shí)施例二中所述陣列基板的制作方法示意圖九；

圖4(j)為本發(fā)明實(shí)施例二中所述陣列基板的制作方法示意圖十。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，下文中將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。需要說(shuō)明的是，在不沖突的情況下，本申請(qǐng)中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互任意組合。

在附圖的流程圖示出的步驟可以在諸如一組計(jì)算機(jī)可執(zhí)行指令的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中執(zhí)行。并且，雖然在流程圖中示出了邏輯順序，但是在某些情況下，可以以不同于此處的順序執(zhí)行所示出或描述的步驟。

實(shí)施例一

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的一個(gè)結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例中提供的陣列基板，包括：基板10、依次設(shè)置在基板上的組合層和陣列結(jié)構(gòu)層30，其中，組合層包括作為遮光層的第一膜層21、第二膜層22和第三膜層23。

具體的，基板10可以為玻璃基板或塑料基板，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不作任何限定。

具體的，第一膜層21設(shè)置在基板10上并覆蓋整個(gè)基板，第二膜層22設(shè)置在第一膜層21上，第三膜層23設(shè)置在第二膜層22上，第二膜層22和第三膜層23形成遮光圖案，遮光圖案在基板上的投影大于或等于陣列結(jié)構(gòu)層30的溝道區(qū)域。其中，第一膜層21覆蓋整個(gè)基板10，作為緩沖層。

第一膜層的材料可以為結(jié)構(gòu)均勻致密的氮化硅sinx薄膜、氧化硅siox薄膜或氮化硅和氧化硅的復(fù)合薄膜，第三膜層的材料也可以為結(jié)構(gòu)均勻致密的氮化硅sinx薄膜、氧化硅siox薄膜或氮化硅和氧化硅的復(fù)合薄膜。本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不作任何限定。

另外，本發(fā)明實(shí)施例中的第二膜層的材料為非晶硅。其中，非晶硅能夠與氮化硅薄膜或氧化硅薄膜組合，一起起到遮光的效果。

另外，在本發(fā)明實(shí)施例中，第一膜層21的厚度為500-1500埃，所述第二膜層22的厚度500-1500埃，所述第三膜層23的厚度為1000-3000埃，本發(fā)明中也不具體限定第一膜層、第二膜層和第三膜層的厚度，可以根據(jù)實(shí)際需求來(lái)設(shè)置第一膜層、第二膜層和第三膜層的厚度。

為了保證組合層可以具有最優(yōu)的遮光效果，以第一膜層為氧化硅siox薄膜，第三膜層為氮化硅sinx薄膜為例，本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)光學(xué)模擬軟件，對(duì)比了不同厚度的組合層的遮光效果，表1為各組合層透光率對(duì)比表。

其中，表1中的1000/900/2000指的是第一膜層的厚度為1000埃，第二膜層的厚度為900埃，第三膜層的厚度為2000埃，其他的厚度1000/800/2000等的含義以此類推，在此不再贅述。表1中的420～480指的是陣列基板對(duì)應(yīng)的背光源發(fā)射的光的波長(zhǎng)范圍為420～480納米，其他的波長(zhǎng)的含義在此不在贅述，表1中的百分?jǐn)?shù)例如1.9％具體指的是當(dāng)?shù)谝荒拥暮穸葹?000埃，第二膜層的厚度為900埃，第三膜層的厚度為2000埃，且背光源的波長(zhǎng)范圍420-480納米時(shí)組合層的透光率。

根據(jù)表1記載的數(shù)據(jù)可知，當(dāng)組合層中第一膜層的厚度為1000埃，第二膜層的厚度為900埃，第三膜層的厚度為2000埃時(shí)，不管背光源發(fā)射的波長(zhǎng)范圍為多少，此時(shí)的組合層的透過(guò)率比其他厚度的組合層的透光率率均要低，即此時(shí)組合層的遮光效果最好。

在本發(fā)明實(shí)施例中，優(yōu)選地，第一膜層21的厚度為1000埃，第二膜層22的厚度900埃，第三膜層23的厚度為2000埃。

本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)在基板上設(shè)置包括作為遮光層的第一膜層、第二膜層和第三膜層的組合層，不僅能夠?qū)崿F(xiàn)遮光，而且能夠用于防止基板內(nèi)的物質(zhì)在后續(xù)工藝中擴(kuò)散，提高該基板與上下層結(jié)構(gòu)之間的連接強(qiáng)度。實(shí)際上，本發(fā)明實(shí)施例設(shè)置的組合層不僅起到了遮光的作用，還起到了緩沖的作用。

表1

本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板包括：基板、依次設(shè)置在所述基板上的組合層和陣列結(jié)構(gòu)層；其中，組合層包括作為遮光層的第一膜層、第二膜層和第三膜層，不僅提供了一種由三個(gè)膜層組合形成的遮光層，而且與現(xiàn)有技術(shù)相比，還減少了對(duì)遮光層的一次掩模工藝，減少了陣列基板制作過(guò)程中的掩模工藝的次數(shù)，簡(jiǎn)化了陣列基板工藝，降低了成本，能夠?qū)崿F(xiàn)陣列基板工藝的廣泛使用。

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的另一結(jié)構(gòu)示意圖，結(jié)合圖2，下面具體描述本發(fā)明實(shí)施例一提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)，如圖2所示，陣列結(jié)構(gòu)層包括：有源層31、柵絕緣層32、柵金屬層33、層間介電層34、源漏電極35、鈍化層36和像素電極37。

其中，有源層31為多晶硅層，形成在組合層之上。具體的第二膜層和第三膜層形成的遮光圖案在基板上的投影大于或等于所述陣列結(jié)構(gòu)層的溝道區(qū)域

柵絕緣層32形成在有源層31之上并覆蓋整個(gè)基板10，可以為氧化硅層、氮化硅層或由氧化硅和氮化硅所組成的復(fù)合絕緣層等，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不作任何限定。

柵金屬層33可以為鋁層、鎢層、鉻層或其他金屬化合物導(dǎo)電層等，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不作任何限定。

層間介電層34，形成在柵金屬層33之上并覆蓋整個(gè)基板10，在層間介電層34和柵絕緣層32上形成貫通至有源層的源極過(guò)孔和漏極過(guò)孔。層間介電層34用于起到保護(hù)柵金屬層、并隔離柵金屬層33和后續(xù)源漏金屬層的目的；其中，所述層間介電層34可由氧化硅、氮化硅等材料制備而成，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不作任何限定。

源漏電極35形成在層間介電層34，并通過(guò)所述源極過(guò)孔、漏極過(guò)孔內(nèi)與有源層連接。

鈍化層36形成在所述源漏電極35上并覆蓋整個(gè)基板10，在鈍化層36上形成貫通至源漏電極的鈍化層過(guò)孔。鈍化層36以起到保護(hù)源漏電極、并隔離所述源漏電極和后續(xù)像素電極的目的，其中，所述鈍化層可由可由氧化硅、氮化硅等材料制備而成，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不作任何限定。

像素電極37形成在鈍化層36上，并通過(guò)鈍化層過(guò)孔與所述源漏金屬層中的漏極電連接，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不再進(jìn)行贅述。

實(shí)施例二

基于前述實(shí)施例的發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明還提供了一種陣列基板的制作方法，圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法的流程圖，所述陣列基板的制作方法具體包括以下步驟：

步驟100、在基板上形成組合層。

具體地，基板可以為玻璃基板或塑料基板，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不作任何限定；進(jìn)一步地，在形成組合層之前，可對(duì)基板進(jìn)行預(yù)清洗操作。

所述組合層包括作為遮光層的第一膜層、第二膜層和第三膜層。

具體的，第一膜層設(shè)置在基板上并覆蓋整個(gè)基板，第二膜層設(shè)置在第一膜層上，第三膜層設(shè)置在第二膜層上，第二膜層和第三膜層形成遮光圖案，遮光圖案在基板上的投影大于或等于陣列結(jié)構(gòu)層的溝道區(qū)域。其中，第一膜層覆蓋整個(gè)基板，作為緩沖層。

第一膜層的材料可以為結(jié)構(gòu)均勻致密的氮化硅sinx薄膜、氧化硅siox薄膜或氮化硅和氧化硅的復(fù)合薄膜，第三膜層的材料也可以為結(jié)構(gòu)均勻致密的氮化硅sinx薄膜、氧化硅siox薄膜或氮化硅和氧化硅的復(fù)合薄膜。本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不作任何限定。

另外，本發(fā)明實(shí)施例中的第二膜層的材料為非晶硅。其中，非晶硅能夠與氮化硅薄膜或氧化硅薄膜組合，一起起到遮光的效果。

另外，所述第一膜層的厚度為500-1500埃，所述第二膜層的厚度500-1500埃，所述第三膜層的厚度為1000-3000埃，本發(fā)明中也不具體限制第一膜層、第二膜層和第三膜層的厚度，可以根據(jù)實(shí)際需求來(lái)設(shè)置第一膜層、第二膜層和第三膜層的厚度。

在本發(fā)明實(shí)施例中，優(yōu)選地，第一膜層21的厚度為1000埃，第二膜層22的厚度900埃，第三膜層23的厚度為2000埃。

本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)在基板上設(shè)置組合層，不僅能夠?qū)崿F(xiàn)遮光，而且能夠用于防止基板內(nèi)的物質(zhì)在后續(xù)工藝中擴(kuò)散，提高該基板與上下層結(jié)構(gòu)之間的連接強(qiáng)度?？梢岳斫獾氖牵诨迳铣练e組合層，可使后期制備的晶硅層均勻，且可一批生產(chǎn)，進(jìn)而提高生產(chǎn)效率。實(shí)際上，本發(fā)明實(shí)施例設(shè)置的組合層不僅起到了遮光的作用，還起到了緩沖的作用。

步驟200、在形成有組合層的基板上形成陣列結(jié)構(gòu)層。

其中，陣列結(jié)構(gòu)層包括：有源層、柵絕緣層、柵金屬層、層間介電層、源漏電極、鈍化層和像素電極。

本發(fā)明提供一種陣列基板的制作方法，其中，在基板上形成組合層，其中，所述組合層包括作為遮光層的第一膜層、第二膜層和第三膜層；在組合層上形成陣列結(jié)構(gòu)層。本發(fā)明的技術(shù)方案不僅提供了一種由三個(gè)膜層組合形成的遮光層，而且與現(xiàn)有技術(shù)相比，還減少了對(duì)遮光層的一次掩模工藝，減少了陣列基板制作過(guò)程中的掩模工藝的次數(shù)，簡(jiǎn)化了陣列基板工藝，降低了成本，能夠?qū)崿F(xiàn)陣列基板工藝的廣泛使用。

下面結(jié)合圖4(a)-圖4(j)，進(jìn)一步地具體描述本發(fā)明實(shí)施例二提供的陣列基板的制作方法，步驟100具體包括以下步驟：

步驟101、在基板10上依次沉積第一薄膜210、第二薄膜220和第三薄膜230，具體如圖4(a)所示。

具體的，采用化學(xué)氣相沉積(chemicalvapordeposition，簡(jiǎn)稱cvd)方法在基板上依次沉積第一薄膜、第二薄膜和第三薄膜。

具體的，第一薄膜可以為結(jié)構(gòu)均勻致密的氮化硅sinx薄膜、氧化硅siox薄膜或氮化硅和氧化硅的復(fù)合薄膜。第三薄膜可以為結(jié)構(gòu)均勻致密的氮化硅sinx薄膜、氧化硅siox薄膜或氮化硅和氧化硅的復(fù)合薄膜。第二薄膜為非晶硅薄膜。其中，非晶硅能夠與氮化硅薄膜或氧化硅薄膜組合，一起起到遮光的效果。

步驟102、通過(guò)構(gòu)圖工藝使第二薄膜220和第三薄膜230形成遮光圖案，具體如圖4(b)所示。

本實(shí)施例中，通過(guò)對(duì)第二薄膜和第三薄膜進(jìn)行處理，使得組合層包括第一膜層21、第二膜層22和第三膜層23。

其中，遮光圖案在基板上的投影大于或等于所述陣列結(jié)構(gòu)層的溝道區(qū)域。

在本實(shí)施例中，步驟200具體包括以下步驟：

步驟201、在組合層上沉積非晶硅層，對(duì)非晶硅層進(jìn)行準(zhǔn)分子激光退火處理，使非晶硅層晶化為多晶硅層，通過(guò)包括光刻膠涂覆、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等工藝的構(gòu)圖工藝使多晶硅層形成有源層31，如圖4(c)所示。

其中，所述有源層31的溝道區(qū)域小于等于遮光圖案在基板上的投影。

具體的，在本實(shí)施例中，有源層31為多晶硅層，采用化學(xué)氣相沉積(chemicalvapordeposition，簡(jiǎn)稱cvd)方法在組合層上沉積非晶硅層，采用準(zhǔn)分子激光退火或者固相結(jié)晶等方法將非晶硅晶化為多晶硅，之后在通過(guò)構(gòu)圖工藝形成所需的多晶硅圖案。

步驟202、在有源層31上形成柵絕緣層32并覆蓋整個(gè)基板，具體如圖4(d)所示。

具體的，柵絕緣層32與所述有源層31和所述第一膜層21接觸。本發(fā)明實(shí)施例采用cvd等方法在有源層上沉積柵絕緣層32，進(jìn)一步地，柵絕緣層可以為氧化硅層、氮化硅層或由氧化硅和氮化硅所組成的復(fù)合絕緣層等，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不作任何限定。

步驟203、在柵絕緣層32上形成柵金屬層33，具體如圖4(e)所示。

具體的，柵金屬層33包括柵極、柵線和公共電極的圖案，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不作贅述；并且，在柵絕緣層上形成柵金屬層時(shí)，采用物理氣相沉積等方法在柵絕緣層32上形成以金屬層，并通過(guò)包括光刻膠涂覆、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等工藝的構(gòu)圖工藝在柵極絕緣層上一次形成柵極、柵線與公共電極線的柵絕緣層圖案。

進(jìn)一步地，所述金屬層可以為鋁層、鎢層、鉻層或其他金屬及金屬化合物導(dǎo)電層等，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不作任何限定。

步驟204、在柵金屬層33上形成層間介電層34并覆蓋整個(gè)基板，具體如圖4(f)所示。

具體的，可采用cvd等方法在柵金屬層33上沉積層間介電層34，以起到保護(hù)柵金屬層33、并隔離柵金屬層33和后續(xù)源漏電極的目的；其中，所述層間介電層34可由氧化硅、氮化硅等材料制備而成，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不作任何限定。

步驟205、通過(guò)包括光刻膠涂覆、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等工藝的構(gòu)圖工藝，在層間介電層34及所述柵絕緣層32之內(nèi)形成貫通至所述有源層的源極過(guò)孔和漏極過(guò)孔，具體可如圖4(g)所示。

步驟206、在柵金屬層33形成源漏電極35，源漏電極35通過(guò)所述源極過(guò)孔、漏極過(guò)孔內(nèi)與有源層連接，具體可如圖4(h)所示。

具體的，在步驟206中，可在具備源極過(guò)孔以及漏極過(guò)孔的層間介電層34表面沉積一導(dǎo)電材料，并通過(guò)包括光刻膠涂覆、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等工藝的構(gòu)圖工藝來(lái)形成源漏電極。

其中，導(dǎo)電材料可以為鋁、鎢、鉻或其他金屬及金屬化合物等，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不作任何限定。

步驟207、在源漏電極35上形成鈍化層36，具體可如圖4(i)所示。

具體的，可采用cvd等方法在源漏電極35上沉積鈍化層36，并形成鈍化層過(guò)孔。鈍化層36以起到保護(hù)源漏電極35、并隔離源漏電極35和后續(xù)像素電極的目的；其中，所述鈍化層36可由氧化硅、氮化硅等材料制備而成，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不作任何限定。

步驟208、在鈍化層36上形成像素電極37，像素電極37通過(guò)鈍化層過(guò)孔與源漏電極中的漏極電連接，具體可如圖4(j)所示。

具體的，可采用cvd等方法在鈍化層36上沉積一透明導(dǎo)電材料層，并通過(guò)包括光刻膠涂覆、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等工藝的構(gòu)圖工藝來(lái)來(lái)得到像素電極37。

實(shí)施例三

基于前述實(shí)施例的發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例三提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置可以為液晶顯示(liquidcrystaldisplay，簡(jiǎn)稱lcd)面板、電子紙、有機(jī)發(fā)光二極管(organiclight-emittingdiode，簡(jiǎn)稱oled)面板、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)比并不做任何限定。具體的，所述顯示裝置包括本發(fā)明實(shí)施例一所述的陣列基板，本發(fā)明實(shí)施例三對(duì)此不再贅述。

需要說(shuō)明的是，本發(fā)明實(shí)施例中所述的顯示裝置可以為扭曲向列(twistednematic，簡(jiǎn)稱tn)模式、垂直(verticalalignment，簡(jiǎn)稱va)模式、平面轉(zhuǎn)換技術(shù)(in-planeswitching，簡(jiǎn)稱ips)模式或高級(jí)超維廠轉(zhuǎn)換技術(shù)(advancesuperdimensionswitch，簡(jiǎn)稱ads)模式，本發(fā)明對(duì)此不做任何限定。

雖然本發(fā)明所揭露的實(shí)施方式如上，但所述的內(nèi)容僅為便于理解本發(fā)明而采用的實(shí)施方式，并非用以限定本發(fā)明。任何本發(fā)明所屬領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明所揭露的精神和范圍的前提下，可以在實(shí)施的形式及細(xì)節(jié)上進(jìn)行任何的修改與變化，但本發(fā)明的專利保護(hù)范圍，仍須以所附的權(quán)利要求書(shū)所界定的范圍為準(zhǔn)。