技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的制作方法、半導(dǎo)體器件及電子裝置，該制作方法包括：提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成有具有第一厚度的第一介電層，在第一介電層中形成有具有第一寬度的第一開口；在第一開口的兩個(gè)側(cè)壁上形成間隙壁；在第一開口中的半導(dǎo)體襯底上形成具有第二厚度的第二介電層；去除所述第一開口側(cè)壁上的間隙壁，形成兩個(gè)具有第二寬度的第二開口；步驟在所述第二開口中的半導(dǎo)體襯底上形成具有第三厚度的第三介電層；其中，所述第一寬度大于所述第二寬度，所述第一厚度、第二厚度大于所述第三厚度。該制作方法可以形成小尺寸的隧穿氧化層，且無需使用更先進(jìn)的光刻工藝以及設(shè)備。該半導(dǎo)體器件和電子裝置具有成本較低的優(yōu)點(diǎn)。

技術(shù)研發(fā)人員：黃鵬;李俊;代洪剛;顧官官
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.01.12
技術(shù)公布日：2017.07.21