1.一種處理基板的方法，所述方法包括下述步驟：
提供所述基板至處理腔室，其中所述基板包括一特征，所述特征形成于所述基板的介電層的第一表面中；
將所述基板暴露于等離子體，以在所述介電層頂上與所述特征內(nèi)形成鎢阻擋層，所述等離子體由包括金屬有機(jī)鎢前驅(qū)物的第一氣體形成，其中形成所述鎢阻擋層期間的所述處理腔室的溫度低于約225攝氏度；以及
于所述鎢阻擋層上沉積鎢填充層，以填充所述特征至所述第一表面。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述特征具有大于約5:1的深度對(duì)寬度的深寬比。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一氣體進(jìn)一步包括含氫氣體。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中所述含氫氣體是H2或NH3。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一氣體進(jìn)一步包括載氣。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中所述載氣是氬氣、氦氣或氮?dú)狻?/p>
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中所述載氣的流速為約300sccm至約600sccm。
8.如權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的方法，其中所述處理腔室處于約5托至約20托的壓力。
9.如權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的方法，其中所述金屬有機(jī)鎢前驅(qū)物是W(CO)6、CpW(CO)2NO、EtCpW(CO)2NO、Cp*W(CO)3NO、Cp2WH2、C4H9CNW(CO)5、(C5H11CN)W(CO)5、W(C3H5)4、W(C3H4CH3)4、W(C4H6)3、W(C4H6)2(CO)2或W(C4H6)(CO)4中的一個(gè)。
10.如權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的方法，其中所述鎢阻擋層具有約15埃至約40埃的厚度。
11.如權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的方法，進(jìn)一步包括：在沉積所述鎢阻擋層之前沉積鎢種晶層于所述基板頂上和所述特征內(nèi)。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述鎢種晶層具有低于約2個(gè)單層鎢的厚度。
13.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述鎢種晶層通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積工藝形成。
14.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述鎢種晶層通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積工藝采用鎢前驅(qū)物而形成，所述鎢前驅(qū)物包括W(CO)6、CpW(CO)2NO、EtCpW(CO)2NO、Cp*W(CO)3NO、Cp2WH2、C4H9CNW(CO)5、(C5H11CN)W(CO)5、W(C3H5)4、W(C3H4CH3)4、W(C4H6)3、W(C4H6)2(CO)2或W(C4H6)(CO)4中的一個(gè)。
15.一種計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，所述計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)上儲(chǔ)存有多個(gè)指令，當(dāng)執(zhí)行所述指令時(shí)，會(huì)引發(fā)一種處理基板的方法，所述方法包括權(quán)利要求1至14的任一項(xiàng)所述的方法。