本公開內(nèi)容的實施方式一般涉及用于光刻圖案化的設(shè)備與方法，且更具體地，涉及用于遭受偏移與定位誤差的大型基板的光刻圖案化的設(shè)備與方法。

背景技術(shù)：

大面積基板通常用于制造液晶顯示器(LCD)。LCD或平板顯示器通常用于有源矩陣顯示器，例如電腦、觸控面板器件、個人數(shù)字助理(PDA)、手機、電視監(jiān)視器等。通常，平板顯示器可包括形成像素的液晶材料層，液晶材料層夾于兩個板之間。當(dāng)來自電源的電力施加跨越液晶材料時，通過液晶材料的光的量可在促成影像產(chǎn)生的像素位置處受到控制。

光刻技術(shù)通常用于產(chǎn)生被并入作為形成像素的液晶材料層的部分的電性特征。根據(jù)此技術(shù)，感光光刻膠通常施加至基板的至少一個表面。然后，光刻掩?；驁D案產(chǎn)生器利用光來曝光作為圖案的部分的感光光刻膠的選擇區(qū)域，以導(dǎo)致選擇區(qū)域中的光刻膠的化學(xué)變化，以制備這些選擇區(qū)域來用于隨后的材料移除和/或材料添加處理，以產(chǎn)生電性特征?；迳献鳛槠桨屣@示器的部分的電性特征的準(zhǔn)確放置有助于決定平板顯示器所產(chǎn)生的結(jié)果影像的品質(zhì)，因為電性互連所形成的像素的均勻分布對于正確地再現(xiàn)使用者所觀看的影像是所期望的。

隨著平板顯示器產(chǎn)業(yè)中基板的尺寸在每個后續(xù)世代中不斷持續(xù)地增大，使用光刻掩模來準(zhǔn)確放置圖案橫跨基板的更大距離已經(jīng)變成越來越有挑戰(zhàn)性，因為光刻掩模與基板兩者在操作期間發(fā)生扭曲往往會導(dǎo)致圖案放置誤差。另外，針對大型基板，偏移的小改變可能導(dǎo)致平板的邊緣實質(zhì)上的位置誤差。還是針對大型基板，傳統(tǒng)上支撐大型基板的X-Y工作臺的機械準(zhǔn)確度可能不足以控制圖案放置誤差。因此，需要新的設(shè)備與方法，來準(zhǔn)確且成本有效地產(chǎn)生圖案于大型基板上。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明公開的實施方式包括在寫入大型基板時運用偏移修正的多光束圖案產(chǎn)生器以及相關(guān)方法。多光束圖案產(chǎn)生器可包括空間光調(diào)制器(SLM,spatial light modulator)，空間光調(diào)制器具有分別可控制的反射鏡以將光反射至基板上，以寫入圖案。圖案可在寫入周期中寫入，其中基板移動至寫入周期區(qū)域位置。通過在作用位置中的SLM的反射鏡，SLM將光反射至基板上，以寫入圖案于基板上。通過確定在每一個寫入周期中基板相對于SLM的位置與偏移，SLM的一些反射鏡可數(shù)字地被控制到非作用位置或作用位置，以補償基板的偏移。以此方式，利用偏移補償，在基板上寫入的圖案可準(zhǔn)確地寫入。

在一個實施方式中，公開了圖案產(chǎn)生器。圖案產(chǎn)生器可包括工作臺，所述工作臺經(jīng)配置以支撐基板，并且針對多個寫入周期的每一個寫入周期，相對于SLM移動基板至不同的寫入周期區(qū)域位置。圖案產(chǎn)生器還可包括光源，所述光源經(jīng)配置以發(fā)射光。圖案產(chǎn)生器還可包括SLM。SLM的每一個反射鏡被配置成在寫入周期期間分別地、數(shù)字地受到控制而從非作用位置至作用位置，以反射光的相應(yīng)部分至基板。圖案產(chǎn)生器還可包括計算機處理器，所述計算機處理器經(jīng)配置以接收圖案資料，并且識別在多個寫入周期的每一個寫入周期期間是否SLM的反射鏡受致動至作用位置，所述圖案資料包括圖案的多邊形的配置。計算機處理器經(jīng)配置以通過數(shù)字地控制SLM的相應(yīng)反射鏡至作用或非作用位置，而補償多個寫入周期的每一個寫入周期中的基板的偏移。以此方式，利用減小的與偏移相關(guān)的圖案放置誤差，可完成基板上圖案的準(zhǔn)確放置。

在另一個實施方式中，公開了運用多光束圖案產(chǎn)生器來寫入圖案的方法。所述方法可包括下述步驟：通過確定和數(shù)字地控制SLM的反射鏡的相應(yīng)的一些反射鏡至作用位置或非作用位置，利用光的光束在寫入周期期間寫入在寫入周期區(qū)域位置內(nèi)的圖案的部分至基板上。所述方法還可包括下述步驟：針對多個寫入周期的每一個寫入周期，相對于SLM移動基板至另一寫入周期區(qū)域位置。所述方法還可包括下述步驟：針對多個寫入周期的每一寫入周期，確定基板的偏移。數(shù)字地控制反射鏡的相應(yīng)一些反射鏡的步驟包括下述步驟：通過控制反射鏡至作用或非作用位置，來補償確定的偏移。以此方式，可最小化在大型基板上的圖案的放置誤差。

額外的特征和優(yōu)點將在以下的詳細(xì)說明中闡述，且其中部分對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說從所述描述將是顯而易見的，或者通過實施如同本發(fā)明所述的實施方式(包括下面的詳細(xì)說明、權(quán)利要求、以及附圖)而被獲知。

應(yīng)當(dāng)了解的是，上述的一般說明和下面的詳細(xì)說明兩者公開了實施方式，并且旨在提供用于理解本公開內(nèi)容的本質(zhì)與特征的概述或框架。附圖用來提供進(jìn)一步的理解，并且被并入至本說明書中且構(gòu)成本說明書的一部分。附圖示出了各種實施方式，并且與說明書一起用來解釋所公開的概念的原理和操作。

附圖說明

因此，以上簡要總結(jié)的本發(fā)明的上述特征可被詳細(xì)的理解的方式、對本發(fā)明更加特定的描述可以通過參考實施方式獲得，所述實施方式中的一些示出于附圖之中。然而，值得注意的是，所述附圖僅示出了本發(fā)明的典型的實施方式，而由于本發(fā)明可允許其它等效的實施方式，所述附圖因此并不會被視為對本發(fā)明范圍的限制。

圖1A為示例性多光束圖案產(chǎn)生器的空間光調(diào)制器(SLM)的一部分的示意性頂視圖，SLM的一部分在第一寫入周期中寫入多邊形的角落于基板上，其中寫入角落的SLM的已致動的反射鏡被識別出；

圖1B為圖1A中的空間光調(diào)制器(SLM)的另一部分的示意性頂視圖，SLM的另一部分在隨后的寫入周期中寫入多邊形的角落于基板上，其中基板受到偏移；

圖1C為圖1A圖和圖1B的多光束圖案產(chǎn)生器的頂部透視示意圖，示出了激光干涉儀的示例性配置，激光干涉儀確定支撐基板的工作臺的位置變化，基板顯示出圖1B的偏移；

圖1D為圖1C的多光束圖案產(chǎn)生器的示例性實施方式的頂部透視圖；

圖2為圖1A至圖1C的SLM的頂部示意圖，示出了SLM的反射鏡的作用位置與非作用位置；

圖3為圖1A至圖1C的激光干涉儀的配置的部分頂部示意圖，激光干涉儀測量支撐基板的工作臺的位置變化，其中激光干涉儀的配置測量在矩形基板的對角線的相對側(cè)邊上的角落的位置變化；

圖4為利用圖1A至圖1C的多光束圖案產(chǎn)生器來寫入圖案于基板上的示例性工藝流程圖；

圖5為激光干涉儀的配置的另一個實施方式的部分頂部示意圖，激光干涉儀與圖1A至圖1C的多光束圖案產(chǎn)生器相適應(yīng)，其中在具有矩形形狀的工作臺的四側(cè)的每一側(cè)處的至少兩個激光干涉儀測量工作臺位置的變化，包括工作臺的偏移；以及

圖6為激光干涉儀的配置的另一個實施方式的部分頂部示意圖，激光干涉儀直接測量基板的位置變化(包括偏移)，并且激光干涉儀與圖1A至圖1C的圖案產(chǎn)生器相適應(yīng)。

為了促進(jìn)了解，已在盡可能的情況下使用相同的參考數(shù)字來指示這些附圖中共通的相同元件。可以考慮到的是，一個實施方式的元件和特征可有利地整合于其它實施方式中，而無需贅述。

具體實施方式

現(xiàn)在將參考實施方式詳細(xì)介紹本發(fā)明，實施方式的范例示出在附圖中，其中示出了一些但并非全部的實施方式。實際上，可用許多不同形式來實施所述概念，并且不應(yīng)解釋為是對本發(fā)明的限制；相反，提供這些實施方式，以使得本公開內(nèi)容將滿足可利用性的法定要求。盡可能的，相似的參考數(shù)字將用以指示相似的部件或部分。

本發(fā)明公開的實施方式包括在寫入大型基板時運用偏移修正的多光束圖案產(chǎn)生器和相關(guān)方法。多光束圖案產(chǎn)生器可包括空間光調(diào)制器(SLM)，空間光調(diào)制器具有分別地可控制的反射鏡以將光反射至基板上，以寫入圖案。圖案可在寫入周期中寫入，其中基板被移動至寫入周期區(qū)域位置。通過在作用位置中的SLM的反射鏡，SLM將光反射至基板上，以寫入圖案于基板上。通過確定在每一寫入周期中基板相對于SLM的位置與偏移，SLM的一些反射鏡可數(shù)字地受控制至非作用位置或作用位置，以補償基板的偏移。以此方式，利用補償偏移，寫入在基板上的圖案可準(zhǔn)確地寫入。

作為在詳細(xì)討論特征之前的介紹性背景，圖1A至圖1C為示例性圖案產(chǎn)生器14的示意圖，圖案產(chǎn)生器14寫入圖案15于基板16上。基板16可包括例如顯示面板、觸控面板、或者移動通過卷對卷系統(tǒng)(roll-to roll system)的連續(xù)式進(jìn)料卷。圖案15可在圖案產(chǎn)生器14的多個寫入周期WC中寫入，寫入周期WC以至少五(5)千赫茲的速度發(fā)生。在每一個寫入周期WC中，多個光束18(1)-18(N)的一個或多個光束可沿著多個光學(xué)路徑24(1)-24(N)平行或?qū)嵸|(zhì)上平行地行進(jìn)，以產(chǎn)生相應(yīng)的寫入周期區(qū)域位置WCZL于基板16上，光學(xué)路徑24(1)-24(N)為導(dǎo)引自圖案產(chǎn)生器14的SLM 12。SLM 12可具有與光束18(1)-18(N)的相應(yīng)的一些相關(guān)的至少一定數(shù)量“N”的反射鏡。寫入周期WC的每一個可包括停用時間與佇留時間，在停用時間中，光束18(1)-18(N)并未入射在基板16上，且在佇留時間中，一個或多個光束18(1)-18(N)可行進(jìn)通過相應(yīng)的一個或多個光學(xué)路徑24(1)-24(N)至寫入周期區(qū)域位置WCZL?；?6可相對于SLM 12以速度V_XY移動，產(chǎn)生多個寫入周期區(qū)域位置WCZL，其中每一光束18(1)-18(N)可針對每一寫入周期WC貢獻(xiàn)光子能量給基板16。寫入周期區(qū)域位置WCZL1、WCZL2、……可部分重疊，且圖案15可寫入作為在寫入周期WC期間利用光束18(1)-18(N)轉(zhuǎn)移給基板16的光子能量的積分總和。通過使用如同稍后所討論的激光干涉儀的配置來確定在每一個寫入周期WC期間基板16的偏移，反射自SLM 12的光束18(1)-18(N)在每一個寫入周期WC中可對基板16開啟或關(guān)閉，以補償偏移。以此方式，可改良在基板16上的圖案放置準(zhǔn)確性。

值得注意的是，在圖案產(chǎn)生器14的一些實施方式中，基板16可在寫入周期WC之前、期間、和之后以速度V_XY移動。因為基板16可移動至與寫入周期區(qū)域位置WCZL的相關(guān)一些相關(guān)的已確定的X,Y位置，光束18(1)-18(N)可寫入(或“快閃寫入”)與WCZL相關(guān)的圖案15的部分至基板16上?；?6的偏移可確定為來自基板16的許多測量量測的追蹤點平均，所以基板16的測量量測的時鐘頻率可為寫入周期WC的頻率的許多倍。以此方式，當(dāng)基板16持續(xù)地移動時可確定和利用偏移，以提供高效的寫入。

關(guān)于此介紹，圖1A為多光束圖案產(chǎn)生器14的SLM 12的一部分10A的示意性頂視圖，SLM 12的部分10A寫入多邊形19的角落35作為圖案15的部分。在示例性寫入周期WC1中，多邊形19可在基板16上的寫入周期區(qū)域位置WCZL1內(nèi)。至少一個光源26A、26B可配置以朝向SLM 12的反射鏡28(1)-28(N)發(fā)射光34。反射鏡28(1)-28(N)可分別地受到控制，以反射光34作為光束18(1)-18(N)的相應(yīng)的一些，而沿著光學(xué)路徑24(1)-24(N)行進(jìn)至基板16?；蛘撸瓷溏R28(1)-28(N)可分別地受到控制，以反射光34遠(yuǎn)離基板16。

圖1B為SLM 12的另一部分10B的示意性頂視圖，在示例性寫入周期WC2中，SLM 12的另一部分10B寫入在隨后的寫入周期區(qū)域位置WCZL2內(nèi)的多邊形19的角落35于基板16上。如同圖1B圖所示出的，偏移(偏移為基板16繞著樞轉(zhuǎn)點的轉(zhuǎn)動)已經(jīng)發(fā)生于寫入周期WC1與寫入周期WC2的開始之間。此偏移可通過從樞轉(zhuǎn)點P1至角落35的向量A1的差角1(Δθ1)的改變來表示，樞轉(zhuǎn)點P1以速度V_XY移動。若基板16僅以速度Vxy在X方向和/或y方向中橫移，則沒有偏移，但是因為偏移已經(jīng)發(fā)生，可提供偏移補償來確?；?6上的準(zhǔn)確圖案放置。偏移補償示出在圖1B中為有補償?shù)南袼?5A與無補償?shù)南袼?5B，有補償?shù)南袼?5A與無補償?shù)南袼?5B分別導(dǎo)致匯聚在圖案15的角落35處的鋸齒線36A、36B。相反地，圖1A不包括利用向量A1的偏移，且所以圖1A中出現(xiàn)的直線27A、27B匯聚在角落35處。

參照圖1C，現(xiàn)在將討論圖案產(chǎn)生器14所寫入的圖案15與圖案產(chǎn)生器14的部件。圖案15可包括至少一多邊形19，多邊形19可相關(guān)于平板顯示器的電路?；?6可包括表面20，表面20應(yīng)用有光刻膠22，光刻膠22可對于光束18(1)-18(N)為敏感的。每一光束18(1)-18(N)可作用為寫入像素，當(dāng)入射于基板16上時，可導(dǎo)致基板16的光刻膠22局部地在入射位置處產(chǎn)生光刻膠22的化學(xué)變化。在此方面，相較于從光束18(1)-18(N)接收不同的入射光子能量的光刻膠22的其它位置，此入射位置可為化學(xué)上不同的。在所有寫入周期之后，光刻膠22上的光束18(1)-18(N)的累積曝光可完成圖案15的寫入。傳統(tǒng)光刻技術(shù)(也被稱為“工藝”)可進(jìn)而用于從圖案產(chǎn)生器14所寫入的光刻膠22的化學(xué)變化來進(jìn)一步顯影圖案15。在光刻“工藝”的替代方案中，“顯影”可用于使用化學(xué)方法(例如，照相底片處理(photographic film process))來進(jìn)一步產(chǎn)生圖案15。

準(zhǔn)確控制光束18(1)-18(N)至基板16的光刻膠22上的位置可使得圖案15能夠具有圖案放置準(zhǔn)確性地產(chǎn)生在基板16上。在此方面，當(dāng)曝光光刻膠22時，圖案產(chǎn)生器14可相對于SLM 12以速度V_XY移動基板16，以將要被寫入的光刻膠22的區(qū)域帶至光束18(1)-18(N)所行進(jìn)的SLM 12的光學(xué)路徑24(1)-24(N)內(nèi)。因為基板16可相對于SLM 12移動，光束18(1)-18(N)可反射至在寫入周期區(qū)域位置WCZL處的基板16上和可反射遠(yuǎn)離在寫入周期區(qū)域位置WCZL處的基板16，以形成光刻膠22中的圖案15，如同圖1C所示。

具體地如同圖1C與圖2所示，為了反射光束18(1)-18(N)至基板16上以及離開基板16，至少一個光源26A、26B可利用光34來照射SLM 12的反射鏡28(1)-28(N)。每一個反射鏡28(1)-28(N)具有作用位置30A與非作用位置30B。當(dāng)反射鏡28(1)-28(N)的各反射鏡由圖案產(chǎn)生器14的計算機處理器32發(fā)出信號要在作用位置30A中時，來自光源26A、26B的光34可沿著與反射鏡28(1)-28(N)的各反射鏡相關(guān)的光學(xué)路徑24(1)-24(N)反射至基板16，以“開啟”這些光學(xué)路徑24(1)-24(N)。當(dāng)反射鏡28(1)-28(N)的其它各反射鏡由計算機處理器32發(fā)出信號要在非作用位置30B中時，來自光源26A、26B的光34A、34B可通過反射鏡28(1)-28(N)的這些其它各反射鏡反射遠(yuǎn)離基板16，且借此在關(guān)閉的光學(xué)路徑24(1)-24(N)處的光刻膠22的局部區(qū)域?qū)⒉粫黄毓狻?/p>

返回參照圖1A，SLM 12可操作在連續(xù)的寫入周期中，其中反射鏡28(1)-28(N)的各反射鏡可在寫入周期WC期間被致動至作用位置30A(圖2)一段特定的時間(或佇留時期)，之后在寫入周期WC的其余時間返回至非作用位置30B(圖2)。在每一個寫入周期WC期間，代表與一個寫入周期WC相關(guān)的圖案15的一部分的對應(yīng)寫入周期區(qū)域位置WCZL可由光束18(1)-18(N)寫入(或“快閃寫入”)。寫入周期WC可為至少五(5)千赫茲?；?6可以以速度V_XY在寫入周期WC之前、期間、和之后移動。在每一個寫入周期WC的開始，計算機處理器32可確定基板16上的圖案15的至少一個多邊形19的準(zhǔn)確的所期望位置，以及可落入至少一個多邊形19內(nèi)的任何光學(xué)路徑24(1)-24(N)。若任何光學(xué)路徑24(1)-24(N)落入圖案15的至少一個多邊形內(nèi)，則反射鏡28(P1)-28(Q1)的相關(guān)的一些反射鏡可被致動至作用位置30A，以反射光束18(P1)-18(Q1)的相應(yīng)的一些光束至光學(xué)路徑24(P1)-24(Q1)的這些光學(xué)路徑中，以曝光圖案15的至少一個多邊形19。每一個多邊形19的所期望位置可通過考慮以下所討論的基板16的偏移來確定。以此方式，可用改良的圖案放置準(zhǔn)確性來寫入圖案15。

返回參照圖1B，當(dāng)基板16相對于SLM 12移動而開始隨后的寫入周期時，計算機處理器32可確定偏移已經(jīng)發(fā)生。只要給予由工作臺40所支撐的基板16的速度Vxy，偏移可從預(yù)期的位置重新定位到多邊形19的角落35。計算機處理器32可更新圖案15的多邊形19相對于SLM 12的位置，并且開啟對應(yīng)于多邊形19的偏移的相應(yīng)光學(xué)路徑24(P2)-24(Q2)。偏移的調(diào)整由圖1B中的鋸齒線36A、36B表示，鋸齒線36A、36B匯聚而形成多邊形19的角落35。偏移的調(diào)整可針對每一寫入周期由計算機處理器32“動態(tài)地”執(zhí)行，因為基板16上的圖案15的位置可相對于SLM 12的反射鏡28(1)-28(N)的光學(xué)路徑24(1)-24(N)來確定。

圖1C為多光束圖案產(chǎn)生器14的頂部透視圖，圖案產(chǎn)生器14包括SLM 12、光源26A、26B、對準(zhǔn)攝像機38、工作臺40、光學(xué)系統(tǒng)42、偏移檢測設(shè)備44、以及計算機處理器32。多光束圖案產(chǎn)生器14的這些部件的每一個的細(xì)節(jié)現(xiàn)在依次討論。

以上簡要介紹的SLM 12包括反射鏡28(1)-28(N)，反射鏡28(1)-28(N)由來自計算機處理器32的信號單獨地控制。SLM 12可為例如DLP9500型的數(shù)字反射鏡裝置(由德州達(dá)拉斯的德州儀器公司所制造)。SLM 12可具有多個反射鏡28(1)-28(N)(例如配置在1920列與1080行中)。SLM 12的反射鏡28(1)-28(N)的每一個可配置成分別可致動的(或數(shù)字受控)從非作用位置30B至作用位置30A，以反射光34的相應(yīng)別部分至基板16。當(dāng)在作用位置30A中時，反射鏡28(1)-28(N)的每一個可反射光34的一部分至基板16，且當(dāng)在非作用位置30A中時，小于此數(shù)量的百分之一(1)的光可反射至基板16。光34的光子能量可橫跨圖案15沉積，并且可至少重疊在寫入周期位置WCZL1、WCZL2之間。以此方式，圖案15的特征可從多個寫入周期確定，以減小位置誤差，因為在任何單一寫入周期中傳送至基板16的能量會與在其它寫入周期中傳送的光子能量平均。

接著，對準(zhǔn)攝像機38可包括光學(xué)傳感器(例如電荷耦合器件)，以讀取基板16上的至少一個對準(zhǔn)標(biāo)記46，將基板16登入至工作臺40和SLM 12。對準(zhǔn)攝像機38可耦接至計算機處理器32，以促進(jìn)確定基板16上的圖案15的多邊形的相對位置。在此方面，一旦基板16可經(jīng)由對準(zhǔn)攝像機38登入，則可開始寫入周期。

工作臺40可支撐基板16且相對于SLM 12移動基板16。工作臺40可包括至少一個表面31，以在z方向上支撐基板16。工作臺40可根據(jù)至少一個馬達(dá)33以速度V_XY在X方向和/或y方向上移動，以相對于SLM 12移動基板16，使得圖案15可在寫入周期期間落入反射鏡28(1)-28(N)的光學(xué)路徑24(1)-24(N)內(nèi)。工作臺40還可包括至少一個線性編碼器(未圖示)，以提供關(guān)于工作臺40在x方向和/或y方向上的位置變化的位置信息給計算機處理器32。

接下來，繼續(xù)參照圖1C，光學(xué)系統(tǒng)42可包括縮小率，以減小基板16上的光束18(1)-18(N)的大小?？s小率可為從2：1至10：1的范圍。在此方面，光學(xué)系統(tǒng)44可包括至少一個透鏡在基板16與SLM 12之間，所述至少一個透鏡包括至少一個凸表面和/或凹表面。光學(xué)系統(tǒng)44可包括高透射率的材料(例如：石英)，以用于光34的各種波長，將光束18(1)-18(N)聚焦在基板16上。在一實施方式中，當(dāng)反射鏡28(1)-28(N)在作用位置30A中時，將相鄰的光束18(1)-18(N)的光學(xué)中心彼此分隔的有效間距可為二十五(25)微米或更小。另外，反射鏡28(1)-28(N)可沿著光學(xué)路徑24(1)-24(N)的平行或?qū)嵸|(zhì)上平行的路徑朝向基板16反射光束18(1)-18(N)。當(dāng)光束18(1)-18(N)通過光學(xué)系統(tǒng)44朝向基板16時，針對縮小率為5：1的光學(xué)系統(tǒng)44，在基板16處的有效間距可為五(5)微米或更小。以此方式，相較于沒有光學(xué)系統(tǒng)42的情況來說，可用更加準(zhǔn)確的控制來產(chǎn)生更高分辨率的影像于基板16上。

圖1D為圖1C的多光束圖案產(chǎn)生器的示例性實施方式的頂部透視圖，示出了相對于工作臺40安裝的圖1C所示的寫入機構(gòu)17。寫入機構(gòu)17可包括光學(xué)系統(tǒng)42、光源26A、26B、對準(zhǔn)攝像機38、計算機處理器32、和SLM 12。以此方式，工作臺40支撐的基板16可相對于寫入機構(gòu)17移動，以寫入圖案于基板16上。

接下來，圖3示出了偏移檢測設(shè)備44(1)的部分頂部示意圖，偏移偵測設(shè)備44(1)包括激光干涉儀48A-48D，激光干涉儀48A-48D在寫入周期開始時直接測量工作臺40的位置與偏移，其中在先前的寫入周期中工作臺40的先前位置70與基板16的先前位置72以破折線示出。工作臺40可支撐基板16，并且可視為相對于彼此為不動的。激光干涉儀48A-48D可安裝在不動的位置中，并且可分別對工作臺40反射激光束74A-74D，以直接測量工作臺40的位置，包括偏移。在此方面，干涉儀48A-48B可對在工作臺40的角落78A處的工作臺40的相鄰側(cè)部76A、76B反射，且干涉儀48C-48D可對在工作臺40的角落78B處的工作臺40的相鄰側(cè)部76C、76D反射。工作臺40的角落78A、78B可橫跨工作臺40的矩形的對角線彼此相對。使用不同組合的干涉儀56A-56D來計算基板16的位置和/或偏移的差異可由計算機處理器32來解決，例如，通過平均。以此方式，可針對每一個寫入周期，確定基板16的位置與偏移。

返回參照圖1C，計算機處理器32可在一個實施方式中包括半導(dǎo)體器件、存儲器與儲存器件。計算機處理器32可接收圖案數(shù)據(jù)，圖案數(shù)據(jù)限定包括多個多邊形19的圖案15。圖案數(shù)據(jù)的格式可為例如像是GDSII或MEBES模式5格式的格式。計算機處理器32可接收圖案數(shù)據(jù)并且確定基板16上的圖案數(shù)據(jù)的多邊形19的位置，并且還確定當(dāng)SLM 12的相應(yīng)反射鏡28(1)-28(N)被致動至作用位置30A時，可用于光束18(1)-18(N)以沿著行進(jìn)至基板16的光學(xué)路徑24(1)-24(N)。一旦計算機處理器32已經(jīng)確定基板16上的光束18(1)-18(N)的光學(xué)路徑24(1)-24(N)與多邊形19的位置，則計算機處理器32可進(jìn)而確定SLM 12的哪些反射鏡要致動至作用位置30A(圖2)，以基于寫入策略規(guī)則來寫入所述寫入周期的圖案15，寫入策略規(guī)可由圖案產(chǎn)生器14的使用者調(diào)整。

計算機處理器32可使用寫入策略規(guī)則的各種實施方式來確定是否在寫入周期期間可致動SLM 12的反射鏡來寫入在基板16上。在一個實施方式中，寫入策略規(guī)則可包括：當(dāng)光學(xué)路徑24(1)-24(N)的相應(yīng)一些光學(xué)路徑定位于打算要由光束18(1)-18(N)寫入的圖案15的多邊形19之上時，致動SLM 12的反射鏡28(1)-28(N)的相應(yīng)一些反射鏡至作用位置30A。以此方式，可確定是否在寫入周期期間要致動SLM 12的反射鏡28(1)-28(N)至作用位置30A(圖2)以寫入在基板16上。

既然已經(jīng)討論過圖案產(chǎn)生器14的實施方式的部件，圖4示出了示例性工藝100的流程圖，工藝100用于利用圖案產(chǎn)生器14來寫入圖案15并且致動光束18(1)-18(N)開啟與關(guān)閉來補償基板16的偏移。圖4示出的工藝100將使用以上提供的術(shù)語與信息來描述。

工藝100可包括：通過確定和數(shù)字地控制SLM 12的反射鏡28(1)-28(N)的相應(yīng)一些反射鏡至作用位置30A或非作用位置30B，利用光34的光束18(1)-18(N)在寫入周期WC期間寫入在寫入周期區(qū)域位置WCZL內(nèi)的圖案15的部分至基板16上(圖4中的操作102A)。工藝100還可包括：針對每一個寫入周期，相對于SLM 12移動基板16(圖4中的操作102B)。工藝100還可包括：針對每一個寫入周期，測量基板16的偏移(圖4中的操作102C)。數(shù)字地控制反射鏡28(1)-28(N)的已選擇的一些反射鏡包括：補償每一個寫入周期的基板16的已測量的偏移。每一個寫入周期WC可確定多次偏移，以提供多個的偏移誤差數(shù)據(jù)給計算機處理器32以平均并分辨高頻偏移誤差和來自低頻工作臺位置振動的工作臺位置振動誤差。低頻工作臺位置振動(例如，在低于半(0.5)赫茲至兩百(200)赫茲范圍的臨界頻率的那些振動)可傳送至工作臺40的馬達(dá)33(圖1C)來修正。相反地，高頻偏移誤差與高于臨界頻率的工作臺位置振動誤差可分配至SLM 12，通過數(shù)字地控制SLM 12的相應(yīng)反射鏡28(1)-28(N)來修正。

工藝100還可包括：確定是否圖案15完全寫入(圖4中的操作102D)。若圖案15未完全寫入，則寫入可繼續(xù)。否則，若圖案15完全寫入，則工藝100可包括：從圖案產(chǎn)生器14移除基板16(圖4中的操作102E)。以此方式，可利用改良的圖案放置準(zhǔn)確性來寫入圖案15。

已經(jīng)討論了圖案產(chǎn)生器14的部件以及利用圖案產(chǎn)生器14來寫入圖案15的工藝100?，F(xiàn)在，可以有偏移檢測設(shè)備44(2)-44(3)的其它實施方式，使用激光干涉儀的不同配置來確定在每一個寫入周期時的基板16的偏移。

在此方面，圖5示出了偏移檢測設(shè)備44(2)，偏移檢測設(shè)備44(2)包括激光干涉儀50A-50H，激光干涉儀50A-50H在寫入周期的開始時測量工作臺40的位置與偏移，其中在先前的寫入周期中的工作臺40的先前位置52與基板16的先前位置53以破折線示出。工作臺40可支撐基板16，且工作臺40與基板16可視為相對于彼此為不動的。激光干涉儀50A-50H可安裝在不動的位置中，并且可分別對工作臺40反射激光束54A-54H，以測量工作臺40的位置，包括偏移。干涉儀50A-50B可于工作臺40的側(cè)部55A處反射，干涉儀50C-50D可于工作臺40的側(cè)部55B處反射，干涉儀50E-50F可于工作臺40的側(cè)部55C處反射，且干涉儀50G-50H可于工作臺40的側(cè)部55D處反射。使用不同組合的干涉儀50A-50H來計算工作臺40的位置和/或偏移的差異可由計算機處理器32來解決，例如，通過平均。以此方式，在每一個寫入周期時可確定工作臺40與支撐在工作臺40上的基板16的位置與偏移，所以相對于基板16可確定圖案15的所期望的位置。

偏移檢測設(shè)備的另一個實施方式是可能的。圖6示出了偏移檢測設(shè)備44(3)，偏移檢測設(shè)備44(3)包括激光干涉儀56A-56D，激光干涉儀56A-56D在寫入周期開始時直接測量基板16的位置與偏移，其中在先前的寫入周期中的工作臺40的先前位置58與基板16的先前位置60以破折線示出。工作臺40可支撐基板16并且可相對于彼此移動。激光干涉儀56A-56D可安裝在不動的位置中，并且可分別對基板16反射激光束62A-62D，以直接測量基板16的位置，包括偏移。在此方面，干涉儀56A-56B可對在基板16的角落66A處的基板16的相鄰側(cè)部64A、64B反射，且干涉儀56C-56D可對在基板16的角落66B處的基板16的相鄰側(cè)部64C、64D反射?；?6的角落66A、66B可橫跨具有矩形形狀的基板16的對角線彼此相對。使用不同組合的干涉儀56A-56D來計算基板16的位置和/或偏移的差異可由計算機處理器32來解決，例如，通過平均。以此方式，針對每一個寫入周期，可直接確定基板16的位置與偏移，而不會有因為基板16與工作臺40之間的相對移動所導(dǎo)致的誤差。

本領(lǐng)域技術(shù)人員將想到本發(fā)明未公開的許多修改與其它實施方式，所述實施方式具有前述描述與相關(guān)附圖呈現(xiàn)的教導(dǎo)的益處。因此，應(yīng)當(dāng)理解的是，說明書與權(quán)利要求并不限于所公開的具體實施方式，并且修改和其它實施方式意在包括在所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)。所打算的是，所述實施方式涵蓋落入所附權(quán)利要求范圍和它們的等同形式的范圍內(nèi)的實施方式的修改與變型。雖然本發(fā)明中使用了特定的術(shù)語，但是所述術(shù)語僅用于通用和描述性的理解，而非限制的目的。

雖然前述描述是針對本發(fā)明的實施方式，但是可在不脫離本發(fā)明的基本范圍的情況下，可以設(shè)計本發(fā)明的其它與進(jìn)一步實施方式，且本發(fā)明的范圍由下面的權(quán)利要求來確定。