技術(shù)編號(hào)：11891323
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開內(nèi)容的實(shí)施方式一般地涉及處理基板的方法。背景技術(shù)傳統(tǒng)的線路中段(middle-of-the-line,MOL)制造使用具有鈦(Ti)/氮化鈦(TiN)、鎢成核層和鎢填充層的堆疊。TiN被用作為氟阻擋層。鎢成核層通過例如使用二硼烷(B2H6)和六氟化鎢(WF6)的化學(xué)氣相沉積形成于TiN層頂上。相較于鎢填充層，TiN阻擋層和鎢成核層兩者都是高電阻性的。最小的TiN阻擋層厚度為至少約20埃。鎢成核層通常具有約10埃至約30埃的厚度。隨著電子器件的幾何大小持續(xù)縮小和器件密度持續(xù)增加，整體特征尺寸...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。