本發(fā)明涉及有機發(fā)光顯示裝置。更具體地說，本發(fā)明涉及一種頂部發(fā)光型有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法。

背景技術(shù)：

有機發(fā)光顯示裝置是自發(fā)光裝置，具有低功耗、快速響應(yīng)時間、高發(fā)光效率、高亮度和寬視角。

有機發(fā)光顯示裝置基于從有機發(fā)光裝置發(fā)出的光的透射方向被分類為頂部發(fā)光型和底部發(fā)光型。在底部發(fā)光型中，電路元件被布置在發(fā)光層與圖像顯示表面之間，并且由于這個原因，降低了開口率。另一方面，在頂部發(fā)光型中，電路元件不設(shè)置在發(fā)光層與圖像顯示表面之間，因此，提高了開口率。

圖1是現(xiàn)有技術(shù)的頂部發(fā)光型有機發(fā)光顯示裝置的示意性截面圖。

如圖1所述，薄膜晶體管(TFT)T包括有源層11、柵極絕緣層12、柵極13、層間電介質(zhì)14、源極15以及形成在基板10上的有源區(qū)AA中的漏極16，并且在TFT層T上順序地形成鈍化層20和平坦化層30。

陽極電極40和輔助電極50形成在平坦化層30上。輔助電極50減小下面將要描述的陰極電極80的電阻。

堤岸層60形成在陽極電極40和輔助電極50上并且限定像素區(qū)。有機發(fā)光層70形成在由堤岸層60限定的像素區(qū)中，并且陰極電極80形成在有機發(fā)光層70上。

在頂部發(fā)光型中，從有機發(fā)光層70發(fā)出的光穿過陰極電極80。因此，陰極電極80由透明的導(dǎo)電材料形成，并且陰極電極80的電阻增加。為了降低陰極電極80的電阻，陰極電極80連接到輔助電極50。

柵極絕緣層12和層間電介質(zhì)14形成在基板10上的焊盤區(qū)PA中，在層間電介質(zhì)14上形成信號焊盤90，并且在該信號焊盤90上形成鈍化層20。在鈍化層20中設(shè)置孔，并且信號焊盤90通過該孔暴露于外部。由于信號焊盤90應(yīng)該連接到外部驅(qū)動 電路，因此信號焊盤90通過在鈍化層20中形成孔而暴露于外部。

現(xiàn)有技術(shù)的頂部發(fā)光型有機發(fā)光顯示裝置具有以下問題。

由于信號焊盤90應(yīng)該連接到外部驅(qū)動電路，因此信號焊盤90的頂部暴露于外部。由于這個原因，信號焊盤90的頂部被腐蝕，并且腐蝕擴散到另外的區(qū)域。在耐腐蝕方面優(yōu)秀的金屬層可以進一步形成在信號焊盤90的頂部上，從而防止信號焊盤90的頂部被腐蝕，但在此情況下，處理的數(shù)目增加了。此外，可以通過相同的工藝在號焊盤90上形成電極層，該電極層與陽極電極40相同，從而防止信號焊盤90的頂部被腐蝕而不增加處理的數(shù)目，但是即使在這種情況下，也無法防止腐蝕通過電極層的側(cè)表面擴散。

另外，為了將信號焊盤90連接到外部驅(qū)動電路，信號焊盤90的頂部通過在鈍化層20中形成孔暴露。但是，當預(yù)先形成鈍化層20的孔時，圖案化形成(pattern-forming)陽極電極40的蝕刻劑流過孔并且損壞信號焊盤90。為了防止損壞，可以在圖案化形成陽極電極40的處理后單獨執(zhí)行形成用于暴露信號焊盤90的頂部的鈍化層20的孔的工藝，但在這種情況下，添加了單獨的掩模工藝。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

因此，本發(fā)明的目的是提供一種頂部發(fā)光型有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法，其基本上消除了由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺點引起的一個或更多個問題。

本發(fā)明的一個優(yōu)點是針對一種頂部發(fā)光型有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法，其中，附加的工藝的數(shù)量被最小化，并且防止信號焊盤腐蝕。

將在下面的描述中闡述本發(fā)明的額外的特征和優(yōu)點，并且其一部分根據(jù)描述將會變得更加清楚，或者可以通過本發(fā)明的實踐來了解。將通過在所撰寫的說明書及其權(quán)利要求以及附圖中特別指出的結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)和獲得本發(fā)明的目的和其它優(yōu)點。

為了實現(xiàn)這些和其它優(yōu)點并且根據(jù)本發(fā)明的目的，如這里具體實施和廣泛描述的，提供了一種有機發(fā)光顯示裝置，在所述有機發(fā)光顯示裝置中，陽極電極、有機發(fā)光層、陰極電極、輔助電極被布置在基板的有源區(qū)中，所述輔助電極連接到陰極電極并且被布置在與陽極電極相同的層上，信號焊盤和焊盤電極被布置在基板的焊盤區(qū)中，所述焊盤電極連接到所述信號焊盤并且覆蓋所述信號焊盤的頂部，其中，所述焊盤電極的頂部具有比所述信號焊盤的頂部更低的氧化速率。

在本發(fā)明的另一方案中，提供了一種制造有機發(fā)光顯示裝置的方法，所述方法包括以下步驟：在基板上形成源極、漏極和信號焊盤；在所述源極、所述漏極和所述信號焊盤上形成鈍化層；通過移除所述鈍化層的預(yù)定區(qū)域同時形成外部地暴露所述源極或所述漏極的接觸孔以及外部地暴露所述信號焊盤的接觸孔；形成陽極電極、輔助電極和焊盤電極，所述陽極電極連接到所述源極或所述漏極，所述輔助電極與所述陽極電極分離，所述焊盤電極連接到所述信號焊盤并且覆蓋所暴露的信號焊盤。

但是應(yīng)當理解的是，本發(fā)明的前面一般描述和以下詳細描述都是示例性和解釋性的，并且旨在對所要求保護的本發(fā)明提供進一步的解釋。

附圖說明

附圖被包括以提供對實施方式的進一步理解，附圖被合并到本申請中且構(gòu)成本申請的一部分，附圖示出了本發(fā)明的實施方式并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。在附圖中：

圖1是現(xiàn)有技術(shù)的頂部發(fā)光型有機發(fā)光顯示裝置的示意性截面圖；

圖2是根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的截面圖；

圖3是根據(jù)本發(fā)明的另一個實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的截面圖；

圖4A、圖4B、圖4C、圖4D、圖4E、圖4F、圖4G和圖4H是示出制造根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的方法的截面圖；以及

圖5A、圖5B、圖5C、圖5D、圖5E、圖5F、圖5G、圖5H和圖5I是示出制造根據(jù)本發(fā)明的另一個實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的方法的截面圖。

具體實施方式

現(xiàn)在將詳細地參考本發(fā)明的示例性實施方式，，其示例在附圖中示出。只要可能，相同的附圖標記將貫穿附圖來指代相同或相似的部分。

本發(fā)明的優(yōu)點和特征及其實施方法將通過參照附圖描述的以下實施方式加以澄清。但是，本發(fā)明可以以不同形式具體實施而不應(yīng)被解釋為限于這里闡述的實施方式。相反，提供這些實施方式使得本公開將是徹底的和完整的，并且將向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分地傳達本發(fā)明的范圍。另外，本發(fā)明僅由權(quán)利要求的范圍限定。

在附圖中公開的用于描述本發(fā)明的實施方式的形狀、尺寸、比例、角度和序號僅 是示例，并且因此，本發(fā)明不限定于圖示的細節(jié)。相似的附圖標記指代相似的元件。在以下的描述中，當相關(guān)的已知功能或構(gòu)造的詳細描述被確定為不必要地模糊本發(fā)明的重要點時，詳細的說明將被省略。在使用本說明書中描述的‘包括’、‘具有’和‘包含’的情況下，另一部分可添加，除非‘只～’被使用。單數(shù)形式的術(shù)語可包括復(fù)數(shù)形式，除非有相反指示。

在解釋元素時，雖然沒有明確的描述，但是該元素被解釋為包括誤差范圍。

在描述位置關(guān)系時，例如，當兩個部件之間的位置關(guān)系被描述為‘在～上’，‘在～上方’，‘在～下’和‘在～下面’，一個或更多個其它部件可布置在所述兩部分之間，除非使用了‘只有’或‘直接’。

在描述時間關(guān)系時，例如，當時間次序被描述為‘在～之后’，‘在～隨后’，‘在～后’，和‘在～之前’時，可以包括不連續(xù)的情況，除非使用了‘只有’或‘直接’。

應(yīng)該理解的是，雖然術(shù)語“第一”、“第二”等在這里可以用于描述各種元件，但是這些元件不應(yīng)該受這些術(shù)語的限制。這些術(shù)語僅用于彼此區(qū)分元件。例如，在不偏離本發(fā)明的范圍的情況下，第一元件可以被稱為第二元件，并且類似地，第二元件可以被稱為第一元件。

本發(fā)明的各種實施方式的特征可以是部分或整體聯(lián)接或彼此結(jié)合，并且可以如本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠充分理解的那樣進行各種彼此間操作和從技術(shù)上驅(qū)動。本發(fā)明的實施方式可以彼此獨立地進行，或者可以共同依賴關(guān)系一起進行。

在下文中，將詳細參考附圖描述本發(fā)明的示例性實施方式。

圖2是根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的截面圖。

如圖2所示，根據(jù)本發(fā)明的實施方式的有機發(fā)光顯示裝置可包括設(shè)置在基板100上的有源區(qū)AA和焊盤區(qū)PA。

薄膜晶體管(TFT)T、鈍化層165、平坦化層170、第一陽極電極180、第二陽極電極200、第一輔助電極190、第二輔助電極210、堤岸220、分隔壁230、有機發(fā)光層240和陰極電極250形成在基板100上的有源區(qū)AA中。

TFT T可以包括有源層110、柵極絕緣層120、柵極130、層間電介質(zhì)140、源極150和漏極160。

有源層110可形成在基板100上以覆蓋柵極130。有源層110可以由硅系半導(dǎo)體材料形成，或由氧化物系半導(dǎo)體材料形成。雖然未示出，但是可以在基板100與有源 層110之間進一步形成光屏蔽層，并且在這種情況下，通過基板100的底部入射的外部光由光屏蔽層阻擋，由此防止有源層110被外部光損壞。

可以在有源層110上形成柵極絕緣層120。柵極絕緣層120可以將有源層110與柵極130絕緣。柵極絕緣層120可以由無機絕緣材料形成，例如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或其多層，但不限于此。柵極絕緣層120可以延伸到焊盤區(qū)PA。

柵極130可形成在柵極絕緣層120上。柵極130可形成為與有源層110交疊，在二者之間具有柵極絕緣層120。柵極130可以以由鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)和銅(Cu)或其合金形成的單層或多層形成，但不限于此。

層間電介質(zhì)140可在柵極130上形成。層間電介質(zhì)140可以由與柵極絕緣層120相同的無機絕緣材料(例如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或其多層)形成，但是不限于此。層間電介質(zhì)140可以延伸到焊盤區(qū)PA。

源極150和漏極160可以形成為在層間電介質(zhì)140上彼此面對?？梢栽跂艠O絕緣層120和層間電介質(zhì)140中設(shè)置第一接觸孔CH1和第二接觸孔CH2，第一接觸孔CH1暴露有源區(qū)110的一端區(qū)域，第二接觸孔CH2暴露有源區(qū)110的另一端區(qū)域。源極150可以通過第二接觸孔CH2連接到有源區(qū)110的另一端區(qū)域，并且漏極160可以通過第一接觸孔CH1連接到有源區(qū)110的一端區(qū)域。

源極150可以包括下源極151和上源極152。

下源極151可以在層間電介質(zhì)140與上源極152之間形成，并且可以提高層間電介質(zhì)140與上源極152之間的粘附力。另外，下源極151保護上源極152的底部，從而防止上源極152的底部被腐蝕。因此，下源極151的氧化速率也可以比上源極152低。即，下源極151可以由耐腐蝕性比形成上源極152的材料更強的材料形成。如上所述，下源極151可以作為粘附增強層或抗腐蝕層并且可以由Mo和Ti的合金(MoTi)形成，但不限于此。

上源極152可以形成在下源極151的頂部。上源極152可以由Cu形成，但并不限于此，Cu是具有低電阻的金屬。上源極152可以由與下源極151相比電阻相對較低的金屬形成。為了降低源極150的總電阻，上源極152的厚度可以形成為比下源極151的厚度更厚。

類似于上述源極150，漏極160可以包括下漏極161和上漏極162。

下漏極161可在層間電介質(zhì)140與上漏極162之間形成。下漏極161增強層間電介質(zhì)140和上漏極162之間的粘附力，此外防止上漏極的底部162被腐蝕。因此，下漏極161的氧化速率也可以比上漏極162低。即，下漏極161可以由耐腐蝕性比形成上漏極162的材料更強的材料形成。如上所述，下漏極161可以由(與下源極151的上述材料相同的)Mo和Ti的合金(MoTi)形成，但不限于此。

上漏極162可以形成在下漏極161的頂部并且可以由Cu(其與上源極152的上述材料相同)形成，但不限于此。上漏極162的厚度可以形成為比下漏極161的厚度更厚，從而降低了漏極160的總電阻。

上漏極162可以由與上源極152相同的材料形成以具有與上源極152相同的厚度，并且，下漏極161可以由與下源極151相同的材料形成以具有與下源極151相同的厚度。在此情況下，漏極160和源極150可以通過相同的工藝同時形成。

TFT T的結(jié)構(gòu)不限于圖示的結(jié)構(gòu)，并且可以按照本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的結(jié)構(gòu)進行各種修改。例如，柵極130形成在有源層110上的頂部柵極結(jié)構(gòu)在附圖中示出，但在TFT T可以以底部柵極結(jié)構(gòu)形成，其中，柵極130形成在有源層110下。

鈍化層165可以在TFT T上形成，并且更詳細地，可以在源極150和漏極的頂部形成。鈍化層165保護TFT T。鈍化層165可以由無機絕緣材料(例如，SiOx和SiNx)形成，但不限于此。鈍化層165可以延伸到焊盤區(qū)PA。

可在鈍化層165上形成平坦化層170。平坦化層170可平坦化包括TFT T的基板100的上表面。平坦化層170可以由諸如丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、聚酰胺樹脂、聚酰亞胺樹脂或類似物的有機絕緣材料形成，但并不限于此。平坦化層170可以不延伸到焊盤區(qū)PA。

第一陽極電極180和第一輔助電極190平可以在坦化層170上形成。即，第一陽極電極180和第一輔助電極190可以形成在同一層上。暴露源極150的第三接觸孔CH3可設(shè)置在鈍化層165和平坦化層170中，并且源極150可以通過第三接觸孔CH3連接到第一陽極電極180。在一個或更多個實施方式中，第一陽極電極180與源極150連接。然而，源極150和漏極160可以基于晶體管的模式進行切換。因此，在一個或更多個實施方式中，第一陽極電極180可以與漏極160而不是源極150連接。結(jié)果，第一陽極電極180可以與源極150或漏極160連接。

第一陽極電極180可包括第一下陽極電極181和第一上陽極電極182。

第一下陽極電極181可以在平坦化層170與第一上陽極電極182之間形成并且可以增強平坦化層170與第一上陽極電極182之間的粘附力。此外，第一下陽極電極181保護第一上陽極電極182的底部，從而防止第一上陽極電極182的底部被腐蝕。因此，第一下陽極電極181的氧化速率可以比第一上陽極電極182的氧化速率更低。即，第一下陽極電極181可以由耐腐蝕性比形成第一上陽極電極182的材料更強的材料形成。此外，第一上陽極電極181保護上源極152的頂部，從而防止上源極152的頂部被腐蝕。因此，第一下陽極電極181的氧化速率也可以低于上源極152的氧化速率。即，第一下陽極電極181可以由耐腐蝕性比形成第一上陽極電極182的材料更強的材料形成。如上所述，第一下陽極電極181防止上源極152的頂部被腐蝕，并且由此，源極150可以形成在上述的雙層結(jié)構(gòu)中。第一下陽極電極181可作為粘附增強層或抗腐蝕層并且可以由Mo和Ti的合金(MoTi)形成，但不限于此。

第一上陽極電極182可以形成在下陽極電極181的頂部。第一上陽極電極182可以由Cu形成，但不限于此，所述Cu是具有低電阻的金屬。第一上陽極電極182可以由與第一下陽極電極181相比電阻相對較低的金屬形成。為了降低第一陽極電極180的總電阻，第一上陽極電極182的厚度可以形成為比第一下陽極電極181的厚度更厚。

類似于上述第一陽極電極180，第一輔助電極190可以包括第一下輔助電極191和第一上輔助電極192。

第一下輔助電極191可以在平坦化層170和第一上輔助電極192之間形成。第一下輔助電極191增強了平坦化層170與第一上輔助電極192之間的粘附力并且此外防止第一上輔助電極192的底部被腐蝕。因此，第一下輔助電極191的氧化速率也可以低于第一上輔助電極192的氧化速率。即，第一下輔助電極191可以由耐腐蝕性比形成第一上輔助電極192的材料更強的材料形成。如上所述，第一下輔助電極191可以由Mo和Ti的合金(MoTi)形成，這是與第一下陽極電極181的上述材料相同的材料，但并不限于此。

第一上輔助電極192可以形成在第一下輔助電極191的頂部并且可以由Cu(這是與第一上陽極電極182的上述材料可以形成)形成。電阻相對較低的第一上輔助電極192的厚度可以形成為比電阻相對較高的第一下輔助電極191的厚度更厚，從而降低了第一輔助電極190的總電阻。

第一上輔助電極192可由與第一上陽極電極182相同的材料形成以具有與第一上陽極電極182的厚度相同的厚度，并且第一下輔助電極191可以與第一下陽極電極181相同的材料形成以具有與第一下陽極電極181的厚度相同的厚度。在這種情況下，第一輔助電極190和第一陽極電極180可以通過相同的工藝同時形成。

第二陽極電極200可以形成在第一陽極電極180的頂部上。第二陽極電極200可形成為接觸第一陽極電極180的整個頂部和側(cè)表面。即，在第二陽極電極200與第一陽極電極180之間可不形成單獨的絕緣層。因此，不需要形成絕緣層和接觸空的工藝。第二陽極電極200可在向上方向中反射從有機發(fā)光層240發(fā)出的光，并且為此，第二陽極電極200可以由具有良好反射率的材料形成。此外，第二陽極電極200可以形成為覆蓋第一陽極電極180的頂部和側(cè)表面并且防止所述第一陽極電極180的頂部和側(cè)表面被腐蝕。

第二陽極電極200可包括第二低陽極電極201、第二中心陽極電極202和第二上陽極電極203。

第二下陽極電極201可以在第一陽極電極180與第二中心陽極電極202之間形成。第二下陽極電極201可以形成為覆蓋第一陽極電極180的頂部和側(cè)表面，從而防止第一陽極電極180被腐蝕。為此，第二下陽極電極201的氧化速率可以低于構(gòu)造第一陽極電極180的第一下陽極電極181和第一上陽極電極182中的每一個的氧化速率。即，第二下陽極電極201可以由耐腐蝕性比形成第一下陽極電極181和第一上陽極電極182的材料更強的材料形成。此外，第二下陽極電極201保護第二中心陽極電極202的底部，從而防止第二中心陽極電極202的底部被腐蝕。為此，第二下陽極電極201的氧化速率可以低于第二中心陽極電極202的氧化速率。即，第二下陽極電極201可以由耐腐蝕性比形成第二中心陽極電極202的材料更強的材料形成。第二下陽極電極201可以由諸如銦錫氧化物(ITO)或類似物的透明導(dǎo)電材料形成，但并不限于此。

第二中心陽極電極202可在第二下陽極電極201和第二上陽極電極203之間形成。第二中心陽極電極202可由電阻比第二下陽極電極201和第二上陽極電極203更低而反射率比第二下陽極電極201和第二上陽極電極203更好的材料形成，并且例如，可以由銀(Ag)形成。然而，本實施方式不限于此。電阻相對較低的第二中心陽極電極202的厚度可以形成為比電阻相對較高的第二下陽極電極201和第二上陽極 電極203中的每一個的厚度更厚，從而降低第二陽極電極200的總電阻。

第二上陽極電極203可以形成在第二中心陽極電極202的頂部，從而防止第二中心陽極電極202的頂部被腐蝕。為此，第二上陽極電極203的氧化速率可以低于第二中心陽極電極202的氧化速率。即，第二上陽極電極203可以由耐腐蝕性比形成第二中心陽極電極202的材料更強的材料形成。第二上陽極電極202可以由諸如ITO或類似物的透明導(dǎo)電材料形成，但并不限于此。

第二輔助電極210可以形成第一輔助電極190的頂部上。第二輔助電極210可在與上面布置由第二陽極電極200的層相同的層上形成。第二輔助電極210可形成為接觸第一輔助電極190的整個頂部和側(cè)表面上。即，在第二輔助電極210與第一輔助電極190之間可不形成分離絕緣層，并且因此，不需要形成絕緣層和接觸孔的工序。第二輔助電極210降低了陰極電極250連同第一輔助電極190的電阻。根據(jù)本發(fā)明的實施方式，兩個輔助電極(例如，第一輔助電極190和第二輔助電極210)可被堆疊形成用于降低陰極電極250的電阻，并且因此，更容易調(diào)整期望的輔助電極的電阻特性。為了提供更詳細的描述，由于第一輔助電極190形成在與上面形成有第一陽極電極180的層相同的層上，因此，在增加第一輔助電極190的大小方面存在限制。因此，根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式，第二輔助電極210可以堆疊在第一輔助電極190上，并且因此，陰極150的電阻被有效地降低。另外，第二輔助電極210可以形成為覆蓋第一輔助電極190的頂部和側(cè)表面，從而防止第一輔助電極190的頂面和側(cè)面被腐蝕。

第二輔助電極210可包括第二下輔助電極211、第二中心輔助電極212和第二上輔助電極213。

第二下輔助電極211可以在第一輔助電極190與第二中心輔助電極212之間形成。第二下輔助電極211可以形成為覆蓋第一輔助電極190的頂部和側(cè)表面，從而防止第一輔助電極190被腐蝕。為此，第二下輔助電極211的氧化速率可以低于構(gòu)造第一輔助電極190的第一下輔助電極191和第一上輔助電極192中的每一個的氧化速率。即，第二下輔助電極211可以由耐腐蝕性比形成第一下輔助電極191和第一上輔助電極192的材料更強的材料形成。此外，第二下輔助電極211保護第二中心輔助電極212的底部，從而防止第二中心輔助電極212的底部被腐蝕。為此，第二下輔助電極211的氧化速率可以低于第二中心輔助電極212的氧化速率。即，第二下輔助電極211可以由耐腐蝕性比形成第二中心輔助電極212的材料更強的材料形成。第二下輔 助電極211可以由諸如ITO或類似物的透明導(dǎo)電材料形成。

第二中心輔助電極212可在第二下輔助電極211和第二上輔助電極之間形成213是低電阻比和反射率比所述第二低的材料的輔助電極212可以形成在第二下輔助電極211和第二上輔助電極213，并且例如，可以銀(Ag)形成。然而，本實施方式不限于此。電阻相對較低的第二中心輔助電極212的厚度可以形成為比第二下輔助電極211和第二上輔助電極213中的每一個更厚，從而降低了第二輔助電極210的總電阻。

第二上輔助電極213可以形成在第二中心輔助電極212的頂部，從而防止第二中心輔助電極212的頂部被腐蝕。為此，第二上輔助電極213的氧化速率可以低于第二中心輔助電極212的氧化速率。即，第二上輔助電極的材料213可以由耐腐蝕性比形成第二中心輔助電極212的材料更強的材料形成。第二上輔助電極213諸如ITO或類似物的透明導(dǎo)電材料形成，但并不限于此。

第二上輔助電極213可以由與第二上陽極電極203的材料相同的材料形成以具有與第二上陽極電極203相同的厚度，第二中心輔助電極212可以由與第二中心陽極電極202的材料相同的材料形成以具有與第二中心陽極電極202相同的厚度，并且第二下輔助電極211可以由與第二下陽極電極201的材料相同的材料形成以具有與第二上下陽極電極201相同的厚度。在這種情況下，第二輔助電極210和第二陽極電極200可以通過相同的工藝同時形成。

堤岸220可形成在第二陽極電極200和第二輔助電極210上。

堤岸220可以形成在第二輔助電極200的一側(cè)和另一側(cè)以暴露第二輔助電極200的頂部。由于堤岸220形成為暴露第二陽極電極200的頂部，因此顯示圖像的區(qū)域被被固定。另外，由于堤岸220形成在第二陽極電極200的一側(cè)和另一側(cè)，因此防止第二中心陽極電極202的容易受到腐蝕的一側(cè)被暴露于外部，從而防止第二中心陽極電極202的側(cè)面被腐蝕。

堤岸220可形成在第二輔助電極210的一側(cè)和另一側(cè)以暴露第二輔助電極210的頂部。由于堤岸220形成為暴露第二輔助電極210的頂部，因此第二輔助電極210與陰極電極250之間電連接空間被固定。另外，由于堤岸220形成在第二輔助電極210的一側(cè)和另一側(cè)，因此，防止第二中心輔助電極212的容易受到腐蝕的一側(cè)被暴露于外部，從而防止第二中心輔助電極202的側(cè)面被腐蝕。

此外，堤岸220可以在第二陽極電極200與第二輔助電極210之間形成，并且可 以將第二陽極電極200與第二輔助電極210絕緣。堤岸220可以由諸如聚酰亞胺樹脂、丙烯酸樹脂，苯并環(huán)丁烯(BCB)或類似物的有機絕緣材料形成，但并不限于此。

分隔壁230可以形成在第二輔助電極210上。分隔壁230可以與堤岸220分離一定的距離，并且第二輔助電極210可以通過分隔壁230與堤岸220之間的分離空間電連接到陰極電極250。第二輔助電極210可以電連接到陰極電極250而不形成分隔壁230。但是，如果形成了分隔壁230，則有機發(fā)光層240更容易沉積形成。這將在下面更詳細地描述。因此，由于有機發(fā)光層240不在檐(eave)下沉積，用于覆蓋第二輔助電極210的頂部的掩模圖案是不需要的。即，針對從其前面看有機發(fā)光顯示裝置的情況，當從當檐的分隔壁230的頂部形成為覆蓋所述分隔壁230與堤岸220之間的分離空間時，有機發(fā)光層240不能滲透到分隔壁230與堤岸220之間的分離空間中。因此，第二輔助電極210可在分隔壁230與堤岸220之間的分離空間中暴露。特別地，有機發(fā)光層240可以通過諸如在沉積材料的平直度方面優(yōu)秀的蒸發(fā)工藝的沉積工藝形成。因此，有機發(fā)光層240不沉積在分隔壁230與堤岸220之間的分離空間。

如上所述，為了使得分隔壁230的頂部充當檐，分隔壁230的頂部的寬度形成為大于分隔壁230的底部的寬度。分隔壁230可以包括下第一分隔壁231和上第二隔壁232。下第一分隔壁231可以形成在第二輔助電極210的頂部上并且可以通過與堤岸220相同的工藝由與堤岸220相同的材質(zhì)形成。上分隔壁232可以形成在下第一隔壁231的頂部。上分隔壁232的頂部的寬度形成為大于上分隔壁232的底部的寬度。更具體而言，第二分隔壁232的頂部可以形成為覆蓋所述分隔壁230和堤岸220之間的分離空間并可充當作為檐。

可以在第二陽極電極200上形成有機發(fā)光層240。有機發(fā)光層240可以包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層。有機發(fā)光層240可以被修改成具有本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的各種結(jié)構(gòu)。

有機發(fā)光層240可以延伸到堤岸220的頂部。然而，在覆蓋第二輔助電極210的頂部的狀態(tài)下，有機發(fā)光層240可能不延伸到第二輔助電極210的頂部。這是因為當有機發(fā)光層240覆蓋所述第二輔助電極210的頂部時，難以將第二輔助電極210電聯(lián)接到陰極電極250。上所述，有機發(fā)光層240可通過淀積工藝形成而不需要覆蓋所述第二輔助電極210的頂部的掩模，并且在這種情況下，有機發(fā)光層240可在分隔壁230的頂部上形成。

陰極電極250可以形成有機發(fā)光層240上。陰極電極250可以形成在發(fā)出光的表面上，并且因此可以由透明導(dǎo)電材料形成。由于陰極電極250是由透明導(dǎo)電材料形成的，因此陰極電極250的電阻高，并且由于這個原因，為了降低陰極電極250的電阻，陰極電極250可以連接到第二輔助電極210。即，陰極電極250可以經(jīng)由分隔壁230與堤岸220之間的分離空間連接到第二輔助電極210。陰極電極250可以通過諸如在沉積材料的平直度方面不是很好的濺射工藝的沉積工藝形成。因此，在沉積陰極電極250的工藝中，陰極電極250可以沉積在分隔壁230與堤岸220之間的分離空間中。

雖然未示出，但是封裝層可以進一步形成在陰極電極250上并防止水的滲透。封裝層可使用本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的各種材料。而且，盡管未示出，但是彩色濾光器可針對每個像素進一步形成并且形成在陰極電極250上，并且在這種情況下，白色光可以從有機發(fā)光層240發(fā)出。

可以在基板100上的焊盤區(qū)PA中形成柵極絕緣層120、層間電介質(zhì)140、信號焊盤300、鈍化層165和焊盤電極400。

柵極絕緣層120可以在基板100上形成，并且層間電介質(zhì)140可以在柵極絕緣層120上形成。柵極絕緣層120和層間電介質(zhì)140可以通過從有源區(qū)AA延伸形成在整個焊盤區(qū)PA上。

信號焊盤300可以形成在層間電介質(zhì)140上。信號焊盤300可以形成在與其中布置有有源區(qū)AA中的源極150和源極150的層相同的層上。

信號焊盤300可以包括下信號焊盤301和上信號焊盤302。

所述下信號焊盤301可在層間電介質(zhì)140與上信號焊盤302之間形成并且可以增強層間電介質(zhì)140與上信號焊盤302之間的粘附力。此外，下信號焊盤301防止上信號焊盤302的底部被腐蝕。因此，下信號焊盤301的氧化速率可低于上信號焊盤302的氧化速率。即，下信號焊盤301可以由耐腐蝕性比形成信號焊盤302的材料更強的材料形成。如上所述，下信號焊盤301可以由(與下源極151或下漏極161的上述材料相同的)Mo和Ti的合金(MoTi)形成，但不限于此。

上信號焊盤302可形成在下信號焊盤301的頂部上。上信號焊盤302可以由Cu形成，但并不限于此，Cu是具有低電阻的金屬。上信號焊盤302可由與下信號焊盤301相比電阻相對較低的金屬形成。為了降低信號焊盤300的總電阻，上信號焊盤302的厚度可形成為比下信號焊盤301的厚度更厚。

上信號焊盤302可以由與上源極152和/或上漏極162相同的材料形成以具有與上源極152和/或上漏極162相同的厚度，下信號焊盤301可以由與下源極151和/或下漏極161相同的材料形成以具有與下源極151和/或下漏極161相同的厚度。在這種情況下，信號焊盤300和源極150、信號焊盤300和漏極160或信號焊盤300、源極150和漏極160可以通過相同的工藝同時形成。

鈍化層165可以形成在信號焊盤300上。鈍化層165可以從有源區(qū)AA延伸。可在鈍化層165中設(shè)置暴露信號焊盤300的一部分的第四接觸孔CH4。

焊盤電極400可以形成在鈍化層165上。焊盤電極400可以通過第四接觸孔CH4連接到信號焊盤300。焊盤電極400可以被暴露到外部并連接到外部驅(qū)動器。

焊盤電極400保護信號焊盤300的頂部。信號焊盤300的頂部可以由相對容易受到腐蝕的上信號焊盤302配置，因此，焊盤電極400可形成為覆蓋上信號焊盤302的通過第四接觸孔CH4暴露的頂部，從而防止上信號焊盤302被腐蝕。如上所述，由于焊盤電極400防止上信號焊盤302的頂部被腐蝕，因此信號焊盤300可以上述雙層結(jié)構(gòu)形成。焊盤電極400的氧化速率可以低于上信號焊盤302的氧化速率。即，焊盤電極400可以由耐腐蝕性比形成上信號焊盤302的材料更強的材料形成。此外，由于焊盤電極400被暴露到外部，因此焊盤電極400可由耐腐蝕性強的材料形成。焊盤電極400可以由(與第一下陽極電極181和/或第一下輔助電極191的上述材料相同的)Mo和Ti的合金(MoTi)形成，但不限于此。焊盤電極400可以由與第一下陽極電極181和/或第一下輔助電極191的材料相同的材料形成以具有與第一下陽極電極181和/或第一下輔助電極191相同的厚度。在這種情況下，焊盤電極400和第一下陽極電極181、或焊盤電極400和第一下輔助電極191、或焊盤電極400、第一下陽極電極181以及第一下輔助電極191可以是通過相同的掩模工藝圖案化形成的，并且因此，不會添加單獨的工藝。

圖3是根據(jù)本發(fā)明的另一個實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的截面圖。從圖2的結(jié)構(gòu)變化得到焊盤電極400的結(jié)構(gòu)。否則，圖3的有機發(fā)光圖顯示裝置與圖2的上述有機發(fā)光顯示裝置相同。因此，相似的附圖標記指代相似的元件。以下，僅與圖2的上述元件不同的元件將詳細描述。

如圖3，根據(jù)本發(fā)明的另一個實施方式，焊盤電極400可以包括下焊盤電極401、上焊盤電極402和蓋焊盤電極403。

下焊盤電極401可形成為覆蓋通過第四接觸孔CH4暴露的上信號焊盤302的頂部且防止上信號焊盤302被腐蝕。為此，下焊盤電極401的氧化速率可以比上信號焊盤302的氧化速率更低。即，下焊盤電極401可以由耐腐蝕性比形成信號焊盤302的材料更強的材料形成。如上所述，由于下焊盤電極401防止上信號焊盤302的頂部被腐蝕，因此可以以上述雙層結(jié)構(gòu)形成信號焊盤300。下焊盤電極401可以由(與第一下陽極電極181和/或第一下輔助電極191的上述材料相同的)Mo和Ti的合金(MoTi)形成，但不限于此。下焊盤電極401可以由與第一下陽極電極181和/或第一下輔助電極191的材料相同的材料形成以具有與第一下陽極電極181和/或第一下輔助電極191相同的厚度。在這種情況下，下焊盤電極401和第一下陽極電極181、下焊盤電極401和第一下輔助電極191、或下焊盤電極401、第一下陽極電極181以及第一下輔助電極191可以是通過相同的掩模工藝圖案化形成的。

上焊盤電極402可形成在下焊盤電極401與蓋焊盤電極403之間。上焊盤電極402可以由Cu形成，但并不限于此，Cu是具有低電阻的金屬。上焊盤電極402可由與下焊盤電極401和蓋焊盤電極403相比電阻相對較低的金屬形成。為了降低焊盤電極400的總電阻，上焊盤電極402的厚度可形成為比下焊盤電極401與蓋焊盤電極403中的每一個的厚度更厚。上焊盤電極402可由與第一上陽極電極182和/或第一上輔助電極192相同的材料形成以具有與第一上陽極電極182和/或第一上輔助電極192相同的厚度。在這種情況下，上焊盤電極402和第一上陽極電極182、上焊盤電極402和第一上輔助電極192、或上焊盤電極402、第一上陽極電極182以及第一上輔助電極192可以是通過相同的掩模工藝圖案化形成的。

蓋焊盤電極403可以形成在上焊盤電極402上。蓋焊盤電極403可以形成為覆蓋上焊盤電極402的頂部和側(cè)表面，從而防止上焊盤電極402被腐蝕。即，蓋焊盤電極403防止上焊盤電極402暴露于外部。為此，蓋焊盤電極403的氧化速率可以低于上焊盤電極402的氧化速率。即，蓋焊盤電極403可以由耐腐蝕性比形成上焊盤電極402的材料更強的材料形成

蓋焊盤電極403可以覆蓋到下焊盤電極401的側(cè)表面上。在這種情況下，蓋焊盤電極403的氧化速率可以低于下焊盤電極401的氧化速率。即，蓋焊盤電極403可以由耐腐蝕性比形成下焊盤電極401的材料更強的材料形成。蓋焊盤電極403可以由諸如銦錫氧化物(ITO)或類似物的透明導(dǎo)電材料形成，但并不限于此。蓋焊盤電極403 可由與第二低陽極電極201和/或第二下輔助電極211相同的材料形成以具有與第二低陽極電極201和/或第二下輔助電極211的厚度相同的厚度。在這種情況下，蓋焊盤電極403和第二低陽極電極201、蓋焊盤電極403和第二下輔助電極211、蓋焊盤電極403、第二低陽極電極201以及第二下輔助電極211可以是通過相同的掩模工藝圖案化形成的。

圖4A、圖4B、圖4C、圖4D、圖4E、圖4F、圖4G和圖4H是示出制造根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的方法的截面圖并且涉及制造圖2的上述有機發(fā)光顯示裝置的方法。因此，相似的附圖標記指代相似的元件，并且在每個元件的材料和結(jié)構(gòu)方面，相同或相似的描述不再重復(fù)。

首先，如圖4A所示，有源層110、柵極絕緣層120、柵極130、層間電介質(zhì)140、源極150、漏極160和信號焊盤300可以被順序地形成在基底100上。

為了提供更詳細的說明，有源層110可以在基板100上形成，柵極絕緣層120可在有源層110上形成，柵極130可以在柵極絕緣層120上形成，層間電介質(zhì)140可以在柵極130上形成，并且第一接觸孔CH1和第二接觸孔CH2可以在柵極絕緣層120和層間電介質(zhì)140中形成。接著，可以形成通過第一接觸孔CH1連接到有源層110的一端區(qū)域的漏極160、通過第二接觸孔CH2連接到有源層110的另一端區(qū)域的源極150和信號焊盤300。

可以在有源區(qū)AA中形成有源層110、柵極130、源極150和漏極160。柵極絕緣層120和層間電介質(zhì)140可以形成為從有源區(qū)AA延伸到焊盤區(qū)PA，并且信號焊盤300可以形成在焊盤區(qū)AA中。通過這樣的工藝，可以在有源區(qū)AA中形成TFT T，并且可以在焊盤區(qū)PA中形成信號焊盤300。

源極150可以構(gòu)造有下源極151和上源極152。漏極160可以構(gòu)造有下漏極161和上漏極162。并且，信號焊盤300可以構(gòu)造有下信號焊盤301和上信號焊盤302。源極150、漏極160和信號焊盤300通過相同工藝由相同的材料同時形成。

隨后，如圖4B所示，鈍化層165可以形成在源極150、漏極160和信號焊盤300上，并且平坦化層170可形成在鈍化層165上。平坦化層170可以包括第三接觸孔CH3。

鈍化層165可以形成為從有源區(qū)AA到焊盤區(qū)PA延伸，并且平坦化層170可以形成在有源區(qū)AA中。由于在焊盤區(qū)PA中不形成TFT，因此對焊盤區(qū)PA的表面進 行平坦化的必要性很小，并且因此，在焊盤區(qū)PA中可以不形成平坦化層170。

隨后，如圖4C所示，通過移除鈍化層165的部分區(qū)域，可以在鈍化層165中形成第三接觸孔CH3和第四接觸孔CH4。源極150可通過被包括在鈍化層165和平坦化層170中的第三接觸孔CH3被暴露于外部，并且信號焊盤300可通過被包括在鈍化層165中的第四接觸孔CH4被暴露于外部。根據(jù)本發(fā)明的實施方式，用于外部地暴露源極150的鈍化層165中的第三接觸孔CH3和用于外部地暴露信號焊盤300的鈍化層165中的第四接觸孔CH 4可以同時形成。因此，第三接觸孔CH3和第四接觸孔CH4可通過一個掩模工藝來形成，從而防止掩模工藝的數(shù)量的增加。為了提供更詳細的說明，由于通過第四接觸孔CH4暴露的上信號焊盤302容易受到腐蝕，因此需要不與上信號焊盤302接觸的蝕刻劑。根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式，暴露的上信號焊盤302可以在下面將要描述的圖4D的工藝中被下焊盤電極401覆蓋。因此，蝕刻劑不接觸上信號焊盤302。出于同樣的原因，第四接觸孔CH4和第三接觸孔CH3可以同時形成。在另一個實施方式中，替代源極150，漏極160可以通過被包括在鈍化層165和平坦化層170中的第三接觸孔CH3被暴露于外部。

隨后，如圖4D所示，第一陽極電極180和第一輔助電極190可形成為在有源區(qū)AA中的平坦化層170上彼此分離，以及第一焊盤電極400a可以在焊盤區(qū)PA中形成在鈍化層165上。

第一陽極電極180可形成為通過第三接觸孔CH3被連接到源極150，且第一焊盤電極400a可形成為通過第四接觸孔CH4連接到信號焊盤300。

第一陽極電極180可以構(gòu)造有第一下陽極電極181和第一上陽極電極182，第一輔助電極190可以構(gòu)造有第一下輔助電極191和第一上輔助電極192。第一焊盤電極400a可以構(gòu)造有下焊盤電極401和上焊盤電極402。

第一陽極電極180，第一輔助電極190和第一焊盤電極400a可通過相同的圖案化工藝由相同的材料同時形成。

隨后，如圖4E所示，第二陽極電極200可以在有源區(qū)AA中的第一陽極電極180上形成，且第二輔助電極210可在有源區(qū)AA中的第一輔助電極190上形成。

第二陽極電極200可以是圖案化形成以覆蓋第一陽極電極180的頂部和側(cè)表面，并且第二輔助電極210可以是圖案形成以覆蓋第一輔助電極190的頂部和側(cè)表面。第二陽極電極200和第二輔助電極210可以通過相同的圖案化工藝由相同的材料同時形 成。

第二陽極電極200可包括第二低陽極電極201、第二中心陽極電極202和第二上陽極電極203。第二輔助電極210可包括第二下輔助電極211、第二中心輔助電極212和第二上輔助電極213。

圖案化形成第二陽極電極200和第二輔助電極210的工藝可以包括使用蝕刻劑的蝕刻工藝。形成在焊盤區(qū)PA中的上焊盤電極402可以在蝕刻工藝中一起被蝕刻，并且因此，制造過程被簡化。即，上焊盤電極402可在圖案化形成在第二陽極電極200和第二輔助電極210的過程中被移除，因此，可以完成僅包括下焊盤電極401的焊盤電極400。由于上電極焊盤402由容易腐蝕的材料形成，因此可以通過移除上焊盤電極402獲得僅包括耐腐蝕性優(yōu)異的下焊盤電極401的焊盤電極400。

隨后，如圖4F所示，堤岸220可以形成在所述第二陽極電極200的一側(cè)和另一側(cè)上以暴露所述第二陽極電極200的頂部。而且，堤岸220可以形成在所述第二輔助電極210的一側(cè)和另一側(cè)上以暴露第二輔助電極210的頂部。

此外，在第一分隔壁231和第二分隔壁232可以順序地形成在第二輔助電極210的暴露的頂部上。第一分隔壁231可以由與堤岸220相同的材料通過與堤岸220相同的圖案化工藝與堤岸220同時形成。分隔壁230可以形成為堤岸220分離一定距離。因此，可以在分隔壁230和堤岸220之間設(shè)置分離空間。

為了使分隔壁230的頂部充當檐，第二分隔壁232的頂部的寬度形成為大于第二分隔壁232的底部的寬度。特別是，對于從前面看有機發(fā)光顯示裝置的這樣一種情況，第二分隔壁232的頂部可覆蓋隔壁230和堤岸220之間的分離空間，從而，在沉積有機發(fā)光層240的以下過程中，有機發(fā)光層240不沉積在隔壁230和堤岸220之間的分離空間。

隨后，如圖4G所示，有機發(fā)光層240可以形成在第二陽極電極200上。有機發(fā)光層240可以通過諸如在沉積材料的平直度方面優(yōu)秀的蒸發(fā)工藝的沉積工藝形成，因此，在有機發(fā)光層240可被沉積在堤岸220和分隔壁230的頂部，但有機發(fā)光層240不沉積在堤岸220和分隔壁230之間的分離空間。即，分隔壁230的頂部在沉積有機發(fā)光層240時可以充當檐，因此，即使有機發(fā)光層240在沒有覆蓋第二輔助電極210的頂部的掩模圖案的情況下沉積，有機發(fā)光層240也不沉積在堤岸220和分隔壁230之間的分離空間中。

隨后，如圖4H所示，陰極電極250可以形成在有機發(fā)光層240上。

陰極電極250可形成為通過分隔壁230與堤岸220之間的分離空間連接到第二輔助電極210。陰極電極250可以通過諸如在沉積材料的平直度方面不是很好的濺射工藝的沉積工藝形成。因此，在沉積陰極電極250的工藝中，陰極電極250可以沉積在分隔壁230與堤岸220之間的分離空間中。

圖5A、圖5B、圖5C、圖5D、圖5E、圖5F、圖5G、圖5H和圖5I是示出制造根據(jù)本發(fā)明的另一個實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的方法的截面圖并且涉及制造圖3上述有機發(fā)光顯示裝置的方法。以下，重復(fù)上述實施方式的描述被省略。

首先，如圖5A所示，有源層110、柵極絕緣層120、柵極130、層間電介質(zhì)140、源極150、漏極160和信號焊盤300可以被順序地形成在基板100上。因此，一個TFT T可以形成在有源區(qū)AA且信號焊盤300可以形成在焊盤區(qū)PA。

隨后，如圖5B所示，鈍化層165可以形成在源極150、漏極160和信號焊盤300上，平坦化層170可形成在鈍化層165上。平坦化層170可以包括第三接觸孔CH3。

隨后，如圖5C所示，第三接觸孔CH3和第四接觸孔CH4可以形成在鈍化層165中。源極150可通過被包括在鈍化層165和平坦化層170中的第三接觸孔CH3被暴露于外部，并且信號焊盤300可通過被包括在鈍化層165中的第四接觸孔CH4被暴露于外部。

隨后，如圖5D所示，第一陽極電極180和第一輔助電極190可以形成在有源區(qū)AA的平坦化層170上，并且第一電極焊盤400a的可以在焊盤區(qū)PA的鈍化層165上形成。

第一陽極電極180可以構(gòu)造有第一下陽極電極181和第一上陽極電極182，第一輔助電極190可以構(gòu)造有與第一下輔助電極191和第一上輔助電極192。第一焊盤電極400a可以構(gòu)造有下焊盤電極401和上焊盤電極402。

隨后，如圖5E所示，第二陽極電極200可在有源區(qū)AA的第一陽極電極180上形成，第二輔助電極210可在有源區(qū)AA的第一輔助電極190上形成，以及第二焊盤電極400b可在焊盤區(qū)PA的第一焊盤電極400a上形成。

第二陽極電極200可以是圖案形成以覆蓋所述第一陽極電極180的頂部和側(cè)表面，和第二輔助電極210可以是圖案形以覆蓋第一輔助電極190頂部和側(cè)表面。焊盤電極400b可以圖案形成以覆蓋第一焊盤電極400a的頂部和側(cè)表面。

第二焊盤電極400b可作為第一焊盤電極400a的蓋焊盤電極，并且可以包括一個下蓋焊盤電極403、中心蓋焊盤電極404和上蓋焊盤電極405。

第二陽極電極200、第二輔助電極210和第二焊盤電極400b中可由相同的材料通過相同的圖案化工藝同時形成。

隨后，如圖5F所示，通過移除中心蓋焊盤電極404和上蓋焊盤電極405，只下蓋焊盤電極403可以被留下作為蓋焊盤電極。因此，包括下電極焊盤401、上焊盤電極402和下蓋焊盤電極403的焊盤電極400可以被完成。

移除中心蓋焊盤電極404和上蓋焊盤電極405的工藝可以通過使用利用激光照射裝置500的激光照射工藝進行。

隨后，如圖5G所示，堤岸220可以形成在第二陽極電極200的一側(cè)和另一側(cè)以暴露所述第二陽極電極200頂部。此外，堤岸220以形成在第二輔助電極210的一側(cè)和另一側(cè)以暴露所述第二陽極電極200頂部。此外，第一分隔壁231和第二分隔壁232可依次形成在第二輔助電極210的暴露的頂部上。分隔壁230可以形成為堤岸220分離一定距離，因此，可以在分隔壁230和堤岸220之間設(shè)置分離空間。

隨后，如圖5H所示，有機發(fā)光層240可以形成在第二陽極電極200上。有機發(fā)光層240可以沉積在堤岸220和分隔壁230的頂部，但不沉積在分隔壁230和堤岸220之間的分離空間。

隨后，如圖5I所示，陰極電極250可以形成在有機發(fā)光層240上。陰極電極250可形成為通過分隔壁230和堤岸220之間的分離空間連接到第二輔助電極210。

在本發(fā)明的實施方式中，可以形成焊盤電極以覆蓋信號焊盤的頂部。具體地，焊盤電極的頂部可以形成為比信號焊盤的頂部的氧化速率更低，從而防止信號焊盤被腐蝕。因此，信號焊盤可以以兩層結(jié)構(gòu)形成，所述兩層結(jié)構(gòu)包括下信號焊盤和不容易受到腐蝕的上信號焊盤。

此外，根據(jù)本發(fā)明的實施方式，用于外露所述源極的接觸孔和用于外露所述信號焊盤的接觸孔可以同時形成在鈍化層中。因此，一個掩模工藝中不增加(例如掩模步驟數(shù)不必增加)。

此外，根據(jù)本發(fā)明的實施方式，兩個輔助電極(例如，第一輔助電極和第二輔助電極)可以被堆疊形成用于降低陰極電極的電阻。因此，更容易調(diào)整期望的輔助電極的電阻特性。也就是說，由于該輔助電極形成在與上面形成陽極電極的層相同的層上， 因此在增加輔助電極的尺寸方面有限制。因此，根據(jù)本發(fā)明的實施方式，輔助電極可以被堆疊成兩層，因此，提供了一種能更有效地降低陰極電極的電阻的結(jié)構(gòu)的輔助電極。

對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言將顯而易見的是，在不偏離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，可以在本發(fā)明中進行各種修改和變型。因此，本發(fā)明旨在涵蓋落在本發(fā)明所附權(quán)利要求極其等同物的范圍內(nèi)的對于本發(fā)明的各種修改和變型。

相關(guān)申請的交叉引用

本申請要求在2014年5月28日提交的韓國專利申請第10-2015-0075393號的優(yōu)先權(quán)，出于所有目的通過引用將該韓國專利申請的全部內(nèi)容合并到本文中，如同在本文中全部闡述一樣。