本申請(qǐng)要求于2015年10月30日提出的韓國專利申請(qǐng)10-2015-0152619的優(yōu)先權(quán)，在此通過引用將該申請(qǐng)并入本文，并視為已在本文充分地闡述。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，更特別地，涉及一種可提高顯示面板的戶外能見度的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。

背景技術(shù)：

最近，隨著信息時(shí)代的發(fā)展，具有優(yōu)良性能如外形薄、重量輕和低功耗的平板顯示(FPD)裝置的重要性提高。平板顯示裝置的示例包括液晶顯示(LCD)裝置、等離子體顯示面板(PDP)裝置以及有機(jī)發(fā)光顯示(OLED)裝置。最近，電泳顯示裝置(EPD)已廣泛地用作平板顯示裝置。

在這些裝置中，每個(gè)都包括薄膜晶體管的液晶顯示裝置和有機(jī)發(fā)光顯示裝置由于在分辨率、顏色顯示和圖像質(zhì)量方面的優(yōu)良性能，已在商業(yè)上用作電視、筆記本電腦、平板電腦或臺(tái)式機(jī)的顯示裝置。特別地，有機(jī)發(fā)光顯示裝置是一種自發(fā)光顯示裝置，并且由于低功耗、響應(yīng)速度快、發(fā)光效率高、高亮度和廣闊視角已經(jīng)作為下一代平板顯示裝置受到關(guān)注。

有機(jī)發(fā)光顯示(OLED)裝置可根據(jù)有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)出的光所傳輸?shù)姆较虮粴w類到頂部發(fā)光型和底部發(fā)光型。

現(xiàn)有技術(shù)的底部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括基部襯底、薄膜晶體管(TFT)、有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)以及封裝層。柵線和數(shù)據(jù)線設(shè)置在基部襯底上以彼此交叉，由此限定了像素，薄膜晶體管設(shè)置在每個(gè)像素中。薄膜晶體管包括順序沉積的有源層、柵極絕緣膜、柵極、層間電介質(zhì)、源極和漏極。有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)設(shè)置在薄膜晶體管上，并且電連接到薄膜晶體管的漏極。有機(jī)發(fā)光二極管包括陽極電極、有機(jī)發(fā)光層和陰極電極。封裝層保護(hù)薄膜晶體管和有機(jī)發(fā)光二極管免受外部影響。

在現(xiàn)有技術(shù)的上述底部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，進(jìn)入顯示面板的外部光被設(shè)置在顯示面板內(nèi)側(cè)的電極反射到顯示面板外部。出于此原因，可能劣化顯示面板的戶外能見度。為了提高戶外能見度，在底部發(fā)光結(jié)構(gòu)中，偏振器應(yīng)布置在光所射向的基部襯底的下表面上。然而，會(huì)出現(xiàn)由于偏振器而使顯示面板的亮度劣化的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

因此，本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置基本消除了由于現(xiàn)有技術(shù)的局限性和缺點(diǎn)導(dǎo)致的一個(gè)或多個(gè)問題。

本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是提供一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置即使在移除了偏振器的情況下，也能通過減少設(shè)置在顯示面板內(nèi)側(cè)的電極的反射系數(shù)而提高顯示面板的戶外能見度。

本發(fā)明的額外優(yōu)點(diǎn)和特征將在以下的說明書中部分地闡明，并且將在閱讀下文時(shí)部分地對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員變得顯而易見或可從本發(fā)明的實(shí)踐中獲知?？赏ㄟ^書面描述及其權(quán)利要求以及附圖中特別指出的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)和獲得本發(fā)明的目的和其它優(yōu)點(diǎn)。

為了實(shí)現(xiàn)這些目的和其它優(yōu)點(diǎn)并根據(jù)本發(fā)明的目的，如本文所實(shí)施和廣泛描述的，一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括：基部襯底；布置在所述基部襯底上的緩沖層；布置在所述緩沖層上的薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括柵極、源極和漏極；以及與所述薄膜晶體管連接并布置在所述薄膜晶體管上的有機(jī)發(fā)光二極管，其中所述柵極、所述源極和所述漏極的至少一個(gè)包括順序布置的半透射金屬層、透明金屬層和反射金屬層。

需要理解的是，本發(fā)明的上述概括描述和以下詳細(xì)描述是示例性和解釋性的，并且旨在提供如權(quán)利要求所要求保護(hù)的本發(fā)明的進(jìn)一步解釋。

附圖說明

附圖提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解并且并入說明書而組成本申請(qǐng)的一部分。所述附圖示出了本發(fā)明的實(shí)施例，并且與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。在附圖中：

圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的有機(jī)發(fā)光顯示面板、柵極驅(qū)動(dòng)器、源驅(qū)動(dòng)IC、柔性膜、電路板和定時(shí)控制器的平面視圖；

圖2是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示面板的剖視圖；

圖3是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的柵極結(jié)構(gòu)的剖視圖；

圖4和5是示出在如圖3所示的第一反射光和第二反射光之間的相消干涉的示例性視圖；

圖6是示出了基于圖3所示的透明金屬層厚度的柵極反射率的圖表；

圖7是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的緩沖層結(jié)構(gòu)的剖視圖；

圖8是示出基于圖7所示的二氧化硅膜厚度的緩沖層透射率的示例性視圖；

圖9是示出基于圖7所示的二氧化硅膜厚度的柵極反射率的圖表；

圖10是示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的剖視圖；

圖11是示出圖10所示的下膜的示例性視圖；以及

圖12是示出基于圖10所示的下膜透射率的顯示面板反射率的圖表。

具體實(shí)施方式

應(yīng)如下理解說明書中所公開的術(shù)語。

如果上下文中不存在特定限定，單數(shù)表達(dá)的術(shù)語應(yīng)理解為包括多數(shù)表達(dá)以及單數(shù)表達(dá)。諸如“第一”和“第二”的術(shù)語僅用于區(qū)分一個(gè)元件和其它元件。因此，權(quán)利要求的范圍并不受這些術(shù)語限制。同樣，應(yīng)理解的是，諸如“包含”或“具有”的術(shù)語并不排除一個(gè)或多個(gè)特征、數(shù)字、步驟、操作、元件，部件或其組合的存在或可能性。應(yīng)理解的是，術(shù)語“至少一個(gè)”包括與任一項(xiàng)相關(guān)的所有組合。例如，“在第一元件、第二元件和第三元件中的至少一個(gè)”可包括從第一、第二和第三元件中選擇的兩個(gè)或更多元件以及第一、第二和第三元件的每個(gè)元件的所有組合。而且，如果提到了第一元件定位在第二元件“上”或“上方”，應(yīng)理解的是，第一和第二元件可彼此接觸，或第三元件可介于第一和第二元件之間。

以下，將參考附圖描述根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的優(yōu)選實(shí)施例。只要有可能，將在全部附圖中使用相同的參考數(shù)字來表示相同或相似部件。而且，在本發(fā)明的以下描述中，如果確定了關(guān)于本發(fā)明已知的元件或功能的詳細(xì)描述會(huì)使本發(fā)明的主體不必要的模糊，將省略詳細(xì)描述。

圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的有機(jī)發(fā)光顯示面板100、柵極驅(qū)動(dòng)器200、源驅(qū)動(dòng)IC 310、柔性膜330、電路板350和定時(shí)控制器400的平面視圖。

在圖1中，X軸表示平行于柵線的方向，Y軸表示平行于數(shù)據(jù)線的方向，Z軸表示有機(jī)發(fā)光顯示裝置的高度方向。

參考圖1，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括有機(jī)發(fā)光顯示面板100、柵極驅(qū)動(dòng)器200、源驅(qū)動(dòng)集成電路(以下稱為“IC”)310、柔性膜330、電路板350和定時(shí)控制器400。

有機(jī)發(fā)光顯示面板100包括基部襯底110和封裝層180。柵線和數(shù)據(jù)線可在基部襯底110的顯示區(qū)域DA中形成，發(fā)光部分可在柵線和數(shù)據(jù)線交叉的區(qū)域中形成。顯示區(qū)域DA的發(fā)光部分可顯示圖像。封裝層180設(shè)置在基部襯底110上方。封裝層180用于保護(hù)設(shè)置在基部襯底110上的元件，并防止水滲透到有機(jī)發(fā)光顯示面板100內(nèi)。封裝層180形成為小于基部襯底110，由此基部襯底110可部分地暴露而不被封裝層180覆蓋。

將參考圖2到9詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示面板100。

根據(jù)輸入自定時(shí)控制器400的柵極控制信號(hào)，柵極驅(qū)動(dòng)器200供給柵信號(hào)到柵線。在本發(fā)明的實(shí)施例中，柵極驅(qū)動(dòng)器200按照面板內(nèi)柵極驅(qū)動(dòng)器(GIP)的模式形成于有機(jī)發(fā)光顯示面板100的顯示區(qū)域DA的一側(cè)之外，但不限于此。也就是說，柵極驅(qū)動(dòng)器200可按照GIP模式在有機(jī)發(fā)光顯示面板100的顯示區(qū)域DA兩側(cè)之外形成，或可按照帶式自動(dòng)接合(TAB)模式由封裝在柔性膜中并附接到有機(jī)發(fā)光顯示面板100的驅(qū)動(dòng)芯片制成。

源驅(qū)動(dòng)IC 310從定時(shí)控制器400接收數(shù)字視頻數(shù)據(jù)和源控制信號(hào)。源驅(qū)動(dòng)IC 310根據(jù)源控制信號(hào)將數(shù)字視頻數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成模擬數(shù)據(jù)電壓并將模擬數(shù)據(jù)電壓供給到數(shù)據(jù)線。如果源驅(qū)動(dòng)IC 310由驅(qū)動(dòng)芯片制成，源驅(qū)動(dòng)IC330可按照膜上芯片(COF)或塑料上芯片(COP)模式封裝在柔性膜330中。

基部襯底110可部分地暴露，而不被封裝層180覆蓋。諸如數(shù)據(jù)焊盤的焊盤設(shè)置在不被封裝層180覆蓋的暴露的基部襯底110上。將焊盤與源驅(qū)動(dòng)IC 310連接的線和將焊盤與電路板350的線連接的線可形成在柔性膜330上。各向異性導(dǎo)電膜可用作柔性膜330并被附接到焊盤，由此焊盤可連接柔性膜330的線。

電路板350可附接到柔性膜330。多個(gè)包括驅(qū)動(dòng)芯片的電路可封裝在電路板350中。例如，定時(shí)控制器400可封裝在電路板350中。電路板350可以是印刷電路板或柔性印刷電路板。

定時(shí)控制器400從外部系統(tǒng)板接收數(shù)字視頻數(shù)據(jù)和定時(shí)信號(hào)。定時(shí)控制器400基于定時(shí)信號(hào)產(chǎn)生用于控制柵極驅(qū)動(dòng)器200的操作時(shí)間的柵極控制信號(hào)以及用于控制源驅(qū)動(dòng)IC 330的源控制信號(hào)。定時(shí)控制器400供給柵極控制信號(hào)到柵極驅(qū)動(dòng)器200，并供給源控制信號(hào)到源驅(qū)動(dòng)IC 330。

圖2是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示面板的剖視圖。

參考圖2，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示面板100包括基部襯底110、緩沖層130、薄膜晶體管T、鈍化層PAS、濾色片CF、平坦化層PAC、有機(jī)發(fā)光二極管OLED、堤部170和封裝層180。

基部襯底110可以是柔性塑料膜。例如，基部襯底110可以是具有10ppm/℃或更少的低熱膨脹系數(shù)(CTE)的透明聚酰亞胺(PI)膜。在這種情況下，熱膨脹系數(shù)(CTE)由基于單位溫度變化的聚酰亞胺膜的尺寸變化所限定?？赏ㄟ^以下工藝步驟提供基部襯底110，即在輔助襯底上沉積液態(tài)的聚酰亞胺(PI)和干燥聚酰亞胺來形成聚酰亞胺膜，以及使用激光釋放工藝從輔助襯底分離聚酰亞胺膜。在這種情況下，有機(jī)襯底可用作輔助襯底。在本發(fā)明的實(shí)施例中，由于具有10ppm/℃或更少的熱膨脹系數(shù)(CTE)的聚酰亞胺膜用作基部襯底110，與應(yīng)用具有30ppm/℃的熱膨脹系數(shù)(CTE)的基部襯底的現(xiàn)有技術(shù)相比，聚酰亞胺膜可防止在激光釋放工藝中產(chǎn)生的基部襯底110變形。在這種情況下，變形意味著基部襯底110在不期望的方向中扭曲或卷起。

緩沖層130設(shè)置在基部襯底110上。緩沖層130包括第一緩沖層131和第二緩沖層135。

第一緩沖層131設(shè)置在基部襯底110上。第一緩沖層131用于防止水從容易受到濕氣滲透的基部襯底110滲透到有機(jī)發(fā)光顯示面板100內(nèi)。而且，第一緩沖層131用于降低由設(shè)置在有機(jī)發(fā)光顯示面板100內(nèi)側(cè)的電極所反射并發(fā)射到外部的外部光的反射率。為此，第一緩沖層131可以是包括二氧化硅(SiO₂)膜和氮化硅(SiNx)膜的多層。在這種情況下，二氧化硅膜的厚度可以是在到范圍內(nèi)的任一值。下文將參考圖7到9詳細(xì)描述第一緩沖層131。

第二緩沖層135設(shè)置在第一緩沖層131上。第二緩沖層135用于防止從基部襯底110擴(kuò)散的如金屬離子的雜質(zhì)滲透到薄膜晶體管T的有源層ACT內(nèi)。而且，第二緩沖層135用于防止水滲透到有機(jī)發(fā)光顯示面板100內(nèi)，以免降低薄膜晶體管T的性能。例如，第二緩沖層135可以是但不限于二氧化硅膜、氮化硅膜或它們的多層。

由于根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的第二緩沖層135直接接觸薄膜晶體管T，優(yōu)選將可使氫的出現(xiàn)最小化的無機(jī)膜用作第二緩沖層135。因此，與氮化硅膜相比氫含量相對(duì)較低的二氧化硅膜可用作第二緩沖層135。在這種情況下，氮化硅膜的氫含量為15％到20％，二氧化硅膜的氫含量為3％或更少。

薄膜晶體管T設(shè)置在緩沖層130上。薄膜晶體管T包括有源層ACT、柵極絕緣GI膜、柵極GE、層間電介質(zhì)ILD、源極SE和漏極DE。

有源層ACT設(shè)置在第二緩沖層135上。有源層與柵極GE重疊。有源層ACT可包括設(shè)置在源極SE的一個(gè)端部區(qū)域A1、設(shè)置在漏極DE的另一端部區(qū)域A2、以及設(shè)置在一個(gè)端部區(qū)域A1和另一端部區(qū)域A2之間的中心區(qū)域A3。中心區(qū)域A3可由沒有摻雜摻雜劑的半導(dǎo)體材料制成，并且一個(gè)端部區(qū)域A1和另一端部區(qū)域A2的每個(gè)可由摻雜有摻雜劑的半導(dǎo)體材料制成。

柵極絕緣GI膜設(shè)置在有源層ACT上。柵極絕緣GI膜用于使有源層ACT與柵極GE絕緣。柵極絕緣GI膜覆蓋有源層ACT。例如，柵極絕緣GI膜可以是但不限于二氧化硅膜、氮化硅膜或它們的多層。

柵極GE設(shè)置在柵極絕緣GI膜上。柵極GE與有源層ACT的中心區(qū)域A3重疊，在二者之間插入柵極絕緣GI膜。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的柵極GE包括順序地沉積在基部襯底110上的半透射金屬層、透明金屬層和反射金屬層。在所述金屬層中，半透射金屬層可能最薄，反射金屬層可能最厚。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，基于設(shè)置在半透射金屬層和反射金屬層之間的透明金屬層的厚度，在半透射金屬層的反射光和反射金屬層的反射光之間發(fā)生相消干涉，由此可減少柵極GE的反射率。由于減少了柵極GE反射率，減少了發(fā)射到顯示面板外部的反射光，由此可提高顯示面板的戶外能見度。在這種情況下，透明金屬層的厚度可以是在到范圍內(nèi)的任一值。下文將參考圖3到6描述柵極GE。

層間電介質(zhì)ILD設(shè)置在柵極GE上。層間電介質(zhì)ILD用于使柵極GE與源極SE、漏極DE絕緣。層間電介質(zhì)ILD可以是但不限于與柵極絕緣GI膜相同的無機(jī)膜，例如二氧化硅膜、氮化硅膜或它們的多層。

源極SE和漏極DE在層間電介質(zhì)ILD上彼此間隔。部分地暴露有源層ACT的一端部區(qū)域A1的第一接觸孔CNT1以及部分地暴露有源層ACT的另一端部區(qū)域A2的第二接觸孔CNT2設(shè)置在柵極絕緣GI膜和層間電介質(zhì)ILD中。源極SE通過第一接觸孔CNT1與有源層ACT的一端部區(qū)域A1連接，漏極DE通過第二接觸孔CNT2與有源層ACT的另一端部區(qū)域A2連接。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的源極SE和漏極DE的每個(gè)可具有與柵極GE相同的結(jié)構(gòu)。也就是說，源極SE和漏極DE的每個(gè)可包括順序沉積的半透射金屬層、透明金屬層和反射金屬層。在所述金屬層之中，半透射金屬層可能最薄，反射金屬層可能最厚。在這種情況下，基于設(shè)置在半透射金屬層和反射金屬層之間的透明金屬層的厚度，在半透射金屬層的反射光和反射金屬層的反射光之間發(fā)生相消干涉。結(jié)果是，由于可減少源極SE和漏極DE每個(gè)的反射率，可減少發(fā)射到顯示面板外部的反射光，由此可改進(jìn)顯示面板的戶外能見度。

薄膜晶體管T的結(jié)構(gòu)并不局限于上述示例，可通過本領(lǐng)域技術(shù)人員容易實(shí)施的已知結(jié)構(gòu)在薄膜晶體管T中進(jìn)行多種修改。

鈍化層PAS設(shè)置在薄膜晶體管T上。鈍化層PAS用于保護(hù)薄膜晶體管T。鈍化層PAS可以是但不限于無機(jī)膜，例如二氧化硅膜、氮化硅膜或它們的多層。

濾色片CF設(shè)置在鈍化層PAS上。濾色片CF設(shè)置在基部襯底110上的像素區(qū)域，不與薄膜晶體管T重疊。濾色片CF用于在有機(jī)發(fā)光顯示面板100上實(shí)現(xiàn)顏色。從有機(jī)發(fā)光二極管OLED發(fā)出的光穿過濾色片CF向下發(fā)出。

平坦化層PAC設(shè)置在鈍化層PAS上。平坦化層PAC覆蓋薄膜晶體管T和濾色片CF。平坦化層PAC用于使設(shè)置有薄膜晶體管T和濾色片CF的基部襯底110的上部平坦。平坦化層PAC可由有機(jī)膜制成，例如，丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、聚酰胺樹脂或聚酰亞胺樹脂，但不限于此。暴露薄膜晶體管T的漏極DE的第三接觸孔CNT3設(shè)置在平坦化層PAC和鈍化層PAS中。漏極DE通過第三接觸孔CNT3與陽極AND連接。

有機(jī)發(fā)光二極管OLED與薄膜晶體管T連接。有機(jī)發(fā)光二極管OLED設(shè)置在薄膜晶體管T和濾色片CF上。有機(jī)發(fā)光二極管OLED包括陽極AND、有機(jī)發(fā)光層EL和陰極CAT。

陽極AND通過設(shè)置在鈍化層PAS和平坦化層PAC中的第三接觸孔CNT3與薄膜晶體管T的漏極DE連接。陽極AND可以是功函數(shù)值相對(duì)很大的透明導(dǎo)電材料，例如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)。而且，陽極AND也可由包括具有優(yōu)良反射效率的金屬材料，例如Al、Ag、APC(Ag；Pb；Cu)等的至少兩層或更多層組成。

堤部170設(shè)置在彼此相鄰的陽極AND之間。堤部170將彼此相鄰的陽極AND電隔離。堤部170覆蓋陽極AND的一側(cè)。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的堤部170可以是包括光吸收材料的黑色堤部。例如，堤部170可以由包括諸如炭黑的黑色顏料的有機(jī)膜，例如，諸如聚酰亞胺樹脂、丙烯酸樹脂和BCB的有機(jī)膜制成，但不限于此。

如果使用不包括光吸收材料的現(xiàn)有技術(shù)堤部，進(jìn)入顯示面板的外部光被陰極CAT反射并發(fā)射到顯示面板的外部，因此出現(xiàn)顯示面板的戶外能見度劣化的問題。然而，如果使用根據(jù)本發(fā)明的包括光吸收材料的堤部170，堤部170吸收外部光以及陰極CAT反射的反射光，由此可提高了顯示面板的戶外能見度。

有機(jī)發(fā)光層EL設(shè)置在陽極AND上。有機(jī)發(fā)光層EL可包括空穴傳輸層、有機(jī)發(fā)光層和電子傳輸層。此外，有機(jī)發(fā)光層EL可進(jìn)一步包括用于提高發(fā)光效率和/或壽命的至少一個(gè)功能層。

陰極CAT設(shè)置在有機(jī)發(fā)光層EL和堤部170上。如果在陽極AND和陰極CAT上施加電壓，空穴和電子分別通過空穴傳輸層和電子傳輸層移動(dòng)到有機(jī)發(fā)光層EL，并且在有機(jī)發(fā)光層EL中彼此結(jié)合以發(fā)光。

封裝層180設(shè)置在薄膜晶體管T和有機(jī)發(fā)光二極管OLED上。封裝層180覆蓋薄膜晶體管T和有機(jī)發(fā)光二極管OLED。封裝層180用于保護(hù)薄膜晶體管T和諸如有機(jī)發(fā)光二極管OLED的元件免受外部影響，以及防止水滲透到有機(jī)發(fā)光顯示面板100內(nèi)。

封裝層180可包括交替沉積的多個(gè)無機(jī)膜和多個(gè)有機(jī)膜。多個(gè)有機(jī)膜可布置在各無機(jī)膜之間。封裝層180可由無機(jī)膜組成，但不限于此。也就是說，封裝層180可由有機(jī)膜組成。如果封裝層180由有機(jī)膜組成，前粘結(jié)層可另外設(shè)置在封裝層180上。在這種情況下，前粘結(jié)層可以是但不限于金屬層或阻隔膜層。

圖3是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的柵極結(jié)構(gòu)的剖視圖，并涉及圖2所示的柵極。圖4和5是示出在如圖3所示的第一反射光和第二反射光之間的相消干涉的示例性視圖。圖6是示出基于圖3所示的透明金屬層厚度的柵極反射率的圖表。

參考圖3到6，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的柵極GE包括半透射金屬層ML1、透明金屬層ML2和反射金屬層ML3。

半透射金屬層ML1設(shè)置在柵極絕緣GI膜上。半透射金屬層ML1可以是具有與柵極絕緣GI膜的優(yōu)良粘合力以及40％或更高的透射率的金屬薄膜。半透射金屬層ML1可以是但不限于例如Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd和Cu的金屬材料中的任意一種。在這種情況下，可基于厚度確定半透射金屬層ML1的透射率。本發(fā)明的發(fā)明人已通過一些實(shí)驗(yàn)證實(shí)了，沉積具有厚度的Mo具有40％或更高的透射率。因此，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半透射金屬層ML1可以是沉積具有厚度的Mo。

透明金屬層ML2設(shè)置在半透射金屬層ML1上。透明金屬層ML2設(shè)置在半透射層ML1和反射金屬層ML3之間。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，可控制半透射金屬層ML1和反射金屬層ML3之間的距離D，由此可在半透射金屬層ML1表面上反射的第一反射光A和在反射金屬層ML3表面上反射的第二反射光B之間發(fā)生相消干涉，并且可減少柵極GE的反射率。在這種情況下，半透射金屬層ML1和反射金屬層ML3之間的距離D與透明金屬層ML2的厚度相同。也就是說，可控制透明金屬層ML2的厚度，由此可在第一反射光A和第二反射光B之間發(fā)生相消干涉，并因此減少柵極GE的反射率。

本發(fā)明的發(fā)明人已通過一些實(shí)驗(yàn)證實(shí)了，隨著透明金屬層ML2的厚度增加，柵極GE的反射率逐漸減少。然而，注意到如果透明金屬層ML2的厚度超過柵極GE的反射率再次增加。特別地，當(dāng)透明金屬層ML2的厚度為時(shí)，柵極GE的反射率具有10.6％的最小值。因此，通過考慮沉積過程中的誤差范圍，根據(jù)本發(fā)明的透明金屬層ML2的厚度可被設(shè)置為在到范圍內(nèi)的任一值。在這種情況下，沉積具有厚度的Mo可用作半透射金屬層ML1，沉積具有厚度的Cu可用作反射金屬層ML3。而且，氧化銦錫(ITO)用作透明金屬層ML2。然而，透明金屬層ML2并不局限于ITO，并且例如可以是氧化銦鋅(IZO)。

反射金屬層ML3設(shè)置在透明金屬層ML2上。由于反射金屬層ML3反射進(jìn)入半透射金屬層ML1的外部光以及進(jìn)入透明金屬層ML2的外部光，反射金屬層ML3可以是不透明金屬材料，例如，Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd和Cu的任一種，但不限于此。

簡而言之，如果外部光穿過基部襯底110進(jìn)入柵極GE，外部光在半透射金屬層ML1的表面上部分地反射。在本發(fā)明中，該光被稱為第一反射光A。而且，除第一反射光A之外的其它外部光在透過半透射金屬層ML1和透明金屬層ML2后在反射金屬層ML3的表面上反射。在本發(fā)明中，該光被稱為第二反射光B。在這種情況下，由于控制了透明金屬層ML2的厚度，在第一反射光A和第二反射光B之間可發(fā)生相消干涉。相消干涉意味著具有彼此相反相位的兩個(gè)波長彼此重疊時(shí)，復(fù)合波長的振幅變小。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，由于可控制透明金屬層ML2的厚度，第一反射光A和第二反射光B的波長可反相位地彼此重疊，由此可減少復(fù)合波長A+B的振幅。由于減少了復(fù)合波長A+B的振幅，可減少從外部進(jìn)入顯示面板并被柵極GE反射的反射光。也就是說，由于控制了透明金屬層ML2的厚度，在第一反射光A和第二反射光B之間可發(fā)生相消干涉，由此可減少柵極GE的反射率。因此，可減少由柵極GE反射并發(fā)射到外部的反射光，由此可提高顯示面板的戶外能見度。

盡管在本發(fā)明中僅描述了柵極GE，但源極SE和漏極DE可具有與柵極GE相同的結(jié)構(gòu)，并且可提供與柵極GE相同的效果。也就是說，如果源極和漏極的每個(gè)都與柵極同樣地設(shè)置，在半透射金屬層的反射光和反射金屬層的反射光之間發(fā)生相消干涉，由此可減少源極和漏極的反射率。由于減少了源極和漏極的反射率，可減少發(fā)射到顯示面板外部的反射光，由此可提高顯示面板的戶外能見度。

圖7是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的緩沖層結(jié)構(gòu)的剖視圖，并且旨在示出參考圖2所描述的緩沖層的第一緩沖層的結(jié)構(gòu)。圖8是示出基于圖7所示的二氧化硅膜厚度的緩沖層透射率的示例性視圖。圖9是示出基于圖7所示的二氧化硅膜厚度的柵極反射率的圖表。

參考圖7到9，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的緩沖層130的第一緩沖層131設(shè)置在基部襯底110上?？紤]阻隔特性，第一緩沖層131包括至少兩個(gè)或更多的無機(jī)膜。因此，第一緩沖層131可包括順序沉積的二氧化硅(SiO₂)膜和氮化硅(SiNx)膜。盡管在本發(fā)明的實(shí)施例中示出了交替沉積的多個(gè)二氧化硅(SiO₂)膜和多個(gè)氮化硅(SiNx)膜，本發(fā)明并不限于該沉積結(jié)構(gòu)，并且在二氧化硅(SiO₂)膜和氮化硅(SiNx)膜的沉積結(jié)構(gòu)中可進(jìn)行各種修改。

可通過考慮設(shè)置在第一緩沖層131上的電極(柵極、源極和漏極)的反射率，設(shè)定二氧化硅(SiO₂)膜和氮化硅(SiNx)膜每一個(gè)的厚度。本發(fā)明的發(fā)明人已通過一些實(shí)驗(yàn)證實(shí)了，如果第一緩沖層131的透射率為88％或更高，每個(gè)電極的反射率可減少到12％或更少。參考圖8和9，當(dāng)二氧化硅膜(SiO₂)的厚度為到時(shí)，第一緩沖層131具有88％或更高的透射率，并且每個(gè)電極具有12％或更少的透射率。在這種情況下，二氧化硅(SiO₂)膜的厚度可與氮化硅(SiNx)膜相同或更厚。根據(jù)該實(shí)驗(yàn)的氮化硅(SiNx)膜的厚度已被設(shè)定為

如果提供了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的緩沖層130，設(shè)置在顯示面板內(nèi)側(cè)的電極的反射率可降低到12％或更低，由此可提高顯示面板的戶外能見度。

圖10是示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的剖視圖。圖11是示出圖10所示的下膜的示例性視圖。圖12是示出基于圖10所示的下膜透射率的顯示面板反射率的圖表。在這種情況下，下膜120額外設(shè)置在圖2所示的基部襯底110下方。因此，將描述下膜120及其相關(guān)元件，并且將省略其它元件的重復(fù)描述。

參考圖10到12，根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的下膜附接到基部襯底110的下部。下膜120附接到基部襯底110下方的整個(gè)表面。下膜120控制進(jìn)入有機(jī)發(fā)光顯示面板100的外部光的透射率。下膜120吸收有機(jī)發(fā)光顯示面板100內(nèi)側(cè)的電極所反射的反射光。為此，下膜120可包括諸如黑色顏料的光吸收材料121。

根據(jù)本發(fā)明的下膜120的透射率可以是80％到50％。通常，不被肉眼察覺的反射率極限為6％或更少。不被肉眼察覺的反射率意味著有機(jī)發(fā)光顯示面板100的戶外能見度是優(yōu)異的。如果與本發(fā)明一樣使用具有80％到50％透射率的下膜120，有機(jī)發(fā)光顯示面板100的反射率可降低到6％或更少。也就是，如果下膜120設(shè)置在有機(jī)發(fā)光顯示面板100的基部襯底110下方，與不設(shè)置下膜120的情況相比可額外減少有機(jī)發(fā)光顯示面板100的反射率。在這種情況下，可額外提高顯示面板的戶外能見度。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，基于設(shè)置在半透射金屬層和反射金屬層之間的透明金屬層的厚度，在半透射金屬層的反射光和反射金屬層的反射光之間可發(fā)生相消干涉，由此可減少設(shè)置在薄膜晶體管中的每個(gè)電極的反射率。因此，可減少發(fā)射到顯示面板外部的反射光，由此可提高顯示面板的戶外能見度。

對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見的是，可在本發(fā)明中進(jìn)行各種修改和變型，而不背離本發(fā)明的精神或范圍。因此，這意味著，本發(fā)明涵蓋本發(fā)明的修改和變型，只要它們?cè)谒綑?quán)利要求及其等效方案的范圍內(nèi)。