示例實(shí)施例總體上涉及一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置。更具體地，本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例用于連接線更不易于短路在一起的柔性有機(jī)發(fā)光顯示裝置。

背景技術(shù)：

因?yàn)榕c陰極射線管(CRT)顯示裝置相比，平板顯示(FPD)裝置質(zhì)輕且薄，所以FPD裝置被廣泛地用作電子裝置的顯示裝置。FPD裝置的典型示例是液晶顯示(LCD)裝置和有機(jī)發(fā)光顯示(OLED)裝置。與LCD裝置相比，OLED裝置具有諸如更高的亮度和更寬的視角的許多優(yōu)點(diǎn)。另外，因?yàn)镺LED裝置不需要背光，所以O(shè)LED裝置可制作得更薄。在OLED裝置內(nèi)，電子和空穴通過陰極和陽極注入到有機(jī)薄層中，然后在有機(jī)薄層內(nèi)復(fù)合以產(chǎn)生激子，由此可發(fā)射特定波長的光。

近來，已經(jīng)開發(fā)了通過包括柔性下基板和薄膜包封基板而能夠彎曲或折疊的柔性O(shè)LED。另一方面，可通過去除在柔性O(shè)LED的焊盤區(qū)(例如，柔性O(shè)LED與外部裝置電接觸的部分)的彎曲區(qū)或折疊區(qū)中的絕緣層來控制中性平面。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

一些示例實(shí)施例提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括在焊盤區(qū)中具有開口的絕緣層。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示(OLED)裝置，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括：基板，包括通過第三區(qū)與第二區(qū)分隔開的第一區(qū)；多個(gè)像素結(jié)構(gòu)，布置在第一區(qū)內(nèi)并且在基板上；絕緣層，布置在基板上并且在第一區(qū)至第三區(qū)內(nèi)，絕緣層被布置在第三區(qū)內(nèi)的多個(gè)開口穿透，開口在第一方向上延伸并且在第二方向上彼此分隔開，開口暴露基板，第一方向和第二方向兩者與基板的上表面平行并且彼此垂直；以及多條連接線，在基板上沿第一方向延伸，連接線的在第一區(qū)和第二區(qū)內(nèi)的部分布置在絕緣層上，其 中，在第三區(qū)內(nèi)，連接線布置在開口的在第一方向上彼此分隔開的側(cè)壁的至少一部分上以及在基板的通過開口暴露的至少一部分上，連接線使像素結(jié)構(gòu)電連接到外部裝置。

絕緣層內(nèi)的開口可包括第一開口至第N開口，其中，N是大于1的整數(shù)，連接線包括第一連接線至第M連接線，其中，M是大于1的整數(shù)，絕緣層可通過第三區(qū)內(nèi)的開口空間上分離，其中，第一連接線至第M連接線中的第L連接線可設(shè)置在第一開口至第N開口中的第K開口的位于第一方向上的側(cè)壁中的每個(gè)側(cè)壁的至少一部分上以及在基板的通過第三區(qū)內(nèi)的第K開口暴露的至少一部分上，其中，K可以是1和N之間的整數(shù)，L可以是1和M之間的整數(shù)。每個(gè)開口的在第二方向上的寬度可大于每條連接線的在第二方向上的寬度。OLED裝置也可包括：平坦化層，布置在連接線上，平坦化層包括在第二區(qū)內(nèi)的暴露連接線中的一條連接線的第一通孔；以及焊盤電極，布置在第二區(qū)內(nèi)，焊盤電極可通過平坦化層的第一通孔與連接線接觸。平坦化層也可包括暴露在與第二區(qū)和第三區(qū)的邊界相鄰的位置處的連接線的第二通孔。OLED裝置也可包括布置在平坦化層上并且在第三區(qū)內(nèi)的保護(hù)構(gòu)件。平坦化層可包括暴露在與第一區(qū)和第三區(qū)的邊界相鄰的位置處的連接線的第三通孔。

OLED裝置也可包括設(shè)置在保護(hù)構(gòu)件和平坦化層之間的第一輔助線，第一輔助線可通過第三通孔電連接到連接線中的一條連接線并且可通過第二通孔電連接到連接線中的所述一條連接線。第一輔助線可與連接線整體地形成。

像素結(jié)構(gòu)可包括具有布置在基板上的有源層、布置在有源層上的柵電極以及布置在柵電極上的源電極和漏電極的半導(dǎo)體元件，像素結(jié)構(gòu)也可包括布置在半導(dǎo)體元件上的第一電極、布置在第一電極上的發(fā)光層以及布置在發(fā)光層上的第二電極。第一電極、焊盤電極和第一輔助線可同時(shí)形成并且可由相同的材料制成，源電極和漏電極以及連接線可同時(shí)形成并且由相同的材料組成。OLED也可包括布置在平坦化層上的像素限定層，像素限定層可覆蓋第一電極的兩個(gè)側(cè)部以及焊盤電極的兩個(gè)側(cè)部。像素限定層和保護(hù)構(gòu)件可同時(shí)形成并且可由相同的材料制成。絕緣層可包括布置在有源層上的柵極絕緣層和布置在在柵極絕緣層上布置的柵電極上的絕緣中間層。

OLED也可包括嵌入第一區(qū)、第二區(qū)和第三區(qū)中的每個(gè)區(qū)內(nèi)的基板內(nèi)的第二輔助線。絕緣層也可包括第四通孔和第五通孔，第四通孔布置在第二區(qū) 內(nèi)并且通過去除基板的一部分、柵極絕緣層的一部分以及絕緣中間層的一部分而暴露第二輔助線，第五通孔布置在第一區(qū)內(nèi)并且通過去除基板的一部分、柵極絕緣層的一部分以及絕緣中間層的一部分而暴露第二輔助線。連接線中的一條連接線可通過第二區(qū)內(nèi)的第四通孔與第二輔助線接觸，并且可通過第一區(qū)內(nèi)的第五通孔與第二輔助線接觸。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示(OLED)裝置，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括：基板，包括通過第三區(qū)與第二區(qū)分隔開的第一區(qū)；多個(gè)像素結(jié)構(gòu)，布置在基板上的第一區(qū)內(nèi)；絕緣層，布置在第一區(qū)至第三區(qū)內(nèi)，絕緣層具有在第三區(qū)內(nèi)的多個(gè)開口，每個(gè)開口可在第一方向上延伸并且可在第二方向上彼此分隔開，第一方向和第二方向可與基板平行并且第二方向可與第一方向垂直；以及多條連接線，在第一區(qū)、第二區(qū)和第三區(qū)內(nèi)的基板上沿第一方向延伸，其中，連接線的在第一區(qū)和第二區(qū)內(nèi)的部分可布置在絕緣層上，其中，連接線的在第三區(qū)內(nèi)的部分可與開口分隔開并且可設(shè)置兩個(gè)相鄰的開口之間，連接線可使像素結(jié)構(gòu)電連接到外部裝置。

絕緣層內(nèi)的開口可包括第一開口至第N開口，其中，N可以是大于1的整數(shù)，連接線可包括第一連接線至第M連接線，其中，M可以是大于1的整數(shù)，在第三區(qū)內(nèi)的絕緣層可通過開口空間上分離，第一連接線至第M連接線中的第L連接線可設(shè)置在絕緣層上的第一開口至第N開口中的第K開口和第K+1開口之間，其中，K可以是1和N之間的整數(shù)，L可以是1和M之間的整數(shù)。OLED裝置也可包括平坦化層和焊盤電極，平坦化層布置在連接線上，平坦化層可包括在第二區(qū)內(nèi)的暴露連接線中的一條連接線的第一通孔，焊盤電極布置在第二區(qū)內(nèi)，焊盤電極可通過平坦化層的第一通孔與連接線接觸。

附圖說明

在結(jié)合附圖考慮時(shí)通過參照下面的詳細(xì)描述，本發(fā)明的更完整的理解及其許多伴隨的優(yōu)點(diǎn)將是容易明顯的，同樣地，變得更好理解，在附圖中，同樣地參考符號(hào)指示相同或相似的組件，其中：

圖1是示出根據(jù)示例實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示(OLED)裝置的平面圖；

圖2是用于描述包括在圖1的OLED裝置內(nèi)的連接線和開口的平面圖；

圖3是用于描述與圖1的OLED裝置電連接的外部裝置的框圖；

圖4是沿圖1的線I-I'截取的剖視圖；

圖5是沿圖1的線II-II'截取的剖視圖；

圖6是示出生產(chǎn)基礎(chǔ)絕緣層的制造OLED裝置的方法的剖視圖；

圖7是示出生產(chǎn)基礎(chǔ)絕緣層的制造OLED裝置的方法的沿另一方向的另一剖視圖；

圖8是示出在基礎(chǔ)絕緣層內(nèi)形成開口的制造OLED裝置的方法的剖視圖；

圖9是示出在基礎(chǔ)絕緣層內(nèi)形成開口的制造OLED裝置的方法的另一剖視圖；

圖10是示出生產(chǎn)連接線的制造OLED裝置的方法的剖視圖；

圖11是示出生產(chǎn)連接線的制造OLED裝置的方法的在另一方向上的另一剖視圖；

圖12是示出生產(chǎn)焊盤、通孔和像素限定層的制造OLED裝置的方法的剖視圖；

圖13是示出生產(chǎn)焊盤、通孔和像素限定層的制造OLED裝置的方法的在另一方向上截取的另一剖視圖；

圖14是示出圖1的OLED裝置的示例的剖視圖；

圖15是示出圖1的OLED裝置的示例的剖視圖；

圖16是示出圖1的OLED裝置的示例的剖視圖；

圖17是示出圖1的OLED裝置的示例的剖視圖；

圖18是示出圖1的OLED裝置的示例的剖視圖；

圖19是示出圖1的OLED裝置的示例的剖視圖；

圖20是示出根據(jù)示例實(shí)施例的OLED裝置的平面圖；

圖21是沿圖20的線III-III'截取的剖視圖；

圖22是沿圖20的線IV-IV'截取的剖視圖；

圖23是沿圖20的線V-V'截取的剖視圖；

圖24是沿圖20的線VI-VI'截取的剖視圖。

具體實(shí)施方式

以下，將參照附圖來詳細(xì)解釋本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例。

現(xiàn)在轉(zhuǎn)向圖1至圖3，圖1是示出根據(jù)示例實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示(OLED)裝置的平面圖，圖2是用于描述包括在圖1的OLED裝置內(nèi)的連 接線和開口的平面圖，圖3是用于描述與圖1的OLED裝置電連接的外部裝置的框圖。

參照圖1至圖3，有機(jī)發(fā)光顯示(OLED)裝置100可包括像素區(qū)50和外圍區(qū)55。這里，外圍區(qū)55可圍繞像素區(qū)50。另外，外圍區(qū)55可包括具有彎曲區(qū)30(例如，將在下面描述的第三區(qū))的焊盤區(qū)60。因?yàn)閺澢鷧^(qū)30可彎曲，所以焊盤區(qū)60的一部分可位于OLED裝置100的下表面上，OLED裝置100的外圍區(qū)55可相對減小。

多個(gè)像素PX(例如，將在下面描述的像素結(jié)構(gòu))可設(shè)置在像素區(qū)50內(nèi)，像素PX可顯示圖像。多條公共線(例如，數(shù)據(jù)信號(hào)線、掃描信號(hào)線、發(fā)射信號(hào)線、電源電壓線等)可設(shè)置在外圍區(qū)55內(nèi)，包括在OLED裝置100內(nèi)的將在下面描述的絕緣層、連接線220、焊盤電極300等可設(shè)置在焊盤區(qū)60內(nèi)。另外，開口205可形成在絕緣層內(nèi)以在與彎曲區(qū)30對應(yīng)的位置處穿透絕緣層。例如，連接線220中的每條連接線可沿與將在下面描述且包括在OLED裝置100內(nèi)的基板的上表面平行的第一方向延伸，通過去除絕緣層而暴露基板的開口205可在與第一方向垂直的第二方向上彼此分隔開。

在示例實(shí)施例中，開口205可包括第一開口至第N開口，其中，N是大于1的整數(shù)，連接線220可包括第一連接線至第M連接線，其中，M是大于1的整數(shù)。絕緣層可被彎曲區(qū)30內(nèi)的開口205空間上分離。第一連接線至第M連接線中的第L連接線可設(shè)置在：i)第一開口至第N開口中的第K開口的位于第一方向上的側(cè)壁中的每個(gè)側(cè)壁的至少一部分上以及ii)基板的在由第三區(qū)(例如，彎曲區(qū)30)內(nèi)的第K開口暴露的至少一部分上，其中，K是1和N之間的整數(shù)，L是1和M之間的整數(shù)。

例如，圖2的開口205可以是第K開口。如圖2中所示，開口205可具有在第一方向上定位(即，分隔開一定距離)的側(cè)壁206和207以及在第二方向上定位(即，分隔開一定距離)的側(cè)壁208和209。每條連接線220可沿第一方向延伸，并且可設(shè)置在彎曲區(qū)30內(nèi)的開口205的位于第一方向上的側(cè)壁206和207中的每個(gè)側(cè)壁的至少一部分以及基板的通過彎曲區(qū)30內(nèi)的開口205暴露的至少一部分上。如圖3中所示，連接線220可使設(shè)置在像素區(qū)50內(nèi)的像素PX電連接到外部裝置101。例如，外部裝置101可通過柔性印刷電路板(FPCB)連接到OLED裝置100。外部裝置101可向OLED裝置100提供數(shù)據(jù)信號(hào)、掃描信號(hào)、發(fā)射信號(hào)、電源電壓等。另外，驅(qū)動(dòng)集成電 路可安置(例如，安裝)在FPCB內(nèi)。

再次參照圖2，在示例實(shí)施例中，開口205在第二方向上的寬度W2可大于連接線220在第二方向上的寬度W1。例如，因?yàn)樾纬捎虚_口205，所以可增大在彎曲區(qū)30內(nèi)的絕緣層的臺(tái)階(例如，水平的差)。因?yàn)榕_(tái)階在彎曲區(qū)30內(nèi)增大，所以在蝕刻形成在整個(gè)基板上的初始連接線層的工藝之后，連接線220可在開口205內(nèi)不被完全蝕刻(或圖案化)。然而，在示例實(shí)施例中，連接線220的蝕刻殘留物可殘留在開口205內(nèi)，連接線220中的每條連接線可設(shè)置在每個(gè)開口205中。例如，蝕刻殘留物可在開口205內(nèi)的絕緣層和基板的邊界上殘留。在這種情況下，雖然蝕刻殘留物殘留在開口205內(nèi)，但是鄰近的連接線220不會(huì)短路在一起。即，鄰近的連接線220不會(huì)通過蝕刻殘留物電連接。因此，雖然彎曲區(qū)30的絕緣層被去除以允許彎曲或折疊彎曲區(qū)30，但是OLED裝置100可用作柔性O(shè)LED裝置而不使連接線220短路在一起。

另一方面，傳統(tǒng)的OLED裝置在彎曲區(qū)30中具有一個(gè)開口。例如，開口可通過去除在彎曲區(qū)30中的絕緣層來暴露整個(gè)基板。在這種情況下，因?yàn)樾纬捎虚_口，所以可增大在彎曲區(qū)30內(nèi)的絕緣層的臺(tái)階。因?yàn)榕_(tái)階在彎曲區(qū)30內(nèi)增大，所以在蝕刻形成在整個(gè)基板上的初始連接線層的工藝之后，每條連接線可在開口內(nèi)不被完全蝕刻。即，連接線的蝕刻殘留物可殘留在開口內(nèi)。這里，蝕刻殘留物可殘留在絕緣層和基板的邊界上。結(jié)果，蝕刻殘留物可與連接線直接接觸，蝕刻殘留物可使相鄰的連接線彼此電連接。因此，當(dāng)傳統(tǒng)的OLED裝置可在彎曲區(qū)30中具有一個(gè)開口時(shí)，連接電極會(huì)短路。

在示例實(shí)施例中，OLED裝置100包括在焊盤區(qū)60內(nèi)的五條連接線220和五個(gè)開口205，但不限于此。在一些示例實(shí)施例中，例如，OLED裝置100可包括多條連接線220和多個(gè)開口205。

另外，圖1的開口205的形狀具有基本上矩形形狀的平面形狀，但不限于此。例如，開口205的形狀可代替地具有基本上三角形形狀、基本上菱形形狀、基本上多邊形形狀、基本上圓形形狀、基本上履帶形狀或基本上橢圓形形狀的平面形狀。

現(xiàn)在轉(zhuǎn)向圖4和圖5，圖4是沿圖1的線I-I'截取的剖視圖，圖5是沿圖1的線II-II'截取的剖視圖。參照圖4和圖5，有機(jī)發(fā)光顯示(OLED)裝置100可包括基板110、像素結(jié)構(gòu)、絕緣層200、薄膜包封結(jié)構(gòu)400、連接線220、 焊盤電極300、平坦化層270、像素限定層310等。這里，像素結(jié)構(gòu)可包括半導(dǎo)體元件250、第一電極290、發(fā)光層330和第二電極340。半導(dǎo)體元件250可包括有源層130、柵電極170、源電極230和漏電極210。絕緣層200可包括緩沖層115、柵極絕緣層150和絕緣中間層190。薄膜包封結(jié)構(gòu)400可包括第一薄膜包封層385、390和395以及第二薄膜包封層370和375。

如上所述，OLED裝置100可包括具有多個(gè)像素的像素區(qū)和外圍區(qū)。外圍區(qū)可包括具有彎曲區(qū)30的焊盤區(qū)60。在示例實(shí)施例中，基板110可包括第一區(qū)10、第二區(qū)20和第三區(qū)30。彎曲區(qū)可以是第三區(qū)30，第一區(qū)10可以是像素區(qū)以及焊盤區(qū)的一部分。第二區(qū)20可以是OLED裝置100與外部裝置電連接的區(qū)域。例如，第二區(qū)20可通過第三區(qū)30與第一區(qū)10分隔開。像素結(jié)構(gòu)以及連接線220的一部分可設(shè)置在第一區(qū)10內(nèi)，開口205可位于第三區(qū)30內(nèi)。

像素結(jié)構(gòu)以及連接線220的一部分可設(shè)置在基板110上的第一區(qū)10內(nèi)，連接線220的一部分和開口205可設(shè)置在第三區(qū)30內(nèi)。另外，焊盤電極300以及連接線220的一部分可設(shè)置在第二區(qū)20內(nèi)。

基板110可由透明材料形成。例如，基板110可包括諸如柔性透明樹脂基板的柔性透明材料。例如，聚酰亞胺基板可包括第一聚酰亞胺層、第一阻擋膜層、第二聚酰亞胺層、第二阻擋膜層等。由于聚酰亞胺基板是相對薄的且有柔性的，因此聚酰亞胺基板可設(shè)置在剛性玻璃基板上以幫助支撐像素結(jié)構(gòu)的形成。即，基板110可具有第一聚酰亞胺層、第一阻擋膜層、第二聚酰亞胺層以及第二阻擋膜層堆疊在剛性玻璃基板上的結(jié)構(gòu)。在制造OLED裝置100的過程中，在緩沖層115提供在聚酰亞胺基板的第二阻擋膜層上之后，像素結(jié)構(gòu)(例如，半導(dǎo)體元件250、第一電極290、發(fā)光層330、第二電極340等)可設(shè)置在緩沖層115上。在像素結(jié)構(gòu)形成在緩沖層115上之后，可去除在其上面設(shè)置有聚酰亞胺基板的剛性玻璃基板。因?yàn)榫埘啺坊迨窍鄬Ρ〉那矣腥嵝缘模詴?huì)難以在聚酰亞胺基板上直接形成像素結(jié)構(gòu)。因此，像素結(jié)構(gòu)形成在聚酰亞胺基板和剛性玻璃基板上，然后聚酰亞胺基板可在去除剛性玻璃基板之后用作OLED裝置100的基板110?？蛇x擇地，基板110可由石英基板、合成石英基板、氟化鈣基板、氟化物摻雜的石英基板、堿石灰基板、非堿性基板等形成。

緩沖層115可設(shè)置在基板110上。緩沖層115可沿第一方向從第一區(qū)10 延伸到第二區(qū)20。即，緩沖層可設(shè)置在整個(gè)基板110上的第一區(qū)10和第二區(qū)20內(nèi)。在示例實(shí)施例中，緩沖層115可包括暴露在第三區(qū)30內(nèi)的基板110的開口205。緩沖層115可防止來自基板110的金屬原子和/或雜質(zhì)的擴(kuò)散。另外，緩沖層115可控制在形成有源層130的結(jié)晶化工藝中的熱傳遞的速率，由此獲得基本上均勻的有源層130。此外，當(dāng)基板110的表面相對不規(guī)則時(shí)，緩沖層115可改善基板110的表面平坦度。根據(jù)基板110的類型，至少兩個(gè)緩沖層可提供在基板110上，或者可不設(shè)置緩沖層。例如，緩沖層115可包括硅化合物、金屬氧化物等。

半導(dǎo)體元件250可由有源層130、柵電極170、源電極230和漏電極210形成。例如，有源層130可設(shè)置在基板110上的第一區(qū)10內(nèi)。有源層130可由氧化物半導(dǎo)體、無機(jī)半導(dǎo)體(例如，非晶硅、多晶硅等)、有機(jī)半導(dǎo)體等形成。在示例實(shí)施例中，OLED裝置100的半導(dǎo)體元件250具有頂柵結(jié)構(gòu)，但不限于此。在一些示例實(shí)施例中，半導(dǎo)體元件可代替地具有底柵結(jié)構(gòu)。

柵極絕緣層150可設(shè)置在有源層130上。柵極絕緣層150可覆蓋第一區(qū)10內(nèi)的有源層130，并且可在基板110上沿第一方向延伸。即，柵極絕緣層150可設(shè)置在整個(gè)基板110上的第一區(qū)10和第二區(qū)20內(nèi)。柵極絕緣層150可完全覆蓋有源層130，并且可具有基本上水平的表面而沒有圍繞有源層130的臺(tái)階?？蛇x擇地，柵極絕緣層150可覆蓋有源層130，并且可沿有源層130的輪廓設(shè)置為基本上均勻的厚度。在示例實(shí)施例中，柵極絕緣層150可包括暴露第三區(qū)30內(nèi)的基板110的開口205。柵極絕緣層150可由硅化合物、金屬氧化物等形成。

柵電極170可設(shè)置在柵極絕緣層150的其下面設(shè)置有有源層130的部分上。柵電極170可由金屬、合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物、透明導(dǎo)電材料等形成。

絕緣中間層190可設(shè)置在柵電極170上。絕緣中間層190可覆蓋第一區(qū)10內(nèi)的柵電極170，并且可在基板110上沿第一方向延伸。絕緣中間層190可完全覆蓋柵電極170，并且可具有基本上水平的表面而沒有圍繞柵電極170的邊緣的臺(tái)階?？蛇x擇地，絕緣中間層190可覆蓋柵電極170，并且可沿柵電極170的輪廓設(shè)置為基本上均勻的厚度。即，絕緣中間層190可設(shè)置在整個(gè)基板110上的第一區(qū)10和第二區(qū)20內(nèi)。在示例實(shí)施例中，絕緣中間層190可包括暴露第三區(qū)30內(nèi)的基板110的開口205。絕緣中間層190可包括硅化 合物、金屬氧化物等。

源電極230和漏電極210可設(shè)置在絕緣中間層190上的第一區(qū)10內(nèi)。源電極230可通過去除柵極絕緣層150和絕緣中間層190的一部分而與有源層130的第一部分接觸。漏電極210可通過去除柵極絕緣層150和絕緣中間層190的另一部分而與有源層130的第二部分接觸。源電極230和漏電極210中的每個(gè)電極可由金屬、合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物、透明導(dǎo)電材料等形成。

連接線220可設(shè)置在圖1的像素區(qū)的至少一部分中，并且可在絕緣中間層190上沿第一方向延伸。因?yàn)檫B接線220設(shè)置在像素區(qū)的至少一部分中，所以連接線220可電連接到像素結(jié)構(gòu)。因此，連接線220可使設(shè)置在像素區(qū)內(nèi)的像素結(jié)構(gòu)電連接到圖3的外部裝置。如上所述，外部裝置101可通過柔性印刷電路板(FPCB)電連接到OLED裝置100的焊盤電極300，外部裝置101可向OLED裝置100提供數(shù)據(jù)信號(hào)、掃描信號(hào)、發(fā)射信號(hào)、電源電壓等。

再次參照圖4，連接線220可設(shè)置在絕緣中間層190上的第一區(qū)10和第二區(qū)20內(nèi)，并且可設(shè)置在第三區(qū)30內(nèi)的開口205的位于第一方向上的側(cè)壁上以及在基板110的通過第三區(qū)30內(nèi)的開口205暴露的部分上。

第三區(qū)30可彎曲或折疊。當(dāng)?shù)谌齾^(qū)30彎曲或折疊時(shí)，第二區(qū)20可位于OLED裝置100的下表面中。為了彎曲或折疊第三區(qū)30，因?yàn)槿コ宋挥诘谌齾^(qū)30內(nèi)的絕緣層200，所以第三區(qū)30的中性平面可在與第一方向和第二方向垂直的第三方向上下降(或下落)。這里，當(dāng)物體彎曲時(shí)，橫截面尺寸既不增加也不減小的平面可稱為物體的中性平面。在物體包含相同材料的情況下，中性平面可與物體的中間平面對應(yīng)。否則，當(dāng)物體包含至少兩種材料(諸如例如復(fù)合材料)時(shí)，中性平面可與物體的中間平面不同。如上所述，當(dāng)OLED裝置在沒有去除絕緣層的情況下彎曲時(shí)，中性平面形成在OLED裝置的絕緣層內(nèi)，然后絕緣層會(huì)被損壞或折斷。同時(shí)，當(dāng)在去除第三區(qū)30的開口205內(nèi)的整個(gè)絕緣層之后設(shè)置連接線時(shí)，可增大絕緣層的臺(tái)階，因此，在蝕刻形成在整個(gè)基板上的初始連接線層的工藝之后，連接線可在絕緣層被充分去除的第三區(qū)30內(nèi)不被完全蝕刻(例如，圖案化)。即，連接線的蝕刻殘留物可殘留在第三區(qū)30內(nèi)。例如，蝕刻殘留物可殘留在開口205內(nèi)的絕緣層和基板的邊界上。因此，相鄰的連接線會(huì)彼此短路。

如圖4和圖5中所示，連接線220可設(shè)置在開口205的位于第一方向上 的側(cè)壁的至少一部分以及暴露的基板110的至少一部分上。例如，因?yàn)樾纬捎虚_口205，所以連接線220(或絕緣層200)的臺(tái)階可在第三區(qū)30內(nèi)增大。因?yàn)榕_(tái)階在第三區(qū)30內(nèi)增大，所以在蝕刻形成在整個(gè)基板110上的初始連接線層的工藝之后，連接線220可在開口205內(nèi)不被完全蝕刻(例如，圖案化)。然而，在示例實(shí)施例中，連接線220的蝕刻殘留物可殘留在開口205內(nèi)，連接線220中的每條連接線可設(shè)置在開口205中的每個(gè)開口內(nèi)。在這種情況下，雖然蝕刻殘留物殘留在開口205內(nèi)，但是相鄰的連接線220不會(huì)彼此短路。連接線220可包括金屬、合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物、透明導(dǎo)電材料等。例如，連接線220可包括鋁(Al)、鋁的合金、氮化鋁(AlNx)、銀(Ag)、銀的合金、鎢(W)、氮化鎢(WNx)、銅(Cu)、銅的合金、鎳(Ni)、鉻(Cr)、氮化鉻(CrNx)、鉬(Mo)、鉬的合金、鈦(Ti)、氮化鈦(TiNx)、鉑(Pt)、鉭(Ta)、氮化鉭(TaNx)、釹(Nd)、鈧(Sc)、氧化鍶釕(SRO)、氧化鋅(ZnOx)、氧化錫(SnOx)、氧化銦(InOx)、氧化鎵(GaOx)、氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)等。這些可單獨(dú)或以它們的合適的組合來使用。在示例實(shí)施例中，連接線220可具有堆疊的結(jié)構(gòu)，堆疊的結(jié)構(gòu)可由Ti/Al/Ti形成。連接線220、源電極230和漏電極210可使用相同的材料同時(shí)形成。因此，在第一區(qū)10內(nèi)，可設(shè)置包括有源層130、柵電極170、漏電極210和源電極230的半導(dǎo)體元件250。

平坦化層270可設(shè)置在源電極230、漏電極210和連接線220上。平坦化層270可覆蓋在第一區(qū)10內(nèi)的源電極230、漏電極210和連接線220，并且可在絕緣中間層190上沿第一方向延伸。即，平坦化層270可設(shè)置在整個(gè)絕緣中間層190上的第一區(qū)10、第二區(qū)20和第三區(qū)30內(nèi)。在示例實(shí)施例中，平坦化層270可具有暴露第二區(qū)20內(nèi)的連接線220的第一通孔275以及暴露在與第二區(qū)20和第三區(qū)30的邊界相鄰的位置處的連接線220的第二通孔276。第二通孔276可阻擋從外部滲透到OLED裝置100中的濕氣或水。平坦化層270可完全覆蓋源電極230、漏電極210和連接線220，并且可具有基本上水平的表面而沒有圍繞源電極230、漏電極210和連接線220的臺(tái)階?？蛇x擇地，平坦化層270可覆蓋源電極230、漏電極210和連接線220，并且可沿源電極230、漏電極210和連接線220的輪廓設(shè)置成具有基本上均勻的厚度。平坦化層270可包括有機(jī)材料或無機(jī)材料。在示例實(shí)施例中，平坦化層270可包括諸如聚酰亞胺類樹脂、光致抗蝕劑、丙烯酸類樹脂、聚酰胺類樹 脂、硅氧烷類樹脂等的有機(jī)材料。

第一電極290可設(shè)置在平坦化層270上的第一區(qū)10內(nèi)。第一電極290可通過去除平坦化層270的一部分來與漏電極210接觸。結(jié)果，第一電極290可電連接到半導(dǎo)體元件250。第一電極290可由金屬、合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物、透明導(dǎo)電材料等形成。

焊盤電極300可設(shè)置在平坦化層270上的第二區(qū)20內(nèi)。焊盤電極300可通過第一通孔275與連接線220接觸。如上所述，像素結(jié)構(gòu)和外部裝置可通過將FPCB與焊盤電極300接觸而經(jīng)由連接線220電連接在一起。在示例實(shí)施例中，焊盤電極300可具有堆疊的結(jié)構(gòu)。堆疊的結(jié)構(gòu)可包括ITO/Ag/ITO。焊盤電極300和第一電極290可使用相同的材料同時(shí)形成。

像素限定層310可暴露在平坦化層270上的第一區(qū)10內(nèi)的第一電極290的一部分，并且可暴露在平坦化層270上的第二區(qū)20內(nèi)的焊盤電極300的一部分。在蝕刻形成在整個(gè)平坦化層270上的初始第一電極層和初始焊盤電極層的工藝之后，像素限定層310可覆蓋蝕刻的第一電極290的兩個(gè)側(cè)部(即，邊緣部)和蝕刻的焊盤電極300的兩個(gè)側(cè)部(即，邊緣部)。這是因?yàn)樵谖g刻的第一電極290的兩個(gè)側(cè)部和蝕刻的焊盤電極300的兩個(gè)側(cè)部中產(chǎn)生微粒。像素限定層310可包括有機(jī)材料或無機(jī)材料。在示例實(shí)施例中，像素限定層310可包括有機(jī)材料。

發(fā)光層330可設(shè)置在通過像素限定層310暴露的第一電極290上。發(fā)光層330可具有包括發(fā)射層(EL)、空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)和電子注入層(EIL)的多層結(jié)構(gòu)。發(fā)光層330的EL可使用能夠根據(jù)子像素來產(chǎn)生不同顏色的光(例如，紅顏色的光、藍(lán)顏色的光和綠顏色的光等)的發(fā)光材料中的至少一種來形成?？蛇x擇地，發(fā)光層330的EL可通常通過堆疊能夠產(chǎn)生諸如紅顏色的光、綠顏色的光、藍(lán)顏色的光等的不同顏色的光的多種發(fā)光材料來產(chǎn)生白顏色的光。

第二電極340可設(shè)置在像素限定層310上以及在發(fā)光層330上。第二電極340可覆蓋第一區(qū)10內(nèi)的像素限定層310和發(fā)光層330，并且可在基板110上沿第一方向延伸。第二電極340可由金屬、金屬合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物、透明導(dǎo)電材料等形成。

薄膜包封結(jié)構(gòu)400可設(shè)置在第二電極340上。薄膜包封結(jié)構(gòu)400可包括至少一個(gè)第一薄膜包封層385和至少一個(gè)第二薄膜包封層370。例如，第二 薄膜包封層370可設(shè)置在第一薄膜包封層385上?？山惶娌⒅貜?fù)地布置第一薄膜包封層385和第二薄膜包封層370。第一薄膜包封層385可覆蓋第二電極340，并且可沿第二電極340的輪廓設(shè)置成基本上均勻的厚度。第一薄膜包封層385可防止像素結(jié)構(gòu)由于濕氣、水、氧氣等的滲透而劣化。另外，第一薄膜包封層385可保護(hù)像素結(jié)構(gòu)免于外部沖擊。第一薄膜包封層385可包括無機(jī)材料。

第二薄膜包封層370可設(shè)置在第一薄膜包封層385上。第二薄膜包封層370可改善OLED裝置100的平坦度，并且可保護(hù)第一區(qū)10內(nèi)的像素結(jié)構(gòu)。第二薄膜包封層370可包括有機(jī)材料。

第一薄膜包封層390可設(shè)置在第二薄膜包封層370上。第一薄膜包封層390可覆蓋第二薄膜包封層370，并且可沿第二薄膜包封層370的輪廓設(shè)置為基本上均勻的厚度。第一薄膜包封層390與第一薄膜包封層385和第二薄膜包封層370一起可防止像素結(jié)構(gòu)由于濕氣、水、氧氣等的滲透而劣化。另外，第一薄膜包封層390與第一薄膜包封層385和第二薄膜包封層370一起可保護(hù)像素結(jié)構(gòu)免于外部沖擊。第一薄膜包封層390可包括無機(jī)材料。

第二薄膜包封層375可設(shè)置在第一薄膜包封層390上。第二薄膜包封層375可執(zhí)行與第二薄膜包封層370的功能基本上相同或相似的功能，第二薄膜包封層375可包括與第二薄膜包封層370的材料基本上相同或相似的材料。

第一薄膜包封層395可設(shè)置在第二薄膜包封層375上。第一薄膜包封層395可執(zhí)行與第一薄膜包封層385和390的功能基本上相同或相似的功能，第一薄膜包封層395可包括與第一薄膜包封層385和390的材料基本上相同或相似的材料。

可選擇地，薄膜包封結(jié)構(gòu)400可具有包括第一薄膜包封層385、第二薄膜包封層370和第一薄膜包封層390的三層結(jié)構(gòu)或者包括第一薄膜包封層385、第二薄膜包封層370、第一薄膜包封層390、第二薄膜包封層375、第一薄膜包封層395、附加的第一薄膜包封層和附加的第二薄膜包封層的七層結(jié)構(gòu)。

根據(jù)示例實(shí)施例的OLED裝置100包括第三區(qū)30內(nèi)的開口205，連接線220中的每條連接線可設(shè)置在開口205中的每個(gè)開口中。因此，雖然第三區(qū)30的絕緣層200被部分地去除以允許彎曲或折疊第三區(qū)30，但是OLED裝置100可用作柔性O(shè)LED裝置且相鄰的連接線220沒有短路在一起。

現(xiàn)在轉(zhuǎn)向圖6至圖13，圖6至圖13是示出根據(jù)示例實(shí)施例的制造OLED裝置的方法的剖視圖?，F(xiàn)在參照圖6和圖7，可提供基板510?？墒褂弥T如柔性透明樹脂基板的柔性透明材料來形成基板510?？稍诨?10上沿第一方向形成初始緩沖層517。初始緩沖層517可沿第一方向從第一區(qū)10延伸到第二區(qū)20。即，初始緩沖層517可形成在整個(gè)基板510上，并且可防止來自基板510的金屬原子和/或雜質(zhì)的擴(kuò)散?？墒褂霉杌衔铩⒔饘傺趸锏葋硇纬沙跏季彌_層517。

可在基板510上的第一區(qū)10內(nèi)形成有源層530?？墒褂醚趸锇雽?dǎo)體、無機(jī)半導(dǎo)體、有機(jī)半導(dǎo)體等來形成有源層530?？稍诨?10上形成初始柵極絕緣層553。初始柵極絕緣層553可覆蓋第一區(qū)10內(nèi)的有源層530，并且可沿基板510的第一方向延伸。初始柵極絕緣層553可形成在整個(gè)基板510上的第一區(qū)10、第二區(qū)20和第三區(qū)30內(nèi)。初始柵極絕緣層553可完全覆蓋有源層530，并且可具有基本上水平的表面且沒有圍繞有源層530的臺(tái)階?？墒褂霉杌衔?、金屬氧化物等來形成初始柵極絕緣層553。

可在初始柵極絕緣層553上形成柵電極570。柵電極570可形成在初始柵極絕緣層553的其下設(shè)置有有源層530的部分上?？墒褂媒饘?、合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物、透明導(dǎo)電材料等來形成柵電極570?？稍跂烹姌O570上形成初始絕緣中間層593。初始絕緣中間層593可覆蓋柵電極570，并且可在初始柵極絕緣層553上沿第一方向延伸。初始絕緣中間層593可形成在整個(gè)基板510上的第一區(qū)10內(nèi)、第二區(qū)20內(nèi)和第三區(qū)30內(nèi)。初始絕緣中間層593可完全覆蓋柵電極570，并且可具有基本上水平的頂表面且沒有圍繞柵電極570的臺(tái)階。可使用硅化合物、金屬氧化物等來形成初始絕緣中間層593。

現(xiàn)在參照圖8和圖9，可通過去除第一區(qū)10內(nèi)的初始柵極絕緣層553和初始絕緣中間層593的第一部分來暴露有源層530的源區(qū)。另外，可通過去除第一區(qū)10內(nèi)的初始柵極絕緣層553和初始絕緣中間層593的第二部分來暴露有源層530的漏區(qū)?？赏ㄟ^去除在第三區(qū)30內(nèi)的初始緩沖層517、初始柵極絕緣層553和初始絕緣中間層593來形成開口605。在這種情況下，如圖9中所示，可形成開口605使得它們在與第一方向垂直的第二方向上彼此分隔開。通過這種方法，可形成包括緩沖層515、柵極絕緣層550和絕緣中間層590的絕緣層600。

現(xiàn)在參照圖10和圖11，可在絕緣中間層590上的第一區(qū)10內(nèi)形成源電極630、漏電極610以及連接線620的一部分。源電極630和漏電極610中的每個(gè)電極可填充第一區(qū)10內(nèi)的柵極絕緣層550和絕緣中間層590的第一部分和第二部分，并且可與有源層530的源區(qū)和漏區(qū)中的每個(gè)區(qū)接觸?？墒褂媒饘佟⒑辖?、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物、透明導(dǎo)電材料等來形成源電極630和漏電極610中的每個(gè)電極。

連接線620可形成在圖1的像素區(qū)的至少一部分中，并且可在絕緣中間層590上沿第一方向延伸。連接線620可形成在絕緣中間層590上的第一區(qū)10和第二區(qū)20內(nèi)。如圖10中所示，可在第三區(qū)30內(nèi)的開口605的位于第一方向上的側(cè)壁上以及在基板510的通過第三區(qū)30內(nèi)的開口605暴露的部分上形成連接線620。

連接線620可形成在位于第一方向上的側(cè)壁的至少一部分以及基板510的通過第三區(qū)30內(nèi)的開口605暴露的至少一部分上。例如，因?yàn)樾纬捎虚_口605，所以連接線620(或絕緣層600)的臺(tái)階可在第三區(qū)30內(nèi)增大。因?yàn)榕_(tái)階在第三區(qū)30內(nèi)增大，所以在蝕刻形成在整個(gè)基板510上的初始連接線層的工藝之后，連接線620可在開口605內(nèi)不被完全蝕刻(例如，圖案化)。然而，在示例實(shí)施例中，連接線620的蝕刻殘留物可保留在開口605內(nèi)，連接線620中的每條連接線可形成在開口605中的每個(gè)開口中。在這種情況下，特別是由于絕緣層600的未蝕刻部分設(shè)置在每對鄰近的連接線620之間，因此雖然蝕刻殘留物殘留在開口605內(nèi)，但是鄰近的連接線620也不會(huì)短路在一起。

可使用金屬、合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物、透明導(dǎo)電材料等形成連接線620。例如，連接線620可由Al、鋁的合金、AlNx、Ag、銀的合金、W、WNx、Cu、銅的合金、Ni、Cr、CrNx、Mo、鉬的合金、Ti、TiNx、Pt、Ta、TaNx、Nd、Sc、SRO、ZnOx、SnOx、InOx、GaOx、ITO、IZO等形成。這些可單獨(dú)或以它們的合適的組合來使用。在示例實(shí)施例中，連接線620可具有堆疊的結(jié)構(gòu)，堆疊的結(jié)構(gòu)可由Ti/Al/Ti形成。可使用相同的材料來同時(shí)形成連接線620、源電極630和漏電極610。因此，在第一區(qū)10內(nèi)，可形成包括有源層530、柵電極570、漏電極610和源電極630的半導(dǎo)體元件650。

現(xiàn)在參照圖12，可在源電極630、漏電極610和連接線620上形成平坦化層670。平坦化層670可覆蓋在第一區(qū)10內(nèi)的源電極630、漏電極610和連接線620，并且可在絕緣中間層590上沿第一方向延伸。即，平坦化層670 可形成在整個(gè)絕緣中間層590上的第一區(qū)10、第二區(qū)20和第三區(qū)30內(nèi)。在示例實(shí)施例中，平坦化層670可具有暴露第二區(qū)20內(nèi)的連接線620的第一通孔675以及暴露在與第二區(qū)20和第三區(qū)30的邊界相鄰的位置處的連接線620的第二通孔676。第二通孔676可阻擋從外部滲透到OLED裝置中的濕氣或水。平坦化層670可形成為具有高的厚度以完全覆蓋源電極630、漏電極610和連接線620。在這種情況下，平坦化層670可具有基本上平坦的上表面，可對平坦化層670進(jìn)一步執(zhí)行平坦化工藝以實(shí)現(xiàn)平坦化層670的平坦的上表面。平坦化層670可使用有機(jī)材料或無機(jī)材料形成。在示例實(shí)施例中，平坦化層670可包括諸如聚酰亞胺類樹脂、光致抗蝕劑、丙烯酸類樹脂、聚酰胺類樹脂、硅氧烷類樹脂等的有機(jī)材料。

可在平坦化層670上的第一區(qū)10內(nèi)形成第一電極690。第一電極690可通過去除平坦化層670的一部分來與漏電極610接觸。結(jié)果，第一電極690可電連接到半導(dǎo)體元件650。第一電極690可使用金屬、合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物、透明導(dǎo)電材料等形成。

可在平坦化層670上的第二區(qū)20內(nèi)設(shè)置焊盤電極700。焊盤電極700可通過第一通孔675與連接線620接觸。在示例實(shí)施例中，焊盤電極700可具有堆疊的結(jié)構(gòu)，堆疊的結(jié)構(gòu)可包括ITO/Ag/ITO?？墒褂孟嗤牟牧蟻硗瑫r(shí)形成焊盤電極700和第一電極690。

像素限定層710可暴露在平坦化層670上的第一區(qū)10內(nèi)的第一電極690的一部分，并且可暴露在平坦化層670上的第二區(qū)20內(nèi)的焊盤電極700的一部分。在蝕刻形成在整個(gè)平坦化層670上的初始第一電極層和初始焊盤電極層的工藝之后，像素限定層710可覆蓋蝕刻的第一電極690的兩個(gè)側(cè)部(即，邊緣部)以及蝕刻的焊盤電極700的兩個(gè)側(cè)部(即，邊緣部)。這是因?yàn)樵谖g刻的第一電極690的兩個(gè)側(cè)部和蝕刻的焊盤電極700的兩個(gè)側(cè)部中產(chǎn)生微粒。像素限定層710可使用有機(jī)材料或無機(jī)材料形成。在示例實(shí)施例中，像素限定層710可包括有機(jī)材料。

現(xiàn)在參照圖13，可在通過像素限定層710暴露的第一電極690上形成發(fā)光層730。發(fā)光層730可具有包括EL、HIL、HTL、ETL和EIL的多層結(jié)構(gòu)。發(fā)光層730的EL可使用能夠根據(jù)子像素來產(chǎn)生不同顏色的光(例如，紅顏色的光、藍(lán)顏色的光和綠顏色的光等)的發(fā)光材料中的至少一種來形成?？蛇x擇地，發(fā)光層730的EL可通常通過堆疊能夠產(chǎn)生諸如紅顏色的光、綠顏 色的光、藍(lán)顏色的光等的不同顏色的光的多種發(fā)光材料來產(chǎn)生白顏色的光。

可在像素限定層710以及發(fā)光層730上形成第二電極740。第二電極740可覆蓋第一區(qū)10內(nèi)的像素限定層710和發(fā)光層730，并且可在基板510上沿第一方向延伸。第二電極740可使用金屬、金屬合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物、透明導(dǎo)電材料等形成。

可在第二電極740上形成薄膜包封結(jié)構(gòu)800。薄膜包封結(jié)構(gòu)800可包括至少一個(gè)第一薄膜包封層785和至少一個(gè)第二薄膜包封層770。例如，第二薄膜包封層770可形成在第一薄膜包封層785上?？山惶娌⒅貜?fù)地布置第一薄膜包封層785和第二薄膜包封層770。第一薄膜包封層785可覆蓋第二電極740，并且可沿第二電極740的輪廓形成為具有基本上均勻的厚度。第一薄膜包封層785可防止像素結(jié)構(gòu)由于濕氣、水、氧氣等的滲透而劣化。另外，第一薄膜包封層785可保護(hù)像素結(jié)構(gòu)免于外部沖擊。第一薄膜包封層785可使用無機(jī)材料形成。

可在第一薄膜包封層785上形成第二薄膜包封層770。第二薄膜包封層770可改善OLED裝置的平坦度，并且可保護(hù)第一區(qū)10內(nèi)的像素結(jié)構(gòu)。可使用有機(jī)材料來形成第二薄膜包封層770。

可在第二薄膜包封層770上形成第一薄膜包封層790。第一薄膜包封層790可覆蓋第二薄膜包封層770，并且可沿第二薄膜包封層770的輪廓形成為具有基本上均勻的厚度。第一薄膜包封層790與第一薄膜包封層785和第二薄膜包封層770一起可防止像素結(jié)構(gòu)由于濕氣、水、氧氣等的滲透而劣化。另外，第一薄膜包封層790與第一薄膜包封層785和第二薄膜包封層770一起可保護(hù)像素結(jié)構(gòu)免于外部沖擊。第一薄膜包封層790可使用無機(jī)材料形成。

可在第一薄膜包封層790上形成第二薄膜包封層775。第二薄膜包封層775可執(zhí)行與第二薄膜包封層770的功能基本上相同或相似的功能，第二薄膜包封層775可包括與第二薄膜包封層770的材料基本上相同或相似的材料。可在第二薄膜包封層775上形成第一薄膜包封層795。

第一薄膜包封層795可執(zhí)行與第一薄膜包封層785和790的功能基本上相同或相似的功能，第一薄膜包封層795可包括與第一薄膜包封層785和790的材料基本上相同或相似的材料。因此，可制造圖4和圖5的OLED裝置100。

現(xiàn)在轉(zhuǎn)向圖14，圖14是示出圖1的OLED裝置的示例的剖視圖。除了還可存在保護(hù)構(gòu)件315以外，圖14中示出的OLED裝置可具有與參照圖4 和圖5描述的OLED裝置100的構(gòu)造基本上相同或相似的構(gòu)造。在圖14中，將省略關(guān)于與參照圖4和圖5描述的元件和工藝基本上相同或相似的元件和工藝的詳細(xì)描述。

現(xiàn)在參照圖14，OLED裝置可包括基板110、像素結(jié)構(gòu)、絕緣層200、薄膜包封結(jié)構(gòu)400、連接線220、焊盤電極300、平坦化層270、像素限定層310、保護(hù)構(gòu)件315等。這里，像素結(jié)構(gòu)可包括半導(dǎo)體元件250、第一電極290、發(fā)光層330和第二電極340。半導(dǎo)體元件250可包括有源層130、柵電極170、源電極230和漏電極210。絕緣層200可包括緩沖層115、柵極絕緣層150和絕緣中間層190。薄膜包封結(jié)構(gòu)400可包括第一薄膜包封層385、390和395以及第二薄膜包封層370和375。

保護(hù)構(gòu)件315可設(shè)置在平坦化層270上的第三區(qū)30內(nèi)。由于設(shè)置有保護(hù)構(gòu)件315，所以O(shè)LED裝置的第三區(qū)30的中性平面可在第三方向上進(jìn)一步上升。因此，連接線220可不容易被破壞或切斷。保護(hù)構(gòu)件315可包括諸如聚酰亞胺、環(huán)氧類樹脂、丙烯酸類樹脂、聚酯、光致抗蝕劑、聚丙烯酸類樹脂、聚酰亞胺類樹脂、聚酰胺類樹脂、硅氧烷類樹脂等的有機(jī)材料，并且可包括諸如硅、尿烷、熱塑性聚氨酯(TPU)等的彈性材料。保護(hù)構(gòu)件315和像素限定層310可使用相同的材料同時(shí)形成。

現(xiàn)在轉(zhuǎn)向圖15和圖16，圖15是示出圖1的OLED裝置的示例的剖視圖，圖16是示出圖1的OLED裝置的另一示例的另一剖視圖。除了第一輔助線295和296、保護(hù)構(gòu)件325和平坦化層280以外，在圖15和圖16中示出的OLED裝置可具有與參照圖4和圖5描述的OLED裝置100的構(gòu)造基本上相同或相似的構(gòu)造。在描述圖15和圖16時(shí)，將省略關(guān)于與參照圖4和圖5描述的元件和工藝基本上相同或相似的元件和工藝的詳細(xì)描述。

現(xiàn)在參照圖15，OLED裝置可包括基板110、像素結(jié)構(gòu)、絕緣層200、薄膜包封結(jié)構(gòu)400、連接線220、焊盤電極300、平坦化層280、像素限定層310、第一輔助線295、保護(hù)構(gòu)件325等。這里，像素結(jié)構(gòu)可包括半導(dǎo)體元件250、第一電極290、發(fā)光層330和第二電極340。半導(dǎo)體元件250可包括有源層130、柵電極170、源電極230和漏電極210。絕緣層200可包括緩沖層115、柵極絕緣層150和絕緣中間層190。薄膜包封結(jié)構(gòu)400可包括第一薄膜包封層385、390和395以及第二薄膜包封層370和375。

平坦化層280可設(shè)置在源電極230、漏電極210和連接線220上。在示 例實(shí)施例中，平坦化層280可具有暴露第二區(qū)20內(nèi)的連接線220的第一通孔275、暴露在與第二區(qū)20和第三區(qū)30的邊界相鄰的位置處的連接線220的第二通孔276以及暴露在與第一區(qū)10和第三區(qū)30的邊界相鄰的位置處的連接線220的第三通孔277。第二通孔276和第三通孔277可阻擋已經(jīng)從外部滲透到OLED裝置中的濕氣或水。

第一輔助線295可設(shè)置在平坦化層280上。第一輔助線295可通過第一區(qū)10內(nèi)的第三通孔277電連接到連接線220。在這種情況下，雖然連接線220由于絕緣層的臺(tái)階而在第三區(qū)30內(nèi)被破壞(或切斷)，但是像素結(jié)構(gòu)和外部裝置可通過第一輔助線295電連接在一起。在示例實(shí)施例中，第一電極290、第一輔助線295和焊盤電極300可使用相同的材料同時(shí)形成。

保護(hù)構(gòu)件325可設(shè)置在第一輔助線295上的第一區(qū)10的一部分、第二區(qū)20的一部分以及第三區(qū)30中。因?yàn)樵O(shè)置有保護(hù)構(gòu)件325，所以O(shè)LED裝置100的第三區(qū)30的中性平面可在第三方向上進(jìn)一步上升。因此，第三區(qū)30可容易彎曲。

在一些示例實(shí)施例中，如圖16中所示，第一輔助線296和焊盤電極可整體地形成。

現(xiàn)在轉(zhuǎn)向圖17和圖18，圖17是示出圖1的OLED裝置的示例的剖視圖，圖18是示出圖1的OLED裝置的另一示例的另一剖視圖。除了基板113、連接線225、第一輔助線295、保護(hù)構(gòu)件325、平坦化層280、第二輔助線105和絕緣層201以外，在圖17和圖18中示出的OLED裝置可具有與參照圖4和圖5描述的OLED裝置100的構(gòu)造基本上相同或相似的構(gòu)造。在下面的圖17和圖18的描述中，將省略關(guān)于與參照圖4和圖5描述的元件和工藝基本上相同或相似的元件和工藝的詳細(xì)描述。

現(xiàn)在參照圖17，OLED裝置可包括基板113、像素結(jié)構(gòu)、絕緣層201、薄膜包封結(jié)構(gòu)400、連接線225、焊盤電極300、平坦化層280、像素限定層310、第一輔助線295、第二輔助線105、保護(hù)構(gòu)件325等。這里，像素結(jié)構(gòu)可包括半導(dǎo)體元件250、第一電極290、發(fā)光層330和第二電極340。半導(dǎo)體元件250可包括有源層130、柵電極170、源電極230和漏電極210。絕緣層201可包括緩沖層117、柵極絕緣層153和絕緣中間層195。薄膜包封結(jié)構(gòu)400可包括第一薄膜包封層385、390和395以及第二薄膜包封層370和375。

基板113可包括聚酰亞胺基板。在示例實(shí)施例中，聚酰亞胺基板可包括 第一聚酰亞胺層、第一阻擋膜層、第二聚酰亞胺層、第二阻擋膜層。第一阻擋膜層和第二阻擋膜層可包括無機(jī)材料。例如，第一阻擋膜層可設(shè)置在第一聚酰亞胺層上，第二聚酰亞胺層可設(shè)置在第一阻擋膜層上。另外，第二阻擋膜層可設(shè)置在第二聚酰亞胺層上。這里，第二輔助線105可設(shè)置在第一聚酰亞胺層和第一阻擋膜層之間。在示例實(shí)施例中，第二輔助線105可嵌入基板113內(nèi)。第二輔助線105可位于第一區(qū)10的一部分、第三區(qū)30和第二區(qū)20中。另外，第二聚酰亞胺層和第二阻擋膜層均可具有暴露在第一區(qū)10和第二區(qū)20中的每個(gè)區(qū)中的第二輔助線105的開口。

緩沖層117可設(shè)置在基板113上。緩沖層117可具有暴露第一區(qū)10內(nèi)的第二輔助線105的一部分的開口和暴露第二區(qū)20內(nèi)的第二輔助線105的一部分的開口。緩沖層117的開口中的每個(gè)開口的位置可與第二聚酰亞胺層和第二阻擋膜層的開口中的每個(gè)開口的位置相同。

柵極絕緣層153可設(shè)置在緩沖層117上。柵極絕緣層153可具有暴露第一區(qū)10內(nèi)的第二輔助線105的一部分的開口和暴露第二區(qū)20內(nèi)的第二輔助線105的一部分的開口。柵極絕緣層153的開口中的每個(gè)開口的位置可與第二聚酰亞胺層、第二阻擋膜層和緩沖層117的開口中的每個(gè)開口的位置相同。

絕緣中間層195可設(shè)置在柵極絕緣層153上。絕緣中間層195可具有暴露第一區(qū)10內(nèi)的第二輔助線105的一部分的開口和暴露第二區(qū)20內(nèi)的第二輔助線105的一部分的開口。絕緣中間層195的開口中的每個(gè)開口的位置可與第二聚酰亞胺層、第二阻擋膜層、緩沖層117和柵極絕緣層153的開口中的每個(gè)開口的位置相同。因此，絕緣層201可具有通過去除在第二區(qū)20內(nèi)的基板113的一部分、緩沖層117的一部分、柵極絕緣層153的一部分以及絕緣中間層195的一部分而暴露第二輔助線105的第四通孔278以及通過去除在第一區(qū)10內(nèi)的基板113的一部分、緩沖層117的一部分、柵極絕緣層153的一部分以及絕緣中間層195的一部分而暴露第二輔助線105的第五通孔279。

連接線225可設(shè)置在絕緣中間層195上的第一區(qū)10和第二區(qū)20內(nèi)。連接線225可設(shè)置在第三區(qū)30內(nèi)的開口205的位于第一方向上的側(cè)壁上。連接線225也可布置在基板113的通過第三區(qū)30內(nèi)的開口205暴露的部分上。連接線225可通過第二區(qū)20內(nèi)的第四通孔278與第二輔助線105接觸，并且可通過在第一區(qū)10內(nèi)的第五通孔279與第二輔助線105接觸。

平坦化層280可設(shè)置在源電極230、漏電極210和連接線225上。在示例實(shí)施例中，平坦化層280可具有暴露第二區(qū)20內(nèi)的連接線225的第一通孔275、暴露在與第二區(qū)20和第三區(qū)30的邊界相鄰的位置處的連接線225的第二通孔276以及暴露在與第一區(qū)10和第三區(qū)30的邊界相鄰的位置處的連接線225的第三通孔277。

第一輔助線295可設(shè)置在平坦化層280上。第一輔助線295可通過第一區(qū)10內(nèi)的第三通孔277電連接到連接線225，并且可通過第二區(qū)20內(nèi)的第二通孔276電連接到連接線225。

保護(hù)構(gòu)件325可設(shè)置在第一輔助線295上的第一區(qū)10的一部分、第二區(qū)20的一部分以及第三區(qū)30中。當(dāng)包括有保護(hù)構(gòu)件325和第一輔助線295時(shí)，OLED裝置的第三區(qū)30的中性平面可在第三方向上進(jìn)一步上升。

因此，雖然連接線225在第三區(qū)30內(nèi)被破壞(或切斷)，但是像素結(jié)構(gòu)和外部裝置可通過第一輔助線295和第二輔助線105來電連接。在示例實(shí)施例中，第一電極290、第一輔助線295和焊盤電極300可使用相同的材料同時(shí)形成。

在一些示例實(shí)施例中，如圖18中所示，第三輔助線177可設(shè)置在柵極絕緣層153上的第二區(qū)20內(nèi)，第四輔助線179可設(shè)置在柵極絕緣層153上的第一區(qū)10內(nèi)。第三輔助線177可通過第四通孔278電連接到第二輔助線105和連接線225，第四輔助線179可通過第五通孔279電連接到第二輔助線105和連接線225。在這種情況下，第三輔助線177和第五輔助線179可使用相同的材料同時(shí)形成。

現(xiàn)在轉(zhuǎn)向圖19，圖19是示出圖1的OLED裝置的另一示例的剖視圖。除了連接線223、第一輔助線295、保護(hù)構(gòu)件325、平坦化層280、第五輔助線173和絕緣層203以外，在圖19中示出的OLED裝置可具有與參照圖4和圖5描述的OLED裝置100的構(gòu)造基本上相同或相似的構(gòu)造。在下面對圖19的描述中，將省略關(guān)于與參照圖4和圖5描述的元件和工藝基本上相同或相似的元件和工藝的詳細(xì)描述。

現(xiàn)在參照圖19，OLED裝置可包括基板110、像素結(jié)構(gòu)、絕緣層203、薄膜包封結(jié)構(gòu)400、連接線223、焊盤電極300、平坦化層280、像素限定層310、第一輔助線295、第五輔助線173、保護(hù)構(gòu)件325等。這里，像素結(jié)構(gòu)可包括半導(dǎo)體元件250、第一電極290、發(fā)光層330和第二電極340。半導(dǎo)體 元件250可包括有源層130、柵電極170、源電極230和漏電極210。絕緣層203可包括緩沖層115、柵極絕緣層150和絕緣中間層191。薄膜包封結(jié)構(gòu)400可包括第一薄膜包封層385、390和395以及第二薄膜包封層370和375。

第五輔助線173可設(shè)置在柵極絕緣層150上。第五輔助線173和柵電極170可使用相同的材料同時(shí)形成。

絕緣中間層191可設(shè)置在柵極絕緣層150上。絕緣中間層191可具有暴露第一區(qū)10內(nèi)的第五輔助線173的一部分的開口和暴露第二區(qū)20內(nèi)的第五輔助線173的一部分的開口。

連接線223可設(shè)置在絕緣中間層191上的第一區(qū)10、第二區(qū)20和第三區(qū)30內(nèi)。連接線223可通過在第一區(qū)10和第二區(qū)20內(nèi)的絕緣中間層191的開口中的每個(gè)開口與第五輔助線173接觸。

平坦化層280可設(shè)置在源電極230、漏電極210和連接線223上。在圖19的示例實(shí)施例中，平坦化層280可具有暴露第二區(qū)20內(nèi)的連接線223的第一通孔275、暴露在與第二區(qū)20和第三區(qū)30的邊界相鄰的位置處的連接線223的第二通孔276以及暴露在與第一區(qū)10和第三區(qū)30的邊界相鄰的位置處的連接線223的第三通孔277。

第一輔助線295可設(shè)置在平坦化層280上。第一輔助線295可通過第一區(qū)10內(nèi)的第三通孔277電連接到連接線223，并且可通過第二區(qū)20內(nèi)的第二通孔276電連接到連接線223。保護(hù)構(gòu)件325可設(shè)置在第一輔助線295上的第一區(qū)10的一部分、第二區(qū)20的一部分以及第三區(qū)30中。

現(xiàn)在轉(zhuǎn)向圖20至圖24，圖20是示出根據(jù)示例實(shí)施例的OLED裝置的平面圖，圖21是沿圖20的線III-III'截取的剖視圖，圖22是沿圖20的線IV-IV'截取的剖視圖，圖23是沿圖20的線V-V'截取的剖視圖，圖24是沿圖20的線VI-VI'截取的剖視圖。除了連接線1220、焊盤電極1300和開口1205以外，在圖20至圖24中示出的OLED裝置1000可具有與參照圖1至圖5描述的OLED裝置100的構(gòu)造基本上相同或相似的構(gòu)造。在圖20至圖24中，將省略關(guān)于與參照圖1至圖5描述的元件和工藝基本上相同或相似的元件和工藝的詳細(xì)描述。

現(xiàn)在參照圖20，OLED裝置1000可包括像素區(qū)50和外圍區(qū)55。這里，外圍區(qū)55可圍繞像素區(qū)50。另外，外圍區(qū)55可包括具有彎曲區(qū)30(例如，將在下面描述的第三區(qū))的焊盤區(qū)60。當(dāng)彎曲區(qū)30被彎曲時(shí)，焊盤區(qū)60的 一部分可位于OLED裝置1000的下表面上，OLED裝置1000的外圍區(qū)55可相對減小。

多個(gè)像素PX(例如，將在下面描述的像素結(jié)構(gòu))可設(shè)置在像素區(qū)50內(nèi)，像素PX可顯示圖像。公共線(例如，數(shù)據(jù)信號(hào)線、掃描信號(hào)線、發(fā)射信號(hào)線、電源電壓線等)可設(shè)置在外圍區(qū)55內(nèi)，包括在OLED裝置1000內(nèi)的將在下面描述的絕緣層200、連接線1220、焊盤電極1300等可設(shè)置在焊盤區(qū)60內(nèi)。另外，開口1205可位于彎曲區(qū)30內(nèi)。例如，連接線1220中的每條連接線可沿與包括在OLED裝置1000內(nèi)的將在下面描述的基板的上表面平行的第一方向延伸，通過去除絕緣層而暴露基板的開口1205也可在第一方向上延伸，同時(shí)在與第一方向垂直的第二方向上彼此分隔開。

在示例實(shí)施例中，開口1205可包括第一開口至第N開口，其中，N是大于1的整數(shù)，連接線1220可包括第一連接線至第M連接線，其中，M是大于1的整數(shù)。絕緣層可被彎曲區(qū)30內(nèi)的開口1205空間上分離。第一連接線至第M連接線中的第L連接線可設(shè)置在絕緣層上的第一開口至第N開口中的第K開口與第K+1開口之間，其中，K是1和N之間的整數(shù)，L是1和M之間的整數(shù)。

連接線1220可使設(shè)置在像素區(qū)50內(nèi)的像素PX電連接到外部裝置。例如，外部裝置可通過FPCB連接到OLED裝置1000。外部裝置可向OLED裝置1000提供數(shù)據(jù)信號(hào)、掃描信號(hào)、發(fā)射信號(hào)、電源電壓等。另外，驅(qū)動(dòng)集成電路可安置(例如，安裝)在FPCB內(nèi)。

因?yàn)樾纬捎虚_口1205，所以可增大在彎曲區(qū)30內(nèi)并且在每個(gè)開口1205的邊緣處的絕緣層的臺(tái)階(例如，水平的差)。因?yàn)榕_(tái)階在彎曲區(qū)30內(nèi)增大，所以在蝕刻形成在整個(gè)基板上的初始連接線層的工藝之后，連接線1220可在與開口1205交叉地延伸時(shí)不被完全蝕刻(或圖案化)。即，連接線1220的蝕刻殘留物可殘留在開口1205內(nèi)。然而，在圖20至圖24的示例實(shí)施例中，連接線1220都不與開口1205相交，代替的是連接線1220中的每條連接線的整體設(shè)置在絕緣層上。在這種情況下，雖然蝕刻殘留物殘留在開口1205內(nèi)，但是蝕刻殘留物和連接線1220不會(huì)彼此接觸。

因此，雖然彎曲區(qū)30的絕緣層1200被去除以產(chǎn)生開口1205從而允許彎曲或折疊彎曲區(qū)30，但是OLED裝置1000可用作柔性O(shè)LED裝置且連接線1220沒有短路在一起。

在圖20中，OLED裝置1000包括在焊盤區(qū)60內(nèi)的三條連接線1220和四個(gè)開口1205，但不限于此。在一些示例實(shí)施例中，例如，OLED裝置1000可包括多條連接線1220和多個(gè)開口1205。

另外，圖20的開口1205的平面圖形狀是基本上矩形，但不限于此。例如，開口1205的平面圖形狀可代替地具有基本上三角形形狀、基本上菱形形狀、基本上多邊形形狀、基本上圓形形狀、基本上履帶形狀或基本上橢圓形形狀。

現(xiàn)在參照圖21至圖24，OLED裝置1000可包括基板110、像素結(jié)構(gòu)、絕緣層200、薄膜包封結(jié)構(gòu)400、連接線1220、焊盤電極1300、平坦化層1270、像素限定層310等。這里，像素結(jié)構(gòu)可包括半導(dǎo)體元件250、第一電極290、發(fā)光層330和第二電極340。半導(dǎo)體元件250可包括有源層130、柵電極170、源電極230和漏電極210。絕緣層200可包括緩沖層115、柵極絕緣層150和絕緣中間層190。薄膜包封結(jié)構(gòu)400可包括第一薄膜包封層385、390和395以及第二薄膜包封層370和375。

連接線1220可設(shè)置在圖20的像素區(qū)50的至少一部分中，并且可在絕緣中間層190上沿第一方向延伸。因?yàn)檫B接線1220設(shè)置在像素區(qū)50的至少一部分中，所以連接線1220可電連接到像素結(jié)構(gòu)。因此，連接線1220可使設(shè)置在像素區(qū)50內(nèi)的像素結(jié)構(gòu)電連接到外部裝置。

如圖21中所示，連接線1220可設(shè)置在絕緣中間層190上的第一區(qū)10、第二區(qū)20和第三區(qū)30(例如，彎曲區(qū))內(nèi)，并且可如圖20、圖23和圖24中所示地位于第三區(qū)30內(nèi)的開口1205中的相鄰的兩個(gè)開口1205之間同時(shí)與開口1205中的每個(gè)開口分隔開。在圖4的實(shí)施例中，連接線220(或絕緣層200)的臺(tái)階可在第三區(qū)30內(nèi)增大。因?yàn)榕_(tái)階在第三區(qū)30內(nèi)增大，所以在蝕刻形成在整個(gè)基板110上的初始連接線層的工藝之后，連接線220可在開口205內(nèi)不被完全蝕刻(或圖案化)。即，連接線220的蝕刻殘留物可殘留在開口205內(nèi)。然而，在圖20至圖24的示例實(shí)施例中，連接線1220中的每條連接線設(shè)置在絕緣層200上并且與每個(gè)開口1205分隔開。在這種情況下，雖然蝕刻殘留物殘留在開口1205內(nèi)，但是蝕刻殘留物和連接線1220不會(huì)彼此接觸。連接線1220中的每條連接線可包括金屬、合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物、透明導(dǎo)電材料等。在示例實(shí)施例中，連接線1220具有堆疊的結(jié)構(gòu)，堆疊的結(jié)構(gòu)可由Ti/Al/Ti形成。連接線1220、源電極230和漏電極210可使 用相同的材料同時(shí)形成。

平坦化層1270可設(shè)置在源電極230、漏電極210和連接線1220上。平坦化層1270可覆蓋在第一區(qū)10內(nèi)的源電極230、漏電極210和連接線1220，并且可在絕緣中間層190上沿第一方向延伸。即，平坦化層1270可設(shè)置在整個(gè)絕緣中間層190上的第一區(qū)10、第二區(qū)20和第三區(qū)30內(nèi)。在示例實(shí)施例中，如圖24中所示，平坦化層1270可具有暴露第二區(qū)20內(nèi)的連接線1220的第一通孔1275以及在與第二區(qū)20和第三區(qū)30的邊界相鄰的位置處的第二通孔286(圖22)。第二通孔286可阻擋已經(jīng)從外部滲透并且進(jìn)入到OLED裝置1000中的濕氣或水。

再次參照圖24，焊盤電極1300可設(shè)置在平坦化層1270上的第二區(qū)20內(nèi)。焊盤電極1300可通過第一通孔1275與連接線1220接觸。如上所述，像素結(jié)構(gòu)和外部裝置可通過將FPCB與焊盤電極1300接觸而經(jīng)由連接線1220電連接在一起。在示例實(shí)施例中，焊盤電極1300可具有堆疊的結(jié)構(gòu)，諸如ITO/Ag/ITO。焊盤電極1300和第一電極290可使用相同的材料同時(shí)形成。

根據(jù)示例實(shí)施例的OLED裝置1000包括在第三區(qū)30內(nèi)的開口1205，連接線1220中的每條連接線可設(shè)置在絕緣層200上并且可以與絕緣層200內(nèi)的開口1205中的每個(gè)開口分隔開。因此，雖然第三區(qū)30的絕緣層200被去除以允許彎曲或折疊第三區(qū)30，但是OLED裝置1000可用作柔性O(shè)LED裝置且相鄰的連接線1220沒有短路在一起。

本發(fā)明可應(yīng)用于包括顯示裝置的各種顯示設(shè)備。例如，本發(fā)明可應(yīng)用于車輛顯示設(shè)備、艦船顯示設(shè)備、航空器顯示設(shè)備、便攜式通信設(shè)備、用于顯示或用于信息傳輸?shù)娘@示設(shè)備、醫(yī)療顯示設(shè)備等。

上文是示例實(shí)施例的說明并且將不被解釋為對示例實(shí)施例的限制。雖然已經(jīng)描述了一些示例實(shí)施例，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將容易理解的是，在不實(shí)質(zhì)上脫離本發(fā)明構(gòu)思的新穎性教導(dǎo)和優(yōu)點(diǎn)的情況下，許多修改在示例實(shí)施例內(nèi)是可能的。因此，所有這樣的修改意圖包括在如權(quán)利要求內(nèi)限定的本發(fā)明構(gòu)思的范圍內(nèi)。因此，將理解的是，上文是不同示例實(shí)施例的說明并且將不被解釋為受限于所公開的具體示例實(shí)施例，對所公開的示例實(shí)施例以及其他示例實(shí)施例的修改意圖包括在權(quán)利要求的范圍內(nèi)。