本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置。

背景技術(shù)：

AMOELD(Active-matrix organic light emitting diode)顯示裝置因具有反應(yīng)速度快、對比度高、視角廣、能耗低、自發(fā)光以及不需要使用背光板等特點(diǎn)，為許多國際大廠所喜歡，被認(rèn)為是下一代的平板顯示元件。

AMOELD顯示裝置通常包括基板及設(shè)于基板上的柵極線、數(shù)據(jù)線和輸電線。柵極線與數(shù)據(jù)線絕緣交叉，圍成一個像素單元。每個像素單元中包含至少兩個薄膜晶體管(TFT)，該兩個薄膜晶體管分別為開關(guān)TFT和驅(qū)動TFT。開關(guān)TFT用于接收柵極線的信號，控制開關(guān)，將數(shù)據(jù)線上傳來的信號輸入到驅(qū)動TFT，驅(qū)動TFT進(jìn)一步地控制輸電線輸入到AMOLED器件中的電流大小。

在傳統(tǒng)設(shè)計中，由于輸電線本身具有電阻，因此會在沿著輸電線的方向上產(chǎn)生壓降，尤其是遠(yuǎn)離信號輸入端的位置，壓降更為明顯，因此，會導(dǎo)致施加到像素上的電源電壓不均勻，從而導(dǎo)致顯示亮度的不均勻，進(jìn)而損害顯示效果。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本實(shí)用新型提供了一種顯示亮度較為均勻的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。

本實(shí)用新型提供的有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括基板以及設(shè)于基板上的多個驅(qū)動薄膜晶體管，所述驅(qū)動薄膜晶體管包括柵極、源極、漏極以及位于所述源極與所述漏極之間的溝道，所述驅(qū)動薄膜晶體管的溝道長度沿所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置的輸電線壓降方向遞減。

根據(jù)本實(shí)用新型的一個實(shí)施例，所述基板的一側(cè)設(shè)有一信號輸入端，所述驅(qū)動薄膜晶體管的溝道長度由靠近所述信號輸入端的位置向遠(yuǎn)離所述信號輸入端的位置遞減。

根據(jù)本實(shí)用新型的一個實(shí)施例，所述基板上還設(shè)有一像素陣列，所述像素陣列包括沿輸電線的延伸方向排列的若干行像素單元，所述的多個驅(qū)動薄膜晶體管設(shè)于所述的若干行像素單元內(nèi)，所述驅(qū)動薄膜晶體管的溝道長度沿所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置的輸電線壓降方向按行遞減。

根據(jù)本實(shí)用新型的一個實(shí)施例，所述基板上還設(shè)有一像素陣列，所述像素陣列包括沿輸電線的延伸方向排列的若干組像素單元，各組像素單元均包括若干行像素單元，所述的多個驅(qū)動薄膜晶體管設(shè)于所述的若干行像素單元內(nèi)，所述驅(qū)動薄膜晶體管的溝道長度沿所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置的輸電線壓降方向按組遞減。

根據(jù)本實(shí)用新型的一個實(shí)施例，所述驅(qū)動薄膜晶體管的溝道長度沿所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置的輸電線壓降方向按組成比例遞減。

在本實(shí)用新型中，通過將驅(qū)動TFT的溝道長度設(shè)置成沿輸電線的壓降方向遞減，可以補(bǔ)償有機(jī)發(fā)光顯示裝置中因輸電線電阻所造成的沿輸電線的壓降，從而避免因施加到像素上電源電壓的不均勻所導(dǎo)致的顯示亮度不均，提升了顯示效果。

上述說明僅是本實(shí)用新型技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本實(shí)用新型的技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本實(shí)用新型的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說明如下。

附圖說明

圖1所示為本實(shí)用新型有機(jī)發(fā)光顯示裝置的俯視示意圖；

其中，100-基板，101-柵極線，102-數(shù)據(jù)線，108-輸電線，109-像素單元，110-開關(guān)TFT，120-驅(qū)動TFT，130-信號輸入端。

具體實(shí)施方式

為更進(jìn)一步闡述本實(shí)用新型為達(dá)成預(yù)定實(shí)用新型目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對本實(shí)用新型詳細(xì)說明如下。

圖1所示為本實(shí)用新型有機(jī)發(fā)光顯示裝置的俯視示意圖。本實(shí)用新型的有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以為但不限于是AMOLED。如圖1所示，本實(shí)用新型的有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括基板100及設(shè)于基板100上的柵極線101、數(shù)據(jù)線102和輸電線108。其中，輸電線108平行于數(shù)據(jù)線102，柵極線101與數(shù)據(jù)線102絕緣交叉，圍成多個像素單元109。每個像素單元109中設(shè)有開關(guān)薄膜晶體管(下文稱開關(guān)TFT)110、驅(qū)動薄膜晶體管(下文稱驅(qū)動TFT)120、存儲電容(圖未示)以及有機(jī)電致發(fā)光元件(下文稱有機(jī)EL元件，圖未示)。開關(guān)TFT 110接收柵極線101的信號，控制開關(guān)，并將數(shù)據(jù)線102上傳來的信號輸入到驅(qū)動TFT 120，驅(qū)動TFT 120進(jìn)一步地控制輸電線108輸入到AMOLED器件中的電流大小。存儲電容用于存儲開關(guān)TFT 110傳輸?shù)臄?shù)據(jù)信號。

在上述有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，這些像素單元109規(guī)則地排列成若干行，各行包含的像素單元109數(shù)相同，每行中的像素單元109沿輸電線108的延伸方向排列，形成一像素陣列。驅(qū)動TFT 120以一一對應(yīng)的方式設(shè)于像素陣列的各像素單元109內(nèi)。各像素單元109的驅(qū)動TFT 120包括柵極、源極、漏極以及位于源極與漏極之間的溝道。驅(qū)動TFT 120的溝道長度沿輸電線108的壓降方向遞減。在本實(shí)用新型中，基板100上還設(shè)有一位于基板100一側(cè)的信號輸入端130，信號輸入端130可以是IC，通過向輸電線108輸入電信號來控制AMOLED器件的亮度。輸電線108的壓降指輸電線108不同部分的電壓隨著其與信號輸入端130之間距離的增加而逐漸減小。因此，本實(shí)用新型中，驅(qū)動TFT 120的溝道長度也可以說成是由靠近信號輸入端130的位置向遠(yuǎn)離信號輸入端130的位置遞減。

在本實(shí)用新型中，驅(qū)動TFT 120的溝道長度可以是按照輸電線108的壓降方向按行遞減，也即，假設(shè)將最靠近信號輸入端130的那行像素單元109標(biāo)為第一行像素單元109，然后按照距離信號輸入端130的距離將各行像素單元109依次標(biāo)為第二行，第三行，…第M行像素單元109，則第一行像素單元109中驅(qū)動TFT 120的溝道長度大于第二行像素單元109中驅(qū)動TFT1 20的溝道長度，第二行像素單元109中驅(qū)動TFT120的溝道長度大于第三行像素單元109中驅(qū)動TFT 120的溝道長度，…，第M-1行像素單元109中驅(qū)動TFT 120的溝道長度大于第M行像素單元109中驅(qū)動TFT 120的溝道長度。

另外，在本實(shí)用新型的其它實(shí)施例中，驅(qū)動TFT 120的溝道長度也可以是按照輸電線108的壓降方向分段遞減，也即，假設(shè)將像素陣列中的像素單元109等分為N組像素單元109，每組像素單元109中包括i行像素單元109，則每組像素單元109中各行驅(qū)動TFT 120的溝道長度相同，而各組像素單元109中驅(qū)動TFT 120的溝道長度則按照與信號輸入端130之間距離的遠(yuǎn)近而遞減，其遞減方式優(yōu)選是按組成比例遞減，也即，假設(shè)由最接近信號輸入端130的像素單元組處到距離信號輸入端130最遠(yuǎn)的像素單元組處驅(qū)動TFT 120的溝道長度需要的減少量為ΔL，則每組像素單元109處驅(qū)動TFT 120的溝道長度需要的減少量為ΔL/N。

在本實(shí)用新型中，通過將驅(qū)動TFT 120的溝道長度設(shè)置成沿輸電線108的壓降方向遞減，可以補(bǔ)償有機(jī)發(fā)光顯示裝置中因輸電線108電阻所造成的沿輸電線108的壓降，從而避免因施加到像素上電源電壓的不均勻所導(dǎo)致的顯示亮度不均，提升了顯示效果。

本實(shí)用新型對壓降的補(bǔ)償作用可在驅(qū)動TFT線性工作時的開態(tài)電流上得到體現(xiàn)：

Ion＝u*W/L*Cox*[(Vgs-Vth)*Vds-1/2Vds²]

其中，Ion為TFT的開態(tài)電流，μ為電子遷移率，W為溝道寬度，L為溝道長度，Cox為柵介質(zhì)層的單位面積電容，Vgs為柵極偏壓，Vth為閾值電壓，Vds為漏極偏壓；

根據(jù)驅(qū)動TFT線性工作時開態(tài)電流的計算公式可以得知，減小驅(qū)動TFT的溝道長度，使L減小，則Ion會增大；由于輸電線壓降對有機(jī)EL元件供電電壓ELVDD的影響，當(dāng)遠(yuǎn)端ELVDD電壓較低時，減小溝道長度可以使得Ion增大，達(dá)到平衡亮度的目的。

以上所述，僅是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并非對本實(shí)用新型作任何形式上的限制，雖然本實(shí)用新型已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本實(shí)用新型，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案內(nèi)容，依據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)實(shí)質(zhì)對以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本實(shí)用新型技術(shù)方案的范圍內(nèi)。